半导体分立器件测试原理和方法共50页
半导体元器件的测试方法
绝缘栅型场效应管
栅源阈值电压 Vgs(th)
参数定义：当漏极电流值增加到规定低值时的正向栅源电压。 测试原理：
原理说明： 1. 器件栅极和漏极短路，施加规定的漏极电流 Id。 2.测试器件栅-源电压 Vgs。
漏极电流 Id(on)
参数定义：在规定的栅源电压和漏源电压下的漏极电流。 测试原理：
原理说明： 1. 器件施加规定的栅源电压 Vgs, 漏源电压 Vds。 2.测试器件漏极电流 Id。
反向击穿电压 VR
参数定义：通过二极管的反向电流变到大于规定值时的电压。 测试原理：
原理说明： 1. 器件施加规定的反向电流 IR。 2. 测试器件反向电压 VR。
稳压管工作电压 VZ
参数定义：在规定的工作电流下稳压管的工作电压。 测试原理：
原理说明： 1. 器件施加规定的工作电流 IZ。 2. 测试器件的工作电压 VZ。
正向直流电压 VF
二极管
参数定义：规定的正向电流流过器件时，在器件两端产生的直流电压。 测试原理：
原理说明： 1. 器件正向施加规定的输入电流 IF。 2. 测试器件正向电压 VF。
反向漏电流 IR
参数定义：器件施加规定的反向电压时，流过二极管的反向电流。 测试原理：
原理说明： 1. 器件施加规定的反向电压 VR。 2. 测试器件反向电流 IR。
栅-源击穿电压 Vgs
参数定义：பைடு நூலகம்件在漏-源短路的条件下，测试栅-源间的击穿电压。 测试原理：
原理说明： 1.器件漏-源短路，施加规定的工作电流 Igs。 2.测试器件的击穿电压 BVgs。
漏-源击穿电压 BVds
参数定义：器件栅-源电压和漏极电流为规定值时，漏-源之间的电压。 测试原理：
半导体器件测试原理和方法共50页52页PPT
11、战争满足了，或曾经满足过人的 好斗的 本能， 但它同 时还满 足了人 对掠夺 ，破坏 以及残 酷的纪 律和专 制力的 欲望。 ——查·埃利奥 特 12、不应把纪律仅仅看成教育的手段 。纪律 是教育 过程的 结果， 首先是 学生集 体表现 在一切 生活领 域—— 生产、 日常生 活、学 校、文 化等领 域中努 力的结 果。— —马卡 连柯(名 言网)
13、遵守纪律的风气的培养，只有领 导者本 身在这 方面以 身作则 才能收 到成效 。—— 马卡连 柯 14、劳动者的组织性、纪律性、坚毅 精神以 及同全 世界劳 动者的 团结一 致，是 取得最 后胜利 的保证 。—— 列宁 摘自名言网
15、机会是不守纪律的。——雨果
谢谢！
36、自己的鞋子，自己知道紧在哪里。——西班牙
37、我们唯一不会改正的缺点是软弱。——拉罗什福科
xiexie! 38、我这个人走得很慢，但是我从不尽全力做你应该做的事吧。——美华纳
40、学而不思则罔，思而不学则殆。——孔子
半导体的测量程龙飞
表笔的连接
1k
数字式万用表
二极管的测量
注意 :万用表的黑笔其实是接表内电池的 “ +”极，而红笔是接表内电池的“－”极 , 二极管在使用时必须先判别其性能的优劣， 这一点很多同学会搞错的。 然后判别“ +”、“－”极引脚，在接入电路 时二极管引脚的极性是不能接反的。 2、测量方法 注意 :用指针式万用表测量方法完全相同。 (3) 质量判别: 测得阻值大的越大，阻值小 的越小，表示管子质量好 ;若两值相差不大( 注意：测量时不要用手指捏着管脚和 都很小或都很大 ) ,则表示管子有问题，不能 使用 ; 笔，这样人体的电阻就相当于与二极管 并联，会影响测量的准确度。
三极管的识别
要认识三极管首先要了解晶体三极管的命名方法，各国对晶体管的命名方法的规定不同， 我国晶体管的型号一般由五个部分组成，见表1。国外部分公司及产品代号见表2。
晶体三极管的型号
第一部分 用数字表示器 件电极的数目 符号 意义 第二部分 用汉语拼音字母表 示器件的材料和极性 符号 A B 3 三极管 C D E 意义 PNN型锗材料 NPN型锗材料 PNP型硅材料 NPN型硅材料 化合物材料 第三部分 用汉语拼音字母 表示器件的类型 符号 X G D A 意义 低频小功 率 高频小功 率 低频大功 率 高频大功 率 第四部分 用数字 表示序号 第五部分
汉语拼音 字母标示 规格号
四、二极管的测量
1、测量原理
二极管是一种工作在正向导通(即正向电阻小)反 向截止(反向电阻大 ) 的元器件 ，这两个电阻数值 相差越大，表明二极管的质量越好。测量二极管 即应用此原理。 所谓正向连接 ，即电源的“+”极通过限流电阻 与二极管的 “+”极连接，电源的“－”极与二极 管的“－”连接；反向连接刚好和正向连接相反.
半导体器件测试原理和方法
• 7．测试时严禁进入标有“高压止步”警示的区域。
• 8. 测试运行时，发现异常，应立刻停机，通知维修人 员进行检查、维修。
• 9．非测试工作人员因工作需要进入测试楼，必须遵守 本安全规程，并服从工作人员的指挥，不得触动设备 上的任何按键和开关，以免发生意外。
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概述
电力半导体器件是由整流二极管（ZP）， 反向阻断三极晶闸管（KP），快速整流 二极管（ZK），快速晶闸管（KK），非 对称晶闸管（KF），逆导（KN），双向 （KS），可关断（GTO/IGCT）等组成。
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应用
1. 整流 —— 把交流电变成直流电 2. 逆变 —— 把直流电变成交流电 3. 变频 —— 把一种频率的交流电变成另一种频
漏电流急剧增加，此时脉冲变压器MB原边会产生一电压，付边也 会感应出一电压，此电压使整流桥BR的KP的门阴极短路，KP元 件恢复阻断，220V电源断开，付边高压消失，从而保护了被试元 件。其动作时间为10 ms。
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IGT、VGT
2019/11/2713来自试条件2019/11/27
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tgt是在规定的阳极电压、通态电流和门极条件下， 由门极脉冲上升沿的10%算起到晶闸管正向阳极电 压下降至最高电压的10%所经历的时间间隔。
延迟时间td — 由触发 脉 冲 上 升 沿 的 10% 起 到阳极电压下降到峰 值 的 90% 所 经 历 的 时 间。
上升时间tr — 由阳极 正向电压降到峰值 电 压 90% 起 降 到 10% 止所经历的时间。
分立半导体元件的应力测试标准(包含测试方法
分立半导体元件的应力测试标准(包含测试方法
分立半导体元件的应力测试标准AEC-Q101定义了汽车级半导体分立器件
的测试要求，包括晶体管、二极管等。
该标准包括以下测试项目：
1. 加速环境应力测试，包括预处理、高加速度应力测试、高温高湿反向偏压、压力锅、温度循环、温度循环热试验、温度循环分层试验、间歇工作寿命、功率温度循环等。
2. 加速寿命周期模拟测试，包括高温反向偏压、交流阻断电压、稳态工作、高温栅偏压等。
3. 封装组装完整性测试，包括破坏性物理分析、尺寸、焊线拉力、焊线剪切、晶片剪切、端子强度、耐溶剂性、耐焊性、热阻抗、可焊性、晶须生长评价等。
4. 晶片制造可靠性测试，包括介电性、电性验证测试、外观、应力测试前后功能参数、参数验证等。
此外，根据AEC-Q101认证规范，离散半导体的最低温度的范围应为-40℃ ~ +125℃，所有LED的最小范围应为40℃到85℃。
以上信息仅供参考，如需了解更准确的信息，建议咨询专业人士或查阅相关书籍文献。
分立元件测量实验报告
一、实验目的1. 了解分立元件的基本特性，包括电阻、电容、电感等；2. 掌握分立元件的测量方法，提高实验操作技能；3. 培养团队合作精神，提高实验报告撰写能力。
二、实验原理分立元件是指电阻、电容、电感等元件，它们在电路中起着重要作用。
本实验主要测量电阻、电容、电感等元件的参数，通过实验验证其基本特性。
三、实验仪器与设备1. 万用表（数字或指针式）；2. 电阻器（标准电阻、可变电阻）；3. 电容器（标准电容器、可变电容器）；4. 电感器（标准电感器、可变电感器）；5. 信号发生器；6. 示波器；7. 电源；8. 连接线。
四、实验内容与步骤1. 电阻测量（1）将标准电阻接入电路，用万用表测量其阻值；（2）改变电阻器阻值，记录不同阻值下的测量数据；（3）分析测量结果，验证电阻与电压、电流的关系。
2. 电容测量（1）将标准电容器接入电路，用万用表测量其电容值；（2）改变电容器电容值，记录不同电容值下的测量数据；（3）分析测量结果，验证电容与电压、电流的关系。
3. 电感测量（1）将标准电感器接入电路，用万用表测量其电感值；（2）改变电感器电感值，记录不同电感值下的测量数据；（3）分析测量结果，验证电感与电压、电流的关系。
4. 交流电路测量（1）搭建交流电路，接入信号发生器；（2）用示波器观察电路输出波形，记录电压、电流值；（3）分析测量结果，验证交流电路中电压、电流的关系。
五、实验结果与分析1. 电阻测量结果根据实验数据，绘制电阻与电压、电流的关系曲线，验证了欧姆定律。
2. 电容测量结果根据实验数据，绘制电容与电压、电流的关系曲线，验证了电容的特性。
3. 电感测量结果根据实验数据，绘制电感与电压、电流的关系曲线，验证了电感的特性。
4. 交流电路测量结果根据实验数据，绘制电压、电流波形图，验证了交流电路中电压、电流的关系。
六、实验结论1. 通过本实验，掌握了分立元件的基本特性，包括电阻、电容、电感等；2. 掌握了分立元件的测量方法，提高了实验操作技能；3. 培养了团队合作精神，提高了实验报告撰写能力。
半导体基本测试原理资料
半导体基本测试原理资料半导体器件的基本测试原理包括以下几个方面：四端测量、电流和电压的测试、频率响应测试、功率测试和温度测试。
四端测量是指通过四个测量引脚来测量器件的电阻、电压和电流等参数。
其中，两个接触引脚（即探头）用来加电流或电压，另外两个引脚用来测量电阻、电压或电流。
通过四端测量，可以避免因测量线路的阻抗对测试结果的影响，提高测量精度。
电流和电压的测试是常见的半导体器件测试方法。
电流测试通常使用万用表或特定的测试仪器来测量器件的电流流过行为，该测试方法主要用于了解器件的工作状态、特性和性能。
电压测试通常使用数字电压表或万用表来测量电压的大小，该测试方法可用于了解器件的工作电压、电源电压和信号电压等。
频率响应测试是指通过测试器件的输入和输出信号的频率响应来了解器件在不同频率下的响应情况。
频率响应测试通常使用函数发生器和示波器等仪器进行，通过改变输入信号的频率并测量输出信号的幅度和相位差等参数，可以了解器件在不同频率下的增益、相位和带宽等特性。
功率测试是指通过测试器件的功率消耗或功率放大等性能来了解器件的功耗情况。
功率测试通常使用功率计或功率放大器等仪器进行，在给定的输入信号下测量器件的功率消耗或输出功率，从而了解器件的能效和功率特性。
温度测试是指通过测试器件的温度变化来了解器件的热特性。
温度测试通常使用热电偶或红外测温仪等仪器进行，在器件工作时测量器件的温度变化情况，可以了解器件的散热性能和温度特性。
以上是半导体器件基本测试的几个方面，实际测试过程中可能会有更多的细节和内容，不同类型的器件测试方法也会有所差异。
在测试过程中，还需要注意仪器的精度和准确性，确保测试结果的可靠性和准确性。
半导体材料测量原理与方法
半导体材料测量原理与方法半导体材料测量(measurement for semiconductor material)用物理和化学分析法检测半导体材料的性能和评价其质量的方法。
它对探索新材料、新器件和改进工艺控制质量起重要作用。
在半导体半barl材料制备过程中，不仅需要测量半导体单晶中含有的微量杂质和缺陷以及表征其物理性能的特征参数，而且由于制备半导体薄层和多层结构的外延材料，使测量的内容和方法扩大到薄膜、表面和界面分析。
半导体材料检测技术的进展大大促进了半导体科学技术的发展。
半导体材料测量包括杂质检测、晶体缺陷观测、电学参数测试以及光学测试等方法。
杂质检测半导体晶体中含有的有害杂质，不仅使晶体的完整性受到破坏，而且也会严重影响半导体晶体的电学和光学性质。
另一方面，有意掺入的某种杂质将会改变并改善半导体材料的性能，以满足器件制造的需要。
因此检测半导体晶体中含有的微量杂质十分重要。
一般采用发射光谱和质谱法，但对于薄层和多层结构的外延材料，必须采用适合于薄层微区分析的特殊方法进行检测，这些方法有电子探针、离子探针和俄歇电子能谱。
半导体晶体中杂质控制情况见表1。
表1半导体晶体中杂质检测法晶体缺陷观测半导体的晶体结构往往具有各向异性的物理化学性质，因此，必须根据器件制造的要求，生长具有一定晶向的单晶体，而且要经过切片、研磨、抛光等加工工艺获得规定晶向的平整而洁净的抛光片作为外延材料或离子注入的衬底材料。
另一方面，晶体生长或晶片加工中也会产生缺陷或损伤层，它会延伸到外延层中直接影响器件的性能，为此必须对晶体的结构及其完整性作出正确的评价。
半导体晶体结构和缺陷的主要测量方法见表2。
表2半导体晶体结构和缺陷的主要测量方法电学参数测试半导体材料的电学参数与半导体器件的关系最密切，因此测量与半导体导电性有关的特征参数成为半导体测量技术中最基本的内容。
电学参数测量包括导电类型、电阻率、载流子浓度、迁移率、补偿度、少子寿命及其均匀性的测量等。
半导体元器件的测试方法
半导体元器件的测试方法1.外观检查：包括检查元器件的表面状态、引脚形状、标记、包装等外观特征，以确保元器件没有明显的物理损伤或污染。
2.尺寸测量：使用显微镜、光栅等工具对元器件的尺寸进行测量，以验证尺寸是否符合规格要求。
3.引脚电性测试：通过恢复到终端引脚以测试引脚间的电性。
常用的引脚电性测试包括接触电阻、引脚电容和导通测试。
4.功能测试：对元器件进行功能测试，以验证元器件是否按照设计要求正常工作。
功能测试可以使用模拟测试、数字测试或混合信号测试等不同方法，取决于元器件的类型。
5.静电放电测试：通过静电放电模拟静电对元器件的破坏。
在此测试中，元器件暴露在静电电流或高压脉冲下，以确定元器件的静电抗性。
6.温度环境测试：通过将元器件置于高温、低温等极端环境中，并在不同温度下执行功能测试，以测试元器件的性能稳定性和温度特性。
7.可靠性测试：通过在扩展时间和条件下对元器件进行电压应力、温度应力和振动等测试，以评估元器件的长期可靠性和寿命。
这些测试可以是加速寿命测试（ALT）或可靠性验证测试（RVT）。
8.电气参数测试：对元器件的电流、电压、功耗和频率等电性能参数进行测试，以验证元器件是否满足性能要求。
9.故障分析：当元器件未通过测试或出现异常时，进行故障分析以确定故障原因和位置。
故障分析可以使用X射线检测、显微镜观察、电子显微探针等技术。
10.封装测试：对元器件的封装进行测试，以验证封装的机械强度、密封性和封装的电学性能是否良好。
综上所述，半导体元器件的测试方法包括外观检查、尺寸测量、引脚电性测试、功能测试、静电放电测试、温度环境测试、可靠性测试、电气参数测试、故障分析和封装测试等。
这些测试方法旨在确保元器件符合质量和性能要求，以提供可靠的半导体元器件给客户。
半导体测试技术课件
对于薄样品
，
，式1.13可写为：
对于非常薄样品，修正因子F2,F3均为1，结合上面电阻率表达式可写为：
薄膜经常采用方块电阻（sheet resistance, Rsh)表征它的电阻率 单位: ohms per square 均匀样品的方块电阻可写为：
方块电阻常用来表征薄的半导体层，如外延膜，多晶硅薄膜，离子注入 膜，金属膜。。。 对于均匀样品，方块电阻与方块电导互为倒数，对于非均匀样品：
四探针法对半导体的测试
电场强度可表示为：
P点电压：距离探针r
对于b图， P点电压相当于两者叠加
对于c图， 探针2电压相当于
探针3电压相当于
探针2，3之间电压相当于
因此可得电阻率：
常用单位 ρ：ohm·cm 常用电压：10mV
V: volts I：amperes
s: cm
通常应用的4探针法探针距离相等。s= s1=s2=s3， 上式可简化为：
测向尺寸
探针距离样品边沿位置
F1:样品厚度因子
大部分的半导体wafer测试都必须进行厚度修正。 厚度修正因子的推导可参考下面文献 样品厚度小于探针间距的条件下可给出F1表达式：
For non-conducting bottom wafer:
t：厚度 For conducting bottom wafer:
。。。
各种Mapping 测量技术比较
§4.1 Differential Hall Effect (DHE)
测量非半导体薄膜的离子注入 透明衬底（如玻璃）覆盖高分子膜并掺有染料 离子注入时，染料分子分解，导致颜色变黯， Optical Densitometry 利用敏感的显微光密度计测试注入前后光透过率 对照校准表绘制等高图MAPPING 无需退火，测试在注入后几分钟内可完成
最新第1章半导体分立器件ppt课件
(1) 点接触型二极管
(2) 面接触型二极管
二极管的电路符号：
(a)点接触型
P
正(阳)极
+
N
负(阴)极
-
(b)面接触型
(1-25)
二、伏安特性
I
死区电压 硅管 0.5V,锗管0.1V。
反向击穿 电压UBR
导通压降: 硅管0.6~0.7V, 锗管0.2~0.3V。
U
(1-26)
三、主要参数 1. 最大整流电流 IFM
阳极
照度增加
阴极
(1-43)
小结： •1.半导体的基本知识与PN结 • 2.二极管的应用分析。 • 3.稳压管的应用特点。特殊二极管
(1-44)
§1.4 三极管及其放大电路
1.4.1 三极管 1. 基本结构
NPN型
集电极
C
集电极
C PNP型
N
P 基极 B N
P
B
N
基极
P
发射极E
E
发射极
(1-45)
常用晶体管的 值在20 ~ 200之间。
例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 A, IC=2.3mA。求：电流放大系数
IC(mA )
在 Q1 点，有
4 3 2 1 03
Q2 Q1
69
100A
80A 60A
I IC B0 1 ..0 5 43.5 7
(1-17)
二. PN结的单向导电性
PN 结外加上正向电压 (正向偏置): P 区加正电压、N 区加负电压。
PN 结外加反向电压(反向偏置): P区加负电压、N 区加正电压。
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• 8. 测试运行时，发现异常，应立刻停机，通知维修人 员进行检查、维修。
• 9．非测试工作人员因工作需要进入测试楼，必须遵守 本安全规程，并服从工作人员的指挥，不得触动设备 上的任何按键和开关，以免发生意外。
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概述
电力半导体器件是由整流二极管（ZP）， 反向阻断三极晶闸管（KP），快速整流 二极管（ZK），快速晶闸管（KK），非 对称晶闸管（KF），逆导（KN），双向 （KS），可关断（GTO/IGCT）等组成。
测试安全注意事项
• 高压测试设备在运行过程中会产生 高温高电压，因此操作不当或者防 护不当，会影响工作人员的安全。 为了测试安全运行、保障操作人员 的人身安全，必须严格遵守安全规 定。
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1
• 1. 测试工作人员要具有强烈的事业心和 工作责任感，严格执行操作规程。
• 2. 测试工作人员上岗前必须进行专门培 训，取得上岗证后方能进行独立操作。
断特性，正向串入D1，反向串入D2，使a点得到正弦半波电压， 调 此节电T压B峰就值可由调D节3此与电电压容峰C组值成，的按定峰义值这保波持形电符路合在V电DR容M测C上试就要变求，成 等 VD于RM电时压，峰电值阻的R1直上流的电电压压，就由反表映头了V流P显过元示件。的当漏被电试流元，件测二出端R加1上上 的 就 加电在可压被看峰试到晶值其闸也断管就态负测伏端出安，I特DR性M此，①时同。测时断得将开的X接接为触示V器R波RJM器1值，X和闭端相合，应JY2接，的Ya点端IRR电，M压我，就们其 伏安特性如左图②。线路采用的是转折保护，当元件一旦转折，
20
（门极控制）开通时间（tgt）
调节可调交流电源G，电源电压经D1，R1向C充电，充至测试条件规定值，
在充电电源为负时，触发脉冲触发被试元件，C上电压通过R2，L， DUT放电，产生振荡或非振荡波形。被试元件开通元件二端管压降下降。
观察RS（标准门极电流的无感电阻器）二端波形就是观察门极触发电流 波形，从而可测得td和trr。
• 3. 测试工作人员进入工作岗位必须穿戴 好防护用品。
• 4．测试人员应注意防止高温烫伤，并做 好高温标识。
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2
• 5. 测试加高压前，工作人员必须对各种安全联锁装置 进行检查，以确保它们处于有效的工作状态。
• 6. 各种系统联锁和安全联锁装置是为了保障测试能安 全可靠运行及工作人员的人身安全的，不得随意改动 或短路。
• 电流脉宽在1 ~ 10 ms范围选择，以使被测器件完全 开通和防止超过器件额定di/dt值。
ห้องสมุดไป่ตู้
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通态伏安特性（ITM ~ VTM）
差异仅是通态峰值电流至额定通态平均电流值的4、5倍以上； 通常我们给出的是Tjm下的，下面给出25℃和Tjm二条伏安特性。 我们知道元件的压降由三部分组成：
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IGD、VGD
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IGD、VGD测试
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IH维持电流
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IH维持电流测试
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IL擎住电流
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IL擎住电流测试
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断态电压临界上升率 （电压上升法）
当S合上，恒流源就以一恒定直流向电容C充电，电容两端电压就以直
PN结压降 呈现负温度系数，体压降，接触压降呈 现正温度系数
当Tj升高，I较小时，PN结压降起主要作用，∴高 温压降比常温小；
I大时，体压降、接触压降起主导作用，高温压降 比常温大。
因此我们可以看到伏安特性随结温而变化，并 且总有一个交点。
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断态和反向峰值电流IDRM 、IRRM
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断态和反向峰值电流IDRM 、IRRM
实用电路
【反断向态重和复反峰向值不电重流复I峰DR值M、电I压RRM（原V理DS电M，路V等RS均M）相与似断，态差和异 是： 脉冲重复频率：单次脉冲，或发热效应可以忽略 的低重复频率 】
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220V电源经全波可控整流器BR加压在自耦调压器TB原边（只要KP 导通），付边输出电压加在高压变压器B的原边，于是B付边输出 高压，此时波形仍是交流全波。我们利用整流管正向导通反向阻
线上升，形成线性的dv/dt，改变充电电流和电容就改变dv/dt值，即
dvc/dt = I/C。二极管D和可调直流电源UD组成电压限幅电路，当电容 电压充至 > UD时，电容电压就通过D向UD放电，即保持电容电压不 变，增加dv/dt值至电压波形突然下降，未降前的dv/dt即为所测值。
示波器观察。
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应用
1. 整流 —— 把交流电变成直流电 2. 逆变 —— 把直流电变成交流电 3. 变频 —— 把一种频率的交流电变成另一种频
率的交流电或把一种固定频率的交流电变成可 以连续变化的交流电。例如交流电机用的变频 器。 4. 交流开关 —— 接通或切断交流电路 5. 直流开关 —— 接通或切断直流电路
漏电流急剧增加，此时脉冲变压器MB原边会产生一电压，付边也 会感应出一电压，此电压使整流桥BR的KP的门阴极短路，KP元 件恢复阻断，220V电源断开，付边高压消失，从而保护了被试元 件。其动作时间为10 ms。
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IGT、VGT
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测试条件
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tgt是在规定的阳极电压、通态电流和门极条件下， 由门极脉冲上升沿的10%算起到晶闸管正向阳极电 压下降至最高电压的10%所经历的时间间隔。
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测试原理及方法
通态电压测试原理图
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电路原理
• 当K合上，交流220V就加在TB原边，调节TB，变压 器B付边二极管D1，R1向电容C充电，待C充至一定 电被试压元时件，，触分发流K1器，F被L放试电元。件输，出电一容近C似经正K1弦，的电电感流L，波 形TB，，从使FITLM可恰测好得等于ITM被，测从元被件试所元需件电可流测值得，V记TM录。下调V节TM 值，该值就是要测的值。