工业硅冶炼炉内反应分析
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工业硅冶炼基本知识
工业硅生产增产降耗的措施主要有:1.把握炉况及时调整料比,保持适宜的C/SiO2分子比,适宜的物料粒度和混匀,防止过多SiC生成。
2.选择合理的炉子结构参数和电气参数,保证反应区有足够高的温度,分解生产的碳化硅使反应向有力生产硅的方向。
3.及时捣炉,帮助沉料,避免炉内过热,造成硅的挥发,或再氧化成SiO,减少炉料损失,提高Si回收率。
4.保持料层具有良好的透气性,可及时排出反应生产的气体,减少热损失和SiO大量逸出。
一、生产工业硅的原料
冶炼工业硅的原料主要有硅石、碳素还原剂。
(一)硅石硅石要有一定的抗爆性和热稳定性,其中抗爆性对大炉子很重要,对容量小的炉子要求可略为降低。
有些硅石很致密,难还原,造成冶炼状况不顺,经济指标差,很少采用。
硅石的粒度视炉子容量的大小不同而异,一般5000KV A 以上的炉子,硅石粒度为50-100毫米,且40-60毫米的粒度要占50%以上。
硅石要清洁无杂质,破碎筛分后,要用水冲洗,除掉碎石和泥土。
目前对新采用的硅石在化学成分、破碎合格以后,还要在生产中试用。
经济指标较好,才能长期使用。
(二)碳质还原剂优选各种不同碳质还原剂,要求固定碳
高,灰分低,化学活泼性要好,采用多种还原剂搭配使用,以达到最佳冶炼效果。
冶炼工业硅所用的碳质还原剂有:石油焦、沥青焦、木炭、木块(木屑)低灰分褐煤,半焦和低灰、低硫烟煤等。
石油焦:其特点是固定碳高,灰分低,价格低廉,并且能使料面烧结好,但高温比电阻低,影响电极下插,反应能力差。
要选择固定碳大于82%,灰分小于0.5%、水份稳定,波动不许超过1%,以免影响还原剂配入量。
粒度要求4-10毫米,粒度配合比例要合适。
粉料多烧损大,下部易缺碳,透气性不好;粒度大数量多比电阻小,电极易上抬。
木块(或木屑):其性质接近木炭,在炉内干馏后,在料下层形成比木炭孔隙度、化学活泼性更好的木炭。
所使用的木块(或木屑)要清洁无杂物,不许代入泥土等杂质。
木块长度不得超过100毫米。
褐煤、烟煤:有比电阻、挥发份高,孔隙度大,化学活泼性好,料面烧结性强,价格低廉的特点。
挥发份在料层中挥发利于料面烧结和闷烧,而且可以形成疏松的比表面积大,比电阻极大的焦化碳,对冶炼很有利。
要求灰分小于4%,粒度小于25毫米,否则不能使用。
褐煤性质接近木炭,可作木炭的代用品。
碳素还原剂种类不同,即使同种但产地不同性质也不相同。
可搭配使用,求得更好的经济效益。
如使用石油焦60-80%,木炭(或加部分木块)20%;石油焦60-70%,木炭(或木块)20-40%,烟煤5-10%搭配使用,效果比较好。
国外采用
石英与还原剂职称团块炉料,先焙烧进行还原,再冶炼工业硅,使电耗降低到9000Kwh/t以下。
二、冶炼原理
在工业硅的生产中,一般认为硅被还原的反应式为
SiO2液+2C=Si液+2CO T始1933K (1) 实际生产中硅的还原是比较复杂的,从冷态下炉内情况出发,对实际生产中炉内物化反应进行讨论。
生产过程中的运行示意大体如下:
炉料入炉后不断下降,受上升炉气的作用,温度在不断的升高,上升的SiO有下列反应。
2SiO=Si+SiO2 (2) 此产物大部分沉积在还原剂的空隙中,有些逸出炉外。
炉料继续下降,当降到温度1773K以上时,有下列反应:
SiO g+2C s=SiC s+CO (3)
SiO+C=Si+CO (4)
SiO2+C=SiO+CO (5) 当温度再升高时有以下反应:
2SiO2+SiC=3SiO+CO (6) 在电极下有反应:
SiO2+2SiC=3Si+2CO (7)
3 SiO2+2SiC=Si+4SiO+2CO (8)
炉料在下降的过程中有反应:
SiO+CO=SiO2+C (9)
3SiO+CO=2SiO2+SiC (10) 在1区,主要是上升的一氧化硅分解,生成硅和二氧化硅,2、3 、4、5区主要是碳化硅的生成和分解,在5区由于各种原因碳化硅来不及分解而沉积在炉底。
在冶炼中,主要反应大部分是在炉底部料层中完成的。
碳化硅的生产、分解和一氧化硅的凝结,又是以炉内各维持温度分布不变为先决条件。
碳化硅的生成是容易的,而碳化硅的还原要求高温、快速反应,否则碳化硅就沉积到炉底。
由此,必须保持温度区的稳定性。
在冶炼操作中,沉料要合适,如过勤、温度区稳定性差,对冶炼不利。
一氧化硅生成,主要是反应式(5)、(6)、(8),冶炼中尽量把一氧化硅留在料层中,因为凝结过程对硅的生产有重要意义。
对硅还原的催化作用问题,多数认为CaO、CaCl2、BaSO4和NaCl的催化作用略小一些,在1953K时加入1%的CaCl2和在1953时加入3%的CaCl2,催化效果最好,再升温,效
果就不明显了。
加入催化剂,可提高反应能力,加速硅的还原。
根据炉内反应情况可简要的分为以下几个反应区域:
(一)炉内反应区域
1.低温反应区(T﹤1100℃)
SiO+1/2O2=Si02
2SiO= SiO2+Si
还原剂表面:
SiO+2C=SiC+CO
2.生成碳化硅区域(1100-1800℃)
SiO+2C=SiC+CO
SiO2+3C=SiC+CO(T﹥1537℃)
3.生成熔体硅的区域(T﹥1400℃)
SiO+C=Si+CO(硅的熔点以上)
SiO2+2C=Si+2CO(T﹥1650℃)
4.SiC分解区域(1800℃以上)
SiO2+2SiC=3Si+2CO(T﹥1827℃)
SiC+SiO=2Si+CO
当C/SiO2分子比=2时,SiC和SiO2不会过剩;
当C/SiO2分子比=2-3时,SiC过剩;
当C/SiO2分子比=3时,产品SiC(电石) ;
当C/SiO2分子比小于2时,SiO2过剩,温度大于2190K 时,SiO2+Si=2SiO可见配碳量是很重要的。
(二)炉内上、中、下部的反应主要如下:
1.炉内上部反应
SiO+C=Si+CO ↑SiO CO ↓SiC SiO2
SiO+2C=SiC+CO
2.炉内中部反应
SiO+SiC=2Si+CO ↑CO SiO
SiO2+C=SiO+CO ↓SiC SiO2
CO2+C=2CO ↑CO
SiO2=SiO+1/2O2↓SiO2↑SiO
3.炉内下部反应
SiO2+2SiC=Si+4SiO+2CO ↑SiO ↓Si SiC SiO2
SiC+O2=SiO+O2 ↑SiO
三、冶炼工艺及设备参数
1.生产设备及电炉参数
工业硅冶炼是在三相或单项矿热炉内进行的,大都采用敞口电炉,也有半封闭旋转式电炉。
采用旋转电炉有助于取得较稳定的下料速度,利于破坏碳化硅,减少碳化硅的沉积速度。
采用矮烟罩半封闭式电炉,可以回收烟气余热,改善工人劳动条件,但炉口跑火处理不如敞口电炉及时、方便,同时半封闭后炉口料温度升高,料层温度分布有所改变,对一氧化硅凝结不利。
炉子、电气参数与生产硅铁基本相同,不过由于工业硅含铝量高,硅还原更难,冶炼还原要求有较高的冶炼温度。
炉子参数对冶炼效果有很大影响。
炉底和极心圆单位面积功率应有一最佳值。
2.冶炼工艺
1.配料料批以200公斤硅石为基础,还原剂数量根据原料化学成分、经验数据经计算核定。
各种还原剂按一定比例搭配,灰分小于4%,挥发份高,反应活性好,比电阻高的烟煤和褐煤,要适当配入。
其用量不得超过四分之一。
配料时要注意原料变化及时调整料比,要注意原料的清洁,清除异物,防杂质混入料内。
称量必须准确,每批误差不得超过±0.5公斤。
2.烘炉烘炉前的准备工作
a.检查供电、炉子绝缘、液压、铜瓦、把持器、卷扬机等各系统,并进行空载运行,运转正常后才能开始烘炉。
b.在电极下部防止三支长度适当的石墨电极棒,再铺垫一层厚度150-200毫米,粒度为40-80毫米的焦炭,在炉子极心圆内再撒一层5-20毫米厚的焦,便于起弧,并保护炉底。
3.开炉炉衬烘好后,设备已经检查试运转正常,一切准备工作完成后,即可开炉。
投料后要严格控制料面上升速度,加料速度和输入电量要一致。
引弧后第一次加料要多投写,这样可以盖住电弧。
以后加料要根据耗电量控制加料量,开炉操作尽量少动电极,加料要轻,以免炉料踏入电极下,使电极上抬,造成炉底上涨。
新开炉料面一定要维护好,一切操作都要轻,尽量减少下料两又不要跑火塌料,使炉内多蓄热,给形成正常炉况打下基础。
炉口料面要平稳上升。
第一、二炉更要注意,不许捣炉,使坩埚尽快形成并扩大。
4.加料按配料要求配好料,运到炉前,并按要求交办均
匀堆放。
操作上要采用沉料后集中加料的方法,其余少量地采用勤加薄盖的方法,在调整火焰时加入。
沉料时三支电极同时进行。
大沉料后现在紧靠电极周围处加木块,并立即用热料盖住木块,再盖新料。
加料要均匀,不允许偏加料。
根据炉内还原下料情况加料,使供给负荷、还原速度、加料速度相适应,以控制正确的加料量,保持正常料面高度并控制炉温,加料速度超过熔化、还原速度,料面会抬高,炉温下降,加料不足或电极上抬、影响控制料面,炉口温度就会升高,此时热损失大,造成硅的挥发损失过大。
5.沉料、捣炉、透气经过集中加料,小批调正火焰加料,保持炉气均匀逸出,一段时间后电极下部及周围炉料被熔化、还原出现较大空腔,此时料层变薄,在大塌料前应该进行沉料。
沉料就是主动集中下料。
一般负荷正常、配比正确、下料量均衡,炉子需要到集中下料的时间是基本一定的。
如果超出正常沉料时间,应分析原因及时调正,有时是负荷不足,上次下料过多,还原剂不足,炉料还原不好等。
如下料过多,要适当延长时间进行提温,如果还原剂不足应进行强迫沉料,同时撒入炉内少量还原剂,要学会掌握沉料时间,根据炉况和声音判断并确定沉料时间。
6.配电9000KV A电炉正常生产时三相电流要保持平衡,最大波动不超过25﹪,正常负荷在150~180A,烧枪时最大电流不能长时间高于230A,避免高电流造成电极炸裂。
要保证三相电极深而稳的插入炉料内,工作过程中要根据炉况的实际变化,合理的使用配电制度,包括电极的压放深度
等,确保电极工作端正常工作。
送点制度要与加料量成正比,确保碳化硅的生产和破坏达到平衡。
四、生产问题
目前工业生产中的几个问题
1.炉底上涨
生产中生成碳化硅容易,破坏难;由于冶炼操作使生料入坩埚,加快了碳化硅的生产和生料的沉积。
要控制炉底上涨速度,应精选炉料、选择和摸索核实的炉子参数,合理的工艺操作,创造和扩大坩埚,取得最佳作业状态,减少炉底上涨速度,延长冶炼周期。
2.炉子容量选择
由于工业硅产量的增加,建厂建大容量的炉子是有一定问题的。
二〇一一年十二月二十一日。