半导体器件基础

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半导体器件基础

半导体器件基础半导体器件是现代电子技术中极其重要的组成部分，它们广泛应用于电子设备和通信系统中。

本文将介绍半导体器件的基础知识，包括半导体材料、PN结、二极管、晶体管和集成电路。

一、半导体材料半导体器件的核心是半导体材料。

半导体材料是介于导体和绝缘体之间的材料，它的导电性能在室温下较低，但在特定条件下可被控制增强。

常见的半导体材料有硅和锗。

半导体材料的导电特性取决于其原子晶格的结构和杂质的掺入。

二、PN结PN结是半导体器件中常见的结构之一。

它由一个掺杂有三价杂质的P区和一个掺杂有五价杂质的N区组成。

在PN结中，P区的杂质原子会释放出空穴，而N区的杂质原子则释放出电子。

当P区和N区相接触时，空穴和电子将发生复合，形成电势垒。

这种电势垒在正向偏置和反向偏置下表现出不同的特性。

三、二极管二极管是最简单的半导体器件之一。

它由PN结组成，具有两个引线，分别为阴极和阳极。

二极管可用于整流、开关和发光等应用。

在正向偏置下，电流可以顺利通过二极管；而在反向偏置下，电流将被截断。

四、晶体管晶体管是半导体器件的一种重要类型。

它由三个掺杂不同的区域组成，分别为发射极、基极和集电极。

晶体管可用于放大、开关和振荡等电路中。

具体而言，当有电流流经基极时，晶体管将放大电流，并将其从发射极传递到集电极。

五、集成电路集成电路是将大量的半导体器件和电子元件集成在单个芯片上的技术。

它是现代电子技术发展的重要里程碑，使得电子设备更小、更强大。

集成电路分为两种主要类型：模拟集成电路和数字集成电路。

模拟集成电路用于处理连续变化的信号，而数字集成电路则用于处理离散的数字信号。

综上所述，半导体器件作为现代电子技术的基础，具有广泛的应用前景。

通过了解半导体材料、PN结、二极管、晶体管和集成电路等基础知识，我们可以更好地理解和应用半导体器件，推动电子技术的进步和创新。

半导体器件基础课件(PPT-73页)精选全文完整版

有限，因此由它们形成的电流很小。
电子技术
注意:
1、空间电荷区中没有载流子。
2、空间电荷区中内电场阻碍P 区中的空穴、N 区中的电子（
都是多子）向对方运动（扩散运动）。
所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。
电子技术
二、PN 结的单向导电性
电子技术
1. 1 半导体二极管的结构和类型
构成：实质上就是一个PN结
PN 结 + 引线 + 管壳 =
二极管(Diode)
+
PN
-
符号：P
N
阳极
阴极
分类：
按材料分按结构分
硅二极管锗二极管点接触型面接触型平面型
电子技术
正极引线
N 型锗片负极引线
外壳
触丝
点接触型
正极负极引线引线
电子技术
半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴。自由电子在共价键以外的运动。空穴在共价键以内的运动。
结论：
1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少。 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电。 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。
电子技术
2、杂质半导体
+4
一、N 型半导体
电子技术
三、课程特点和学习方法
本课程是研究模拟电路（Analog Circuit）及其应用的课程。模拟电路是产生和处理模拟信号的电路。数字电路(Digital Circuit)的知识学习由数字电子技术课程完成。
本课程有着下列与其他课程不同的特点和分析方法。
电子技术

半导体器件基础

半导体器件基础一、引言半导体器件是现代电子技术的基础，广泛应用于通信、计算机、消费电子等各个领域。

本文将对半导体器件的基础知识进行介绍，包括半导体材料、PN结、二极管和晶体管。

二、半导体材料半导体器件的制作材料主要是硅（Si）和锗（Ge）。

这两种材料的原子结构中，外层电子数与内层电子数相差较小，使得它们具有较好的导电性能。

此外，硅和锗还具有稳定的化学性质和较高的熔点，适合用于制作半导体器件。

三、PN结PN结是半导体器件中最基本的结构之一。

它由一个P型半导体和一个N型半导体组成。

在PN结中，P型半导体中的空穴（正电荷）和N型半导体中的电子（负电荷）会发生扩散，形成空间电荷区。

空间电荷区中的电荷分布形成了电场，使得PN结两侧形成了正负电势差。

当外加电压使得PN结正向偏置时，空间电荷区变窄，电流可以通过；当外加电压使得PN结反向偏置时，空间电荷区变宽，电流无法通过。

PN结的这种特性使其成为二极管和晶体管等器件的基础。

四、二极管二极管是一种最简单的半导体器件，由PN结组成。

二极管具有只能单向导通电流的特性，即正向偏置时电流可以通过，反向偏置时电流无法通过。

二极管广泛应用于电路中的整流、限流和保护等功能。

五、晶体管晶体管是一种三层PN结的器件，由发射极、基极和集电极构成。

晶体管的工作方式取决于PN结的偏置状态。

当PN结适当偏置时，发射极和集电极之间的电流受到基极电流的控制。

晶体管可以放大电流和信号，广泛应用于放大器、开关和逻辑电路等领域。

六、其他半导体器件除了二极管和晶体管，半导体器件还包括场效应晶体管（FET）、可控硅（SCR）等。

FET是一种基于电场控制的器件，具有高输入阻抗和低噪声的特点，适用于放大和开关电路。

SCR是一种具有双向导通特性的器件，广泛应用于交流电控制领域。

七、结论半导体器件基础知识对于理解和应用现代电子技术至关重要。

本文介绍了半导体材料、PN结、二极管和晶体管等基本概念。

通过深入学习和理解半导体器件的基础知识，我们可以更好地应用和创新电子技术，推动科技进步和社会发展。

半导体器件基础

IF（多子扩散）反向饱和电流反向击穿电压正偏
反偏反向击穿 IR（少子漂移）
电击穿——可逆
2019年1月14日星期一5时11 分50秒
热击穿——烧坏PN结
11
根据理论分析：
i I S (e
u
UT
1)
T
UT =kT/q 称为温度的电压当量 u U 当 u>0 u>>UT时 e 1 其中k为玻耳兹曼常数 u 1.38×10－23 i I Se U T －9 q 为电子电荷量 1.6 × 10 u 当 u<0 |u|>>|U T |时 e U T 1 T 为热力学温度对于室温（相当T=300 K） i IS 则有UT=26 mV。
3
－
E
+4 +4 +4
＋
自由电子
4、导电机制
+4 +4 +4
+4
自由电子载流子空穴带负电荷带正电荷
+4
电子流
+4
空穴流
＋
=总电流
本征半导体的导电性取决于外加能量：
温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。
2019年1月14日星期一5时11 分50秒 4
二. 杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为杂质半导体。硅原子
△I
I z ma x
△U
27
稳压二极管的主要参数 (1) 稳定电压UZ ——
在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。
UZ
i
(2) 动态电阻rZ ——
陡。
I z min
△I

第7章半导体器件基础

7.3 晶体管
图7-��
16
晶体管的安全工作区
3)集电极-发射极反向击穿电压U（BR)CEO，是指当基极开路时，
7.3 晶体管
集电极-发射极间允许加的最高反向电压，通常比U(BR)CBO小一些。 (3) 集电极最大允许耗散功率PCM 由于集电极电流在流经集电结时将产生热量，使结温升高，从而引起晶体管参数变化。
电工与电子技术
主编
第7章半导体器件基础
7.1 半导体的基础知识
7.2 半导体二极管 7.3 晶体管 7.4 晶闸管
7.1 半导体的基础知识
1)热敏性：半导体对温度很敏感，随着温度的升高，其导电能力大大增强。 2)光敏性：半导体对光照也很敏感，当受光照射时其导电能力大
大增强。 3)掺杂性：半导体对“杂质”很敏感，掺杂以后导电能力大大增强。 7.1.1 本征半导体
7.2 半导体二极管
2)反向电压增加到一定数值时(如曲线中的C点或C′点)，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿，此时对应的电压称为反向击穿电压，用UBR表示，曲线中CD段(或段)称为反向击穿区。
7.2.3 二极管的主要参数二极管的参数是反映二极管性能的质量指标，工程上必须根据二极管的参数，合理地选择和使用二极管。 (1)最大正向整流电流IFM 它是指二极管长期工作时所允许通过的最大正向平均电流。 (2)最高反向工作电压UFM 它是指二极管工作时所允许加的பைடு நூலகம்高反向电压，超过此值二极管就有被反向电压击穿的危险。 (3)反向电流IR 它是指二极管未被击穿时的反向电流值。 (4)最高工作频率fM 主要由PN结电容大小决定。
图7-��
12 晶体管电流的实验电路
7.3 晶体管

半导体器件基础

自由电子带负电荷电子流
载流子
空穴带正电荷空穴流＋总电流
6
N型半导体和P型半导体
多余电子
N型半导体
硅原子
【Negative电子】
+4
+4 +4
在锗或硅晶体内
掺入少量五价元素
杂质，如磷；这样
+4
在晶体中就有了多磷原子余的自由电子。
+4
+5 +4 +4 +4
多数载流子——自由电子
少数载流子——空穴
不失真——就是一个微弱的电信号通过放大器后，输出电压或电流的幅度得到了放大，但它随时间变化的规律不能变。
放大电路是模拟电路中最主要的电路,三极管是组成放大电路的核心元件。
具有放大特性的电子设备：收音机、电视机、
手机、扩音器等等。
36
利用三极管组成的放大电路，最常用的接法是：基极作为信号的输入端，集电极作为输出端，发射极作为输入回路、输出回路的共同端（共发射极接法）
38
饱和工作状态
调节偏流电阻RP的阻值，使基极电流充分大时，集电极电流也随之变得非常大，三极管的两个PN结则都处于正向偏置。集电极与发射极之间的电压很小，小到一定程度会削弱集电极收集电子的能力，这时Ｉb再增大，Ｉc也不能相应地增大了，三极管处于饱和状态，集电极和发射极之间电阻很小，相当开关接通。
27
▪ 几种常见三极管的实物外形
大功率三极管
功率三极管
普通塑封三极管
28
▪ 三极管的分类
① 按频率分
高频管低频管
硅管 ③ 按半导
体材料分锗管
② 按功率分

第7章半导体器件基础

PNP型：UE>UB>UC
三极管具有放大作用的测试电路
IC IB V Rb + IE
Rc
+ -
I E IC I B

VBB UBB
-
VCC UCC
I I
C B
进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。
C B
IB
RB E EB IE
N P N
RC Ec 发射结正
二、PN结的单向导电性 1、外加正向电压 P区接电源正极，N区接电源负极，又称正向偏置。
U
内电场外电场
U
外电场抵消内电场的作用，使耗尽层变窄，当外电压增加到一定值后，正向电流明显增加（P→N），PN结呈现的电阻很小。形成较大的扩散电流，PN结导通。
2、外加反向电压
U
外电场和内电场共同作用，使耗尽层变宽，阻碍了多子的扩散运动，而加强了少子的漂移运动，通过PN结的电流（反向电流）由少子的漂移运动决定。少子浓度很低，反向电流很小。当反向电压增大时，反向电流几乎不随外加电压的增大而增大。PN结截止。
（a. 电子电流、b.空穴电流）
7.1.2 PN结
通过现代工艺，把一块本征半导体的一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，两种半导体的交界处就形成PN结。
P区
N区
一、PN结的形成
P区
N区
在交界面，由于两种载流子的浓度差，出现多子的扩散运动。
(N区中多子电子向P区扩散并与P区中的空穴复合而消失； P区中的多子空穴扩散到N区，与N区中的自由电子复合而消失)
7.4.2 工作原理
晶体管的两个PN结（发射结、集电结）加不同的偏置电压，晶体管具有放大、饱和、截止三种工作状态。

半导体器件基础要点课件

变。
05 半导体器件应用与展望
半导体器件在电子设备中的应用
集成电路
01
半导体器件是集成电路的基础组成部分，用于实现各种逻辑功
能和电路控制。
数字逻辑门
02
半导体器件可以构成各种数字逻辑门，如与门、或门、非门等
，用于实现数字信号的处理和运算。
微处理器和存储器
03
微处理器和存储器是半导体器件的重要应用领域，用于实现计
详细描述
半导体器件可以分为分立器件和集成电路两大类。分立器件包括二极管、晶体管等，它们主要用于信号放大、转换和控制。集成电路是将多个器件集成到一个芯片上，实现更复杂的功能，如运算、存储和处理等。
半导体器件的发展历程
总结词
半导体器件的发展经历了三个阶段，即晶体管的发明、集成电路的诞生和微电子技术的飞速发展。
包括热导率、热膨胀系数等参数，影响半导体的散热性能和可靠性。
光学性能
包括能带隙、光吸收系数、光电导率等参数，影响半导体的光电转换性能。
03 半导体器件工作原理
PN结的形成与特性
PN结的形成
在半导体中，通过掺杂形成P型和N型半导体，当P型和N型半导体接触时，由于多数载流子的扩散作用，在接触面形成一个阻挡层，即PN结。
硅基MEMS器件的特点与优势
高度集成
硅基MEMS器件可以在微米尺度上实现复杂的功能，具有极
高的集成度。
长寿命
硅基材料具有优异的机械性能和化学稳定性，使得硅基 MEMS器件具有较长的使用寿命。
低功耗
硅基MEMS器件的功耗较低，适用于对能源效率要求较高的应用场景。
可靠性高
硅基MEMS器件的结构简单，可靠性高，不易出现故障。

第1章-半导体器件基础

3. 反向电流 IR
指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。
以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。
多余电子
磷原子
+4 +4 +5 +4
N 型半导体中的载流子是什么？
1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。
掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。
二、P 型半导体
ui
ui
RL
uo
t
uo t
二极管的应用举例2： ui
ui
R
uR RL
uR
t
uo t
uo
t
1.2.5 稳压二极管
-
曲线越陡， I
电压越稳
定。
+
UZ
稳压
动态电阻：误差
r U Z
Z
I Z
rz越小，稳压性能越好。
UZ
IZ
U IZ IZmax
稳压二极管的参数:
（1）稳定电压 UZ
（2）电压温度系数U（%/℃）
基区空穴
向发射区
的扩散可
忽略。
B
进少入部P分区与R的基B 电区子的
空穴复合，形成
电流IBEE，B 多数
扩散到集电结。
C
N

半导体器件基础知识

半导体基础知识一、半导体本础知识（一）半导体自然界的物质按其导电能力区别，可分为导体、半导体、绝缘体三类。

半导体是导电能力介于导体和绝缘体之前的物质，其电阻率在10-3~109Ω范围内。

用于制作半导体元件的材料通常用硅或锗材料。

（二）半导体的种类在纯净的半导体中掺入特定的微量杂质元素，能使半导体的导电能力大提高。

掺入杂质后的半导体称为杂质半导体。

根据掺杂元素的性质不同，杂质半导体可分为N型和P型半导体。

（三）PN结及其特性1、PN结：PN结是构成半导体二极管、三极管、场效应管和集成电路的基础。

它是由P型半导体和N型半导体相“接触”后在它们交界处附近形成的特殊带电薄层。

2、PN结的单向导电性：当PN结外加正向电压（又叫正向偏置）时，PN结会表现为一个很小的电阻，正向电流会随外加的电压的升高而急速上升。

称这时的PN结处于导通状态。

当PN结外加反向电压（以叫反向偏置）时，PN结会表现为一个很大的电阻，只有极小的漏电流通过且不会随反向电压的增大而增大，这时的电流称为反向饱和电流。

称这时的PN结处于截止状态。

当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。

这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。

3、频率特性由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。

导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

二、半导体二极管（一）半导体二极管及其基本特性1、半导体二极管：半导体二极管（简称为二极管）是由一个PN结加上电极引线并封装在玻璃或塑料管壳中而成的。

其中正极（或称为阳极）从P区引出，负极（或称为阴极）从N区引出。

以下是常见的一些二极管的电路符号：普通二极管稳压二极管发光二极管整流桥堆2、二极管的伏安特性二极管的伏安特征如下图所示：二极管的伏安特性曲线（二）二极管的分类二极管有多种分类方法1、按使用的半导体材料分类二极管按其使用的半导体材料可分为锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管、磷化镓二极管等。

半导体器件基础知识

半导体器件基础知识目录一、半导体器件概述 (2)1.1 半导体的定义与特性 (3)1.2 半导体的分类 (3)1.3 半导体的应用领域 (4)二、半导体器件基础理论 (5)2.1 二极管 (6)2.1.1 二极管的分类与结构 (8)2.1.2 二极管的特性与应用 (9)2.2 晶体管 (10)2.2.1 晶体管的分类与结构 (11)2.2.2 晶体管的特性与应用 (13)2.3 集成电路 (15)2.3.1 集成电路的分类与结构 (16)2.3.2 集成电路的特性与应用 (18)三、半导体器件制造工艺 (19)3.1 晶圆制备 (20)3.2 淀积与光刻 (21)3.3 蚀刻与退火 (22)3.4 封装与测试 (23)四、半导体器件设计 (24)4.1 设计流程与方法 (24)4.2 特征尺寸与制程技术 (25)4.3 低功耗设计 (27)4.4 高性能设计与优化 (28)五、半导体器件测试与可靠性 (29)5.1 测试方法与设备 (30)5.2 可靠性评估与提升 (32)5.3 环境与寿命测试 (33)六、新兴半导体器件与发展趋势 (34)6.1 量子点半导体器件 (36)6.2 纳米半导体器件 (37)6.3 光电半导体器件 (38)6.4 三维集成与先进封装技术 (39)一、半导体器件概述半导体器件是现代电子工业中的核心组件，它们在各种电子设备中发挥着至关重要的作用。

半导体器件基于半导体材料，如硅（Si）和锗（Ge），这些材料的导电性介于导体和绝缘体之间。

通过控制半导体器件中掺杂离子的浓度和类型，可以实现其电学特性的精确调整，从而满足不同电子系统的需求。

半导体器件广泛应用于放大器、振荡器、开关、光电器件、传感器等多种功能模块。

集成电路（IC）是半导体器件的一种重要形式，它将成千上万的半导体器件紧密地封装在一个微小的芯片上，形成了一个高度集成化的电子系统。

集成电路在计算机、手机、汽车电子等领域的应用尤为广泛，极大地推动了信息技术的发展。

第七章半导体器件基础

1 m+2
Cj =
εε 0 S
d
=
C0 V 1 + V D
n
1 变容二极管指数： n = m+2
C ~ V特性
电路与电子学基础
m -13/7 -3/2 -1 0 1 2 3 4 n 7 2 1 1/2 1/3 1/4 1/5 1/6 势垒电容 PN结类型超突变结
Cj =
C0 V 1 + V D
电路与电子学基础
第七章半导体器件基础
7.1 半导体的基本知识 7.2 半导体二极管 7.3 半导体三极管 7.4 晶体管的主要参数 7.5 场效应晶体管
电路与电子学基础
7.1 半导体的基本知识
• 电阻率介于10e-3∼10e8Ω.cm，可变化区间大，电阻率介于10e- 10e8Ω.cm，可变化区间大， 10e 介于金属（10e-6Ω.cm～10e-3Ω.cm）介于金属（10e-6Ω.cm～10e-3Ω.cm）和绝缘体 10e8Ω.cm～10e20Ω.cm）（10e8Ω.cm～10e20Ω.cm）之间 • 热敏性：纯净半导体负温度系数，掺杂半导体在热敏性：纯净半导体负温度系数，一定温度区域出现正温度系数 • 光敏性：具有光敏性，用适当波长的光照射后，光敏性：具有光敏性，用适当波长的光照射后，材料的电阻率会变化，材料的电阻率会变化，即产生所谓光电导 • 掺杂性：半导体中存在着电子与+ +
多子扩散电流
电路与电子学基础
补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，E 少子飘移又失去多子，耗尽层宽，又失去多子，耗尽层宽，E 多子扩散
内电场E
P型半导体－－－－－－－－－－－

半导体器件基础

半导体器件基础半导体器件是由半导体材料制成的电子元件，用于控制和放大电流和电压。

常见的半导体器件有二极管、晶体管、场效应管、双极型晶体管、光电二极管等。

半导体器件的基础知识包括以下几个方面：1. 半导体材料：半导体器件主要使用硅（Si）和砷化镓（GaAs）等半导体材料。

半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电导特性，可以通过控制材料的掺杂来调节其导电性。

2. PN结：PN结是半导体器件中最基本的结构，由P型和N型半导体材料直接接触而成。

在PN结中，P型半导体中的空穴与N型半导体中的电子发生复合，形成一个电子云区，这称为耗尽区。

耗尽区的存在使得PN结具有正向导通和反向截止的特性。

3. 二极管：二极管是一种最简单的半导体器件，由PN结构成。

在正向偏置（即P端连接正电压）时，二极管导通，允许电流通过；在反向偏置（即N端连接正电压）时，二极管截止，电流无法通过。

二极管广泛用于整流和保护电路中。

4. 晶体管：晶体管是一种三层构造的半导体器件，通常分为NPN和PNP两种类型。

晶体管可以作为开关或放大器使用，可以控制一个输入电流或电压来控制另一个输出电流或电压。

晶体管的放大性能使得它在电子设备中有广泛的应用。

5. 场效应管：场效应管是一种基于电场效应的半导体器件，包括MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）和JFET （结型场效应管）两种。

场效应管具有高输入电阻、低输入电流、低噪声等特点，常用于放大和开关电路中。

6. 光电器件：光电器件包括光电二极管和光电三极管，它们能够将光信号转换为电信号。

光电器件广泛应用于光通信、光电传感、光能转换等领域。

以上是半导体器件基础的概述，深入了解半导体器件还需要学习更多的电子物理和电路理论知识。

第1章半导体器件基础

E = 200 lx
符号 2. 主要参数
E = 400 lx
特性
工作条件：反向偏置
u
电学参数：暗电流，光电流，最高工作范围
光学参数：
光谱范围，灵敏度，峰值波长
实物照片
模电拟电子子技技术术
1.2.6 二极管应用举例
例1：已知ui是幅值为10V的正弦信号，试画出ui和uo 的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。
模电拟电子子技技术术
例二：在图示稳压管稳压电路中，已知稳压管的稳定电压 UZ=6V，最小稳定电流Izmin=5mA，最大稳定电流Izmax=25mA；负载电阻RL=600Ω。求解限流电阻R的取值范围。
分析：
由KCL I R I DZ I L
I DZ
UI
UZ R
UZ RL
而 5mA IDZ 25mA
(击穿电压 < 4 V，负温度系数)
雪崩击穿：反向电场使电子加速，动能增大，当反向电压增加到较
大数值时，耗尽层的电场使少子加快漂移速度，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电了撞出共价键，产生电子-空穴对。新产生的电子与空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地倍增，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。 (击穿电压 > 7V，正温度系数)
模电拟电子子技技术术
二、PN 结的单向导电性 1. 外加正向电压(正向偏置)— forward bias
IF P 区
外电场
N区内电场
扩散运动加强形成正向电流 IF
外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。
限流电阻
模电拟电子子技技术术
2. 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias

电子技术基础10 半导体器件基础知识

26
三、掺杂半导体
2.P型半导体硅原子
硼原子
+4
+4
+4
+4
+3
+4
电子空穴对 P型半导体
空穴－－－－－－－－
空穴
+4
+4
+4
－－－－
受主离子
1.由受主原子提供的空穴，浓度与受主原子相同。
2.由于热激发仍成对产生的电子和空穴。
掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，空穴浓度远大于自由电子浓度。空穴称为多数载流子（多子），自由电子称为少数载流子（少子）。
22
三、掺杂半导体
1.N型半导体
＋4
＋4
＋4
掺入磷杂质的硅半
+
P
导体晶格中，自由电子的数量大大增
＋4
＋4
＋4
加。因此自由电子
五价元素磷(P)
是这种半导体的导电主流。
＋4
＋4
＋4
掺入五价元素的杂质半导体，由于空穴载流子的数量大大于自由电子载流子的数量而称为电子型半导体，也叫做N型半导体。在P型半导体中，不能移动的离子带正电。
自由电子和空穴向浓度低的地方扩散 2. 载流子基于浓度差异和随机热运动速度的移动——扩散，形
成扩散电流
31
谢谢观赏
25
三、掺杂半导体
2.P型半导体
＋4
＋－4
＋4
+
B
＋4
＋4
＋4
三价元素硼(B)
＋4
＋4
＋4
掺入硼杂质的硅半导体晶格中，空穴载流子的数量大大增加。因此空穴是这种半导体的导电主流。

第一章半导体器件基础知识

第一章半导体器件基础知识制作黎小桃第二节第三节第四节本章概述半导体器件是电子线路的核心器件。

只有掌握半导体器件的结构、性能、工作原理和特点，才能正确分析电子电路工作原理，正确选择和合理使用半导体器件。

本章主要介绍二极管、三极管、场效应管、晶闸管的结构、性能、主要参数以及常用器件的识别与性能测试等。

本章重点： PN 结的特性、晶体三极管、场效应管的工作原理、主要参数和外特性。

本章难点： PN 结的形成、三极管电流放大作用本章概述第一节本章概述第五节第一节半导体的基本知识一、半导体的概念半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

常用的半导体材料有硅（Si ）、锗（Ge ）、硒（Se ）和砷化镓（GaAs ）等。

二、半导体的特性（1）热敏特性和光敏特性：温度升高或受到光照，半导体材料的导电能力增强。

（2）掺杂特性：本征半导体中掺入某种微量元素(杂质)后，它的导电能力增强，利用该特性可形成杂质半导体。

第一节半导体的基本知识第二节第三节第四节本章概述第一节第五节第一节半导体的基本知识图1-1 共价健结构与空穴产生示意图第二节第三节第四节本章概述第一节第五节三、本征半导体纯净的不含任何杂质、晶体结构排列整齐的半导体。

共价键：相邻原子共有价电子所形成的束缚。

半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。

空穴产生：价电子获得能量挣脱原子核吸引和共价键束缚后留下的空位，空穴带正电。

四、N 型和P 型半导体(1)N 型半导体(N-type semiconductor)在四价的本征半导体(硅)中掺入微量五价元素磷，就形成了N 型半导体。

(2)P 型半导体(P-type semiconductor)：在四价的本征半导体(硅)中掺入微量三价元素(硼)就形成P 型半导体。

a)N 型半导体 b)P 型半导体第一节半导体的基本知识第二节第三节第四节本章概述第一节第五节五、PN 结1．PN 结的形成第一节半导体的基本知识第二节第三节第四节本章概述第一节第五节PN 结P 区N 区内电场电子空穴PN 结的形成在一块纯净的半导体晶体上，采用特殊掺杂工艺，在两侧分别掺入三价元素和五价元素。

《半导体器件基础》课件

计算机的CPU、内存等核心硬件都离不开半导体器件，如晶体管、电容
、电阻等。
03
消费电子中的半导体器件
手机、电视、音响等消费电子产品中，半导体器件广泛应用于信号处理
、显示控制等方面。
光电器件在通信与显示领域的应用
光纤通信中的光电器件
光纤通信系统中的光电器件，如激光器、光电探测器等，用于实现高速、大容量的信息传输。
成。
工作原理ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
02
通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
特性
03
具有低噪声、高速、低功耗等优点，常用于高频率信号处理。
04
半导体器件的工作原理
半导体的能带模型
原子能级与能带
描述原子中的电子能级如何形成连续的能带结构。
价带与导带
解释半导体的主要能带特征，包括价带和导带的定义与特性。
禁带宽度
讨论禁带宽度对半导体性质的影响，以及如何利用禁带宽度进行电子跃迁。
半导体器件的交流参数
阐述半导体器件的交流参数，如频率响应、噪声系数等。
半导体器件的可靠性参数
介绍半导体器件的可靠性参数，如寿命、稳定性等。
05
半导体器件的应用
电子设备中的半导体器件
01
集成电路中的半导体器件
集成电路是现代电子设备的基础，其中的晶体管、二极管等半导体器件
起着关键作用。
02
计算机硬件中的半导体器件
ABCD
通过掺入不同元素，可以调控半导体的导电类型（ N型或P型）和导电性能。
在实际应用中，通常将硅或锗基体材料进行掺杂，以实现所需的导电性能。
宽禁带半导体材料
宽禁带半导体的特点是其具有高热导率、高击穿场强和高电子饱和速度等优异性能。

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第7章 半导体器件基础

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