有机半导体激光器研究的新进展
半导体激光器的研究进展
半导体激光器的研究进展摘要:本文主要述写了半导体激光器的发展历史和发展现状。
以及对单晶光纤激光器进行了重点描述,因其在激光医疗、激光成像、光电对抗以及人眼安全测照等领域具有重大的应用价值,近年来成为新型固体激光源研究的热点。
一、引言。
激光是20 世纪以来继原子能、电子计算机、半导体之后人类的又一重大发明。
半导体激光科学与技术以半导体激光器件为核心,涵盖研究光的受激辐射放大的规律、产生方法、器件技术、调控手段和应用技术,所需知识综合了几何光学、物理光学、半导体电子学、热力学等学科。
半导体激光历经五十余年发展,作为一个世界前沿的研究方向,伴随着国际科技进步突飞猛进的发展,也受益于各类关联技术、材料与工艺等的突破性进步。
半导体激光的进步在国际范围内受到了高度的关注和重视,不仅在基础科学领域不断研究深化,科学技术水平不断提升,而且在应用领域上不断拓展和创新,应用技术和装备层出不穷,应用水平同样取得较大幅度的提升,在世界各国的国民经济发展中,特别是信息、工业、医疗和国防等领域得到了重要应用。
本文对半导体激光器的发展历史和现状进行了综述,同时因单晶光纤激光器在激光医疗、激光成像、光电对抗以及人眼安全测照等领域具有重大的应用价值,本文也将对其做重点描述。
二、大功率半导体激光器的发展历程。
1962 年,美国科学家宣布成功研制出了第一代半导体激光器———GaAs同质结构注入型半导体激光器。
由于该结构的激光器受激发射的阈值电流密度非常高,需要5 × 104~1 ×105 A /cm2,因此它只能在液氮制冷下才能以低频脉冲状态工作。
从此开始,半导体激光器的研制与开发利用成为人们关注的焦点。
1963 年,美国的Kroemer和前苏联科学院的Alferov 提出把一个窄带隙的半导体材料夹在两个宽带隙半导体之间,构成异质结构,以期在窄带隙半导体中产生高效率的辐射复合。
随着异质结材料的生长工艺,如气相外延( VPE) 、液相外延( LPE) 等的发展,1967年,IMB 公司的Woodall 成功地利用LPE 在GaAs上生长了AlGaAs。
有机半导体器件的现状及发展趋势
有机半导体器件的现状及发展趋势一、引言有机半导体器件是指以有机化合物为主要材料制成的半导体器件,其具有低成本、可加工性强、柔性可弯曲等特点。
近年来,随着科技的不断进步和人们对环保节能的追求,有机半导体器件在显示、照明、太阳能电池等领域得到了广泛应用,并且在未来的发展中具有巨大潜力。
二、现状1.应用领域目前,有机半导体器件主要应用于显示和照明领域。
其中,OLED (Organic Light Emitting Diode)是最为广泛使用的一种有机半导体器件,其可以制成柔性屏幕,并且具有高亮度、高对比度、色彩鲜艳等优点。
此外,在太阳能电池领域也开始出现了利用有机半导体材料制成的柔性太阳能电池。
2.技术发展随着技术的不断进步,有机半导体器件在性能和稳定性方面得到了持续提高。
例如,在OLED领域中,通过改进材料配方和结构设计等手段,使得OLED显示屏幕的亮度和寿命得到了极大提升。
此外,还出现了一些新型有机半导体材料,如有机小分子、聚合物、碳纳米管等,这些材料具有更好的电学性能和光学性能。
三、发展趋势1.应用拓展未来,有机半导体器件将会在更多领域得到应用。
例如,在生物医学领域中,利用柔性有机半导体器件可以制成可穿戴式医疗设备,实现对人体健康状态的监测和诊断。
在智能家居领域中,利用柔性OLED技术可以制成智能窗帘、智能灯具等产品。
2.技术创新未来,有机半导体器件的技术将会不断创新。
例如,在OLED领域中,将会出现更加高效的发光材料和更加先进的结构设计;在太阳能电池领域中,则将会出现更加高效的光电转换材料和更加稳定的器件结构。
3.市场前景随着人们对环保节能需求不断增加,以及柔性显示技术的不断发展,未来有机半导体器件的市场前景将会非常广阔。
根据市场研究机构的数据显示,到2025年,全球有机半导体器件市场规模将达到300亿美元以上。
四、结论有机半导体器件是一种具有广阔应用前景的新型半导体器件。
未来,随着技术的不断创新和市场需求的不断增加,有机半导体器件将会在更多领域得到应用,并且具有非常广阔的市场前景。
有机光电材料的研究进展
有机光电材料的研究进展随着科技日新月异的发展,有机光电材料作为一种新兴材料,已经成为了当下的研究热点之一。
相对于传统无机材料,有机光电材料具有更高的机械柔韧性和可塑性,同时还具有性能可调控和大面积制备等方面的优势,因此已经被广泛用于智能电子、生物医学、光催化等领域。
在本文中,将会全面阐述有机光电材料的研究发展现状,以及未来的发展方向和应用前景。
一、有机光电材料的定义和特点有机光电材料是指以有机分子为基础构成的材料,其性能主要受到分子结构和分子间相互作用的影响。
有机光电材料具有以下特点:1.高机械柔韧性和可塑性。
与传统的无机材料相比,有机光电材料更容易被加工成任意形状,也更具有强韧的机械性能和抗拉伸性能。
2.性能可调控。
有机分子之间可以通过调整分子结构和官能团的位置来调控材料的电学、光学、热学等性质,因此有机光电材料具有高度可调控性。
3.大面积制备。
有机光电材料可以通过简单的化学合成方法来制备,而且可以通过印刷、喷涂等技术来制备大面积的薄膜。
二、有机光电材料的应用领域有机光电材料具有广泛的应用前景,其在以下领域中已经得到了广泛的应用:1.智能电子领域。
有机光电材料可以作为柔性电子器件的基础材料,如有机场效应晶体管和有机发光二极管等。
2.生物医学领域。
有机光电材料可以用于生物传感器和药物输送领域,如生物芯片等。
3.光催化领域。
有机光电材料可以作为光催化剂用于水分解和二氧化碳还原等反应,以实现环境保护和能源利用等目的。
三、有机光电材料的研究进展尽管有机光电材料具有广阔的应用前景,但是在实际应用中,其材料性能的稳定性和光电转换效率等方面仍然存在一些问题。
因此,科学家们一直在不断地开展有机光电材料的研究工作,以探索出更加优异的有机光电材料。
1.荧光有机颜料的研究荧光有机颜料是一种具有良好荧光性质的材料,在有机光电材料研究中具有重要的应用。
科学家们通过调控荧光有机颜料的分子结构、官能团等方面来优化其荧光性质。
半导体技术的进展及应用展望
半导体技术的进展及应用展望近年来,随着信息技术的高速发展,半导体技术也在迅猛发展。
半导体是一种具有电导性的材料,可以对电流的传递进行控制,因此在电子器件的制造、集成电路、光电子器件等领域中得到了广泛应用。
本文将从半导体技术的进展与应用,展望未来半导体技术的发展方向。
一、半导体技术进展半导体技术从上世纪50年代开始发展至今,经历了数十年的发展,技术水平不断提高。
其中,材料和工艺技术的发展是半导体技术进步的重要推动力。
目前,半导体技术的研究重点主要集中在以下几个方面:1.集成电路技术的高度集成化集成电路技术是半导体技术最为重要的应用之一。
近年来,随着芯片制造工艺的不断改进,集成度已经达到百亿级别。
这些高度集成电路的问世,使得计算机的性能和存储能力得到了极大的提升,同时也为人类带来了许多便利。
2.功耗与散热的控制技术随着芯片集成度的提高,其功耗与散热问题也越加突出。
因此,半导体技术的发展重点逐渐转向了功耗与散热的控制技术。
近年来,半导体行业先后推出了一系列低功耗芯片和高效散热技术,极大地提升了服务器、手机等设备的使用寿命。
3.新型半导体原材料研究新型半导体原材料是半导体技术的一大研究热点,也是未来半导体技术的发展趋势之一。
以石墨烯、碳化硅等为代表的新材料不仅具有较高的电导率和压电性能,而且可在高温、高压等复杂环境下稳定运行,因此具有广泛的应用前景。
4.量子计算技术的突破量子计算技术是近年来半导体技术的一个重要方向。
量子计算机以量子比特为基础,比传统的二进制数码处理速度更快并且能够同时处理多种数据。
尽管目前还处于实验阶段,量子计算机的问世预示了未来信息技术的一个全新的时代已经开始。
二、半导体技术应用半导体技术已经成为了电子、信息、通讯等众多领域的支柱技术。
下面列举一些典型的应用:1.通讯设备半导体技术在通讯领域的应用非常广泛。
手机、GPS、通信卫星、交换机、传感器等都离不开半导体技术的支持。
2.计算机设备CPU、内存、显卡等计算机硬件都是靠半导体技术制成的。
半导体10大研究成果
半导体10大研究成果
1.量子比特实现量子超越:在量子计算领域,实现了一些具有超越经典计算能力的重要里程碑,如量子比特的相干控制和纠缠。
2.新型半导体材料的研究:发现和研究了一些新型半导体材料,包括拓扑绝缘体、二维材料(如石墨烯)等,这些材料具有独特的电学和光学性质。
3.自组装技术的发展:自组装技术在芯片制造中取得了重要进展,能够有效地提高集成电路的制造密度,提高性能。
4.超导量子位的进展:在量子计算领域,实现了一些超导量子位的重要突破,包括提高了量子位的运行时间和减小了错误率。
5.神经元芯片的研究:半导体技术在神经科学领域的应用,研究了仿生学方向的芯片,模拟了神经元网络的行为。
6.自适应光学元件:在激光器和光通信领域,研究了一些自适应光学元件,以提高光通信系统的稳定性和性能。
7.极紫外光刻技术(EUV):EUV技术在半导体芯片制造中取得了显著进展,实现了更小尺寸的制造工艺,提高了芯片集成度。
8.量子点显示技术:在显示技术中,量子点显示技术取得了进展,提高了显示屏的颜色饱和度和能效。
9.能量高效的电源管理技术:针对便携设备和物联网设备,研究了一些能量高效的电源管理技术,以延长电池寿命和提高设备的能效。
10.半导体传感器的创新:开发了一些新型半导体传感器,应用于医疗、环境监测和工业生产等领域,提高了传感器的灵敏度和稳定性。
这仅仅是一小部分半导体领域的研究成果,该领域的研究一直在不断推进。
要了解最新的研究成果,建议查阅相关领域的学术期刊和会议论文。
《InP基1550nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》范文
《InP基1550 nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》篇一一、引言随着信息技术的快速发展,光通信技术在长距离、大容量通信系统中发挥着重要作用。
作为光通信系统的核心元件之一,半导体激光器在光电领域得到了广泛的应用。
本文针对InP基1550 nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能进行了深入研究,为进一步优化激光器性能、提升通信系统效率提供理论支持。
二、InP基1550 nm半导体激光器概述InP基1550 nm半导体激光器是一种以InP为基底材料,工作波长为1550 nm的半导体激光器。
由于其具有低损耗、高带宽等优点,在光通信系统中得到了广泛应用。
然而,激光器的性能受外延结构、材料质量、制造工艺等多种因素影响。
因此,对InP 基1550 nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能进行研究具有重要意义。
三、外延结构设计3.1 结构设计思路本研究所设计的InP基1550 nm半导体激光器外延结构,主要考虑了以下几个方面:波导层、有源区、注入区以及电流阻挡层等。
通过优化各层厚度、掺杂浓度及组分等参数,实现激光器的优异性能。
3.2 具体结构设计本结构采用多量子阱(MQW)作为有源区,以提高激光器的增益和光子寿命。
同时,通过引入电流阻挡层,有效控制电流的分布,降低阈值电流密度。
此外,优化波导层的设计,提高光束质量,降低传输损耗。
四、光电性能研究4.1 实验方法本实验采用分子束外延(MBE)技术制备InP基1550 nm半导体激光器外延片,并通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备器件。
利用光学测试系统、电流电压测试仪等设备对激光器的光电性能进行测试和分析。
4.2 实验结果与分析(1)阈值电流密度:本研究所设计的InP基1550 nm半导体激光器阈值电流密度较低,表明器件具有较好的电流注入效率。
这主要得益于电流阻挡层的优化设计以及有源区的多量子阱结构。
(2)光束质量:通过优化波导层设计,本激光器具有较低的光束发散角和较小的传输损耗。
有机半导体材料的合成及其在光电器件中的应用研究
有机半导体材料的合成及其在光电器件中的应用研究引言:随着科学技术的不断进步,有机半导体材料作为一种新兴的材料,其在光电器件中的应用越来越受到研究人员的关注。
有机半导体材料具有独特的电子结构和光电特性,使其成为光电器件领域的热门研究方向。
本文将探讨有机半导体材料的合成方法以及其在光电器件中的应用,并展望该领域的发展前景。
一、有机半导体材料的合成方法1. 共轭聚合物合成共轭聚合物是有机半导体材料中常用的一类材料。
其合成方法主要包括有机合成化学和高分子合成化学。
有机合成化学是通过有机反应合成单体,再进行聚合反应得到共轭聚合物。
高分子合成化学则是通过聚合物链延长的方法构建共轭聚合物。
这些方法可以合成出具有理想结构和光电性能的共轭聚合物。
2. 小分子有机半导体材料合成小分子有机半导体材料合成方法主要包括有机合成化学和物理化学方法。
例如,通过合成具有特殊结构的芳香有机分子来实现分子内或分子间的电子传输,从而得到高效的有机半导体材料。
物理化学方法包括溶液法、蒸发法和沉积法等,这些方法能够制备出高质量的小分子有机半导体材料。
二、有机半导体材料在光电器件中的应用1. 有机太阳能电池有机太阳能电池是有机半导体材料在光电器件中的重要应用之一。
有机太阳能电池采用有机半导体材料作为光吸收层,通过光电转换将太阳能转化为电能。
有机半导体材料具有高度的光电转换效率和可调制性,能够实现低成本、灵活、轻薄等特点,为太阳能利用提供了新的可能。
2. 有机发光二极管(OLED)有机发光二极管是一种新型的光电器件,其主要利用有机半导体材料的发光特性来实现光的发射。
相比于传统的无机材料,有机发光二极管具有发光效率高、色彩丰富、可弯曲等优点。
具有广泛的应用前景,如平板显示器、手机屏幕等。
3. 有机光电传感器有机光电传感器是一种能够将光信号转化为电信号的光电器件,广泛应用于光电通信、光电测量等领域。
有机半导体材料作为光吸收层具有高单位吸光度和快速载流子传输特性,能够实现高灵敏度、宽光谱响应范围的光电传感器。
有机半导体材料的光电性能研究
有机半导体材料的光电性能研究随着科技的迅猛发展,人们对能源的需求也越来越大。
然而,传统的能源资源存在使用寿命短、环境污染等问题,迫使人们转向寻找新型的清洁能源,太阳能便成为了人们关注的热点之一。
而有机半导体材料在太阳能电池领域受到了广泛的关注。
本文将围绕有机半导体材料的光电性能展开讨论,探究其在太阳能电池领域的应用前景。
有机半导体材料是一类由碳、氢、氮、氧等元素组成的高分子材料,具备导电性能。
与传统的硅基半导体材料相比,有机半导体材料具有优越的柔性、低成本和高效率的特点,将其应用于太阳能电池领域,具备较大的潜力。
首先,有机半导体材料在光吸收方面具有明显的优势。
有机半导体材料的分子结构可以通过调整来实现在特定波段的吸收,因此可以实现对太阳光谱的高效吸收。
此外,与硅基太阳能电池不同,有机半导体材料可以灵活地制备成薄膜形式,增加了单位面积上的光吸收量,提高了太阳能电池的能量转换效率。
其次,有机半导体材料在载流子输运方面具有优异的特性。
由于有机半导体材料的分子结构较为复杂,其中电子和空穴在载流子输运过程中会遇到较多的散射中心,因此在载流子输运过程中阻碍较大。
然而,研究者们通过改进分子结构,提高了有机半导体材料的载流子迁移率,在更低的电场下实现了更高的载流子迁移率,提高了太阳能电池的效率。
此外,有机半导体材料具有光电转换效率高和易加工成型的特点。
相比于传统的硅基太阳能电池,有机半导体材料可以在低成本、大面积和柔性可弯曲的基板上制备,因此可以在窗户、建筑物表面等多种场景中进行应用。
此外,有机半导体材料的分子结构可以进行功能调控,可以进一步提高光电转换效率,为日益增长的能源需求提供解决方案。
然而,有机半导体材料在应用过程中仍然面临一些挑战。
例如,有机半导体材料的稳定性较差,容易受到空气、湿气和温度等因素的影响。
此外,有机半导体材料的能带结构复杂,光(电)激发态的自旋、荷电分布相互作用等问题仍然需要进一步研究。
新型有机半导体材料的研究与应用
新型有机半导体材料的研究与应用近年来,随着电子产品的迅猛发展,有机半导体材料作为一种新型材料,备受人们关注。
有机半导体材料具有较高的光、电学性能,可用于制造高效、柔性、低成本的光电器件。
本文将介绍有机半导体材料的研究进展以及其在实际应用中的表现。
一、有机半导体材料的研究进展有机半导体材料最早是在1970年代发现的,当时人们只是将其视为一种新型有机化合物。
直到20世纪80年代,随着有机半导体材料的应用领域逐渐拓宽,有机半导体材料的研究进入到一个黄金时期。
有机半导体材料相比于传统的无机半导体材料,具有制备简单、成本低、柔性好等优势。
但是,由于有机半导体材料的分子结构和性质复杂,研究工作难度较大。
在近些年中,通过利用先进的合成手段和精密物理特性表征方法,研究人员不断地提高有机半导体材料的制备工艺和性能。
目前,有机半导体材料已经达到了非常高的水平。
二、有机半导体材料在光电器件中的应用1. 有机发光二极管有机发光二极管(OLED)是有机半导体材料的一个代表性应用。
从1990年代开始,OLED就进入到了实际生产领域。
OLED 具有高亮度、高对比度、低功耗等优点。
它可以制成柔性或半透明的显示屏,并且有望替代传统液晶显示屏。
2. 有机薄膜太阳能电池有机薄膜太阳能电池(OPV)是应用有机半导体材料最受关注的领域之一。
与硅基太阳能电池相比,OPV具有柔性、轻质等特点,可以制成具有多样性的形态,因此具有更广泛的应用前景。
目前,OPV的能量转换效率已经达到17%。
3. 有机场效应晶体管有机场效应晶体管(OFET)是由有机半导体材料制成的晶体管。
OFET可以应用于各种传感器、电荷耦合器、驱动晶片等器件中。
三、有机半导体材料未来发展前景有机半导体材料作为一种新型材料,由于其制备工艺简单、成本低、柔性好等特点,其未来发展前景十分广阔。
随着美国、日本、德国等国家对有机半导体材料的研究不断深入,国内研究人员也在积极攻克相关技术难点。
高功率半导体激光芯片技术发展趋势
高功率半导体激光芯片技术发展趋势随着科技的不断进步,半导体激光芯片技术在各个领域的应用也越来越广泛。
特别是高功率半导体激光芯片技术,其在激光加工、激光雷达、激光通信等领域具有重要的应用价值。
本文将从多个方面探讨高功率半导体激光芯片技术的发展趋势。
高功率半导体激光芯片技术在激光加工领域的应用前景广阔。
激光加工是一种高精度、高效率的加工方式,可以用于金属、塑料、陶瓷等材料的切割、焊接、打孔等工艺。
传统的激光加工设备往往体积庞大、功耗高,而高功率半导体激光芯片技术的出现可以使得激光加工设备更加紧凑、高效。
未来,高功率半导体激光芯片技术将会在激光加工领域得到更广泛的应用,进一步推动激光加工技术的发展。
高功率半导体激光芯片技术在激光雷达领域的应用也备受关注。
激光雷达是一种利用激光技术进行测量和探测的设备,广泛应用于自动驾驶、环境监测等领域。
高功率半导体激光芯片技术的发展将使得激光雷达设备更加小型化、轻便化,提高激光雷达系统的性能和可靠性。
未来,高功率半导体激光芯片技术有望在激光雷达领域实现更多的创新和突破。
高功率半导体激光芯片技术在激光通信领域也具有广阔的应用前景。
激光通信是一种利用激光进行信息传输的技术,具有大带宽、抗干扰能力强的优点。
传统的激光通信系统往往需要使用高功率激光器来实现远距离传输,而高功率半导体激光芯片技术的发展将使得激光通信设备更加紧凑、低功耗。
未来,高功率半导体激光芯片技术有望推动激光通信领域的发展,使得激光通信技术更加普及。
高功率半导体激光芯片技术的发展还将促进激光医学领域的进步。
激光在医学领域有着广泛的应用,如激光手术、激光治疗等。
高功率半导体激光芯片技术的出现将使得激光医学设备更加便携、高效,提高患者的治疗体验。
未来,高功率半导体激光芯片技术的发展将有助于激光医学领域的创新和发展。
高功率半导体激光芯片技术的发展趋势是多方面的。
它将在激光加工、激光雷达、激光通信、激光医学等领域得到广泛应用,推动相关技术的创新和进步。
有机半导体激光器研究的新进展_刘明大
①1998-12-02收稿;1999-02-03定稿②国家自然科学基金资助项目③本刊通讯编委第20卷第4期半 导 体 光 电Vol .20No .41999年8月Semiconductor OptoelectronicsAug .1999文章编号: 1001-5868(1999)04-0221-05有机半导体激光器研究的新进展①②刘明大1,③史素姣2,刘宇光3,陆 羽1,石家纬1(1.吉林大学电子工程系,长春130023;2.北大方正出版系统工程公司,北京100871;3.神华集团公司,北京100081)摘 要: 近年来,有机半导体激光器已经成为一个新的研究热点。
叙述了光泵浦有机半导体激光器的最新研究进展,对实现电泵浦(电注入)有机半导体激光器也进行了评述。
关键词: 半导体激光器 有机半导体 光泵浦 电泵浦中图分类号: TN248.4;TN383.1 文献标识码:ARecent advance of organic semiconductor lasersLIU Ming -da 1,SHI Su -jiao 2,LIU Yu -guang 3,LU Yu 1,SH I Jia -wei 1(1.D ept .of Electronic Engineering ,Jilin University ,C hangchun 130023,China ;2.Fo under Publishing System Engineering C o .,Beijing 100871,China ;3.Shenhua Group of China ,Beijing 100081,China )A bstract : The current study is focused on organic semiconducto r lasers .The recent advance in optically pumped organic semiconductor lasers is review ed ,and for demonstration of electrically pumped o rganic semiconducto r lasers ,the present g reat goal are also discussed .Keywords : semiconductor laser ,o rganic semiconducto r ,optical pump ,electrical pump1 引言近年来,有机小分子和高分子聚合物电发光(EL )器件,已经取得了重大进展。
半导体激光的应用及其未来发展趋势
半导体激光的应用及其未来发展趋势半导体激光是一种光电子技术,它具有热稳定性好、效率高、尺寸小、寿命长、成本低等优点,被广泛应用于通信、医疗、工业制造、军事设备、商业设备及消费电子等各个领域中。
本文将从这五个应用领域阐述半导体激光的应用及其未来发展趋势。
一、通信领域半导体激光在通信领域中被广泛应用于传输和接收数据的设备中,因为它的波长范围广、频率可调节、光谱纯净、电功率高,能够提高数据传输速度和距离,使得现代通信更加高效和可靠。
未来,半导体激光技术将朝着更高速、更高频率的方向发展,以满足数据传输方面不断增长的需求。
二、医疗领域半导体激光在医疗领域中被广泛应用于激光手术、医疗诊断等方面。
它可以用于治疗白内障、近视、青光眼等眼病,还能用于皮肤美容、皮肤病治疗等方面。
未来,半导体激光技术将更多地应用于医疗领域,如非侵入性治疗、精准医学等方面。
三、工业制造领域半导体激光在工业制造领域中主要用于金属、塑料、陶瓷等材料的制造、切割、焊接、打标、雕刻等方面。
它可以大幅提高工作效率,减少生产流程,降低生产成本,提高产品质量。
未来,半导体激光技术将更多地应用于制造自动化、智能制造等方面。
四、军事设备领域半导体激光在军事设备领域中主要用于激光雷达、光电目标检测、制导、干扰等方面。
它具有高能量密度、高光谱纯度、高频率可调节等特点,能够实现精确制导、防御和攻击,提高军事作战效率。
未来,半导体激光技术将更多地应用于军事智能化、信息化、网络化等方面。
五、商业设备及消费电子领域半导体激光在商业设备和消费电子领域中主要用于激光打印、激光扫描、激光显示等方面。
它可以提高打印、扫描、显示的清晰度和速度,提高使用体验和用户满意度。
未来,半导体激光技术将更多地应用于消费电子领域的高清晰度显示、增强现实、虚拟现实等方面。
综上所述,半导体激光在各个领域中都具有广泛的应用前景,随着技术的不断发展,它的应用范围和应用深度将不断拓展。
未来,半导体激光技术将朝着高速、高精度、小型化、智能化、网络化等方向快速发展,并将在更多的领域中发挥重要的作用。
《高功率980nm半导体激光器外延结构设计及其性能研究》范文
《高功率980 nm半导体激光器外延结构设计及其性能研究》篇一一、引言随着科技的飞速发展,高功率半导体激光器在科研、工业和日常生活等领域中得到了广泛应用。
980 nm波长的半导体激光器在光通信、激光打印、医疗及科研等方面具有重要意义。
外延结构作为半导体激光器的核心部分,其设计直接关系到激光器的性能。
因此,本篇论文将重点研究高功率980 nm半导体激光器的外延结构设计及其性能。
二、外延结构设计1. 材料选择高功率980 nm半导体激光器的外延结构主要采用InGaAsP 材料系统。
该材料系统具有优秀的电光性能和热稳定性,适合于高功率激光器的制备。
2. 结构层设计外延结构主要由以下部分组成:底层的n型层、中间的光波导层以及顶层的p型层。
在n型层和p型层之间,通过量子阱技术实现光子的产生和放大。
此外,为了满足高功率输出的需求,还需设计合理的热沉结构,以降低激光器在工作过程中的热效应。
3. 生长技术外延结构的生长主要采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术。
该技术具有生长速度快、结构质量高、操作灵活等优点,可实现精确控制材料成分和厚度,从而达到设计目标。
三、性能研究1. 光学性能经过实验验证,设计的高功率980 nm半导体激光器外延结构具有优异的光学性能。
其发射波长稳定在980 nm左右,具有较高的光功率输出和较低的阈值电流。
此外,该结构还具有较高的光束质量和较低的发散角。
2. 电学性能在电学性能方面,该外延结构表现出良好的电流传输特性。
其电阻率适中,使得激光器在工作过程中能够保持稳定的电流输出。
此外,其较低的串联电阻有助于提高激光器的能量转换效率。
3. 热学性能针对高功率激光器在工作过程中产生的热量问题,该外延结构通过优化热沉设计,有效降低了热效应对激光器性能的影响。
实验结果表明,该结构具有良好的热稳定性和较低的热阻抗,有利于提高激光器的长期稳定性和可靠性。
四、结论本论文研究了高功率980 nm半导体激光器的外延结构设计及其性能。
半导体行业的材料科学了解半导体材料科学的研究进展和创新应用
半导体行业的材料科学了解半导体材料科学的研究进展和创新应用半导体行业的材料科学:了解半导体材料科学的研究进展和创新应用半导体材料科学是指研究半导体材料及其在半导体行业中的应用的学科。
在当今科技飞速发展的背景下,半导体材料科学的研究进展和创新应用对于推动半导体行业的发展起到了至关重要的作用。
本文将就半导体材料科学的研究进展和创新应用进行探讨。
半导体材料科学的研究进展主要体现在以下几个方面。
首先,新型半导体材料的研发与应用是当前半导体材料科学的关键研究方向。
传统的硅基半导体作为主要材料已经达到其物理极限,因此研究人员开始寻找新的材料,如氮化镓、碳化硅等,以开拓新的应用领域。
这些新型半导体材料具有优异的性能,能够满足高频、高温和高功率等特殊应用要求。
其次,半导体材料的纳米化和量子效应的研究也是当前热门的课题。
通过将半导体材料制备成纳米尺寸的结构,可以改变其电子结构和物理性质,从而实现对光、电、磁等信号的更加精确控制。
此外,量子效应的研究也在半导体材料的纳米尺度下取得了非常重要的突破,为新型量子器件的发展提供了基础。
再者,半导体材料科学与生物医学的交叉研究也日益受到关注。
半导体材料在生物医学领域的应用,比如生物传感器、药物传递系统等,为医学诊断和治疗提供了新的手段。
同时,生物材料的引入也促进了半导体材料领域的创新,例如基于DNA或蛋白质的纳米结构的研究,为构建更高性能的半导体器件打开了新的可能性。
最后,半导体材料科学的研究进展也涉及到可持续发展与环境保护的问题。
随着资源的日益枯竭和环境问题的凸显,绿色、可再生的半导体材料研究成为了当前的热点。
例如,有机半导体材料因其可溶性和可加工性被广泛应用于柔性电子器件中,具有较低的能耗和环境影响。
在半导体材料科学的研究进展基础上,创新应用的推广也助力半导体行业的进一步发展。
首先,新材料的应用为半导体行业注入了新的活力。
以氮化镓和碳化硅为代表的新型半导体材料,具备了较高的电子迁移率、较低的功耗和更宽的带隙等优点,可以用于制备高性能的微电子器件,如功率放大器、高速传输器件等。
有机半导体材料与器件的研究
有机半导体材料与器件的研究随着科学技术的不断进步,有机半导体材料与器件的研究逐渐受到人们的关注。
有机半导体材料指的是由碳、氢以及其他化学元素构成的有机分子的半导体材料。
与传统的硅基半导体相比,有机半导体材料具有许多优势,如可塑性、低成本和可大面积制备等。
因此,有机半导体材料和器件的研究在信息技术、光电子学和能源等领域具有广泛的应用前景。
有机半导体材料的研究首先要从材料的合成入手。
目前,已经有很多方法可以合成具有良好半导体性能的有机材料。
例如,高分子合成法可以通过合成具有特定结构的聚合物来实现半导体材料的制备。
这种方法可以通过调控原子间键合方式、侧链结构以及分子重量等参数来调节材料的电学性能。
此外,利用有机分子自组装技术也能够制备出有机半导体材料。
这种方法通过在特定基底上调控有机分子的自组装行为,形成具有规则排列的有机单分子层。
由于分子间的相互作用力,这种有机单分子层具有优异的半导体性能。
此外,还可以通过混合溶液法、分子束外延和薄膜转移等方法来合成有机半导体材料。
有机半导体材料合成后,还需要研究其电学性能以及在器件中的应用。
有机半导体器件主要包括有机场效应晶体管(OFET)、有机发光二极管(OLED)和有机太阳能电池(OPV)等。
其中,OFET是最常用的有机半导体器件之一。
OFET利用有机材料的半导体性能,在其上构造源极、栅极和漏极等结构,通过施加电压来调节半导体材料中的电子浓度,进而控制电流的流动。
OLED则利用有机材料在电场作用下的发光特性,制备出可以发出可见光的器件。
OLED具有优异的发光效率、色彩饱和度和可弯曲性,因此,在显示器和照明领域有着广泛的应用。
OPV则是一种利用有机材料将光能直接转化为电能的器件。
OPV具有成本低、制备工艺简单和可弯曲性强等优势,因此在可再生能源和户外装备等领域具有广阔的应用前景。
随着对有机半导体材料与器件的研究不断深入,也面临一系列的挑战。
首先,有机材料本身稳定性较差,容易受到光、氧气和湿度等外界环境的影响。
有机半导体材料在光电技术中的应用
有机半导体材料在光电技术中的应用随着科技的进步和应用领域的拓宽,有机半导体材料成为了一种备受欢迎的材料,其在光电技术中的应用也得到了越来越多人的重视。
本文将探讨有机半导体材料的性质和应用,以及其在光电技术中的应用案例。
1. 有机半导体材料的性质有机半导体材料是一种由含有碳、氢、氧等元素的分子构成的材料,它的分子构型极为多样化,这极大地增加了其应用范围。
与普通半导体不同的是,有机半导体的能带宽度较小,电学性质处于金属和非金属之间,使得其电学性质更加易变。
同时,有机半导体的分子还具有几何单一性、分子间自组装、分子链极性、较高的阳离子和阴离子导电性等特点,这使得有机半导体材料具备一系列的性质,如高效的光电转换率、较强的分子识别能力等。
2. 有机半导体材料的应用有机半导体材料已经广泛应用于光电器件、激光器、晶体管等领域,以下是几种常见的应用类型。
2.1 光电器件随着电子产品的普及,光电器件也逐渐地走向了市场。
有机半导体材料应用于光电器件制造中,可以大大提高其转换效率,使其更加灵活和易于实现可定制化生产。
以有机太阳能电池为例,有机半导体材料可以大大提高其光电转换率,减缓太阳能电池对环境的压力,同时提高其使用寿命。
2.2 激光器激光器是一种能够将光强度增强为高能量束的装置。
有机半导体材料在激光器领域中也得到了广泛应用,可以用于制造各种类型的激光器,如荧光激光器、有机电致发光激光器等,以广泛应用于印刷、制造及医疗等领域。
2.3 晶体管晶体管是一种由有机半导体材料制成的电子器件,其最大的特点是能够实现低功耗且高效的电路控制,同时容易与其他器件进行集成。
有机半导体材料可以使晶体管具有可变电阻和可定制电阻的特点,这使得其可以广泛应用于芯片、光影娱乐、安全保障等领域。
3. 光电技术与有机半导体材料的应用案例光电技术与有机半导体材料的应用案例非常丰富,此处选取了两个有代表性的案例进行介绍。
3.1 有机发光二极管有机发光二极管(OLED)是一种应用广泛的有机半导体光电器件。
半导体激光器材料研究进展-第八组
一、半导体激光器的发展历史
1970 年,双异质结构半导体激光器(DH-LD)由前苏 联科学院约飞(loffe)物理研究所的阿尔费洛夫 (Alferov)等人研究成功。室温下的阈值电流密度比 单异质结激光器的降低了一个数量级,电光转换效 率也得到了大幅度的提高。与此同时,超晶格中的 量子效应由美国 IBM 公司的江琦(L.Esaki)和朱 兆祥(R.Tsu)首先提出,并且制备出了具有超晶
的半导体。(GaAs-Zn)
N型半导体:通过掺杂使电子数目大大地多于空穴数目
的半导体。(GaAs-Te)
2、非本征半导体材料———p-n结
在GaAs内掺入VI族元素,会在导带下面形成杂质能级。
由于杂质能级与导带底的能量差很小0.003eV,电子很
容易跃迁到导带中去,同时在原来的能级上形成空穴。 这种杂质称为施主杂质,相应的能级为施主能级,掺入 施主杂质的半导体称为电子型半导体或N型半导体。
另有一类在电子学中非常重要的半导体材料,如Si和 Ge等,导带底和价带顶不在k空间同一点,称为间接禁 带半导体
2、非本征半导体材料———p-n结
本征半导体:杂质、缺陷极少的纯净、完整的半导体。 其中自由电子和空穴都很少。常用的是非本征半导 体又叫掺杂半导体。
P型半导体:通过掺杂使空穴数目大大地多于电子数目
室温下连续工作。
一、半导体激光器的发展历史
1963 年,异质结的概念由前苏联科学院的阿尔费 洛夫(Alferov)和美国的克罗默(Kroemer)提出。
1968 年到 1970 年期间,美国贝尔实验室的潘尼希 (Panish)等研制出 AlGaAs/GaAs 单异质结激光器, 阈值电流密度为 8.6×103A/cm2,实现了室温下的 脉冲工作,这标志着半导体激光器进入了异质结注 入型激光器(SHLD)的发展阶段。
技术进展解析深入研究半导体技术的最新进展和应用
技术进展解析深入研究半导体技术的最新进展和应用技术进展解析——深入研究半导体技术的最新进展和应用在现代科技的飞速发展中,半导体技术一直处于技术进展的前沿,其在信息技术、通信、能源和生物医学等领域的应用日益广泛。
本文将深入研究半导体技术的最新进展和应用,并通过解析不同领域的案例来说明其影响和创新意义。
一、半导体技术在信息技术领域的最新进展信息技术作为当今社会的重要支柱之一,对半导体技术的需求迫切。
目前,半导体技术的最新进展主要集中在以下几个方面:1.人工智能(Artificial Intelligence,AI)领域的半导体技术进展:随着AI的快速发展,对计算能力的要求越来越高。
由于半导体芯片的优势在于其高速运算和能耗效率,因此,从图像识别到自动驾驶,人工智能领域对半导体技术的需求不断增长。
近年来,诸如英伟达(NVIDIA)、谷歌(Google)和英特尔(Intel)等科技巨头相继推出了专用的AI芯片,为AI的发展提供了强有力的支持。
2.量子计算领域的半导体技术进展:量子计算作为下一代计算机的重大突破,对半导体技术提出了更高的要求。
量子位的稳定性、量子噪声和信息存储等问题是当前研究的热点领域。
半导体技术在量子位的制备、操作和控制方面具备独特的优势,例如硅基准双量子位(Si QD),因其成熟工艺和噪声控制能力而备受关注。
3.可穿戴设备和物联网(Internet of Things,IoT)领域的半导体技术进展:半导体技术的小型化和集成化特点使其成为可穿戴设备和物联网的核心组成部分。
最新的进展涉及到更高的能效和处理能力、更好的传感器技术和更可靠的无线通信模块。
例如,低功耗蓝牙(Bluetooth Low Energy,BLE)芯片的出现使得可穿戴设备的续航能力大幅提升,从而更好地服务于用户。
二、半导体技术在通信领域的最新应用通信领域对半导体技术的需求直接影响着人们生活的方方面面。
以下是半导体技术在通信领域的最新应用:1.5G通信技术的崛起:5G通信技术作为下一代移动通信标准,具有更高的传输速度、更低的延迟和更大的网络容量。
gaas 基大功率半导体激光器的新进展
随着信息技术的飞速发展,高功率半导体激光器在通信、医疗、制造等领域的应用需求也日益增长。
氮化镓基大功率半导体激光器(GaN)因其较高的能隙(3.4 eV)以及较高的饱和漂移速度被认为是制备高功率激光器的理想材料。
本文将探讨GaN基大功率半导体激光器的新进展。
一、材料制备目前,研究人员主要采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在氮化镓基底上生长GaN外延层。
在GaN基大功率半导体激光器的制备过程中,外延层的质量和厚度对激光器性能有着重要影响。
近年来,研究人员不断优化MOCVD工艺,改善外延层的质量和均匀性,提高生长速度和杂质控制能力。
还有研究人员尝试利用分子束外延(MBE)等其他生长技术来生长氮化镓外延层,以期获得更高质量的GaN外延层。
二、器件结构在GaN基大功率半导体激光器的器件结构设计中,研究人员通常采用多量子阱(MQWs)结构来提高材料的光电转换效率。
MQWs的设计和优化对激光器的性能有着重要的影响。
研究人员还不断尝试新的器件结构,如采用混合量子阱结构、引入纳米结构等,以提高激光器的性能。
三、提高激光器性能当前,研究人员正在尝试提高GaN基大功率半导体激光器的输出功率和工作效率。
他们通过优化外延层、MQWs结构以及器件结构,进一步完善激光器的性能。
还有研究人员尝试利用表面等离子体激元(SPs)和声子晶体等新的物理效应,来提高激光器的性能和稳定性。
四、应用前景展望随着GaN基大功率半导体激光器性能的不断提高,其在通信、医疗、材料加工、军事等领域的应用前景也越来越广阔。
在通信系统中,GaN基大功率半导体激光器可以用于光纤通信系统、激光雷达系统等;在医疗领域,可以用于激光治疗设备、光学诊断设备等;在材料加工领域,可以用于激光切割、激光打标等。
结语GaN基大功率半导体激光器的新进展为提高半导体激光器的输出功率、提高工作效率和拓展应用领域提供了重要的技术支持。
未来,随着材料制备技术、器件结构设计和性能优化的不断进步,GaN基大功率半导体激光器有望成为半导体激光器领域的重要技术突破点。
有机半导体材料的应用研究进展
有机半导体材料的应用研究进展
徐春华
【期刊名称】《大观周刊》
【年(卷),期】2012(000)041
【摘要】近些年来,有机半导体的发展极为迅速,目前有机半导体的主要应用领域包括场效应晶体管、电致发光二极管、太阳能电池、光电导、激光器、光波导、光开关、传感器、调制器以及光电探测等。
另外,有机薄膜场效应晶体管、有机太阳能电池等方面的研究也取得了相当不错的进展。
【总页数】2页(P148-149)
【作者】徐春华
【作者单位】大连职业技术学院,辽宁大连116035
【正文语种】中文
【中图分类】TN304.5
【相关文献】
1.有机半导体材料技术发展给网印带来新机遇 [J], 邱伟
2.应用于场效应晶体管有机半导体材料的研究进展 [J], 刘珂;吴海霞;张浩力
3.基于有机半导体材料的有机场效应晶体管化学传感器 [J], 伊康哲
4.有机半导体材料分子结构及性能研究进展 [J], 郑敏燕;侯雅慧;张国伟;贾瑶;郭妮
5.有机半导体材料光催化降解含油废水 [J], 赵天楚; 魏延雨; 刘经纬; 祝旭宏
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¹1998-12-02收稿;1999-02-03定稿º国家自然科学基金资助项目»本刊通讯编委第20卷第4期半 导 体 光 电Vol.20No.41999年8月Semiconductor OptoelectronicsAug.1999文章编号: 1001-5868(1999)04-0221-05有机半导体激光器研究的新进展¹º刘明大1,»史素姣2,刘宇光3,陆 羽1,石家纬1(1.吉林大学电子工程系,长春130023;2.北大方正出版系统工程公司,北京100871;3.神华集团公司,北京100081)摘 要: 近年来,有机半导体激光器已经成为一个新的研究热点。
叙述了光泵浦有机半导体激光器的最新研究进展,对实现电泵浦(电注入)有机半导体激光器也进行了评述。
关键词: 半导体激光器 有机半导体 光泵浦 电泵浦中图分类号: TN248.4;TN383.1 文献标识码:ARecent advance of organic semiconductor lasersLIU M ing-da 1,SH I Su-jiao 2,LIU Yu-guang 3,LU Yu 1,SH I Jia-wei 1(1.D ept.of Electronic Engineering,Jilin University,C hangchun 130023,China;2.Founder Publishing System Engineering C o.,Beijing 100871,China;3.Shenhua Group of China,Beijing 100081,China)Abstract: The current study is focused on organic semiconductor lasers .The recent advance in optically pumped organic sem iconductor lasers is review ed,and for demonstration of electrically pumped organic semiconductor lasers,the present g reat goal are also discussed.Keywords: semiconductor laser,organic semiconductor,optical pump,electrical pump1 引言近年来,有机小分子和高分子聚合物电发光(EL)器件,已经取得了重大进展。
由于其具有驱动电压低、发光效率高、成膜特性好、全色发光等优点,在显示技术领域受到人们的极大关注。
近两年的大量研究表明,有机半导体是一种新型固体激光材料[1~3],其发光波长范围可以从蓝光到近红外。
目前,用有机小分子或高分子聚合物半导体材料,均已制成光泵浦有机半导体激光器(OSL)。
其谱线宽度最窄为0.02nm ,最高脉冲功率为5W,最高工作寿命大于1@106h 。
光泵浦OSL 的结构有平板波导结构、双异质结结构、DBR 结构、DFB 结构以及微腔结构。
由于有机半导体材料的低成本和能够生长准外延或非外延薄膜,使有机半导体激光器容易与其他光电子器件集成在一起。
有机半导体的特殊光电特性导致OSL 的各项性能(输出功率、量子效率、发射波长)比通常的无机半导体激光器的有更好的温度稳定性。
OSL 在光通信和传感器应用方面有潜在的优势,特别是460~540nm 的短波段的光泵浦蓝光OSL,在光存储应用中有着美好的前景。
有机半导体激光器的出现,将对信息产业产生重大影响。
研究表明,有机半导体激光材料有三个特征[4]:第一,吸收峰与发射峰偏离较大,导致这些材料的辐射吸收非常小,这是有机半导体激光材料的一个独特优点;第二,有机半导体激光材料含有共轭P (P *)键结构,因此这些有机半导体激光材料的准一维P y P *键,带间直接跃迁具有很大的相交密度。
通过泵浦激发P y P *跃迁,将很容易实现粒子数反转;第三,有机半导体激光材料的吸收系数A 很大,典型地A \1@105cm -1,所以它的受激截面和吸收截面都很大,因而增益长度将基本上等于吸收长度,这就意味着与自发辐射相比,受激辐射将占有优势。
由此可见,有机半导体激光材料具有容易实现粒子数反转和受激辐射占优势两大特点。
综上所述,由于有机半导体激光材料具有大的受激截面,在低的光泵浦能量下,就可以实现粒子数反转。
而且在增益介质中,发射光子的传播距离大于增益长度。
所以在亚微米厚度的薄膜内,使用简单的平板波导结构,就可以实现低阈值增益。
有机半导体激光器受激产生激光,可以由五种现象来进行判定[5]:第一,在输出能量与输入能量(泵浦能量)的关系曲线中出现明显的阈值。
在阈值以上有一个高的激光效率;第二,有一个强的偏振光输出;第三,出现立体相干性(远场图有衍射斑点);第四,有效光谱谱线变窄;第五,出现激光器谐振模式。
2光泵浦红光激光器美国Princeton大学的V.Bulovic等人[1,5]研制出光泵浦红光有机半导体激光器,其增益介质是由Alq3(8羟基喹啉铝)掺DCM激光染料组成的。
从最佳设计角度考虑,DCM具有红色的受激发射波长645nm。
这个发射波长远离Alq3主体分子的紫外吸收边波长450nm。
而DCM的吸收中心,又接近Alq3的最大发射谱波长530nm。
所以,这个由Alq3:DCM组成的有源层,对有效的Forster能量传递提供了一个从紫外激发的Alq3主体。
这样,泵浦能量通过Alq3主体分子吸收后,非辐射传递给DCM客体分子。
由于Alq3发射谱与DCM吸收谱匹配,才能在分子之间有足够的Forster能量传递,所以需要很低浓度的客体分子。
只有很低浓度的光活性态密度,才能降低阈值并提高激光器的效率。
Alq3与DCM的吸收和发射之间有大的Stokes移动,从而大大降低了受激阈值并增加了器件的工作寿命。
这种光泵浦红光OSL采用平板波导结构和DBR结构。
有源区为500nm厚的掺有3%的DCM 的Alq3,在高真空下,通过热蒸发共淀积在DBR介质镜面叠层表面上,如图1所示。
在有源层的顶部,再顺次淀积20nm厚的Alq3缓冲层和200nm厚的Ag镜面。
Alq3缓冲层降低了有机层与金属界面下的DCM激发淬灭。
OSL的光泵浦采用N2激光器(K=337nm),在50Hz下产生500ps脉宽重复速率。
泵浦光束通过DBR叠层入射,当K=337nm时它能透射8%,并聚焦成圆形。
在有机薄膜表面上形成100L m直径的光点。
图1激光器结构(a)和DCM及Alq3的化学结构式(b) Fig.1L aser structure(a)and chemical structur e formulas of DCM and A lq3(b)Alq3:DCM OSL的发射光谱如图2所示。
自发辐射谱阈值比较低,这是由于微腔效应影响的结果。
K=635nm的峰相当于腔的模式,如图2(a)所示。
在阈值以上的光发射谱,相应能量在300J/cm2以上,则完全受高增益支配,OSL发射谱变窄,如图2 (b)所示。
(a)在衬底垂直方向的自发发射谱(K=635nm处观察到腔的模式);(b)在高泵浦能量下,OSL的受激发射谱。
图2Alq3:DCM DBR O SL的发射光谱(a)Spontaneous emissio n spectrum in the substrate normal d-i rection(Cavity mode is observed at K=635nm).(b)Emission spectra from the same OSL at a high ex citation level.F ig.2Emission spectrum o f Alq3:DCM DBR OSL这种Alq3:DCM DBR有机半导体激光器,具有很窄的光谱线宽(0.02nm?0.01nm),很高的功率(3W),在阈值以上脉冲工作时寿命大于1@106h,受激发射光谱范围随着有源层厚度不同而变化,为589~645nm。
研制的Alq3:DCM双异质结光波导222半导体光电1999年8月结构OSL,发射谱峰值波长为645nm,最高微分量子效率达70%,最大输出脉冲峰值功率达50W 。
3 光泵浦蓝光激光器光泵浦蓝光有机半导体激光器,在光存贮应用和彩色下转换等领域有着重要的应用。
对有机半导体激光材料的特性研究表明,因为在本体和掺杂剂有机分子之间,存在着有效的非辐射Forster 能量传递,所以本体的发射谱必须与掺杂剂的吸收谱相重叠。
为此,Princeton 大学的V.G.Kozlov 等人选择CBP[4,4-双(N-咔唑)联苯]为主体材料,PRL [北(peryene)]为掺杂剂[2],CBP:PRL 作为光泵浦蓝光OSL 的有源层。
图3给出了光泵浦蓝光边发射OSL 的结构,120nm 厚的CBP:PRL(质量比为100:1)薄膜,淀积在涂有2L m 厚的SiO 2层(等离子增强CVD 淀积)的抛光InP 衬底(100)表面上。
有机薄膜是高真空热蒸发生长的,这种结构的特点是有机薄膜(折射率n = 1.8)在一侧形成一个具有SiO 2包层(n = 1.46)的平板光波导,而在另一侧是空气(n =1)作为包层。
有机层厚度的选择原则是在增益区域内限制光场,形成一个单膜平板波导。
图3 光泵浦蓝光边发射O SL 结构图Fig.3 Structure of an o ptically pumped blue OSL这种光泵浦蓝光边发射OSL 的有源层中主体分子为CBP,发射峰在400nm 处。
掺杂剂客体分子PRL 在400nm 处亦具有强的吸收峰,这正好满足本体发射谱与客体吸收谱重叠原则。
于是,光泵浦能量(N 2激光器,K =337nm )被CBP 分子吸收后,通过偶极对,非辐射地传递给客体分子,并按照分子构象弛豫,其发射光谱范围为460~510nm 。
从质量比为1%的CBP:PRL 薄膜没有观察到CBP 分子的发射,这意味着传递过程有很高的效率。
这是由于Forster 能量传递远离本体材料的吸收带而发射的结果,并将导致很低的激射阈值和长的工作寿命。
CBP:PRL 光泵浦蓝光边发射OSL,受激辐射光谱范围为460~510nm,具有5J/cm 2的低受激阈值,15%的高微分量子效率,20W 的高输出功率和激射脉冲工作寿命大于1@105h 。
这些数据说明蓝光OSL 器件是无机蓝光激光器的潜在竞争对手。
4 光泵浦绿光激光器英国剑桥大学的R.H.Friend 研究小组[3],首次观测到聚苯乙炔(PPV)的激光现象。