微电子器件 简答题 答案更正
微电子器件基础第七章习题解答
Pt电位低于N型半导体电位，半导体表面形成N型阻挡层
4、
N A 1017 cm3 , 4.13eV
P型硅功函数 Ws Eg EFp E
Ws
Eg
E0 Ec
p0 N A N e E Fp
E Fp E k 0T
E Fp E
N 6 1018 E k 0T ln 0.026ln 0.11eV 17 NA 10
Al电位高于N型半导体电位，半导体表面形成N型反阻挡层
不考虑界面态，与Au接触的接触电势差，
VD
WAu Ws 5.2 4.2 1.0V q q
Au电位低于N型半导体电位，半导体表面形成N型阻挡层
不考虑界面态，与Pt接触的接触电势差，
VD
WPt Ws 5.43 4.2 1.23V q q
Al-Cu
Au-Cu W-Al
( EF )m
Cu-Ag
Al-Au Mo-W Au-Pt
VD 0.32V VD 0 VD 1.02V VD 0.29V VD 0.23V
VD 0.12V Al电位高于Cu电位 VD 0.9V Cu电位高于Au电位
5、
Wm 2.5eV
红光波长 760 nm ，对应光子能量，
6.625 1034 3 108 h 1.63eV Wm 9 19 760 10 1.6 10 hc
红光照射金属时，不能从金属中激发光电子到真空中。
紫光波长 430 nm ，对应光子能量，
6.625 1034 3 108 h 2.89eV Wm 9 19 430 10 1.6 10 hc
电子元器件基础知识考试题及答案优选全文
可编辑修改精选全文完整版电子元器件基础知识考试题及答案电子元器件制造企业的发展将直接推动着电子元器件行业的发展，那么你对电子元器件基础知识了解多少呢?以下是由店铺整理关于电子元器件基础知识考试题的内容，希望大家喜欢!电子元器件基础知识考试题(一)一、填空题1、各种材料的物体对通过它的电流呈现一定的阻力﹐具有一定的阻值﹐一定的几何形状﹐一定的技朮性能的在电路中起电阻作用的，这种阻碍电流的作用叫(电阻)。
(2分)2、电阻的作用(在电路中起着阻止电流和分压的作用)。
(5分)3、电阻的换算(1MΩ=1000 KΩ，1 KΩ=1000Ω)。
(5分)4、电阻按外形分类(片状电阻)、(色环电阻)。
(5分)5、色环电阻，从0~9，相应的颜色是(黑棕红橙黄绿蓝紫灰白)。
(7分)6、电容的特性(隔直通交)。
(2分)二、判断题1、色环电容和色环电阻的参数，数字和颜色标识都相同。
(YES)2、五色环电阻或电容，是非精密的。
(NO)3、胆电容，在PCB上的极性标识，和二极管的标识相反。
(YES)4、0402等于1.0mm*0.5mm。
(YES)5、二极管是没有极性的组件。
(NO)三、问答题1、在PCBA上，如何辨别IC的方向?(5分)逆时针，圆点或切边为第一脚2、怎样进行晶振参数值的换算?(5分)1 MHz=103 KHz=106 Hz3、怎样进行电感参数值的换算?(5分)1H=103mH=106uH电子元器件基础知识考试题(二)一、单项选择题：(每题1分，共30分)1、根据作业指导书或样板之要求，该焊元件没焊，焊成其它元件叫( C )。
A、焊反B、漏焊C、错焊2、加锡的顺序是( A ) 。
A、先加热后放焊锡B、先放锡后焊C、锡和烙铁同时加入3、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( B )。
A、短路B、开路C、连焊4、二极管在电路板上用( B ) 表示。
A、CB、DC、R5、电烙铁焊接完成后与被焊体约( B )度角移开A、30B、45C、606.、一色环电阻颜色为：红-黑-黑-橙-棕其阻值为( C )。
微电子工艺面试问答
微电子工艺面试问答微电子工艺是现代高科技产业中不可或缺的一环，涉及到半导体、微纳米器件、电路设计等多个方面，因此对于微电子工艺的面试问答必然也是非常重要的。
在面试中，面试官往往会通过一系列的问题，考查面试者的知识水平和实践经验，下面我们就来看看一些典型的微电子工艺面试问答。
1、请问什么是MOSFET？答：MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的简称，是一种常用的半导体器件。
MOSFET是双极性器件，有钳位、源极、漏极三个端口。
其主要特性包括输出电阻、漏极导通电压、门电阻和输出电容等。
MOSFET的工作原理是，通过控制电极上的电场强度，调节基区的导电程度，从而控制电路中的电流。
2、请简述CMOS工艺的原理？答：CMOS工艺是一种双极性工艺，即在一个芯片上同时集成N型和P型MOSFET。
CMOS工艺的主要原理是通过在P 型衬底中加入N型区域，形成PN结，从而构成P型MOSFET，同样，在N型衬底中加入P型区域，形成PN结，从而构成N 型MOSFET。
然后利用硅氧化物制备阻挡层，用金属谷极框住MOSFET，最终实现CMOS电路的制备。
3、请介绍一下半导体工艺的主要流程？答：半导体工艺的主要流程包括以下几个步骤：晶圆清洗，光刻，蚀刻，沉积，退火和电镀。
其中，晶圆清洗是为了去除晶圆表面的杂质和污染物，保证后续工艺的进行；光刻是将电路设计中的图形模式通过光刻机在晶圆表面上转移到光刻胶上的过程，主要用来形成各种器件的线路和电路图案，然后通过蚀刻将光刻胶上的图案转移到晶圆表面；沉积是将各种材料的图案通过化学反应在晶圆表面上形成的工艺，主要用来制备器件结构；退火是在高温条件下将器件结构进行严格的控制和调整，以达到预期的性能要求；电镀则是对晶圆在金属结构上进行电解沉积或镀膜，主要用来形成电极和引线等。
4、请问晶体管的制作流程有哪些？答：晶体管的制作流程主要包括以下几个步骤：第一步，制备单晶硅材料；第二步，通过高温化学气相沉积技术，制备硅氧化物层；第三步，通过光刻和蚀刻技术，将晶体管的数据图形导入到硅片上，得到器件结构；第四步，通过扩散、离子注入等技术，控制MOS管的结构和特性；第五步，将器件经过金属化、测试、包装等工艺，最终完成晶体管的制作。
微电子学考试题库及答案
微电子学考试题库及答案1、PN结电容可分为过渡区电容和扩散电容两种，它们之间的主要区别在于扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。
2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对VT 的影响为下降，对于窄沟道器件对VT的影响为上升。
4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是寄生参数小，响应速度快等。
5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等几种，其中发生雪崩击穿的条件为V B>6E g/q。
6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。
8、热平衡时突变PN结的能带图、电场分布，以及反向偏置后的能带图和相应的I-V特性曲线。
答案：见最后附件9、PN结电击穿的产生机构两种；（答案：雪崩击穿、隧道击穿或齐纳击穿。
）10、双极型晶体管中重掺杂发射区目的；（答案：发射区重掺杂会导致禁带变窄及俄歇复合，这将影响电流传输，目的为提高发射效率，以获取高的电流增益。
）11、晶体管特征频率定义；（答案：随着工作频率f的上升，晶体管共射极电流放大系数下降为时所对应的频率，称作特征频率。
）12、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号；（答案：）13、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因；（答案：沟道长度调制效应和漏沟静电反馈效应。
）15、MOSFET短沟道效应种类；（答案：短窄沟道效应、迁移率调制效应、漏场感应势垒下降效应。
）16、扩散电容与过渡区电容区别。
（答案：扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。
）。
2、截止频率fT答案：截止频率即电流增益下降到1时所对应的频率值。
3、耗尽层宽度W。
答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，就会产生空间电荷区，而空间电荷区的宽度就称为耗尽层宽度W。
电子元器件试题与答案
电子元器件的基本知识工号: 姓名: 职位: 日期:一、选择题：（每提2分，总分10分）1.电容都是有极性的（ B ）A 对的B 错的2.工作电压大的电容器不可以代替工作电压小的电容器（ B ）A 对的,B 错的3. LED的极性是靠（D）判断的。
Ａ平边Ｂ缺口Ｃ长脚Ｄ以上几种A 3年B 2年C 1年D 半年4.手拿IC，让管脚向外，缺口向上，则IC的第一号管脚是（ A）A 缺口左边的第一个， C 缺口左边的最后一个，B 缺口右边的第一个， D 缺口右边的最后一个。
5.IC是极性元件（A）A.对的B.错的二：填空题：（每天2分，共60分）1. 单位换算：1F=（106）UF= （109 ）NF=（1012）PF6300Ω=（ 6.3 ）KΩ1英寸=( 25.4 )mm22H=( 22×106) UH 1Kg=( 1000 )g2. 根据下图提示填写表格：电阻阻值（ 3.2KΩ）电阻阻值（82.2KΩ）3. 根据色环标志含义表,写出下列各项的阻值和精度:1.橙-黑-棕-红（300Ω±2% ）2. 蓝-灰-黑-银（68Ω±10%）3.绿-紫-棕-金（570Ω±5% ）4.填空电解电容有阴影部分代表（负）极，二极管黑色标记部分代表（负）极电阻用什么字母表示（R ）电容用什么字母表示（ C ）电感用什么字母表示（L ）电阻的主要参数为（阻值）（误差）（额定功率）三极管有三个极分别代表（发射极）（基极）（集电极）数码管分哪两种（共阳数码管）（共阴数码管）集成电路的英文简称（IC），也俗称（芯片）代表（防静电）代表（警示）代表（危险）三、简答题：（每题10分，共30分）1.电容的三个主要参数是什么?在甚么情况下电容可以互相代用?2.你常见的电子元器件有几种?它的图示请写出来(在PCB板上的图示)最少写出5种。
3.你常见的有极性的电子元器件有哪些？（最少写5种）。
电子元器件基础知识题库100道及答案解析
电子元器件基础知识题库100道及答案解析1. 电阻的单位是（）A. 安培B. 伏特C. 欧姆D. 法拉答案：C解析：电阻的单位是欧姆，用符号“Ω”表示。
2. 电容的基本作用是（）A. 储存电荷B. 消耗电能C. 产生电能D. 阻碍电流答案：A解析：电容的基本作用是储存电荷。
3. 以下哪种不是常见的二极管类型（）A. 发光二极管B. 稳压二极管C. 光电二极管D. 电阻二极管答案：D解析：常见的二极管类型有发光二极管、稳压二极管、光电二极管等，没有电阻二极管。
4. 三极管的三个极分别是（）A. 阳极、阴极、栅极B. 源极、漏极、栅极C. 基极、集电极、发射极D. 正极、负极、接地极答案：C解析：三极管的三个极分别是基极、集电极、发射极。
5. 集成电路的英文缩写是（）A. ICB. PCBC. LEDD. CPU答案：A解析：集成电路的英文是Integrated Circuit，缩写为IC。
6. 以下哪种电子元器件常用于滤波电路（）A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：B解析：电容常用于滤波电路。
7. 电感的单位是（）A. 亨利B. 法拉C. 欧姆D. 伏特答案：A解析：电感的单位是亨利，用符号“H”表示。
8. 场效应管是（）控制型器件A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件。
9. 热敏电阻的阻值随温度的升高而（）A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案：B解析：热敏电阻分为正温度系数和负温度系数，负温度系数的热敏电阻阻值随温度升高而减小。
10. 压敏电阻常用于（）A. 限流B. 分压C. 过压保护D. 滤波解析：压敏电阻常用于过压保护。
11. 以下哪种不是常见的集成电路封装形式（）A. DIPB. SOPC. BGAD. LED答案：D解析：LED 不是集成电路封装形式，DIP、SOP、BGA 是常见的集成电路封装形式。
12. 晶振的作用是（）A. 产生时钟信号B. 放大信号C. 滤波D. 整流答案：A解析：晶振的作用是产生稳定的时钟信号。
微电子器件期末复习题含答案
58、当 降到（1）时的频率称为特征频率 f T 。当 Kpmax 降到（1）时的频率称为最高
振荡频率 f M 。
59、晶体管的高频优值 M 是（功率增益）与（带宽）的乘积。
60、晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比，增加了三个元件，它
KT
）。
室温下当发射极电流为 1mA 时，re =（ 26 ）。
q E
51、随着信号频率的提高，晶体管的 、 的幅度会（下降）
，相角会（滞后）。
52、在高频下，基区渡越时间 b 对晶体管有三个作用，它们是：
（复合损失使小于 1β0*
小于 1）、
（时间延迟使相位滞后）和（渡越时间的分散使|βω*|减小）
。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（
13、PN 结扩散电流的表达式为（ Jd Jdp Jdn I 0 [exp(
压下可简化为（ Jd J 0 exp(
）
。
qv
。这个表达式在正向电
) 1] ）
KT
qv
，在反向电压下可简化为（ Jd J ）。
)）
KT
14、在 PN 结的正向电流中，当电压较低时，以（势垒区复合）电流为主；当电压较高
载流子是（电子）。
65、P 沟道 MOSFET 的衬底是（N）型半导体，源区和漏区是（P）型半导体，沟道中的
，
雪崩击穿电压就越（小）
。
5、硅突变结内建电势 Vbi 可表为（ vbi
KT N A N D
ln
）[P9]在室温下的典型值为（0.8V）
2
q
ni
《微电子器件》题集
《微电子器件》题集一、选择题（每题2分，共20分）1.下列哪种材料常用于制造微电子器件中的晶体管？A. 硅（Si）B. 铜（Cu）C. 铝（Al）D. 铁（Fe）2.在CMOS逻辑电路中，哪种类型的逻辑门在输入为高电平时导通？A. NAND门B. NOR门C. AND门D. OR门3.以下哪个参数描述的是二极管的电流放大能力？A. 击穿电压B. 反向电流C. 电流放大系数D. 截止频率4.在集成电路制造中，哪种工艺步骤用于定义晶体管和其他元件的几何形状？A. 氧化B. 扩散C. 光刻D. 金属化5.MOSFET器件中，栅极电压对沟道电流的控制是通过什么机制实现的？A. 欧姆定律B. 量子隧穿效应C. 电场效应D. 热电子发射6.下列哪项技术用于减小集成电路中的寄生电容和电阻？A. SOI技术B. BICMOS技术C. CMOS技术D. TTL技术7.在半导体存储器中，DRAM与SRAM相比，主要缺点是什么？A. 成本高B. 速度慢C. 需要定期刷新D. 功耗高8.下列哪种类型的二极管常用于微波电子器件中？A. 肖特基二极管B. 光电二极管C. 变容二极管D. 整流二极管9.集成电路的特征尺寸越小，通常意味着什么？A. 集成度越低B. 性能越差C. 功耗越高D. 制造成本越高10.在半导体工艺中，哪种掺杂技术用于形成P-N结？A. 离子注入B. 扩散C. 外延生长D. 氧化二、填空题（每空2分，共20分）1.在CMOS逻辑电路中，当输入信号为低电平时，PMOS晶体管处于______状态，而NMOS晶体管处于______状态。
2.二极管的正向电压超过一定值时，电流会急剧增加，这个电压值称为二极管的______电压。
3.在集成电路制造中，______步骤用于形成晶体管的栅极、源极和漏极。
4.MOSFET器件的沟道长度减小会导致______效应增强，从而影响器件的性能。
5.DRAM存储单元由一个晶体管和一个______组成。
电子元件考题及参考答案
电子元器件试题及参考答案一、填空题：1、电阻是电子设计中应用最多的元器件之一,在电路中多用来进行降压、限流、上拉等.电阻用“R”表示﹐它的基本单位是欧姆(Ω)2、电阻的定义：是一个在电路中起阻碍作用的一个元器件。
3、电阻的单位换算：1MΩ（兆欧）=1000KΩ（千欧）=1000000Ω（欧姆）4、色环电阻中颜色棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰、白、黑来分别表示1、2、3、4、5、6、7、8、9、0数值，用颜色金、银、本色来表示它的误差值为±5%、±10%、±20%。
5、常用的直插电阻有三种﹕金属膜电阻﹑碳膜电阻﹑水泥电阻。
6．电阻按材质分：有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻、水银电阻等。
7、电阻按焊接方式分：可分插件电阻和贴片电阻。
8、电阻按用途：光敏电阻、压敏电阻。
9、正温度系数的热敏电阻阻值随温度上升而增大。
10、色环电阻按功率：有1W、2W、1/2W、1/4W、1/8W，色环电阻体积越大功率越大。
11、电容的定义：是一个在电路中起储存电作用的一个元器件。
12、电容按工作特性及电路的作用：可分为固定电容器、可变电容器和半可变电容器三类。
13、电容符号:如下图C?C?ELECTRO1CAP其中a为电解电容的符号，b为普通瓷介电容的符号a b14、电容用字母“C”表示﹐它的基本单位是法拉(F)。
15、电容的单位换算：1F（法拉）= 103 mF(毫法)= 106 μF(微法)= 109 n F(納法)= 1012 pF(皮法)16、电容按材料及结构：可分为云母电容、瓷介电容、电解电容等。
其中瓷介电容和云母电容无极性之分，而电解电容有极性之分，在组装时要特别小心，如果按装反，很容易造成损坏或爆炸。
17、电感在电路中一般用“L”表示，基本单位是亨利(H)。
18、电感的定义:电感是一个通直隔交的电子元器件，它一般主要用虑波电路以及高频电路中。
19、二极管：从它的名字可解释为有两个极的元器件，它在电路中一般用D表示。
微电子器件 (附答案) (第三版)
DE DB
−1
9、
= IC
A= E JnC
AE β= ∗ JnE
AE β
∗
qDBni2 WB NB
exp
qVBE kT
式中，β ∗
= 1− 12
WB LB
2
= 1− WB2
2DBτ B
= 0.9986
将 A=E 104 μm2 ，β=∗ 0.9986, =q 1.6 ×10−19 C,
15、
γ
= 1− DEWB NB ，γ
DBWE NE
npn
= 1− DpWB NB , DnWE NE
γ
pnp
= 1− DnWB NB DpWE NE
由 D kT 可知，D ∝ µ µq
µn > µp , ∴ Dn > Dp , γ npn > γ pnp
β∗
= 1− WB2 ,
2DBτ B
β* npn
当 xi 增大时，Emax 减小, 当 xi → ∞sh时a， nrEenmax → 0
20、
已知： = σ p σn
= 由于 Jdp
= J dn
因此
J d=p J dn
qµ= p NA µp NA >> 1 qµn ND µn ND
qDp ni2 Lp ND
exp
qV kT
−
1
qDn ni2 Ln NA
shanren
6、
ND2
ND1
由平衡时多子电流为零
Jn
=
qDn
dn dx
+
qµn nE
=
0
得： E =− Dn ⋅ 1 ⋅ dn =− kT ⋅ 1 ⋅ dn =− kT ⋅ d ln n
微电子器件基础知识单选题100道及答案解析
微电子器件基础知识单选题100道及答案解析1. 微电子器件的核心是（）A. 晶体管B. 电容器C. 电阻器D. 电感器答案：A解析：晶体管是微电子器件的核心。
2. 以下哪种材料常用于半导体制造？（）A. 铜B. 硅C. 铝D. 银答案：B解析：硅是常用于半导体制造的材料。
3. 半导体中的载流子主要包括（）A. 电子和质子B. 电子和空穴C. 正离子和负离子D. 中子和电子答案：B解析：半导体中的载流子主要是电子和空穴。
4. PN 结的主要特性是（）A. 单向导电性B. 双向导电性C. 电阻不变性D. 电容不变性答案：A解析：PN 结的主要特性是单向导电性。
5. 场效应管是（）控制型器件。
A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件。
6. 双极型晶体管是（）控制型器件。
A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：A解析：双极型晶体管是电流控制型器件。
7. 集成电路的集成度主要取决于（）A. 芯片面积B. 晶体管数量C. 制造工艺D. 封装技术答案：B解析：集成电路的集成度主要取决于晶体管数量。
8. 以下哪种工艺常用于芯片制造？（）A. 蚀刻B. 锻造C. 铸造D. 车削答案：A解析：蚀刻工艺常用于芯片制造。
9. 微电子器件的性能参数不包括（）A. 电流放大倍数B. 输入电阻C. 输出电阻D. 重量答案：D解析：重量不是微电子器件的性能参数。
10. 增强型MOS 管的阈值电压（）A. 大于0B. 小于0C. 等于0D. 不确定答案：A解析：增强型MOS 管的阈值电压大于0 。
11. 耗尽型MOS 管的阈值电压（）A. 大于0B. 小于0C. 等于0D. 不确定答案：B解析：耗尽型MOS 管的阈值电压小于0 。
12. 半导体中的施主杂质提供（）A. 电子B. 空穴C. 质子D. 中子答案：A解析：半导体中的施主杂质提供电子。
13. 半导体中的受主杂质提供（）A. 电子B. 空穴C. 质子D. 中子答案：B解析：半导体中的受主杂质提供空穴。
微电子器件模拟题（一）参考答案
模拟题（一）参考答案一、填空题1.麦克斯韦方程组是描述电磁现象的普遍规律的基本方程，其中泊松方程表明，空间任意点的电位移矢量的散度正比于该点的（电荷密度）。
2.在对PN 结的平衡状态进行研究时，采用了耗尽近似与中性近似。
耗尽近似假设空间电荷区内的（自由载流子）已完全扩散掉，（电离杂质）构成空间电荷区内电荷的唯一来源。
而在有些情况下，耗尽近似不再适用，当一个NPN -N +结构的晶体管的集电极电流很大时，由于耗尽近似不再适用，将发生（基区扩展）效应。
3.一个P +N 结，当N D 增大时，内建电势将（增大），势垒区宽度将（增大），雪崩击穿电压将（减小），扩散电容将（减小）。
4.正向电压下，PN 结中存在着三种电流，分别是（电子扩散电流）、（空穴扩散电流）、（势垒区复合电流）。
电压较大时，以（扩散电流）为主；电流较小时，以（复合电流）为主。
5.所谓大注入条件，是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远大于该区的（平衡多子）浓度。
PN 结在发生大注入时，会形成内建电场，若某PN +结发生了大注入，形成的内建电场方向是（由P 型区指向N 型区）。
6.引起PN 结反向击穿的机理主要有（雪崩倍增）、（隧道效应）和（热击穿），其中崩击穿电压和温度（正相关）。
7.双极结型晶体管在集成电路中有着广泛的运用，模拟电路中的晶体管主要工作在（放大）区，此时发射结（正偏），集电结（反偏）。
8.电流放大系数是双极型晶体管的重要直流参数之一，其中共基极直流短路电流放大系数α是发射结（正偏）、集电结（零偏）时，（集电极）电流与（发射极）电流之比。
为了提高α，可以（减小）基区宽度，（增大）发射区掺杂浓度。
9.BJT 的反向特性中，共基极集电结雪崩击穿电压CBO BV 是指发射极（开路）时，使（∞→'CBO I 或集电结电流趋于无穷）的（集电结）反向电压。
一般情况下，CBO BV （>）共发射极集电结雪崩击穿电压CEO BV 。
电子元器件试题与答案
电子元器件的基本知识工号: 姓名: 职位: 日期:一、选择题:(每提2分,总分10分 )1、电容都就是有极性的( B )A 对的B 错的2、工作电压大的电容器不可以代替工作电压小的电容器( B )A 对的,B 错的3、 LED的极性就是靠( D)判断的。
Ａ平边Ｂ缺口Ｃ长脚Ｄ以上几种A 3年B 2年C 1年D 半年4、手拿IC,让管脚向外,缺口向上,则IC的第一号管脚就是( A )A 缺口左边的第一个 , C 缺口左边的最后一个,B 缺口右边的第一个, D 缺口右边的最后一个。
5、IC就是极性元件( A )A、对的B、错的二:填空题:(每天2分,共60分)1、单位换算:1F=( 106)UF= ( 109 )NF=( 1012)PF6300Ω=( 6、3 )KΩ1英寸=( 25、4 )mm22H=( 22×106) UH 1Kg=( 1000 )g2、根据下图提示填写表格:电阻阻值( 3、2KΩ) 电阻阻值(82、2KΩ)3、根据色环标志含义表,写出下列各项的阻值与精度:1.橙-黑-棕-红( 300Ω±2% )2、蓝-灰-黑-银( 68Ω±10% )3.绿-紫-棕-金( 570Ω±5% )4、填空电解电容有阴影部分代表( 负)极,二极管黑色标记部分代表( 负)极电阻用什么字母表示( R )电容用什么字母表示( C )电感用什么字母表示( L )电阻的主要参数为( 阻值)( 误差)( 额定功率)三极管有三个极分别代表(发射极)( 基极)( 集电极)数码管分哪两种( 共阳数码管 )( 共阴数码管 )集成电路的英文简称( IC ),也俗称( 芯片 )代表( 防静电) 代表( 警示)代表( 危险)三、简答题:(每题10分,共30分)1.电容的三个主要参数就是什么?在甚么情况下电容可以互相代用?2.您常见的电子元器件有几种?它的图示请写出来(在PCB板上的图示)最少写出5种。
《微电子器件》大学题集
《微电子器件》题集一、选择题（每题2分，共20分）1.微电子技术的核心是基于哪种材料的半导体器件？（）A. 硅（Si）B. 锗（Ge）C. 砷化镓（GaAs）D. 氮化硅（Si₃N₃）2.在CMOS集成电路中，NMOS和PMOS晶体管的主要作用是？（）A. 分别实现逻辑“1”和逻辑“0”的输出B. 作为开关控制电流的通断C. 用于构成存储单元D. 提供稳定的电压基准3.下列哪项不是PN结二极管的主要特性？（）A. 单向导电性B. 击穿电压高C. 温度稳定性好D. 具有放大功能4.在MOSFET中，栅极电压对沟道电流的控制是通过什么机制实现的？（）A. 改变沟道宽度B. 改变耗尽层宽度C. 改变载流子浓度D. 改变源漏间电阻5.双极型晶体管（BJT）在放大区工作时，集电极电流与基极电流的比值称为？（）A. 放大倍数B. 电流增益C. 电压增益D. 功耗比6.下列哪种材料常用于制作微电子器件中的绝缘层？（）A. 二氧化硅（SiO₃）B. 氧化铝（Al₃O₃）C. 氮化硼（BN）D. 碳化硅（SiC）7.在集成电路制造过程中，光刻技术的关键步骤是？（）A. 涂胶B. 曝光C. 显影D. 以上都是8.下列哪项技术用于提高集成电路的集成度？（）A. 减小特征尺寸B. 增加芯片面积C. 使用更厚的衬底D. 降低工作温度9.微电子器件中的金属-氧化物-半导体 （MOS）结构，其氧化物层的主要作用是？（）A. 提供导电通道B. 隔绝栅极与沟道C. 存储电荷D. 增强电场效应10.在CMOS逻辑电路中，静态功耗主要由什么因素决定？（）A. 漏电流B. 开关频率C. 逻辑门数量D. 电源电压与漏电流的共同作用二、填空题（每题2分，共20分）1.微电子器件的基本单元是_______，它通过控制_______来实现对电流的调控。
2.在PN结正向偏置时，_______区的多数载流子向_______区扩散，形成正向电流。
3.MOSFET的阈值电压是指使沟道开始形成_______的最小栅极电压。
半导体微电子器件考试习题课与答案
势垒高度
ni2
复习-PN结
PN结总电流(肖克莱方程)
Dn np0 Dp pn0 kqV T J = q + e 0 1 L Lp n
肖克莱方程是在理想PN结条件下导出的, 它只是揭示了PN结导电性质的基本原理. 但实际的PN结与它有差异,主要是因为没 有考虑以下效应(1)表面效应(2)势垒 区中的载流子产生和复合(3)大注入效应 (4)串联电阻效应
复习-PN结
所产生的电势差称为自建电势差,其作用是 对载流子的扩散运动形成势垒,使载流子通 过结的净流动为零,达到平衡.这个势垒的 存在使整个结构在结区形成能带弯曲,其弯 曲高度称为势垒高度,它恰恰补偿了原来两 边半导体中费米能级的高度差,使两边达到 等高的同意费米能级. N NA
N P qVD = EF EF = k0T ln D
第十章作业
10.1均匀掺杂的n++p+n型双极晶体管, 处于热平衡状态.(a)画出其能带图, a (b)画出器件中的电场,(c)晶体管 处于正向有源区时,重复(a)和(b).
第十章作业
10.5(a)一个双极晶体管工作于正向 有源区,基极电流iB=6.0A,集电极电 i =6.0A 流iC=6.0A.计算β,α和iE.对于 iB=50A,iC=2.65mA,重复(a).
1,讨论影响共射极电流增益பைடு நூலகம்的因素
β≈
1 NB DE x B 1 x B J r 0 eVBE + + exp NE DB x E 2 LB J s 0 2kT
2
出现在P278表10.3 其中NB,NE为基极,发射极掺杂浓度DB, DE为基极,发射极少子扩散系数,xB,xE 为中性基极,发射极宽度,LB为基区少子扩 散长度,Jr0,Js0为零偏复合电流和饱和电 流密度
微电子技术与器件制造基础知识单选题100道及答案解析
微电子技术与器件制造基础知识单选题100道及答案解析1. 微电子技术的核心是（）A. 集成电路B. 晶体管C. 电子管D. 二极管答案：A解析：集成电路是微电子技术的核心。
2. 以下哪种材料常用于制造半导体器件（）A. 铜B. 硅C. 铝D. 铁答案：B解析：硅是最常用的半导体材料。
3. 微电子器件制造中，光刻工艺的主要作用是（）A. 沉积薄膜B. 图形转移C. 刻蚀D. 清洗答案：B解析：光刻工艺用于将设计好的图形转移到半导体材料上。
4. 集成电路制造中，扩散工艺的目的是（）A. 形成PN 结B. 去除杂质C. 增加导电性D. 提高硬度答案：A解析：扩散工艺用于在半导体中形成PN 结。
5. 以下哪种设备常用于半导体制造中的薄膜沉积（）A. 光刻机B. 刻蚀机C. 溅射仪D. 清洗机答案：C解析：溅射仪可用于薄膜沉积。
6. 微电子技术中，MOSFET 是指（）A. 金属-氧化物-半导体场效应晶体管B. 双极型晶体管C. 晶闸管D. 二极管答案：A解析：MOSFET 即金属-氧化物-半导体场效应晶体管。
7. 在半导体中，多数载流子是电子的称为（）A. P 型半导体B. N 型半导体C. 本征半导体D. 化合物半导体答案：B解析：N 型半导体中多数载流子是电子。
8. 微电子器件的封装技术主要作用不包括（）A. 保护芯片B. 提高性能C. 便于连接D. 增加重量答案：D解析：封装技术不会增加重量，而是起到保护、便于连接等作用。
9. 以下哪种工艺可以提高半导体材料的纯度（）A. 外延生长B. 离子注入C. 化学机械抛光D. 区熔提纯答案：D解析：区熔提纯可提高半导体材料的纯度。
10. 半导体制造中，氧化工艺形成的氧化层主要作用是（）A. 导电B. 绝缘C. 散热D. 增加硬度答案：B解析：氧化层主要起绝缘作用。
11. 集成电路中的布线通常使用（）A. 铝B. 铜C. 金D. 银答案：B解析：集成电路中的布线常用铜。
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微电子器件
期末考试复习题答案更正及补充
（简答题部分）
主？
答：当 V 比较小时，以 J r 为主； 当 V 比较大时，以 J d 为主。
E G 越大，则过渡电压值就越高。
补：7 、 什么是小注入条件？什么是大注入条件？写出小注入条件和大注入条件下的结定律，并讨论两种情况下中性区边界上载流子浓度随外加电压的变化规律。
大注入，就是注入到半导体中的非平衡少数载流子浓度接近或者超过原来的平衡多数载流子浓度时的一种情况。
改：14、提高基区掺杂浓度会对晶体管的各种特性，如 γ、α、β、
TE C 、EBO BV 、pt V 、A V 、bb r '等
产生什么影响？
改：16、①双极晶体管的理想的共发射极输出特性曲线图，并在图中标出饱和区与放大区的分界线，
②厄尔利效应③击穿现象的共发射极输出特性曲线图。
【重点题】
某突变结的雪崩击穿临界电场为 E C = 4.4 ×105 V/cm ，雪崩击穿电压为 220V ，试求发生击穿时
的耗尽区宽度 x dB 。
解：当 N A >> N D 时， J dn << J dp
降低
虚线代表 V BC = 0 ，或 V CE = V BE ，即放大区与饱和区的分界线。
在虚线右侧，V BC < 0 ，或 V CE >V BE ，为放大区；
在虚线左侧，V BC > 0 ，或 V CE < V BE ，为饱和区。
B dB
C 3B dB 5C 12
2222010cm 10μm 4.410V x E V x E -=⨯====⨯。