10LED电学特性_程立文
毕业设计(论文)-led照明系统工作原理及电路设计[管理资料]
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天津电子信息职业技术学院毕业设计课题名称LED照明驱动电路设计姓名学号8班级通信S09-1专业通信技术所在系电子技术系指导教师完成日期天津电子信息职业技术学院毕业设计（论文）任务书课题名称：LED照明驱动电路设计完成期限：2011年10月31日至2011年12月5日姓名指导教师专业通信技术职称副教授所在系电子技术系主任接受任务日期批准日期天津电子信息职业技术学院页号（1）毕业设计（论文）进度计划表毕业设计（论文）开题报告毕业设计（论文）LED照明驱动电路设计摘要发光二极管（Light Emitting Diode,LED）是21世纪最具发展前景的一种新型固态光源。
LED的迅速发展及广泛应用，将引发照明领域的一场革命。
LED具有环保性好，使用寿命长，单色性好，色彩鲜艳丰富，体积小，重量轻，响应速度快，发光效率高，能量消耗低等优点。
目前，LED在景观照明等一些应用中大多利用交流市电电源供电。
LED的发展和应用的目标是取代白炽灯等传统光源，LED应用照明领域的能源仍然主要来自于电网。
我国的市电电源是220V/50HZ,国际通用交流线路为85~265V,50/60HZ。
由于LED要求在直流低电压下工作，采用市电电源供电，则需要通过适当的电路拓扑，也就是LED驱动电路将其转换为符合LED工作要求的直流电源。
现在设计驱动电路的一般思路是先将220V的高压电通过一个变压器，使其变成低电压的交流电。
在通过一个桥式整流电路，把交流电转换成直流电。
在整流桥后并上两电容，一个是平滑电容，滤除剩余的交流电，一个是高频旁路电容，滤除高频分量。
这样就留下所需的低压直流电。
后面可根据设计的需要，连上不同的芯片，实现所需要的功能。
如恒压，恒流，反馈，温度补偿等。
关键词：发光二级管；照明；直流电；低电压；驱动电路目录绪论 (1)一、LED发展前景及应用 (1) (1) (2)（1）信号指示应用 (2)（2）显示应用: (2)（3）照明应用: (2)二、LED的发光原理，基本结构及特性3 (3) (3) (5) (7) (7) (8)7．极限参数的意义 (8)三、常用的LED驱动电路 (9) (9) (10) (12)⑴引脚功能描述 (14)⑵电路原理描述 (15) (15) (16)四、LED照明应用 (16) (16) (17) (18)五、心得体会 (18)六、谢辞 (19)七、参考文献 (19)绪论发展半导体照明产业具有重大的战略意义，其具体如下：1，节约能源，推动环保。
1W级白光LED光电特性的研究
1W级白光LED光电特性的研究摘要：研究了1W级白光发光二极管（LED）的直流电学特性和光学特性，采用照度计在暗室测量并研究其发光效率随电功率变化的关系。
研究结果表明，白光LED的工作电流与电压呈指数变化；发光效率经过一个最大值后随电功率增加而减小。
发光效率降低的主要原因是结温升高、电流泄露等导致的载流子有效复合几率下降所致，因此LED需工作在恒流状态下。
关键词：白光LED 光电特性发光效率A Study of the Electrical and Optical Properties of 1-W Level White LED Abstract The electrical properties and optical properties of DC of the 1W-level white light-emitting diode (LED) were studied, also the relationship of luminous efficiency were measured and studied with input power using Light meter in darkroom. The results show that the current of white LED changes exponentially with the voltage; and after the luminous efficiency reached at a maximum value, it decreased with the increase of input power. The main reasons that luminous efficiency decreased are higher temperature of LED chip, more leakage current caused by the increase of the current. Therefore LED need to work in a constant current state.Key words: White LED; Optical and Electrical Properties; Luminous efficiency1 引言进入21世纪，随着半导体制造技术和封装技术的不断进步，长期用于指示和显示的半导体光源正向照明领域发展[2]。
5LED_程立文
三、荧光粉的发展历史和现状
2. 第二代荧光粉(1949~)
卤粉在荧光灯的应用中，还存在两个缺陷: ① 发光光谱中缺少450nm以下蓝光和600nm以上红光，使 灯的Ra值偏低。加入一定比例的蓝、红粉，Ra值可提高 ，但灯的光效又明显下降。
三、荧光粉的发展历史和现状 2. 第二代荧光粉(1949~) ② 在紫外线185nm作用下形成了色心，使灯的光衰较大。 随着直管荧光灯管径的细化和紧凑型荧光灯的问世， 这一缺陷使卤粉在细管径荧光灯上的应用受到了限制。 卤粉的上述缺陷，己满足不了人们对高质量照明光源 的要求，开始对新的荧光粉进行开拓和研究。
一、激发与发光过程 3. 激子吸收引起的激发和发光
晶体在受到激发时，电子从价带跃迁到导带，在价
带留下空穴，电子和空穴都可以在晶体中自由运动，但
是电子和空穴由于库仑力的作用会形成一个稳定的态，
这种束缚的电子-空穴对，称为激子。 激子的能量状态处于禁带之中，其能量小于禁带宽 度，一对束缚的电子-空穴对相遇会释放能量，产生窄 的谱线。
以经过三个过程产生发光。
（1）. 直接落入发光中心激发
态的发光
导带底的电子直接落入发光中心的激发态G（过程3）
，然后又跃迁回基态A，与发光中心上的空穴复合发光 （过程4）
一、激发与发光过程 2. 基质激发发光
（2）. 浅陷阱能级俘获的电子产生的发光
导带底的电子被
浅陷阱能级D1俘获（过
程5），由于热扰动，D1
三、荧光粉的发展历史和现状 2. 第二代荧光粉(1949~) 1942年英国A.H.Mckeag等发明了单一组分的 3Ca3(P04)·Ca(F，Cl)2: Sb，Mn，人们通常简称为卤粉。 1948年开始普及应用。 由于这一材料是单一基质、发光效率高、光色可调、 原料丰富、价格低廉，从实用化至今，一直是直管荧光灯 用的主要荧光粉。
LED的电学、光学及热学特性
Ｇ ｔｎ ｅ ｏ ｔ ｆ ｔ ｒ 簪溯 源 ｅｔ ｇ ｈ ｏ ｅ 追 ｉ ｔ Ｒ Ｏ Ｍａ ｌ
》＞》
Ｃ— 特性 呈二次函数关系 。由１ Ｖ ＭＨＺ 交流信 号用 Ｃ— 特性测试仪测得。 Ｖ
特性
Ａ发 光 法 向光 强 及 其 角 分 布 ． Ｃ． 大 允 许 功 耗 最
（ 反 向击穿 区 Ｖ＜一 Ｖ ，Ｖ 称为反向击穿 ４） Ｒ Ｒ 电压 ；Ｒ 电压对应 ｌ Ｒ为反 向漏电流 。当反 向偏压 一 直增加使Ｖ＜一 Ｖ 时 ，则 出现 ｌ 突然增 加而 出现击穿 Ｒ Ｒ
现象。 由于所 用化合物材料种类不 同 ，各种Ｌ Ｄ的反 Ｅ
向击 穿 电压 Ｖ 也 不 同 。 Ｒ
（ ２）正 向 工作 区 ：电流 ｌ 与 外加 电 压 呈指 数 Ｆ
关 系
Ｉ Ｓ（ Ｖ ／Ｔ 一１１ 反 向饱 和 电流 。 Ｆ：Ｉ ｅｑ ＦＫ ） Ｓ为
Ｖ＞０ ，Ｖ＞ＶＦ 时 的正 向工作 区ｌ Ｆ随ＶＦ 指数上升
９ 疑糯皿 ０ １ ２ １ Ｗ ｎ ｚ ｚ ｃｒ ２ ０ ０ ０Ｉ Ｗｃ － ｇ ｍ． ｎ ／ Ｗ ｏ
为０ Ｖ，Ｇａ Ｎ为１ ｕ 。 ０ Ａ
ＩＶ 性具有 非线性 、整流 性质 ：单 向导 电性 ，即外 —特
加正偏压表现低接触 电阻 ，反之为高接触 电阻。 （１） 正 向死 区 ： （图０ 或 ０ 段 ）ａ ａ ａ 点对 于
Ｖ 为开 启 电压 ， 当Ｖ＜Ｖａ 外 加 电 场 尚克 服 不 少 因 ０ ，
Ｇ ｔ ｎ ｅ ｏ ｔ ｆ ｔｅ 追 褫 溯 源 ｅｔ ｇｔ ｏ ｔｒ ｉ ｈ Ｒ Ｏ Ｍａ
》＞＞
ＬＤ 电学 ～光学及 热学特性 Ｅ的
ＬＥＤ ＥＬＥＣ ＴＲＩ Ｉ Ｃ ＴＹ 、 ＯＰＴＩ ＣＳ ＡＮＤ ＨＥＡＴ ＰＲＯＰＥＲＴＹ
2LED_程立文
应用领域
指示灯
指示灯、计算器、数字 手表 室外信号显示、条形码 系统、光电传导系统
1986-1992
1993-1994 1997
InGaAlP红、绿、橙红、橙黄、 橙、黄色LED
InGaN绿、蓝光LED，GaN蓝光 LED 白光LED（蓝光芯片+YAG荧光 粉） InGaAlP/GaAs、 InGaN/SiC彩色 LED InGaAlP/GaAs、 InGaN/SiC彩色 LED 功率级白光LED
发展阶段 指 示 应 用 信号 显示
年份
1962 1965 1968 1970-1980 1980-1985
发展进程
GaAsP红光LED（样品） GaAsP红光LED GaAsP红、橙、 黄光LED GaAsP高效红、黄光、 GaP绿、 红光 AlGaAs橙黄、 绿、红光LED
发光效率
（lm/w）
等电子中心
1）基本概念： 等电子中心是半导体中的一种深能级杂质所产生的一种特殊的束缚 状态。能够产生等电子中心的杂质称为等电子杂质，它们都是与所取 代的基体原子具有相同价电子数目的一类杂质；它们一般不是电活性 的，在半导体中不应产生能级状态，不过实际上有时在禁带中可产生 出能够起陷阱作用的深能级，故又称等电子中心为等电子陷阱。等电 子杂质在半导体中能够产生等电子陷阱的原因，就在于杂质原子与基 体原子的电负性不同（虽然其价电子数目相同）。例如，对于GaP半 导体中的N和Bi杂质，由于N、P、Bi的电负性分别为3.0、2.1、1.9， 当杂质N取代晶格上的P之后，N比P有更强的获得电子的倾向，则可 吸引一个导带的电子而成为负离子——电子陷阱；当杂质Bi取代晶格 上的P之后，Bi比P有更强的给出电子的倾向，则可吸引价带的一个空 穴而成为正离子——空穴陷阱。这种等电子杂质不会象施主和受主那 样，产生长程作用的Coulomb势，但却存在有由核心力引起的短程作 用势，从而可形成载流子的束缚态——陷阱能级。
LED主要参数及电学光学热学特性
LED主要参数及电学、光学、热学特性LED电子显示屏是利用化合物材料制成pn结的光电器件。
它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。
1、LED电学特性1.1 I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。
LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。
如左图：(1) 正向死区：（图oa或oa′段）a点对于V0 为开启电压，当V＜Va，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为1.8V，GaN为2.5V。
（2）正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS 为反向饱和电流。
V＞0时，V＞VF的正向工作区IF 随VF指数上升IF = IS e qVF/KT（3）反向死区：V＜0时pn结加反偏压V= - VR 时，反向漏电流IR（V= -5V）时，GaP为0V，GaN为10uA。
（4）反向击穿区V＜- VR ，VR 称为反向击穿电压；VR 电压对应IR为反向漏电流。
当反向偏压一直增加使V＜- VR时，则出现IR突然增加而出现击穿现象。
由于所用化合物材料种类不同，各种LED的反向击穿电压VR也不同。
1.2 C-V特性鉴于LED的芯片有9×9mil (250×250um)，10×10mil，11×11mil (280×280um)，12×12mil (300×300um)，故pn结面积大小不一，使其结电容（零偏压）C≈n+pf左右。
C-V特性呈二次函数关系（如图2）。
由1MHZ交流信号用C-V特性测试仪测得。
1.3 最大允许功耗PF m当流过LED的电流为IF、管压降为UF则功率消耗为P=UF×IFLED工作时，外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光，还有一部分变为热，使结温升高。
LED的光学和电性教学LED基础知识
＋
－ ＋
电压
－
电学
顺向电压（vf）
当正向电压小于某一值（阀值）时，电流极小， LED不会发光，当正向电压变大，电流会迅速变 大，LED发光。
反向电流（IR）
LED应用注意事项
焊接方式
焊
接
条
件
烙铁(建议用温控烙铁) 300℃±5℃，3秒内（距离胶体边缘1.6mm）
沾锡
波峰焊
预热 焊接
260℃±5℃，3秒内（距离胶体边缘1.6mm） 75℃±5℃，30秒内
不同波长的光给人不同的色感，可以用不同颜色 的光波长来表示颜色的相貌，这个波长就叫主波 长，所以主波长是用来表达颜色的。
光学
2. 什么叫峰值波长？（λp）
就是亮度最高的一束光的波长叫峰值波长。
p
100
75
50
25
0 510 540 570 600 630 660 Wavelength (nm)
RELATIVE INTENSITY VS. WAVELENGTH
LED应用注意事项
五、注意 当电流过大时，LED会烧坏，无论任何时候应用，
请串联电阻用；静电将会对蓝、白、绿光的LED 产生损害，使用时请采用防静电措施,如防护带和 手套；当打开产品包装袋后请尽快使用，对于 SMD贴片材料请在开包装后72小时内使用完成,若 无法在限期内完成，则请在下次使用前将材料在 60℃条件下烘烤至少12小时。产品不得长期暴露 在空气中；产品不得在有腐蚀性气体的环境中存 放。
一批灯，当其中有50%的灯损坏不亮时把点的小 时数。 色温（CT） 当光源所发出的颜色与“黑体”在某一温度下 辐射的颜色相同时，“黑体”的温度就称为该光 源的色温。 相关色温（CCT） 我们在测试白光时的色温实际是相关色温。 （光谱不同所以只能用相关色温来描述）
LED的发光原理及特牲课件
降低LED结温的途径
a、减少LED本身的热阻 b、控制额定输入功率 c、减少LED与二次散热机 构安装介面之间的热阻 d、良好的二次散热机构 e、降低环境温度
•
高效率：发光效率高，一个两瓦的LED灯相当于一个15瓦的普通白炽灯灯泡的照明 效果
•
• •
寿命长：LED灯最长可达100000小时；LED半衰减期可达50000小时以上
光 子 E
各种颜色光的波长
光色 波长λ（nm)
780～630
代表波长
700
红（Red） 橙（Orange） 黄（Yellow） 绿（Green） 青（Cyan） 蓝（Blue）
630～600
600～570 570～500 500～470 470～420 420～380
620
580 550 500 470 420
YAG荧光粉
LED的光学参数
• 光谱半宽度 • 峰值波长 • 中心波长
1.0 相 0.8 对 光 谱 能 0.6 量 0.4 0.2
光谱半宽度Δλ:它表示发光 管的光谱纯度。是指图3中 1/2峰值光强所对应两波长之 间隔。中心波长入是指A、B 的中点处对应的波长。
P
光谱分布和峰值波长：有的发光二极管所 发之光并非单一波长，其波长大体按图所 示。该发光管所发之光中某一波长λP的 光谱能量（光强）最大，该波长为峰值波 长。只有单色光有峰值波长，不同颜色的 LED峰值波长是不同的，红光LED的峰值波 长一般为690nm左右。蓝光LED的峰值波长 一般为470nm左右。
VB
击 穿 区 反向死区
区
0
死区电压
对LED较为重要的电学参数
开启电压UON 正向电流IF 正向电压VF 反向电压VR
10LED电学特性_程立文
2、深圳泓宇光电子科技有限公司
一般二极管的伏安特性（理想）
一般二极管的伏安特性（实际）
作业
一、填空： 1、LED的IV曲线具有 性和 性特性。 2、小功率LED的正向电压是正向电流在 mA时的电 压。大功率LED的正向电压通常是是正向电流在 mA 的电压 二、名词解释 LED 的点亮时间 LED 的熄灭时间 三、简答 1、画出一个LED的IV特性曲线，并注明它的工作区和 反向击穿区。
LED的电学特性
内容
• • • • • 一、LED的电流-电压特性图 二、LED的电学指标 三、LED的极限参数 四、LED的其它电学参数 五、电参数测量仪
LED的伏-安（I-V）特性
（1） LED的伏-安（I-V）特性是流过芯片PN 结电流随施加到PN结两端上电压变化的特 性，它是衡量PN结性能的主要参数，是PN 结制作优劣的重要标志。 （2）LED具有单向导电性和非线性特性。
四、LED的其它电学参数
在高频电路中使用LED时 • 1、结电容Cj • 2、响应时间：上升时间tr，下降时间t f。
– 点亮时间比白炽灯快0.7~1s。 – 按100km/h计算，19.4~24.7m提前刹车。
响应时间
• LED响应时间是指：通一正向电流时开始发光 和熄灭所延迟时间，标志LED反应速度。 • 响应时间主要取决于载流子寿命、器件的结电 容及电路阻抗。 • LED 的点亮时间——上升时间tr 是指接通电源使 发光亮度达到正常的10%开始，一直到发光亮 度达到正常值的90%所经历的时间。 • LED 熄灭时间——下降时间tf 是指正常发光减弱 至原来的10%所经历的时间。 • 不同材料制得的LED响应时间各不相同；如 GaAs、GaAsP、GaAlAs 其响应时间小于10-9S。 因此它们可用在10~100MHZ 的高频系统 中。
led电路原理
led电路原理LED是一种双极型的半导体器件，具有正向导通特性。
根据LED的物理特性，当施加正向电流时，电子和空穴会在P-N 结附近发生复合，释放出能量，从而产生光电效应。
LED的亮度与正向电流的大小成正比，而与正向电压的大小无关。
LED电路由电源、电流限制电阻和LED组成。
电源向电路提供正向电压，电流限制电阻在电路中起到限制电流的作用，而LED则将电能转换为光能。
在LED电路中，为了保证LED的使用寿命和工作稳定性，通常会加入一个适当的电流限制电阻。
电流限制电阻的阻值大小可以根据LED的额定工作电流和电源电压来选择。
通过欧姆定律，我们可以得出电流限制电阻的阻值为电源电压与电流之差除以所需的电流。
例如，如果需要的电流为20mA，电源电压为5V，那么电流限制电阻的阻值应该为（5V-LED电压）/20mA。
当电路连接好后，当电源接通时，正向电流通过电流限制电阻进入LED，LED开始发光。
LED的亮度与正向电流的大小成正比，可以通过增大或减小电流限制电阻的阻值来调节亮度。
需要注意的是，由于LED是一种特殊的电子器件，正向电压的极性和电流方向是有严格要求的。
在连接LED时，应确保正极和负极分别连接到正确的电源极性上，否则LED将无法正常工作。
此外，LED的寿命受到温度的影响较大，当温度过高时会降低LED的寿命甚至损坏。
因此，在设计LED电路时，需要考虑散热和温度控制，以保证LED的长期稳定运行。
总之，LED电路原理主要涉及LED的正向导通特性、电流限制原理和正向电压的极性及电流方向。
合理选择电流限制电阻的阻值，正确连接电源极性，并对LED进行散热控制，可以实现稳定和高效的LED发光效果。
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二、LED的电学指标
• 1、正向电压 VF：LED正向电流在20mA时的 正向电压。 • 2、正向电流 IF：对于小功率LED，目前全世 界一致定为20mA，这是小功率LED的正常 工作电流。但目前出现了大功率LED的芯片， 所以IF就要根据芯片的规格来确定正向工作 电流
二、LED的电学指标
• 3、反向漏电流IR：按LED以前的常规规定， 指反向电压在5V时的反向漏电流。如上面 所说，随着发光二极管性能的提高，反向 漏电流会越来越小，但大功率LED芯片尚未 明确规定。 • 4、工作时的耗散功率PD：即正向电流乘以 正向电压。 • 5、开启电压UON
• 特别注意，如果不加任何保护，当正向电 压增加到一定值后，发光二极管的正向电 压增加会减小，而正向电流增加会加大， 会因电流增大而烧坏发光二极管。
一、LED的电流-电压特性图
1、OC段：反向死区
• 发光二极管加反向电压是不发光的，但有 反向电流。这个反向电流通常很小，一般 在几µ A之内。
– 1990~1995年，为10μA – 1995~2000年，为5µA – 目前一般是，为3µ A以下，但基本上是0µ A
一、LED的电流-电压特性图
1、CD段：反向击穿区
• 发光二极管的反向电压一般不要超过10V， 最大不得超过15V。超过这个电压，就会出 现反向击穿，导致LED报废。
一、LED的电流-电压特性图
同一品牌和不同品牌LED伏安特性
一、LED的电流-电压特性图
不同温度下的LED伏安特性
一、LED的电流-电压特性图
LED产品参数实例
AOD 8mm 大功率LED标准品参数明细
LED极限参数实例
五、测量方法——杭州市创惠仪器有限公司
• 1、CHL-1 LED 电参数测量仪主要用于LED电 参数测量，仪器内置恒流源，正向电流数 控输出，可准确、方便、快捷、高效测量 LED的正向电压、反向漏电流。正向电压、 反向电流上下限可设定声光报警 。
2、深圳泓宇光电子科技有限公司
一般二极管的伏安特性（理想）
一般二极管的伏安特性（实际）
作业
一、填空： 1、LED的IV曲线具有 性和 性特性。 2、小功率LED的正向电压是正向电流在 mA时的电 压。大功率LED的正向电压通常是是正向电流在 mA 的电压 二、名词解释 LED 的点亮时间 LED 的熄灭时间 三、简答 1、画出一个LED的IV特性曲线，并注明它的工作区和 反向击穿区。
正向工作电压 VF：参数表中给出 开启电压：电压在开启点以前几乎没有 反向漏电：当加反向电压时，外加电场与内建 正向工作电流 I ：它 的工作电压是在给定的正向电流 F 电流，电压一超过开启点，很快就显出 势垒电场方向相同，便阻止了多数载流子的扩 下得到的。小功率彩色 LED一般 最大反向电压 VRm：所允许加的最大反向 散运动，所以只有很小的反向电流流过管子。 欧姆导通特性，电流随电压增加迅速增 是指发光二极管正常 是在 IF=20mA时测得的，正向工作 B 但是，当反向电压加大到一定程度时，结在内 电压。超过此值，发光二极管可能被击 大，开始发光。开启点电压因半导体材 发光时的正向电流值。 电压 VF在1.5～GaAs 2.8V 。功率级LED一 外电场的作用下，把晶格中的电子强拉出来， 穿损坏。反向击穿电压也因材料而异， 料的不同而异。 是1.0V，GaAs1-xPx， 参与导电，因而此时反向电流突然增大，出现 般在 IF=350mA 时测得的，正向工 一般在 -2V 以上即可。 在实际使用中应根据 Ga Al As 大致是 1.5V （实际值因x值的 1-x x V 在2～4V。在外界温度升 反向击穿现象。正向的发光管反向漏电流通常 作电压 F 在IR<10μA以下，反向漏电流 I（红色）是 V= -5V ） 不同而有些差异）， GaP R， （I 需要选择 I 在 0.6· 以 高时， V 将下降。 F F。反向电流越小，说明 Fm GaP， 为GaP 0，GaN 为10uA 1.8V （绿色）是 2.0V，GaN 为
LED的单向导电性能越好。 下。 2.5V 。
O
C
三、LED的极限参数
• 1、最大允许工作电流IFM：由最大允许耗散 功率来确定。最好在使用时不要用到最大 工作电流。要根据散热条件来确定，一般 只用到最大电流IFM的60%为好。 • 2、最大允许正向脉冲电流IFP：一般是由占 空比与脉冲重复频率来确定。LED工作于脉 冲状态时，可通过调节脉宽来实现亮度调 节，例如LED显示屏就是利用这个手段来调 节亮度的。
四、LED的其它电学参数
在高频电路中使用LED时 • 1、结电容Cj • 2、响应时间：上升时间tr，下降时间t f。
– 点亮时间比白炽灯快0.7~1s。 – 按100km/h计算，19.4~24.7m提前刹车。
响应时间
• LED响应时间是指：通一正向电流时开始发光 和熄灭所延迟时间，标志LED反应速度。 • 响应时间主要取决于载流子寿命、器件的结电 容及电路阻抗。 • LED 的点亮时间——上升时间tr 是指接通电源使 发光亮度达到正常的10%开始，一直到发光亮 度达到正常值的90%所经历的时间。 • LED 熄灭时间——下降时间tf 是指正常发光减弱 至原来的10%所经历的时间。 • 不同材料制得的LED响应时间各不相同；如 GaAs、GaAsP、GaAlAs 其响应时间小于10-9S。 因此它们可用在10~100MHZ 的高频系统 中。
一、LED的电流-电压特性图
LED与一般二极管输入伏安特性曲线相似
1、OA段：正向死区
• VA（Uon）为LED发光的开启电压。
– 红色（黄色）LED的开启电压一般为2~2.5V – 绿色（蓝色）LED的开启电压一般为3~3.5V
一、LED的电流-电压特性图
1、AB段：工作区
• 一般是随着电压增加电流也跟着增加，发 光亮度也跟着增大。
LED的电学特性
内容
• • • • • 一、LED的电流-电压特性图 二、LED的电学指标 三、LED的极限参数 四、LED的伏-安（I-V）特性
（1） LED的伏-安（I-V）特性是流过芯片PN 结电流随施加到PN结两端上电压变化的特 性，它是衡量PN结性能的主要参数，是PN 结制作优劣的重要标志。 （2）LED具有单向导电性和非线性特性。
三、LED的极限参数
• 3、反向击穿电压VR：一般要求反向电流为 反向电压VR指定值的情况下测试，反向电 流一般为5~100μA之间。反向击穿电压通常 不能超过20V。 • 4、最大允许耗散功率Pmax=IFH×VFH：一般 按环境温度为25℃时的额定功率。当环境 温度升高，则LED的最大允许耗散功率将会 下降。