温度传感器资料
pt100温度传感器资料
1.PT100介绍：Pt100温度传感器为正温度系数热敏电阻传感器，主要技术参数如下：1) 测量范围：-200℃～+850℃；2) 允许偏差值△℃：A级±（0.15＋0.002│t│），B级±（0.30＋0.005│t│）；3) 最小置入深度：热电阻的最小置入深度≥200mm；4) 允通电流≤ 5mA。
另外，Pt100温度传感器还具有抗振动、稳定性好、准确度高、耐高压等优点。
铂热电阻的线性较好，在0~100摄氏度之间变化时，最大非线性偏差小于0.5摄氏度。
图1：2支PT100传感器封装图2.Pt100传感器温度性能：铂热电阻阻值与温度关系为：式中，A=0.00390802；B=-0.000000580；C=0.0000000000042735。
可见Pt100在常温0~100摄氏度之间变化时线性度非常好，其阻值表达式可近似简化为：RP t=100（1+At），当温度变化1摄氏度，Pt100阻值近似变化0.39欧。
图2 Pt100的分度表（0℃~100℃）3.Pt100传感器常用电路图：图3 Pt100传感器测温电路图应用领域：宽范围、高精度温度测量领域。
如：* 轴瓦，缸体，油管，水管，汽管，纺机，空调，热水器等狭小空间工业设备测温和控制。
* 汽车空调、冰箱、冷柜、饮水机、咖啡机，烘干机以及中低温干燥箱、恒温箱等。
* 供热/制冷管道热量计量，中央空调分户热能计量和工业领域测温和控制技术支持：《基于PT100的数据采集应用方案》点击下载《PT100温度传感器使用说明书》点击下载推出时间：热卖中！价格：1－9支价格：15元/支；10支以上价格：10元/支。
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数字温度传感器DS18B20资料
一、DS18B20特点1．单线结构，只需一根信号线和CPU相连。
2. 不需要外部元件，直接输出串行数据。
3. 可不需要外部电源，直接通过信号线供电，电源电压范围为3.3V～5V。
4．测温精度高，测温范围为：一55℃～+125℃，在-10℃～+85℃范围内，精度为±O.5℃。
5．测温分辨率高，当选用12位转换位数时，温度分辨率可达0．0625℃。
6．数字量的转换精度及转换时间可通过简单的编程来控制：9位精度的转换时间为93．75 ms：10位精度的转换时间187.5ms：12位精度的转换时间750ms。
7.具有非易失性上、下限报警设定的功能，用户可方便地通过编程修改上、下限的数值。
8．可通过报警搜索命令识别哪片DS18820采集的温度超越上、下限。
二、DS18B20引脚及管脚功能介绍DS18B20的常用封装有3脚、8脚等几种形式，如图1所示。
各脚含义如下：DQ：数字信号输入／输出端。
GND：电源地端。
VDD：外接供电电源输入端(在寄生电源接线时此脚应接地)。
三、DS18B20内部结构简要介绍：DS18820的内部结构如图3所示：主要有64位光刻ROM、温度传感器、非易失性温度报警触发器TH和TL、配置寄存器等组成。
1．64位光刻ROM是生产厂家给每一个出厂的DS18820命名的产品序列号，可以看作为该器件的地址序列号。
其作用是使每一个出厂的DS18820地址序列号都各不相同，这样，就可以实现一根总线上挂接多个DS18820的目的。
2．DS18820中的温度传感器完成对温度的测量，输出格式为：16位符号扩展的二进制补码。
当测温精度设置为12位时，分辨率为O．0625℃，即O．0625℃／LSB。
其二进制补码格式如图2所示。
其中，S为符号位，S=1，表示温度为负值；S=0，表示温度为正值。
例如+125℃的数字输出为07D0H，-55℃的数字输出为FC90H。
一些温度值对应的数字输出如图4所示。
温度传感器LM35中文资料(引脚图,封装,参数及应用电路)
温度传感器LM35中文资料(引脚图,封装,参数及应用电路)
LM35 是由国半公司所生产的温度传感器，其输出电压与摄氏温标呈线性关系，转换公式如式，0 时输出为0V，每升高1℃，输出电压增加10mV。
LM35 有多种不同封装型式，外观如图所示。
在常温下，LM35 不需要额外的校准处理即可达到±1/4℃的准确率。
其电源供应模式有单电源与正负双电源两种，其接
脚如图所示，正负双电源的供电模式可提供负温度的量测；两种接法的静止电流-温度关系如图所示，在静止温度中自热效应低(0.08℃)，单电源模式在25℃下静止电流约50μA，工作电压较宽，可在4—20V的供电电压范围内正常工作非常省电。
TO-92封装引脚图 SO-8 IC式封装引脚图
TO-46金属罐形封装引脚图 TO-220 塑料封装引脚图供电电压35V到-0.2V
输出电压6V至-1.0V
输出电流10mA
指定工作温度范围
LM35A -55℃ to +150℃
LM35C, LM35CA -40℃ to +110℃。
温度传感器DS18B20中文资料
以 0.5 的增量值 在 0.5 至+125 的范围内测量温度 对于应用华氏温度的场合 必须使用查
找表或变换系数
注意 在 DS1820 中 温度是以 1/2 LSB 最低有效位 形式表示时 产生以下 9 位格式
MSB 最高有效位 1
最低有效位 LSB 11001110
= -25 最高有效 符号 位被复制到存储器内两字节的温度寄存器中较高 MSB 的所有位 这种 符号扩展
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DS1820
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图 3 使用 VDD 提供温度变换所需电流
钭率累加器用于补偿振荡器温度特性的非线性 以产生高分辩率的温度测量 通过改变温度每 升高一度 计数器必须经历的计数个数来实行补偿 因此 为了获得所需的分辩率 计数器的数值
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到这一点 当使用寄生电源方式时 VDD 引脚必须连接到地 向 DS1820 供电的另外一种方法是通过使用连接到 VDD 引脚的外部电源 如图 3 所示 这种方法
的优点是在 I/O 线上不要求强的上拉 总线上主机不需向上连接便在温度变换期间使线保持高电
3
温度传感器原理及其应用
温度传感器原理及其应用1.热敏电阻原理（RTD）：热敏电阻是一种电阻，其电阻值随温度变化而变化。
常见的热敏电阻有铂电阻和镍电阻。
根据电阻值的变化，可以计算出物体的温度。
2. 热电偶原理（Thermocouple）：热电偶是由不同金属材料组成的两根导线，当两根导线的连接处存在温差时，会产生一个电动势。
通过测量电动势的大小，可以计算出温度。
3. 热电阻原理（Thermistor）：热电阻是一种温度敏感材料，由于材料的特性，电阻值会随温度的变化而变化。
通过测量电阻值的变化，可以计算出温度。
4.红外线传感器原理：红外线传感器利用物体发射的红外辐射来测量温度。
物体温度越高，发射的红外线辐射越强。
红外线传感器通过测量红外线的强度来计算出温度。
1.工业领域：温度传感器在工业过程中起着重要的作用，可以监测机器设备的温度变化，以及生产线上的温度控制。
例如，在石化工业中，温度传感器可以用于监测反应器的温度，确保反应过程的安全和有效进行。
2.环境监测：温度传感器也被广泛应用于环境监测中，例如天气预报、气象学研究等。
通过测量室内外的温度，可以提供准确的气候信息，对农业、气象预测等方面具有重要意义。
3.家电领域：温度传感器也应用于各种家电设备中，例如空调、冰箱、洗衣机等。
通过监测室内温度和物品的温度，可以自动调节设备的工作模式，提高能耗效率。
4.医疗行业：温度传感器在医疗设备中也有广泛应用，例如体温计、病房温度监测等。
通过监测人体温度，可以及时发现疾病或感染，并进行相应的治疗。
总之，温度传感器是一种能够测量物体温度的设备，其原理多样化，应用场景广泛。
通过准确测量温度，可以实现温度控制、环境监测、能耗优化等目的，为人们的生活和生产提供了实质性的帮助。
18B20温度传感器中文资料
海纳电子资讯网：ｗｗｗ．ｆｐｇａ－ａｒｍ．ｃｏｍ 为您提供各种ＩＣ中文资料DS18B20 单线数字温度传感器新的“一线器件”BS18B20 体积更小、适用电压更宽、更经济Dallas 半导体公司的数字化温度传感器 DS1820 是世界上第一片支持 “一线总线”接口的温度传感 器。
一线总线独特而且经济的特点，使用户可轻松地组建传感器网络，为测量系统的构建引入全新概念。
现在，新一代的“DS18B20”体积更小、更经济、更灵活。
使您可以充分发挥“一线总线”的长处。
DS18B20、 DS1822 “一线总线”数字化温度传感器同 DS1820 一样， DS18B20 也 支持“一线总线”接口， 测量温度范围为 -55°C~+125°C， 在-10~+85°C 范围内,精度为±0.5°C。
DS1822 的精度较差为± 2°C 。
现场温度直接以“一线总线”的数字方式传输， 大大提高了系统的抗干扰性。
适合于恶劣环境的现场温度测量，如：环境控制、设备或过程控制、测温类 消费电子产品等。
与前一代产品不同，新的产品支持 3V~5.5V 的电压范围，使系统设计更灵活、方便。
而且新一代产品 更便宜，体积更小。
DS18B20、 DS1822 的特性DS18B20 可以程序设定 9~12 位的分辨率，精度为±0.5°C。
可选更小的封装方式，更宽的电压适用范 围。
分辨率设定，及用户设定的报警温度存储在 EEPROM 中，掉电后依然保存。
DS18B20 的性能是新一代产 品中最好的！性能价格比也非常出色！ DS1822 与 DS18B20 软件兼容， DS18B20 的简化版本。
是 省略了存储用户定义报警温度、 分辨率参数的 EEPROM， 精度降低为±2°C，适用于对性能要求不高，成本控制严格的应用，是经济型产品。
温度传感器热时间常数
温度传感器热时间常数一、温度传感器概述温度传感器是一种将温度变化转换为可检测的信号输出的装置，广泛应用于工业、农业、医疗、环境监测等领域。
温度传感器可以帮助我们准确地测量和控制温度，从而满足各种应用场景的需求。
二、热时间常数的概念与意义热时间常数（Hot Time Constant）是描述温度传感器响应特性的一个重要参数，它反映了传感器在温度变化时的响应速度。
热时间常数越小，传感器的响应速度越快，实时性越好。
在实际应用中，热时间常数对传感器的性能有着重要影响。
三、常见温度传感器的热时间常数分析1.热电偶：热电偶是一种常见的温度传感器，其热时间常数较小，通常在1-5秒之间，响应速度较快。
2.热敏电阻：热敏电阻的热时间常数较小，一般在1秒以内，具有较高的实时性。
3.红外传感器：红外传感器的热时间常数较大，通常在10秒以上，适用于远距离温度测量。
四、热时间常数在实际应用中的重要性1.实时监测：在需要实时监测温度的场景中，热时间常数较小的传感器具有更高的应用价值。
2.控制精度：热时间常数越小，传感器在温度变化时的响应越快，控制精度越高。
3.系统稳定性：热时间常数较大的传感器，在系统受到温度冲击时，可能导致系统不稳定。
五、如何选择合适的温度传感器热时间常数1.依据应用场景：根据实际应用需求，选择适合的热时间常数。
2.考虑测量范围：在选择传感器时，需兼顾传感器的测量范围和热时间常数。
3.参考供应商资料：查阅温度传感器供应商的技术参数资料，了解产品热时间常数的性能。
六、提高温度传感器热时间常数的措施1.优化传感器结构：改进传感器的设计，提高热传导效率。
2.选用高性能材料：采用热传导性能好的材料，降低热时间常数。
3.减小传感器体积：减小传感器的体积，提高响应速度。
七、结论温度传感器的热时间常数是衡量其性能的重要指标，对于实际应用具有重要意义。
选择合适的温度传感器和提高热时间常数，有助于提高系统的稳定性和控制精度。
KTY84-150温度传感器中文资料,KTY84温度传感器中文资料
南京华巨电子有限公司Sinochip(Nanjing)Electronics Co.,LTDSKTY84‐150硅温度传感器中文资料 KTY84温度传感器中文资料产 品 规 格 书文件编号 Q/SC.G-49.07.031-2015产品名称 KTY84-150温度传感器, KTY84/150温度传感器产品代码 49007031产品型号 SKTY84-150-S2(520)版 次 A/0拟制: 王立志审核: 张建军批准: 唐成刚2015年11月27日发布 2015年11月27日实施1、产品名称、型号、代码、型号规则 (2)2、主要参数2.1产品执行标准 (2)2.2外形尺寸，结构 (2)2.3性能参数 (3)2.4温度特性曲线图 (3)2.5S Y84-150分度表 (4)3、包装 (5)1、产品名称、型号、代码、型号规则名称：硅温度传感器型号：SKTY84-150-S2(520)代码：49011027型号规则:2、主要参数2.1产品执行标准IEC601342.2外形尺寸、结构Q/SC.G-49.11.027-2015版次: A/0 共 5 页 第 3 页 2.3 性能参数序号 项目 技术要求1 常温电阻(R25℃) 603±38Ω2 100摄氏度电阻(R100℃) 1000±50Ω3 温度系数(100℃) 0.61%K4 温度范围(压接式) -40℃～210℃5 标准工作电流 2mA6 最大工作电流(环境温度25℃) 10mA(max)7 热动作时间(τ) 在静止空气中τ=20s 在静止液体中τ=1s 在流动液体中τ=0.5s(注:热动作时间τ是传感器的环境对应的阻值,要上升到某一温度的度数。
63.2%转移到环境温度所用的时间。
)2.4温度特性曲线图Q/SC.G-49.11.027-2015版次: A/0 共 5 页 第 4 页 2.5 KTY84-150分度表R-T特性参数表摄氏度华氏度KTY84-150℃℉ %/（K）（Ω）（K）MIN TYP MAX‐40 ‐40 0.84 332 359 386 ±8.85 ‐30 ‐22 0.83 362 391 419 ±8.76 ‐20 ‐4 0.82 394 424 455 ±8.70 ‐10 14 0.80 428 460 492 ±8.65 0 32 0.79 464 498 532 ±8.61 10 50 0.77 503 538 574 ±8.58 20 68 0.75 544 581 618 ±8.55 25 77 0.74 565 603 641 ±8.54 30 88 0.73 587 626 665 ±8.53 40 104 0.71 632 672 713 ±8.50 50 122 0.70 679 722 764 ±8.46 60 140 0.68 729 773 817 ±8.42 70 158 0.66 781 826 872 ±8.37 80 176 0.64 835 882 929 ±8.31 90 194 0.63 891 940 989 ±8.25 100 212 0.61 950 1000 1050 ±8.17 110 230 0.60 1007 1062 1117 ±8.66 120 248 0.58 1067 1127 1187 ±9.17 130 266 0.57 1128 1194 1259 ±9.69 140 284 0.55 1191 1262 1334 ±10.24 150 302 0.54 1256 1334 1412 ±10.80 160 320 0.53 1322 1407 1492 ±11.37 170 338 0.52 1391 1482 1574 ±11.96 180 356 0.51 1461 1560 1659 ±12.58 190 374 0.49 1533 1640 1747 ±13.20 200 392 0.48 1607 1722 1837 ±13.85 210 410 0.47 1863 1807 1931 ±14.51Q/SC.G-49.11.027-2015版次: A/0 共 5 页 第 4 页 温度特性曲线图3、包装产品放入塑料袋内，并放入质检证后塑封；包装箱内附有检验报告、送货单。
温度传感器工作原理
温度传感器工作原理选用温度传感器作为本文的主题，将会从以下几个方面来介绍温度传感器的工作原理以及其在工业和日常生活中的应用。
一、温度传感器的种类温度传感器的种类较多，常见的有热电偶、热电阻、半导体温度传感器等。
本文将着重介绍热电偶和热电阻两种常用的温度传感器。
二、热电偶的工作原理热电偶是基于热电效应的原理来测量温度的。
热电偶由两种不同金属导线组成，它们的接触处形成了热电偶的测温端口。
当任何物体的温度发生变化时，热电偶中的两种金属材料由于热膨胀不同，会产生电动势差。
根据热电偶特性曲线的标定，就可以通过电动势差来计算出物体的温度。
三、热电阻的工作原理热电阻是利用金属电阻随温度的变化关系来测量温度的。
常见的热电阻材料有铂、镍、铜等。
在热电阻电路中，当电阻材料受到热量的作用，导致材料阻值发生变化。
通过测量电阻值的变化，可以计算出温度的大小。
四、温度传感器的应用温度传感器在工业和日常生活中有着广泛的应用。
在工业生产过程中，温度传感器被用于监控和控制各种设备和工艺。
例如，在化工厂中，温度传感器用于测量反应器中的温度，以控制反应的进程。
在电子设备中，温度传感器被用于控制芯片的工作温度，以保证设备的稳定性和寿命。
此外，在家电中，温度传感器用于测量室内外的温度，以调整空调、制冷设备等的工作状态，提供舒适的环境。
综上所述，温度传感器通过利用热电效应或电阻随温度变化的关系，实现对温度的准确测量。
它们在工业和日常生活中发挥着重要的作用，为我们提供了更安全、舒适和高效的生产和生活环境。
随着技术的不断进步，温度传感器的性能和精度也在不断提高，预计在未来会有更广泛的应用。
温度传感器简介
NTC温度传感器
规格型号表示方法： ××× - CWF ××× × ×××× × × ×××× × × ① ② ③ ④ ⑤ ⑥⑦ ⑧ ⑨ ⑩ ①公司标示记号； ②NTC热敏电阻负温度传感器标示符号； ③标称电阻值为25度时的数值,单位为欧姆，前两位数字表示电阻值的有效数字，第三位数字 表示其后零的个数； ④电阻值公差符号（%）； 记号 电阻值公差 E ±0.5 F ±1.0 G ±2.0 H ±3.0 J ±5.0 K ±10 X 特殊公差
热电阻传感器：金属随着温度变化，其电阻 值也发生变化。对于不同金属来说，温度每变化 一度，电阻值变化是不同的，电阻值可以直接作 为输出信号，从而测量出温度值。 优点：具有准确度高、输出信号大、灵敏度 高、测温范围广、稳定性好、无需参考点。 应用：在流程工业中有大量应用。
热电偶传感器：热电偶由两个不同材料的金属线组 成，两种导体接触在一块，结点处会有一个稳定的电动 势；同一导体，两端温度不同，两端间有一定大小的电 动势，就可以准确知道加热点的温度。其温度测量回路 由热电偶、补偿导线及测量仪表构成。 优点：具有工作可靠、响应较快、易于使用、成本 低、测温范围广、适于远距离测控 。 应用：在电力、化工、石油等工业场合应用较普遍， 广泛用来测量-200℃～1300℃范围内的温度。
常用热电阻 ： 使用范围：-260～＋850℃；精度：0.001℃。改进后可连续工作 2000h，失效率小于1％，使用期为10年。 精度：A 级 0℃ < ±0.15℃: -100~ 100℃< ±0.35℃(理论电阻值) B 级 0℃ < ±0.3℃: -100~ 100℃< ±0.8℃ (理论电阻值) 电阻随温度变化率：0.003851Ω/℃ 绝缘电阻：>200MΩ 供电电流：<2mA 外壳材料：不锈钢 测量介质：与不锈钢兼容的气体和液体 温度极限：120％ 额定温度范围 (持续30秒不损坏)
DS18B20温度传感器资料
FEATURES Unique 1-Wire interface requires only one port pin for communicationMultidrop capability simplifies distributed temperature sensing applications Requires no external componentsCan be powered from data line. Power supply range is 3.0V to 5.5VZero standby power requiredMeasures temperatures from -55°C to +125°C. Fahrenheit equivalent is -67°F to +257°F±0.5°C accuracy from -10°C to +85°C Thermometer resolution is programmable from 9 to 12 bitsConverts 12-bit temperature to digital word in 750 ms (max.)User-definable, nonvolatile temperature alarm settingsAlarm search command identifies and addresses devices whose temperature is outside of programmed limits (temperature alarm condition)Applications include thermostatic controls,industrial systems, consumer products,thermometers, or any thermally sensitive systemPIN ASSIGNMENTPIN DESCRIPTIONGND - Ground DQ - Data In/OutV DD - Power Supply Voltage NC- No ConnectDESCRIPTIONThe DS18B20 Digital Thermometer provides 9 to 12-bit (configurable) temperature readings which indicate the temperature of the device.Information is sent to/from the DS18B20 over a 1-Wire interface, so that only one wire (and ground)needs to be connected from a central microprocessor to a DS18B20. Power for reading, writing, and performing temperature conversions can be derived from the data line itself with no need for an external power source.Because each DS18B20 contains a unique silicon serial number, multiple DS18B20s can exist on the same 1-Wire bus. This allows for placing temperature sensors in many different places. Applications where this feature is useful include HVAC environmental controls, sensing temperatures inside buildings,equipment or machinery, and process monitoring and control.DS18B20Programmable Resolution 1-Wire ®Digital ThermometerG N D D Q V DDDS18B20 To-92PackageNC NC NC GNDNC NCV DD DQDS18B20Z8-Pin SOIC (150 mil)DETAILED PIN DESCRIPTION Table 1PIN8PIN SOICPINTO92SYMBOL DESCRIPTION51GND Ground.42DQ Data Input/Output pin. For 1-Wire operation: Opendrain. (See “Parasite Power” section.)33V DD Optional V DD pin. See “Parasite Power” section fordetails of connection. V DD must be grounded foroperation in parasite power mode.DS18B20Z (8-pin SOIC): All pins not specified in this table are not to be connected.OVERVIEWThe block diagram of Figure 1 shows the major components of the DS18B20. The DS18B20 has four main data components: 1) 64-bit lasered ROM, 2) temperature sensor, 3) nonvolatile temperature alarm triggers TH and TL, and 4) a configuration register. The device derives its power from the 1-Wire communication line by storing energy on an internal capacitor during periods of time when the signal line is high and continues to operate off this power source during the low times of the 1-Wire line until it returns high to replenish the parasite (capacitor) supply. As an alternative, the DS18B20 may also be powered from an external 3 volt - 5.5 volt supply.Communication to the DS18B20 is via a 1-Wire port. With the 1-Wire port, the memory and control functions will not be available before the ROM function protocol has been established. The master must first provide one of five ROM function commands: 1) Read ROM, 2) Match ROM, 3) Search ROM, 4) Skip ROM, or 5) Alarm Search. These commands operate on the 64-bit lasered ROM portion of each device and can single out a specific device if many are present on the 1-Wire line as well as indicate to the bus master how many and what types of devices are present. After a ROM function sequence has been successfully executed, the memory and control functions are accessible and the master may then provide any one of the six memory and control function commands.One control function command instructs the DS18B20 to perform a temperature measurement. The result of this measurement will be placed in the DS18B20’s scratch-pad memory, and may be read by issuing a memory function command which reads the contents of the scratchpad memory. The temperature alarm triggers TH and TL consist of 1 byte EEPROM each. If the alarm search command is not applied to the DS18B20, these registers may be used as general purpose user memory. The scratchpad also contains a configuration byte to set the desired resolution of the temperature to digital conversion. Writing TH, TL, and the configuration byte is done using a memory function command. Read access to these registers is through the scratchpad. All data is read and written least significant bit first.DS18B20 BLOCK DIAGRAM Figure 1PARASITE POWERThe block diagram (Figure 1) shows the parasite-powered circuitry. This circuitry “steals” power whenever the DQ or V DD pins are high. DQ will provide sufficient power as long as the specified timing and voltage requirements are met (see the section titled “1-Wire Bus System”). The advantages of parasite power are twofold: 1) by parasiting off this pin, no local power source is needed for remote sensing of temperature, and 2) the ROM may be read in absence of normal power.In order for the DS18B20 to be able to perform accurate temperature conversions, sufficient power must be provided over the DQ line when a temperature conversion is taking place. Since the operating current of the DS18B20 is up to 1.5 mA, the DQ line will not have sufficient drive due to the 5k pullup resistor.This problem is particularly acute if several DS18B20s are on the same DQ and attempting to convert simultaneously.There are two ways to assure that the DS18B20 has sufficient supply current during its active conversion cycle. The first is to provide a strong pullup on the DQ line whenever temperature conversions or copies to the E 2 memory are taking place. This may be accomplished by using a MOSFET to pull the DQ line directly to the power supply as shown in Figure 2. The DQ line must be switched over to the strong pull-up within 10 µs maximum after issuing any protocol that involves copying to the E 2 memory or initiates temperature conversions. When using the parasite power mode, the V DD pin must be tied to ground.Another method of supplying current to the DS18B20 is through the use of an external power supply tied to the V DD pin, as shown in Figure 3. The advantage to this is that the strong pullup is not required on the DQ line, and the bus master need not be tied up holding that line high during temperature conversions.This allows other data traffic on the 1-Wire bus during the conversion time. In addition, any number of DS18B20s may be placed on the 1-Wire bus, and if they all use external power, they may all simultaneously perform temperature conversions by issuing the Skip ROM command and then issuing the Convert T command. Note that as long as the external power supply is active, the GND pin may not be floating.The use of parasite power is not recommended above 100°C, since it may not be able to sustain communications given the higher leakage currents the DS18B20 exhibits at these temperatures. For applications in which such temperatures are likely, it is strongly recommended that V DD be applied to the DS18B20.DQVFor situations where the bus master does not know whether the DS18B20s on the bus are parasite powered or supplied with external V DD, a provision is made in the DS18B20 to signal the power supply scheme used. The bus master can determine if any DS18B20s are on the bus which require the strong pullup by sending a Skip ROM protocol, then issuing the read power supply command. After this command is issued, the master then issues read time slots. The DS18B20 will send back “0” on the 1-Wire bus if it is parasite powered; it will send back a “1” if it is powered from the V DD pin. If the master receives a “0,” it knows that it must supply the strong pullup on the DQ line during temperature conversions. See “Memory Command Functions” section for more detail on this command protocol. STRONG PULLUP FOR SUPPLYING DS18B20 DURING TEMPERATURE CONVERSION Figure 2USING V DD TO SUPPLY TEMPERATURE CONVERSION CURRENT Figure 3TO OTHER 1-WIRE DEVICESOPERATION - MEASURING TEMPERATUREThe core functionality of the DS18B20 is its direct-to-digital temperature sensor. The resolution of the DS18B20 is configurable (9, 10, 11, or 12 bits), with 12-bit readings the factory default state. This equates to a temperature resolution of 0.5°C, 0.25°C, 0.125°C, or 0.0625°C. Following the issuance of the Convert T [44h] command, a temperature conversion is performed and the thermal data is stored in the scratchpad memory in a 16-bit, sign-extended two’s complement format. The temperature information can be retrieved over the 1-Wire interface by issuing a Read Scratchpad [BEh] command once the conversion has been performed. The data is transferred over the 1-Wire bus, LSB first. The MSB of the temperature register contains the “sign” (S) bit, denoting whether the temperature is positive or negative.Table 2 describes the exact relationship of output data to measured temperature. The table assumes 12-bit resolution. If the DS18B20 is configured for a lower resolution, insignificant bits will contain zeros. For Fahrenheit usage, a lookup table or conversion routine must be used.Temperature/Data Relationships Table 2232221202-12-22-32-4LSBMSb(unit = °C)LSbS S S S S262524MSBTEMPERATURE DIGITAL OUTPUT(Binary)DIGITAL OUTPUT (Hex)+125°C0000 0111 1101 000007D0h+85°C0000 0101 0101 00000550h*+25.0625°C0000 0001 1001 00010191h+10.125°C0000 0000 1010 001000A2h+0.5°C0000 0000 0000 10000008h0°C0000 0000 0000 00000000h-0.5°C1111 1111 1111 1000FFF8h-10.125°C1111 1111 0101 1110FF5Eh-25.0625°C1111 1110 0110 1111FF6Fh-55°C1111 1100 1001 0000FC90h*The power on reset register value is +85°C.OPERATION - ALARM SIGNALINGAfter the DS18B20 has performed a temperature conversion, the temperature value is compared to the trigger values stored in TH and TL. Since these registers are 8-bit only, bits 9-12 are ignored for comparison. The most significant bit of TH or TL directly corresponds to the sign bit of the 16-bit temperature register. If the result of a temperature measurement is higher than TH or lower than TL, an alarm flag inside the device is set. This flag is updated with every temperature measurement. As long as the alarm flag is set, the DS18B20 will respond to the alarm search command. This allows many DS18B20s to be connected in parallel doing simultaneous temperature measurements. If somewhere the temperature exceeds the limits, the alarming device(s) can be identified and read immediately without having to read non-alarming devices.64-BIT LASERED ROMEach DS18B20 contains a unique ROM code that is 64-bits long. The first 8 bits are a 1-Wire family code (DS18B20 code is 28h). The next 48 bits are a unique serial number. The last 8 bits are a CRC of the first 56 bits. (See Figure 4.) The 64-bit ROM and ROM Function Control section allow the DS18B20 to operate as a 1-Wire device and follow the 1-Wire protocol detailed in the section “1-Wire Bus System.” The functions required to control sections of the DS18B20 are not accessible until the ROM function protocol has been satisfied. This protocol is described in the ROM function protocol flowchart (Figure 5). The 1-Wire bus master must first provide one of five ROM function commands: 1) Read ROM, 2) Match ROM, 3) Search ROM, 4) Skip ROM, or 5) Alarm Search. After a ROM function sequence has been successfully executed, the functions specific to the DS18B20 are accessible and the bus master may then provide one of the six memory and control function commands.CRC GENERATIONThe DS18B20 has an 8-bit CRC stored in the most significant byte of the 64-bit ROM. The bus master can compute a CRC value from the first 56-bits of the 64-bit ROM and compare it to the value stored within the DS18B20 to determine if the ROM data has been received error-free by the bus master. The equivalent polynomial function of this CRC is:CRC = X8 + X5 + X4 + 1The DS18B20 also generates an 8-bit CRC value using the same polynomial function shown above and provides this value to the bus master to validate the transfer of data bytes. In each case where a CRC is used for data transfer validation, the bus master must calculate a CRC value using the polynomial function given above and compare the calculated value to either the 8-bit CRC value stored in the 64-bit ROM portion of the DS18B20 (for ROM reads) or the 8-bit CRC value computed within the DS18B20 (which is read as a ninth byte when the scratchpad is read). The comparison of CRC values and decision to continue with an operation are determined entirely by the bus master. There is no circuitry inside the DS18B20 that prevents a command sequence from proceeding if the CRC stored in or calculated by the DS18B20 does not match the value generated by the bus master.The 1-Wire CRC can be generated using a polynomial generator consisting of a shift register and XOR gates as shown in Figure 6. Additional information about the Dallas 1-Wire Cyclic Redundancy Check is available in Application Note 27 entitled “Understanding and Using Cyclic Redundancy Checks with Dallas Semiconductor Touch Memory Products.”The shift register bits are initialized to 0. Then starting with the least significant bit of the family code, 1 bit at a time is shifted in. After the 8th bit of the family code has been entered, then the serial number is entered. After the 48th bit of the serial number has been entered, the shift register contains the CRC value. Shifting in the 8 bits of CRC should return the shift register to all 0s.64-BIT LASERED ROM Figure 48-BIT CRC CODE48-BIT SERIAL NUMBER 8-BIT FAMILY CODE(28h)MSB LSB MSB LSB MSB LSBROM FUNCTIONS FLOW CHART Figure 51-WIRE CRC CODE Figure 6MEMORYThe DS18B20’s memory is organized as shown in Figure 8. The memory consists of a scratchpad RAM and a nonvolatile, electrically erasable (E 2) RAM, which stores the high and low temperature triggers TH and TL, and the configuration register. The scratchpad helps insure data integrity when communicating over the 1-Wire bus. Data is first written to the scratchpad using the Write Scratchpad [4Eh] command.It can then be verified by using the Read Scratchpad [BEh] command. After the data has been verified, a Copy Scratchpad [48h] command will transfer the data to the nonvolatile (E 2) RAM. This process insures data integrity when modifying memory. The DS18B20 EEPROM is rated for a minimum of 50,000writes and 10 years data retention at T = +55°C.The scratchpad is organized as eight bytes of memory. The first 2 bytes contain the LSB and the MSB of the measured temperature information, respectively. The third and fourth bytes are volatile copies of TH and TL and are refreshed with every power-on reset. The fifth byte is a volatile copy of the configuration register and is refreshed with every power-on reset. The configuration register will be explained in more detail later in this section of the datasheet. The sixth, seventh, and eighth bytes are used for internal computations, and thus will not read out any predictable pattern.It is imperative that one writes TH, TL, and config in succession; i.e. a write is not valid if one writes only to TH and TL, for example, and then issues a reset. If any of these bytes must be written, all three must be written before a reset is issued.There is a ninth byte which may be read with a Read Scratchpad [BEh] command. This byte contains a cyclic redundancy check (CRC) byte which is the CRC over all of the eight previous bytes. This CRC is implemented in the fashion described in the section titled “CRC Generation”.Configuration RegisterThe fifth byte of the scratchpad memory is the configuration register.It contains information which will be used by the device to determine the resolution of the temperature to digital conversion. The bits are organized as shown in Figure 7.DS18B20 CONFIGURATION REGISTER Figure 70R1R011111MSbLSbBits 0-4 are don’t cares on a write but will always read out “1”.Bit 7 is a don’t care on a write but will always read out “0”.R0, R1: Thermometer resolution bits. Table 3 below defines the resolution of the digital thermometer,based on the settings of these 2 bits. There is a direct tradeoff between resolution and conversion time, as depicted in the AC Electrical Characteristics. The factory default of these EEPROM bits is R0=1 and R1=1 (12-bit conversions).Thermometer Resolution Configuration Table 3R1R0Thermometer Resolution Max ConversionTime009 bit 93.75 ms (t conv/8)0110 bit 187.5 ms (t conv /4)1011 bit 375 ms (t conv /2)1112 bit750 ms (t conv )DS18B20 MEMORY MAP Figure 8SCRATCHPADBYTE012345678E 2RAM1-WIRE BUS SYSTEMThe 1-Wire bus is a system which has a single bus master and one or more slaves. The DS18B20 behaves as a slave. The discussion of this bus system is broken down into three topics: hardware configuration, transaction sequence, and 1-Wire signaling (signal types and timing).HARDWARE CONFIGURATIONThe 1-Wire bus has only a single line by definition; it is important that each device on the bus be able to drive it at the appropriate time. To facilitate this, each device attached to the 1-Wire bus must have open drain or 3-state outputs. The 1-Wire port of the DS18B20 (DQ pin) is open drain with an internal circuit equivalent to that shown in Figure 9. A multidrop bus consists of a 1-Wire bus with multiple slaves attached. The 1-Wire bus requires a pullup resistor of approximately 5 kΩ.HARDWARE CONFIGURATION Figure 9The idle state for the 1-Wire bus is high. If for any reason a transaction needs to be suspended, the bus MUST be left in the idle state if the transaction is to resume. Infinite recovery time can occur between bits so long as the 1-Wire bus is in the inactive (high) state during the recovery period. If this does not occur and the bus is left low for more than 480 µs, all components on the bus will be reset. TRANSACTION SEQUENCEThe protocol for accessing the DS18B20 via the 1-Wire port is as follows:InitializationROM Function CommandMemory Function CommandTransaction/DataINITIALIZATIONAll transactions on the 1-Wire bus begin with an initialization sequence. The initialization sequence consists of a reset pulse transmitted by the bus master followed by presence pulse(s) transmitted by the slave(s).The presence pulse lets the bus master know that the DS18B20 is on the bus and is ready to operate. For more details, see the “1-Wire Signaling” section.ROM FUNCTION COMMANDSOnce the bus master has detected a presence, it can issue one of the five ROM function commands. All ROM function commands are 8 bits long. A list of these commands follows (refer to flowchart in Figure 5):Read ROM [33h]This command allows the bus master to read the DS18B20’s 8-bit family code, unique 48-bit serial number, and 8-bit CRC. This command can only be used if there is a single DS18B20 on the bus. If more than one slave is present on the bus, a data collision will occur when all slaves try to transmit at the same time (open drain will produce a wired AND result).Match ROM [55h]The match ROM command, followed by a 64-bit ROM sequence, allows the bus master to address a specific DS18B20 on a multidrop bus. Only the DS18B20 that exactly matches the 64-bit ROM sequence will respond to the following memory function command. All slaves that do not match the 64-bit ROM sequence will wait for a reset pulse. This command can be used with a single or multiple devices on the bus.Skip ROM [CCh]This command can save time in a single drop bus system by allowing the bus master to access the memory functions without providing the 64-bit ROM code. If more than one slave is present on the bus and a Read command is issued following the Skip ROM command, data collision will occur on the bus as multiple slaves transmit simultaneously (open drain pulldowns will produce a wired AND result). Search ROM [F0h]When a system is initially brought up, the bus master might not know the number of devices on the 1-Wire bus or their 64-bit ROM codes. The search ROM command allows the bus master to use a process of elimination to identify the 64-bit ROM codes of all slave devices on the bus.Alarm Search [ECh]The flowchart of this command is identical to the Search ROM command. However, the DS18B20 will respond to this command only if an alarm condition has been encountered at the last temperature measurement. An alarm condition is defined as a temperature higher than TH or lower than TL. The alarm condition remains set as long as the DS18B20 is powered up, or until another temperature measurement reveals a non-alarming value. For alarming, the trigger values stored in EEPROM are taken into account. If an alarm condition exists and the TH or TL settings are changed, another temperature conversion should be done to validate any alarm conditions.Example of a ROM SearchThe ROM search process is the repetition of a simple three-step routine: read a bit, read the complement of the bit, then write the desired value of that bit. The bus master performs this simple, three-step routine on each bit of the ROM. After one complete pass, the bus master knows the contents of the ROM in one device. The remaining number of devices and their ROM codes may be identified by additional passes.The following example of the ROM search process assumes four different devices are connected to the same 1-Wire bus. The ROM data of the four devices is as shown:ROM100110101...ROM210101010...ROM311110101...ROM400010001...The search process is as follows:1.The bus master begins the initialization sequence by issuing a reset pulse. The slave devices respondby issuing simultaneous presence pulses.2.The bus master will then issue the Search ROM command on the 1-Wire bus.3.The bus master reads a bit from the 1-Wire bus. Each device will respond by placing the value of thefirst bit of their respective ROM data onto the 1-Wire bus. ROM1 and ROM4 will place a 0 onto the 1-Wire bus, i.e., pull it low. ROM2 and ROM3 will place a 1 onto the 1-Wire bus by allowing the line to stay high. The result is the logical AND of all devices on the line, therefore the bus master sees a 0. The bus master reads another bit. Since the Search ROM data command is being executed, all of the devices on the 1-Wire bus respond to this second read by placing the complement of the first bit of their respective ROM data onto the 1-Wire bus. ROM1 and ROM4 will place a 1 onto the 1-Wire, allowing the line to stay high. ROM2 and ROM3 will place a 0 onto the 1-Wire, thus it will be pulled low. The bus master again observes a 0 for the complement of the first ROM data bit. The bus master has determined that there are some devices on the 1-Wire bus that have a 0 in the first position and others that have a 1.The data obtained from the two reads of the three-step routine have the following interpretations:00There are still devices attached which have conflicting bits in this position.01All devices still coupled have a 0-bit in this bit position.10All devices still coupled have a 1-bit in this bit position.11There are no devices attached to the 1-Wire bus.4.The bus master writes a 0. This deselects ROM2 and ROM3 for the remainder of this search pass,leaving only ROM1 and ROM4 connected to the 1-Wire bus.5.The bus master performs two more reads and receives a 0-bit followed by a 1-bit. This indicates thatall devices still coupled to the bus have 0s as their second ROM data bit.6.The bus master then writes a 0 to keep both ROM1 and ROM4 coupled.7.The bus master executes two reads and receives two 0-bits. This indicates that both 1-bits and 0-bitsexist as the 3rd bit of the ROM data of the attached devices.8.The bus master writes a 0-bit. This deselects ROM1, leaving ROM4 as the only device stillconnected.9.The bus master reads the remainder of the ROM bits for ROM4 and continues to access the part ifdesired. This completes the first pass and uniquely identifies one part on the 1-Wire bus.10.The bus master starts a new ROM search sequence by repeating steps 1 through 7.11.The bus master writes a 1-bit. This decouples ROM4, leaving only ROM1 still coupled.12.The bus master reads the remainder of the ROM bits for ROM1 and communicates to the underlyinglogic if desired. This completes the second ROM search pass, in which another of the ROMs was found.13.The bus master starts a new ROM search by repeating steps 1 through 3.14.The bus master writes a 1-bit. This deselects ROM1 and ROM4 for the remainder of this search pass,leaving only ROM2 and ROM3 coupled to the system.15.The bus master executes two Read time slots and receives two 0s.16.The bus master writes a 0-bit. This decouples ROM3 leaving only ROM2.17.The bus master reads the remainder of the ROM bits for ROM2 and communicates to the underlyinglogic if desired. This completes the third ROM search pass, in which another of the ROMs was found.18.The bus master starts a new ROM search by repeating steps 13 through 15.19.The bus master writes a 1-bit. This decouples ROM2, leaving only ROM3.20.The bus master reads the remainder of the ROM bits for ROM3 and communicates to the underlyinglogic if desired. This completes the fourth ROM search pass, in which another of the ROMs was found.NOTE:The bus master learns the unique ID number (ROM data pattern) of one 1-Wire device on each ROM Search operation. The time required to derive the part’s unique ROM code is:960 µs + (8 + 3 x 64) 61 µs = 13.16 msThe bus master is therefore capable of identifying 75 different 1-Wire devices per second.I/O SIGNALINGThe DS18B20 requires strict protocols to insure data integrity. The protocol consists of several types of signaling on one line: reset pulse, presence pulse, write 0, write 1, read 0, and read 1. All of these signals, with the exception of the presence pulse, are initiated by the bus master.The initialization sequence required to begin any communication with the DS18B20 is shown in Figure 11. A reset pulse followed by a presence pulse indicates the DS18B20 is ready to send or receive data given the correct ROM command and memory function command.The bus master transmits (TX) a reset pulse (a low signal for a minimum of 480 µs). The bus master then releases the line and goes into a receive mode (RX). The 1-Wire bus is pulled to a high state via the 5k pullup resistor. After detecting the rising edge on the DQ pin, the DS18B20 waits 15-60 µs and then transmits the presence pulse (a low signal for 60-240 µs).MEMORY COMMAND FUNCTIONSThe following command protocols are summarized in Table 4, and by the flowchart of Figure 10.Write Scratchpad [4Eh]This command writes to the scratchpad of the DS18B20, starting at the TH register. The next 3 bytes written will be saved in scratchpad memory at address locations 2 through 4. All 3 bytes must be written before a reset is issued.Read Scratchpad [BEh]This command reads the contents of the scratchpad. Reading will commence at byte 0 and will continue through the scratchpad until the ninth (byte 8, CRC) byte is read. If not all locations are to be read, the master may issue a reset to terminate reading at any time.Copy Scratchpad [48h]This command copies the scratchpad into the E2memory of the DS18B20, storing the temperature trigger bytes in nonvolatile memory. If the bus master issues read time slots following this command, the DS18B20 will output 0 on the bus as long as it is busy copying the scratchpad to E2; it will return a 1 when the copy process is complete. If parasite-powered, the bus master has to enable a strong pullup for at least 10 ms immediately after issuing this command. The DS18B20 EEPROM is rated for a minimum of 50,000 writes and 10 years data retention at T=+55°C.Convert T [44h]This command begins a temperature conversion. No further data is required. The temperature conversion will be performed and then the DS18B20 will remain idle. If the bus master issues read time slots following this command, the DS18B20 will output 0 on the bus as long as it is busy making a temperature conversion; it will return a 1 when the temperature conversion is complete. If parasite-powered, the bus master has to enable a strong pullup for a period greater than t conv immediately after issuing this command.Recall E2 [B8h]This command recalls the temperature trigger values and configuration register stored in E2 to the scratchpad. This recall operation happens automatically upon power-up to the DS18B20 as well, so valid data is available in the scratchpad as soon as the device has power applied. With every read data time slot issued after this command has been sent, the device will output its temperature converter busy flag: 0=busy, 1=ready.Read Power Supply [B4h]With every read data time slot issued after this command has been sent to the DS18B20, the device will signal its power mode: 0=parasite power, 1=external power supply provided.。
温度传感器简介
（二）热电偶产品简介 1、热电偶材料按分度号分为 B、R、S、N、K、E、J、T、WRe3- Wre25、Wre5- Wre26 等 10 个标准形式，此外还有一些非标丝材
可供选择。不同分度号的热电偶测温范围、优缺点也不相同，根据需要选择合适分度号的测温产品。
标准化热电偶的主要性能列表如下：
热偶品种
引脚说明：GND:地 VDD：可供选用的外部电源，不用时接地
21.036 28.946
37.005
℃
700
800
900
1000
mV
53.112 61.017
68.787 76.373
参考端非 0℃时校正表
℃
0
10
20
30
40
（校正值+相应温度 mV 值） mV
0
0.591
1.192
1.801
2.420
600 45.093
50 3.048
（三）DS18B20 数字温度传感器简介
2012/13 工控产品手册 pure-china@ 3
九纯健科技-传感与测控专家
温度产品手册
单位 镍铬-镍铜（康铜）热电偶（E 型） 热电动势 mV 与温度值对照表(参考端 0℃时)
℃
-200
-100
0
100
200
300
400
500
mV
-8.825
-5.237
0
6.319
13.421
1180
190
168.48 172.17
280
290
204.90 208.48
700
750
345.28 360.64
DS18B20温度传感器资料
DS18B20 单线温度传感器一．特征:●独特的单线接口，只需 1 个接口引脚即可通信●每个设备都有一个唯一的64位串行代码存储在光盘片上●多点能力使分布式温度检测应用得以简化●不需要外部部件●可以从数据线供电,电源电压范围为3。
0V至5。
5V●测量范围从-55 ° C至+125 ° C（—67 ° F至257 ° F），从—10℃至+85 ° C的精度为0。
5 °C●温度计分辨率是用户可选择的9至12位●转换12位数字的最长时间是750ms●用户可定义的非易失性的温度告警设置●告警搜索命令识别和寻址温度在编定的极限之外的器件 (温度告警情况）●采用8引脚SO（150mil）,8引脚SOP和3引脚TO — 92封装●软件与DS1822兼容●应用范围包括恒温控制工业系统消费类产品温度计或任何热敏系统二．简介该DS18B20的数字温度计提供9至12位的摄氏温度测量,并具有与非易失性用户可编程上限和下限报警功能。
信息单线接口送入 DS1820 或从 DS1820 送出，因此按照定义只需要一条数据线(和地线）与中央微处理器进行通信.它的测温范围从—55 °C到 +125 ° C,其中从—10 °C至+85 °C可以精确到0。
5°C 。
此外，DS18B20可以从数据线直接供电（“寄生电源"），从而消除了供应需要一个外部电源。
每个 DS18B20 的有一个唯一的64位序列码,它允许多个DS18B20s的功能在同一1-巴士线.因此，用一个微处理器控制大面积分布的许多DS18B20s是非常简单的。
此特性的应用范围包括 HVAC、环境控制、建筑物、设备或机械内的温度检测以及过程监视和控制系统.三．综述64位ROM存储设备的独特序号。
存贮器包含2个字节的温度寄存器,它存储来自温度传感器的数字输出。
温度传感器原理
温度传感器原理温度传感器是一种用于测量温度的装置，广泛应用于各个领域，如工业控制、医疗设备、气象观测等。
温度传感器通过感知环境中的温度变化，将温度的物理量转换为电信号，进而实现温度的测量和控制。
一、热电效应温度传感器热电效应温度传感器基于热电效应原理工作。
它利用不同金属或合金在不同温度下的电动势差来测量温度。
常见的热电效应温度传感器包括热电偶和热电阻。
1. 热电偶热电偶是由两根不同金属导线组成的传感器。
当两根导线连接处的温度差异产生时，就会产生电动势。
通过测量电动势的大小，可以确定环境的温度。
热电偶具有响应速度快、可靠性高、适用范围广的特点，被广泛应用于工业领域。
2. 热电阻热电阻是利用金属或半导体材料的电阻随温度变化的特性来测量温度。
常见的热电阻材料包括铂、镍、铁等。
其中铂热电阻是应用最广泛的一种热电阻材料，具有精度高、稳定性好的优点，在工业和科研领域被广泛使用。
二、半导体温度传感器半导体温度传感器是一种基于半导体材料特性的传感器。
它利用半导体材料导电性随温度的变化来测量温度。
相比于热电效应传感器，半导体温度传感器具有体积小、功耗低、响应速度快等优点。
常见的半导体温度传感器包括热敏电阻、硅温度传感器和集成温度传感器。
1. 热敏电阻热敏电阻是一种具有温度敏感特性的电阻元件。
它的电阻值随温度的变化而变化，通过测量电阻的变化来确定环境的温度。
热敏电阻通常使用氧化铜、氧化镍等材料制成，广泛应用于家用电器和汽车领域。
2. 硅温度传感器硅温度传感器是利用硅半导体材料的特性来测量温度的传感器。
它具有高精度、良好的线性特性和广泛的工作温度范围。
硅温度传感器广泛应用于电子设备、医疗器械和汽车等领域。
3. 集成温度传感器集成温度传感器是将温度传感器的关键部件集成在一颗芯片上的传感器。
它具有体积小、功耗低、精度高等特点，适用于需要集成温度测量功能的应用场景。
三、红外温度传感器红外温度传感器利用物体辐射的红外能量来测量其表面温度。
HYDAC贺德克全系列传感器参数资料
HYDAC贺德克全系列传感器参数资料HYDAC贺德克是一家全球领先的流体工程解决方案提供商，其产品线包括传感器技术。
贺德克传感器广泛应用于汽车工业、航空航天、机械工业、液压工程等多个领域。
本文将为您介绍HYDAC贺德克全系列传感器的参数资料。
1.温度传感器贺德克温度传感器具有高精度、快速响应、可靠性强等特点。
其主要技术参数包括温度范围、测量精度、响应时间、抗振动能力、输出信号等。
温度范围可根据不同型号的传感器进行选择，常见的温度范围为-50℃至150℃。
测量精度一般为0.1%~0.5%，响应时间为10ms~500ms，抗振动能力为10g~200g，输出信号有模拟信号和数字信号可选。
2.压力传感器贺德克压力传感器具有高精度、稳定性好等特点。
其主要技术参数包括测量范围、额定输出信号、测量精度、过载能力、温度影响等。
测量范围可根据不同型号的传感器进行选择，常见的测量范围有0~4000 bar。
额定输出信号一般为0~10V、4~20mA等。
测量精度一般为0.1%~0.5%，过载能力为150%~500%。
温度影响一般在0.1%~0.5%之间。
3.流量传感器贺德克流量传感器广泛应用于液体、气体的流量测量。
其主要技术参数包括测量范围、测量精度、压力损失、输出信号等。
测量范围可根据不同型号的传感器进行选择，常见的测量范围有0~200 l/min。
测量精度一般为1%~2%，压力损失一般为0.1~0.3 bar。
输出信号有模拟信号和数字信号可选。
4.液位传感器贺德克液位传感器可用于测量液体的液位高度。
其主要技术参数包括测量范围、输出信号、测量精度、介质温度等。
测量范围可根据不同型号的传感器进行选择，常见的测量范围有0~20m。
输出信号一般为0~10V、4~20mA等。
测量精度一般为0.1%~0.5%，介质温度范围为-40℃至+125℃。
5.振动传感器贺德克振动传感器可用于测量物体的振动情况。
其主要技术参数包括测量范围、输出信号、测量频率、频率响应等。
温度传感器(Pt1000)
ESM - 11 / ESMC
安装
ESMB - 12
ESMU- 100 / - 250
外套
X = PE（聚乙烯）袋 X X = 硬纸盒
外壳：
ABS
底座：
PC（聚碳酸脂）
外壳：
ABS
底座：
ABS
外壳：
ABS
底座：
PC（聚碳酸酯）
封装：
18 / 8 不锈钢
电缆：
2.5m，PVC，2 × 0.34mm2
封装：
154
ESMU
VD.74.I6.41 C Danfoss 11/2003
（A） （B） （C）
087B1182 和-1183
不锈钢（AIS1316） 不锈钢（AIS1316）
087B1180 和-1181 铜 （Cu）
黄铜
BC-HM
见“特定参数”
25
ESMT
ESM - 10
ESM - 11
ESMB - 12 材质
ESMC
ESMU - 100 / - 250
ESMU - 100 / - 250 （Cu）
外套
ESMT
ESM - 10
电气连接
ESM-11 ESMB - 12
ESMC
ESMU - 100 / - 250
ESMT / ESM - 10
装在套管中的ESMB
最大偏差 2K 32s （在水中） 160s （空气中） 20s （在水中） 140s （空气中）
BC-HM
VD.74.I6.41 C Danfoss 11/2003
15-11,ESMB-12,ESMC,ESMU
Danfoss A87B584.10
参数表
温度传感器
温度传感器编制：刘银中审核：冯仰歌南京常格科技发展有限公司二零一四年三月温度传感器目录一、温度传感器简介 (3)二、温度传感器主要分类 (3)1、接触式温度传感器 (3)2、非接触式温度传感器 (4)三、热电阻温度传感器的组成及原理 (5)1 温度传感器的组成 (5)2、热电阻的工作原理 (5)四、PT100的原理 (6)1、pt100的基本结构： (6)2、pt100的分度值： (7)3、pt100的结构： (7)4、pt100的性能 (7)五、电路设计 (8)1、采样电路设计 (8)2、放大电路设计 (9)3、模拟仿真电路 (10)六、数据库的建立 (10)七、参数及计算 (13)八、热电阻温控器接线 (14)九、温度传感器主要品牌及价格 (16)十、检定装置及法律法规 (17)十一、挑选方法 (18)1、热电偶 (18)2、热敏电阻 (19)十二、选用注意 (19)十三、安装使用 (20)一、温度传感器简介温度传感器从17世纪初人们开始利用温度进行测量。
在半导体技术的支持下，本世纪相继开发了半导体热电偶传感器、PN结温度传感器和集成温度传感器。
与之相应，根据波与物质的相互作用规律，相继开发了声学温度传感器、红外传感器和微波传感器。
温度传感器是五花八门的各种传感器中最为常用的一种，现代的温度传感器外形非常得小，这样更加让它广泛应用在生产实践的各个领域中，也为人们的生活提供了无数的便利和功能。
温度传感器有四种主要类型：热电偶、热敏电阻、电阻温度检测器（RTD）和IC温度传感器。
IC温度传感器又包括模拟输出和数字输出两种类型。
温度传感器二、温度传感器主要分类1、接触式温度传感器接触式温度传感器的检测部分与被测对象有良好的接触，又称温度计。
温度计通过传导或对流达到热平衡，从而使温度计的示值能直接表示被测对象的温度。
一般测量精度较高。
在一定的测温范围内，温度计也可测量物体内部的温度分布。
但对于运动体、小目标或热容量很小的对象则会产生较大的测量误差，常用的温度计有双金属温度计、玻璃液体温度计、压力式温度计、电阻温度计、热敏电阻和温差电偶等。
汽车温度传感器
车内温度传感器
通常安装在车内空调系统的蒸发器附 近，用于感知车内温度。
散热器水温传感器
安装在散热器（水箱）的冷却水道上， 用于监测散热器中的冷却水温度。
进气温度传感器
通常安装在空气滤清器之后、进气歧 管之前的位置，用于感知进入发动机 的空气温度。
03
汽车温度传感器的常见故障
及检测方法
温度传感器常见故障
温度传感器在新能源汽车中的应用
电池温度监测
新能源汽车的电池组需要保持在适当的温度范围内才能正常工作，温度传感器 可以实时监测电池的温度，保证电池的安全和稳定运行。
电机温度监测
电机是新能源汽车的重要部件，高温环境下会影响其性能和寿命，温度传感器 可以监测电机的温度，预防过热。
温度传感器在智能驾驶中的应用
温度传感器类型
热敏电阻式温度传感器
利用热敏电阻的阻值随温度变化的特 性，将温度信号转换为电信号。这种 传感器精度高、响应速度快，但价格 相对较高。
热电偶式温度传感器
集成温度传感器
将温度传感器与信号处理电路集成在 一起，可以直接输出温度值。这种传 感器使用方便，精度高，但价格较高。
利用热电偶的原理，将温度差转换为 电信号。这种传感器测量范围广，但 精度相对较低，且响应速度较慢。
04
汽车温度传感器的发展趋势
新型温度传感器的研发
新型温度传感器材料
随着科技的发展，新型材料如纳米材 料、陶瓷等在温度传感器研发中得到 广泛应用，这些材料具有高灵敏度、 耐高温、抗腐蚀等优点。
微型化与集成化
为了满足汽车电子元件日益小型化的 需求，温度传感器也在向着微型化和 集成化的方向发展，能够同时监测多 个点的温度，提高监测效率。
温度传感器检测方法
温度传感器DS1620中文资料
控制/状态寄存器用于决定DS1620在不同场合的操作方式，也指示温度转换时的状态。控制/状态寄存器的定义如下。
DONE
THF
TLF
NVB
1
0
Cห้องสมุดไป่ตู้U
1SHOT
DONE：温度转换完标志。“1”转换完成，“0”转换进行中。
THF：温度过高标志。温度高于或等于TH寄存器中的设定值时变为“1”。当THF为“1”后，即使温度降到TH以下，THF值也仍为“1”。可以通过写入“0”或断开电源来清除这个标志。
温度传感器DS1620中文资料
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温度传感器DS1620中文资料
1 DS1620功能概述
DS1620是Dallas公司推出的数字温度测控器件。2.7~ 5.0V供电电压，测量温度范围为-55~+125℃，9位数字量表示温度值，分辨率为0.5℃。在0~+70℃精确度为0.5℃，-40~0℃和+70~+85℃精确度为1℃，-55~-40℃和+85~ +125℃精确度为2℃。TH和TL寄存器中的温度报警限设定值存放在非易失性存储器中，掉电后不会丢失。通过三线串行接口，完成温度值的读取和TH、TL的设定。DS1620的外围接线简单，使用灵活。使用时请注意它的测量范围及精度能否满足要求。用作热继电器使用时必须写入控制寄存器操作模式和TH、TL寄存器的温度设定值。
0 0011
0032H
+0.5
0 0000000
0001H
0
0 0000000
0000H
-0.5
1 11111111
01FFH
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电阻温度检测器(RTD)
RTD是一根特殊的导线，它的电阻随温度变化 而变化，通常RTD材料包括铜、铂、镍及镍/铁合 金。RTD元件可以是一根导线，也可以是一层薄 膜，采用电镀或溅射的方法涂敷在陶瓷类材料基 底上。
膜式铂电阻示意图
RTD应用实例
铂电阻温度传感器：铂电阻温度传感器是利用 金属铂在温度变化时自身电阻值也随之改变的ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ特性来测量温度的，显示仪表将会指示出铂电 阻的电阻值所对应的温度值。
壳体
引线 热敏电阻 （a）玻璃罩珠状 （b）片状 （c）垫圈状 （d）杆状
热敏电阻应用实例
SPMZB系列PTC热敏电阻是一种自动保护、自动恢复使用、 无触点、无噪音、无火花的“万次保险丝”，或称“自恢复保险 丝”，是继“温度保险丝”和“温度开关”之后推出的第三代保护 器件。
热敏电阻应用实例
SPMZB系列PTC热敏电阻广泛应用于：适用于万用表、 充电器、小型变压器、智能电度表、数字万用表、微电机、 小型电子仪器等线路中做过流、过热保护。
温度传感器的应用
太空应用： 热敏电阻以及硅PN结已经使用于太空温度测量。具有 数字输出功能的智 能温度传感器可应用于未来的卫星设
计中.并能传送与微处理器兼容的数字 信息。
温度传感器的应用
工业应用： 集成温度传感器在自动化应用和微生物体热检测应用 已有报 道，尽管它们的特性和需求根据每个特殊的应用 而变化非常大.对于低成本、长期 稳定性和可靠性、强大 的数字接口以及通信系统等这些特殊的应用需求，目前 的智 能温度传感器都可满足。
温度传感器
一.温度传感器的分类 二.温度传感器的应用 三.温度传感器的前景
温度传感器分类
温度传感器主要有四种主要类型： 热电偶 热敏电阻 电阻温度检测器(RTD) IC温度传感器
温度传感器分类
热电偶
热电偶（thermocouple ）是温度测量仪表中常用的测温元件，它直
接测量温度，并把温度信号转换成热电动势信号，通过电气仪表转
换成被测介质的温度。各种热电偶的外形常因需要而极不相同，但 是它们的基本结构却大致相同，通常由热电极、绝缘套保护管和接 线盒等主要部分组成，通常和显示仪表、记录仪表及电子调节器配 套使用。
标准化热电偶的主要性能和特点
热电偶名称 正热电 极 铂铑30 负热电 极 铂铑6 分度号 测温范围 0～＋ 1700℃ （超高温） 0～＋ 1600℃ （超高温） 特 点
铂铑30－铂铑6
B
适用于氧化性气氛中测温，测温 上限高，稳定性好。在冶金、钢 水等高温领域得到广泛应用。 适用于氧化性、惰性气氛中测温， 热电性能稳定，抗氧化性强，精 度高，但价格贵、热电动势较小。 常用作标准热电偶或用于高温测 量。 适用于氧化和中性气氛中测温， 测温范围很宽、热电动势与温度 关系近似线性、热电动势大、价 格低。稳定性不如B、S型热电偶， 但是非贵金属热电偶中性能最稳 定的一种。 适用于还原性或惰性气氛中测温， 热电动势较其他热电偶大，稳定 性好，灵敏度高，价格低。
温度传感器的应用
感测应用： 温度传感器的热转换方式经常被用来测量物理量(如流 量、辐 射、气体压力、气体种类、湿度、热化学反应等)。 这些传感器的测量值都是以热 形式为媒介并以电信号的 方式输出。
温度传感器的应用
生物医学应用： 生物医学的应用必须使用特殊的温度传感器，其中最 重要 的特性是要求低功耗、长期稳定性好、可靠性高以 及在32~44℃之间，精确度小 于0.1℃。
适用于还原性气氛中测温，价格 低，热电动势较大，仅次于E型热 电偶。缺点是铁极易氧化。 适用于还原性气氛中测温，精度 高，价格低。在－200～0℃可制 成标准热电偶。缺点是铜极易氧 化。
铂铑10－铂
铂铑10
纯铂
S
镍铬－镍硅
镍铬合 金
镍硅
K
－200～＋ 1200℃ （高温）
镍铬－康铜
镍铬合 金
铜镍合 金 铜镍合 金
温度传感器
组员： 赵芮爽 白世文 侯永涛 翟德强 宋 莹
2013210045 2013210046 2013210047 2013210048 2013210049
温度传感器
温度传感器（temperature transducer） 是指能感受温度并转换成可用输出信号 的传感器。温度传感器是温度测量仪表 的核心部分，品种繁多。
温度传感器的前景及发展方向
温度传感器技术朝着高精度、高可靠性、 宽测量范围、微型化及微功耗方向发展.并 不断开发出一些能在特殊环境下工作的温 度传感器，如可在高低温(一200一2000℃)、 化学腐 蚀性强、电磁干扰严重的恶劣环境 中工作的光纤温度传感器。
温度传感器的应用
消费产品应用： 低成本集成温度传感器与变送器已经出现，而且被应 用于消费产品中，如洗衣机、冰箱、空调等。低成本、 无需外部部件、制造时简单的片上校正等是消费产品应 用的特殊需求。
温度传感器的前景及发展方向
目前，国际上新型温度传感器正从模拟 式向数字式，由集成化向智能化、网络 化 的方向发展。温度传感器是各种传感器中 最为常用的一种.现代温度传感器外形 非常 小，这样更加让它广泛应用在生产实践的 各个领域中，也为人们的生活提供了 无数 的便利和功能。
陶瓷外绕式铂电阻示意图
RTD应用实例
应用范围：铂电阻温度传感器具有极佳的可互换 性和长期稳定性，被广泛应用于气象和环保等部 门用来测量空气、土壤和水，另外，在防护设备 里也经常用到。
内绕式陶瓷铂电阻示意图
IC温度传感器
模拟输出IC温度传感器：具有很高的线性度 、 低成本、高精度(大约1%)、小尺寸和高分辨率。 它们的不足之处在于温度范围有限，并且需要一 个外部参考源。 数字输出IC温度传感器：带有一个内置参考源， 它们的响应速度也相当慢。虽然它们固有地会自 身发热，但可以采用自动关闭和单次转换模式使 其在需要测量之前将IC设置为低功耗状态，从而 将自身发热降到最低。
E
－200～＋ 900℃ （中温） －200～＋ 750℃ （中温） －200～＋ 350℃ （低温）
铁－康铜
铁
J
铜－康铜
铜
铜镍合 金
T
热敏电阻温度传感器
热敏电阻是利用半导体（某些金属氧化物如 NiO,MnO2, CuO,TiO2)的电阻值随温度显著变化这一 特性制成的一种热敏元件，其特点是电阻率随温度而 显著变化，一般测温范围：－50 ~ ＋300℃。