晶体三极管及其开关应用
晶体三极管的开关作用一等奖创新教案
晶体三极管的开关作用一等奖创新教案第十课时：晶体三极管3教材《劳动技术》上海科技教育出版社高二年级课题晶体三极管的开关功能【教学目标】一、知识与技能：理解三极管的开关功能。
初步学会应用三极管的开关功能设计简单的电路。
二、过程与方法：1、通过课堂实践探索，理解晶体三极管的开关功能。
2、结合实践设计三极管的开关电路，掌握三极管的开关电路在实际生活中的应用。
三、情感、态度与价值观通过探究三极管的开关功能，培养学生乐于探索的科学素养。
通过设计简单的三极管开关电路，培养学生热爱科学实践精神。
【教学重点】晶体三极管的开关功能【教学难点】晶体三极管的工作原理晶体三极管的开关功能应用【教学过程】教学环节教师活动学生活动设计意图复习引入晶体三极管的放大电路：光控三极管电路的回忆(实物展示)考一考：晶体三极管的特性是哪些？复习上一节课的教学难点。
承上启下，开始三极管的开关功能的学习。
课堂教学实践探究：分析这三个电路的功能有什么差别？观察与思考分析二极管亮、灭的原因？基极电流大小由电路中哪一个元件控制？RP实际的电路实验探究来分析三极管电路的开关功能。
连接电路分析了解三极管的开关功能体验晶体三极管的开关功能：分析电路的功能设计三极管的开关电路下图合上开关后灯泡亮，再给你一个电键和若干导线，请你改造成：合上开关灯泡亮，在按下电键，灯泡熄灭。
不允许短路电源和负载！加深学生对课堂学习内容的印象。
在实践中学习，使学习变得有趣生动，更加容易理解和记忆。
课堂小结三极管的工作状态：放大、开关状态。
开关状态：截止和饱和导通（数字电路中）加深学生对课堂学习内容的印象。
总结知识重点难点。
【教学反思】学习任务单班级姓名学号知识点的准备和学习1、晶体三极管的电路符号：NPN型：PNP型：___2、晶体三极管的工作状态：____________3、晶体三极管的工作状态有什么因素决定：_________课堂实验：1、探究下面三张电路图的差别晶体三极管的开关功能：2、观察与思考分析二极管亮、灭的原因？基极电流大小由电路中哪一个元件控制？3、实验与设计：下图合上开关后灯泡亮，再给你一个电键和若干导线，请你改造成：合上开关灯泡亮，在按下电键，灯泡熄灭。
《晶体三极管》课件
晶体三极管的分类
有两种主要的晶体三极管 类型：PNP和NPN。
2. 晶体三极管的工作原理
1
简单电路
晶体三极管可以作为放大器、开关和振荡器在各种电路中发挥作用。
2
放大器电路
晶体三极管可以放大信号的幅度，使其更适合其他电路的输入。
3
开关电路
晶体三极管可以控制电流的通断，用于构建开关电路。
3. 晶体三极管的应用
5. 晶体三极管的优缺点
1 优点
小巧、高频响应、低功耗、可靠性高、成 本低。
2 缺点
温度敏感、容易受到噪声干扰、容易烧毁。
6. 结论
总结
晶体三极管是一种重要的电子元器件，广泛应用于各种电路和电子设备中。
展望
随着科技的发展，晶体三极管不断改进，将在更广泛的领域发挥作用。
《晶体三极管》PPT课件
晶体三极管是电子学中重要的元器件之一，本课件将介绍晶体三极管的结构、 工作原理、应用、特性以及优缺点，帮助您全面了解晶体三极管。
1. 介绍晶体三极管
ห้องสมุดไป่ตู้
什么是晶体三极管？
晶体三极管是一种半导体 器件，可用作放大，开关 和振荡器。
晶体三极管的结构
晶体三极管由三个不同掺 杂的半导体区域构成：发 射区，基区和集电区。
放大器
晶体三极管可用于构建各类放 大器，如音频放大器、射频放 大器等。
开关
晶体三极管可以用于构建数字 电路和模拟电路中的开关。
振荡器
晶体三极管可以作为振荡器的 关键元件，产生无线电频率信 号。
4. 晶体三极管的特性
基本参数
• 电流放大倍数 • 最大可承受电压 • 最大可承受功率
变化规律
• 输入特性曲线 • 输出特性曲线 • 电流-电压关系
晶体三极管的开关特性
晶体三极管由集电结和发射结两个PN结构成.根据两个PN结的偏置极性,三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。下图给出了用NPN型共发射极晶体管组成的简单电路及其输出特性曲线。
三极管静态特性
晶体三极管在饱和与截止两种状态的特性称为开关特性，相当于一个由基极信号控制的无触点开关，其等效电路如下(1)截止状态的三极管等效电路。
01
添加标题
02
添加标题
当UGS小于NMOS管的启动电压UT时，MOS管工作在截止区， iDS基本为0，输出电压UDS ≈ UDD，MOS管处于“断开”状态，其等效电路为如右。
静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压UGS决定其工作状态。图为由NMOS增强型管构成的开关电路。
晶体三极管在饱和与截止两种状态转换过程中具有的特性称为三极管的动态特性。三极管和二极管一样，管子内部也存在着电荷的建立与消失过程。因此，饱和与截止两种状态也需要一定的时间才能完成。
三极管动态特性Ⅱ
从左图可知波形起始部分和平顶部分都延迟了一段时间,上升和下降沿都变得缓慢了。为了对三极管的瞬态过程进行定量描述，通常引入以下几个参数来表征：
存储时间ts：经过上升时间后，集电极电流继续增加到Ics，这时由于进入了饱和状态，集电极收集电子的能力减弱，过剩的电子在基区不断积累起来，称为超量存储电荷，同时集电区靠近边界处也积累起一定的空穴，集电结处于正向偏置。 当输入电压ui由+U2跳变到-U1时，上述存储电荷不能立即消失，而是在反向电压作用下产生漂移运动而形成反向基极电流，促使超量存储电荷泄放。在存储电荷完全消失前，集电极电流维持Ics不变，直至存储电荷全部消散，晶体管才开始退出饱和状态，ic开始下降。 下降时间tf：在基区存储的多余电荷全部消失后，基区中的电子在反向电压的作用下越来越少，集电极电流ic也不断减少，并逐渐接近于0。
什么是三极管
什么是三极管三极管，又被称为晶体管，是一种常见的电子元件。
它是一种半导体器件，能够用来放大电流、开关电路或作为电流稳定源。
三极管的结构和工作原理决定了它在电子电路中的重要性和广泛应用。
本文将详细介绍三极管的定义、结构、工作原理以及应用领域。
一、定义三极管是一种包含三个电极的半导体器件，通常由两种不同类型的半导体材料组成。
它的三个电极分别为基极、发射极和集电极。
三极管可用于控制电流流动，并在电子电路中实现信号放大功能。
二、结构三极管的结构由两种类型的半导体材料构成：P型半导体和N型半导体。
这两种材料的结合形成了两个 P-N 结，分别被称为基结和发射结。
其中，发射结夹在基结中间，集电极连接到基结，而发射极连接到发射结。
三、工作原理三极管的工作原理是通过调节基极电流控制集电极电流的大小。
当基极电流很小或者没有流过时，三极管处于截止状态，完全不导电。
当基极电流逐渐增大时，三极管进入放大区。
此时，三极管的集电极电流将正比于基极电流，且比基极电流大很多倍。
当基极电流进一步增大时，三极管会饱和，此时集电极电流不再随基极电流的增大而增大，达到饱和电流后保持不变。
四、应用领域由于三极管具有信号放大和电流控制的特点，因此在电子领域有广泛的应用。
以下是几个常见的三极管应用领域：1. 放大器: 三极管可以作为放大电路的关键元件，用于放大音频、视频等信号。
通过调节输入信号的电流，可以实现不同增益的放大效果。
2. 开关电路: 三极管可以用作开关电路的控制器。
在开关状态下，三极管可以让电流通过或者阻断，从而实现开关的功能。
3. 正反馈电路: 三极管可以用于正反馈电路的构建，从而实现自激振荡。
在振荡器、发射机等电子设备中都有广泛应用。
4. 电流稳定源: 三极管可以作为电流稳定源，提供一个稳定且可控的电流。
这在一些需要精确电流控制的电路中特别有用。
结论通过了解三极管的定义、结构、工作原理和应用领域，我们可以看到三极管在电子电路中的重要性和多功能性。
npn与pnp作开关三极管 -回复
npn与pnp作开关三极管-回复在介绍NP矩阵与PNP开关三极管之前，我们先来了解一下晶体管的基本原理。
晶体管是一种半导体器件，常用于放大电信号、开关电路和控制电路。
它由三个区域组成：发射区、基区和集电区。
其中，PNP晶体管有两个N型半导体区域，夹着一个P型半导体区域，而NPN晶体管则是两个P型区域夹着一个N型区域。
这些晶体管具有不同的作用和应用。
本文将详细介绍NP(Negative Positve)矩阵和PNP开关三极管的工作原理、应用和使用方法。
一、NP矩阵的工作原理NP矩阵是由NPN和PNP晶体管组成的，其中NPN晶体管和PNP晶体管根据不同的应用位置而连接。
在NP矩阵中，有两个输入端和一个输出端。
当输入端的信号为高电平时，NPN晶体管导通，而PNP晶体管截止；当输入端的信号为低电平时，NPN晶体管截止，而PNP晶体管导通。
因此，输出端的信号与输入端的信号正好相反。
二、NP矩阵的应用NP矩阵常用于电路中的开关和放大电路，可以实现信号的反相。
在数字电路中，NP矩阵可以作为逻辑门的构建基础。
其结构简单，使用方便，广泛应用于电子设备、通信设备和计算机硬件中。
三、PNP开关三极管的工作原理PNP开关三极管的工作原理和一般PNP晶体管相似。
它由两个P型半导体区域夹着一个N型半导体区域构成。
当没有外部输入电流流过时，PNP 开关三极管处于截止状态，集电极和发射极之间没有电流流动。
当外部电流流经基极时，PNP开关三极管会导通，集电极和发射极之间形成一个导通通路，电流可以从电源流到负载。
四、PNP开关三极管的应用PNP开关三极管常用于电路中的开关控制和放大电路。
在开关控制应用中，PNP开关三极管可以用来控制其他器件的通断，实现电路的开闭。
在放大电路应用中，PNP开关三极管可以放大低电平信号，输出更大幅度的电信号。
五、NP矩阵与PNP开关三极管的使用方法1. 连接电路：将NPN和PNP晶体管按照NP矩阵或PNP开关三极管的连接方式连接到电路中。
晶体管的作用与应用范围
晶体管的作用与应用范围晶体管，又叫“晶体三极管”，是20世纪50年代后期诞生的一种电子元器件，被誉为半导体器件的“明珠”。
晶体管具有放大、开关、振荡等功能，广泛应用于各种电子电器设备中。
本文将介绍晶体管的作用和应用范围，并探讨其在现代社会中的重要性。
一、晶体管的作用晶体管是一种半导体元件，它由三个掺杂不同材料（P型半导体、N型半导体和P型半导体）的晶片构成，常用的晶体管结构是PNP型和NPN型。
当晶体管的火蜥蜴结束呈现一个低阻状态时，晶体管就被视为“导通”状态，允许大电流流过它。
而当火蜥蜴开始恢复到一个高阻状态时，晶体管就被视为“截止”状态，电流就不再流过它。
晶体管的主要作用是放大电信号（电流或电压），以及控制电信号。
在放大电流和电压的过程中，晶体管能够将微弱的信号放大到足以应用的水平，以便驱动其他电路和设备。
在晶体管的控制下，可以用极小的电流控制大电流，从而实现对电路的精确控制。
二、晶体管的应用范围1.计算机器：晶体管是计算机的重要组成部分，它被用来创建和维护许多现代计算机中的逻辑门，这种逻辑门被用来实现计算、运算和存储数据。
2.放大器：晶体管已广泛应用于各种放大器中，如收音机和电视机。
在这些设备中，晶体管作为接收器和放大器。
它被用来接收信号，放大信号，并将信号传递到电视和音响设备中。
3.模拟电路：晶体管是各种模拟电路中广泛应用的重要部分。
模拟电路通常用于模拟真实世界中的信号，并将信号转换为数字或其他形式的电信号。
晶体管可以帮助控制这些信号，并确保它们以一种可控的方式传递。
4.计时器：晶体管被广泛应用于各种计时器中，如钟表等。
晶体管能够以计时器的形式工作，以实现在给定时间间隔内执行任务的能力。
它可以通过将一个晶体管的输出信号与一个计时器相结合来创建一个精确的计时器。
5.军事通信：晶体管在各种军事通信设备中使用广泛。
军用通信设备必须能够在不同的条件下信号传递，并且必须能够在极端环境下稳定运行。
晶体管可以帮助实现这些特性，并确保通信系统在任何时间都能够正常运行。
晶体三极管的开关电路和放大电路的工作过程
晶体三极管的开关电路和放大电路的工作过程晶体三极管是一种重要的半导体器件，常用于电子学中的开关和放大电路中。
它具有高频特性、低噪声以及较高的放大能力，因此被广泛应用于各种电子设备中。
下面我们来详细了解晶体三极管在开关电路和放大电路中的工作原理和过程。
一、晶体三极管的基本结构及工作原理晶体三极管由发射极、基极和集电极组成，通过控制发射极电流来实现对集电极电流的调控。
当在基极端加上一个小信号电压时，将使发射极与基极之间的耗尽层宽度发生变化，进而改变发射极电流，从而达到放大电压信号的目的。
1. 晶体三极管在开关电路中的工作过程晶体三极管可以作为一个二极管开关，用来控制电路的通断。
当在基极端加上一个正电压时，将使发射极-基极间的耗尽层封锁，导通电流，此时处于导通状态；当在基极端加上一个反向偏置电压时，将使发射极-基极间的耗尽层扩大，截至电流，此时处于截至状态。
晶体三极管可以根据基极端的输入信号来控制电路的开关状态。
2. 晶体三极管在放大电路中的工作过程晶体三极管可以作为放大器使用，用来放大小信号电压。
在放大电路中，通过在基极端施加一个交流信号电压，使得发射极-基极之间的电流产生相应变化，从而得到经放大的输出信号。
晶体三极管的放大能力由其电流放大倍数β来决定，β值越大，放大能力越强。
二、晶体三极管的开关电路和放大电路设计1. 晶体三极管开关电路设计晶体三极管开关电路常用于数字电路中，可以实现逻辑门、计数器等功能。
设计开关电路时需要合理选择电阻、电容等元件参数，以保证电路的稳定性和可靠性。
还需要注意控制信号的功率和频率范围，以满足具体应用的需求。
2. 晶体三极管放大电路设计晶体三极管放大电路常用于模拟电路中，可以实现音频放大、射频放大等功能。
设计放大电路时需要考虑输入输出阻抗的匹配、电压和电流的偏置设置、负载电阻的选择等因素，以提高电路的放大性能和线性度。
三、晶体三极管在实际电路中的应用晶体三极管广泛应用于各种电子设备中，如放大器、收音机、电视机、电脑等。
晶体管的三种工作状态及其使用
晶体管的三种工作状态及其使用
晶体管的输出特性曲线中可将晶体管分为三个工作区，即截止区、放大区和饱和区。
从晶体管的三个工作区域可以看到，晶体管主要有电流放大作用，放大区是三极管在信号放大电路中使用的区域;而截止区和饱和区则是在逻辑电路中广泛使用。
在截止区工作时，相当于CE间断开，而在饱和区工作时，C日间电压Uc很小，相当于导通。
即当丽体管交替地工作在截止和饱和导通状态时,集一射极间相当于一个开关，并且是相当于受基极电流I控制的开关，如同受线圈电流控制的继电器触点一样。
I很小或为0时，晶体管截止，相当于开关断开;而控制I较大时，晶体管饱和，相当于开关接通。
晶体管的开关作用广泛应用于脉冲数字电路，也应用于控制系统作电子开关。
它是一种无触点开关，工作频率高，速度快，寿命长。
无任哪种使用区域，晶体管的主要参数,特别是集电极最大允许耗散功率Pcm集电极最大允许电流IcM、集一射极反向击穿电压U(BRCEO 等参数要控制在一定范围内，确保晶体管的工作安全。
另外，由于晶体管受温度影响大，使用环境要充分考虑。
《晶体三极管及其开关作用核心素养目标教学设计、教材分析与教学反思-2023-2024学年高中通用技术
《晶体三极管及其开关作用》导学案导学目标：1. 了解晶体三极管的基本结构和工作原理。
2. 掌握晶体三极管的放大和开关作用。
3. 能够应用晶体三极管进行电路设计和实验操作。
导学内容：一、晶体三极管的基本结构和工作原理1. 晶体三极管的结构：晶体三极管由三个掺杂不同的半导体材料组成，分别是发射极、基极和集电极。
2. 晶体三极管的工作原理：当在基极端加上一个小的输入信号时，就可以控制从发射极到集电极的电流，实现信号放大的功能。
二、晶体三极管的放大作用1. 放大作用：晶体三极管可以放大输入信号的幅度，使得输出信号比输入信号大很多倍。
2. 放大倍数：晶体三极管的放大倍数取决于其工作状态和外部电路的设计。
三、晶体三极管的开关作用1. 开关作用：晶体三极管可以在两个状态之间切换，即导通和截止状态，实现电路的开关功能。
2. 开关电路设计：通过合理设计晶体三极管的外部电路，可以实现各种不同的开关功能。
导学步骤：第一步：进修晶体三极管的基本结构和工作原理，了解其放大和开关作用。
第二步：通过实验操作，观察晶体三极管在不同工作状态下的电流变化，验证其放大和开关功能。
第三步：设计一个简单的晶体三极管电路，实现一个小型的LED灯的开关控制，体会晶体三极管在电路中的应用。
第四步：总结本节课的进修内容，回答相关问题，稳固对晶体三极管的理解和应用。
课后作业：1. 阅读相关资料，进一步了解晶体三极管的特性和应用。
2. 设计一个新颖的晶体三极管电路，实现一个有趣的功能。
3. 思考晶体三极管在摩登电子产品中的应用，并写出一篇小论文。
导学案参考资料：1. 《晶体管原理及应用》2. 《电子技术基础》3. 《晶体管电路设计手册》希望通过本节课的进修，同砚们能够深入了解晶体三极管的特性和应用，掌握其在电路设计中的重要作用，为将来的进修和钻研打下坚实的基础。
祝大家进修顺利！。
8050三极管参数
8050三极管参数题目：8050三极管参数简述与应用导语：在电子电路领域，三极管是一种常见的电子元件，其广泛应用于放大、开关等电路中。
本文将深入探讨8050三极管的参数特性以及其在电路中的应用，帮助读者更好地理解和使用该元件。
一、8050三极管概述8050三极管是一款NPN型晶体管，具有较高的电流放大倍数和较低的饱和压降。
其结构由三个半导体区域组成：发射区、基区和集电区。
在晶体管的工作过程中，发射区与基区之间存在正向偏置，而基区与集电区之间则存在反向偏置。
二、8050三极管参数解读1. 最大集电电流（ICmax）：它表示三极管能够承受的最大集电电流。
超过该电流值，三极管可能会损坏，因此在使用时应该确保电流不超过该限制。
2. 最大集电-发射电压（VCEOmax）：它表示三极管在集电极与发射极之间能够承受的最大电压。
当超过这个电压时，三极管可能发生击穿，导致失效或损坏。
3. 最大功耗（Pmax）：它表示三极管能够承受的最大功率。
超过该功率值，三极管可能过热并损坏。
4. 直流电流放大倍数（hFE）：它表示输入电流与输出电流之间的倍数关系。
高hFE值意味着三极管具有较好的放大性能。
三、8050三极管的应用1. 放大电路：由于8050三极管具有较高的电流放大倍数，常用于放大电路中。
通过合理选择电阻和电容，可以构建各种放大电路，如B类放大电路和C类放大电路。
2. 开关电路：8050三极管还可作为开关元件使用。
在电路中，通过控制输入信号的变化，可以将三极管从导通状态切换到截止状态，或者反之。
这种开关能力使8050三极管在数字电路和模拟电路中得到广泛应用。
3. 振荡电路：利用三极管的正反馈特性，8050三极管还可以用于构建振荡电路。
该振荡电路可以在特定频率范围内产生稳定的信号输出。
结语：通过对8050三极管的参数和应用进行简要介绍，我们可以看到，它作为一款常见的晶体管元件，在电子电路中发挥着重要的作用。
了解三极管的参数特性并合理应用，能够帮助我们设计和调试电路，使电子设备工作更加稳定和高效。
PNP三极管工作原理
PNP三极管工作原理PNP三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于电路设计和电子设备中。
它是一种双极型晶体管，由三个不同掺杂的半导体材料构成，包括两个P型半导体材料和一个N型半导体材料。
本文将详细介绍PNP三极管的工作原理及其在电路中的应用。
一、PNP三极管的结构PNP三极管由三个区域组成，分别是发射区（E区）、基区（B区）和集电区（C区）。
发射区和集电区为P型半导体材料，基区为N型半导体材料。
这种结构使得PNP三极管具有特殊的电流放大功能。
二、PNP三极管的工作原理PNP三极管的工作原理可以通过两种模式来解释：放大模式和截止模式。
1. 放大模式当PNP三极管处于放大模式时，发射极与基极之间的电压为正，而基极与集电极之间的电压为负。
在这种情况下，发射区的P型半导体中的空穴会向基区的N 型半导体中扩散。
同时，基区的N型半导体中的电子会向发射区的P型半导体中扩散。
这种扩散过程导致基区形成一个电子空穴复合区域，即电子和空穴重新结合。
这个过程会形成一个窄的耗尽区域，阻挠电流流动。
当一个外部电流通过集电极流入PNP三极管时，由于发射区的P型半导体中的空穴向基区扩散，基区的N型半导体中的电子会被推入集电区的P型半导体中。
这样，集电区的电流会增加，并且与基极电流成正比。
因此，PNP三极管能够将小的输入电流放大为较大的输出电流。
2. 截止模式当PNP三极管处于截止模式时，发射极与基极之间的电压为负，而基极与集电极之间的电压为正。
在这种情况下，发射区的P型半导体中的空穴会被吸引到基区的N型半导体中，而基区的N型半导体中的电子会被吸引到集电区的P型半导体中。
这样，电流无法流动，PNP三极管处于截止状态。
三、PNP三极管的应用PNP三极管在电路设计中有多种应用。
以下是一些常见的应用场景：1. 放大器PNP三极管可用作放大器，将小的输入信号放大为较大的输出信号。
通过控制基极电流，可以调节输出信号的增益。
2. 开关PNP三极管也可用作开关，控制电路的通断。
《晶体三极管及其开关作用导学案-2023-2024学年高中通用技术地质版2019》
《晶体三极管及其开关作用》导学案第一课时一、导入晶体三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。
它具有放大、开关等功能，在摩登电子技术中扮演着重要的角色。
本节课将重点介绍晶体三极管的结构、工作原理及其在电路中的应用。
二、进修目标1. 了解晶体三极管的基本结构和工作原理。
2. 精通晶体三极管的放大和开关特性。
3. 能够应用晶体三极管设计简易的电路。
三、进修内容1. 晶体三极管的结构和符号表示。
2. 晶体三极管的工作原理。
3. 晶体三极管的放大特性。
4. 晶体三极管的开关特性。
5. 晶体三极管在电路中的应用。
四、进修过程1. 观看视频：观看晶体三极管的结构和工作原理的相关视频，加深对知识点的理解。
2. 进修笔记：勤勉阅读教材，做好笔记，重点精通晶体三极管的结构、工作原理和特性。
3. 小组谈论：分成小组谈论晶体三极管的放大和开关特性，共同探讨晶体三极管在电路中的应用。
4. 试验操作：通过试验操作，验证晶体三极管的放大和开关特性，并设计简易的电路进行实践。
5. 沉思提问：老师提出问题，引导同砚沉思，加深对晶体三极管知识的理解和应用。
五、教室互动1. 同砚提问：同砚可以就晶体三极管的相关知识提出问题，共同谈论解决。
2. 知识分享：同砚可以分享自己的进修心得和体会，增进知识的沟通和共享。
3. 实践操作：同砚可以在试验操作中亲自动手，加深对晶体三极管知识的理解和精通。
六、课后作业1. 完成晶体三极管相关的习题和试验报告。
2. 设计一个简易的电路，应用晶体三极管实现特定功能。
3. 总结本节课的进修内容，写出自己的心得体会。
七、拓展延伸1. 深度了解晶体三极管的其他特性及其在电子电路中的更广泛应用。
2. 参与相关竞争或科技活动，提升对晶体三极管知识的实际应用能力。
八、小结通过本节课的进修，信任同砚们对晶体三极管的结构、工作原理及其在电路中的应用有了更深度的了解。
期望同砚们能够在实践操作中加深对知识的理解，提升自己的电子技术能力。
什么是晶体管及其作用
什么是晶体管及其作用晶体管，也被称为晶体三极管或晶体二极管，是一种半导体器件，广泛应用于电子电路中。
它是现代电子技术的基石，具有重要的作用。
一、晶体管的结构和工作原理晶体管由三个掺杂不同材料的半导体层构成：发射区（Emitter）、基极区（Base）和集电区（Collector）。
发射区和集电区之间被一个非导体的薄层隔离，称为基座（Substrate）。
晶体管有两种基本的工作模式：放大模式和开关模式。
在放大模式下，晶体管可以放大输入信号的电流或电压，并将其输出。
在开关模式下，晶体管可以控制电流流过或不流过，从而实现电路的开关功能。
当外加电压作用于基极-发射结时，发射区的电子被注入基极区，形成电子云。
这些电子继续通过基极区，进入集电区。
这时，基极区的电流即为输出电流。
通过控制基极电流或基极电压，可以调节晶体管的输出电流，从而达到放大或开关的效果。
二、晶体管的作用1. 放大作用晶体管可以放大电流和电压信号。
它可以将微弱的输入信号经过放大后，输出一个较大的信号。
这使得晶体管在无线通信、音频放大、视频显示等领域具有广泛应用。
2. 开关作用晶体管可以作为开关使用，控制电流的通断。
当基极电流或电压达到一定阈值时，晶体管进入饱和或截止区域，电流不再流动或流动。
这使得晶体管在数字电路中实现逻辑运算、计时、存储等功能。
3. 控制作用晶体管可以通过控制其基极电流或基极电压，实现对电路的精确控制。
晶体管的特性使得它在电子设备中起到了重要的调节和控制作用，如电压稳压、电流限制等。
4. 集成作用晶体管的微小尺寸和低功耗特性，使得它可以集成到芯片中。
通过大规模的晶体管集成电路（IC），我们可以实现复杂电子系统的功能，如计算机、手机、数字电视等。
总结：晶体管是一种重要的半导体器件，具有放大、开关、控制和集成等多种功能。
它在现代电子技术中扮演着重要的角色，推动了电子设备的发展和进步。
通过学习晶体管的结构和工作原理，我们可以更好地理解和应用电子电路中的晶体管。
详解npn三极管的原理和应用
详解npn三极管的原理和应用一、npn三极管的原理npn三极管（NPN Transistor，NPN: Negative-Positive-Negative）是一种常见的双极型晶体管，属于半导体器件的一种。
它由两个P型半导体夹一个N型半导体构成。
以下是npn三极管的工作原理：1.基本结构：npn三极管由Emitter（发射极）、Base（基极）和Collector（集电极）三个区域组成。
NPN的发射极是N型半导体，Base是P 型半导体，Collector是N型半导体。
2.工作原理：当正向偏置电压(VBE)施加在Base和Emitter之间时，电流开始流动，因为N型发射极区域的多数载流子向P型基区域移动。
这被称为发射级。
当Collecto极施加一个正向电压(VCE)时，集电极区域的大多数载流子也向基区域移动。
这个区域称为集电级。
3.放大特性：npn三极管是一种放大器，输入电流的改变可以通过控制输出电流来放大。
这种放大效应是由于发射级和集电级之间的关系产生的。
二、npn三极管的应用npn三极管有很多应用，包括以下几个方面：1. 放大器npn三极管可以作为电流放大器，将小信号放大到更大的电流。
通过调节输入电流，可以控制输出电流的放大倍数。
这使得npn三极管可以在许多电子设备中用作声音放大器、电视和无线通信设备等。
2. 开关由于npn三极管具有电流放大特性，它也可以用作开关。
当基极-发射极间的电压(VBE)达到一定的阈值时，三极管会打开，导通电流。
当电压低于阈值时，三极管关闭，断开电流。
这使得npn三极管能够在数字电路中用作开关，实现许多逻辑电路。
3. 震荡器npn三极管可以构成震荡器，用于产生特定频率的振荡信号。
这种振荡器常用于无线电和通信设备中。
4. 温度传感器由于npn三极管的输入电流和输出电流之间有温度相关的特性，故npn三极管可以用作温度传感器。
温度变化会导致npn三极管的电流变化，通过测量这种变化可以获得温度信息。
什么是三极管它在电路中的应用有哪些
什么是三极管它在电路中的应用有哪些三极管是一种常见的电子元件，也被称为双极型晶体管（BJT）。
它是一种半导体器件，常用于电路中的放大、开关、调节及稳压等功能。
本文将详细介绍什么是三极管，以及它在电路中的各种应用。
一、什么是三极管三极管是一种由P型半导体和N型半导体组成的三层结构。
它包括一个发射极（Emitter）、一个基极（Base）和一个集电极（Collector）。
发射极和基极之间有一层非常薄的绝缘层，称作基极结（Base Junction），而基极和集电极之间有一层较厚的绝缘层，称作集电极结（Collector Junction)。
三极管有两种类型，分别是NPN型和PNP型。
NPN型三极管的发射极和基极是N型的，而集电极是P型的；PNP型三极管则相反。
它们的结构和工作原理类似，只是有些电流方向和电压极性上的差异。
三极管的工作原理基于PN结的正向和反向偏置。
当基极结处于正向偏置时，发射极和集电极之间形成一个低电阻通路，三极管处于导通状态；当基极结处于反向偏置时，发射极和集电极之间形成一个高电阻区域，三极管处于截止状态。
二、三极管在电路中的应用1. 放大器三极管最常见的应用是作为放大器。
它可以将弱小的电信号放大成较大的电流或电压信号。
在放大器电路中，输入信号通过基极输入，而输出信号则从集电极输出。
三极管的放大作用可用于音频放大器、射频放大器等各种放大器电路中。
2. 开关三极管还可作为电路的开关。
当三极管处于截止状态时，电路中没有输出；而当三极管处于导通状态时，电路中有输出。
通过控制三极管的输入信号可以实现电路的开关功能。
例如，三极管在计算机内存芯片中作为开关用于控制数据的读取和写入。
3. 调节与稳压三极管还可以用于电路的调节与稳压。
通过控制输入信号的大小和频率，可以实现对电路输出的调节。
三极管的稳压功能可通过采用特定的电路设计和外部连接元件实现，例如稳压二极管（Zener Diode）和电压调节器。
晶体三极管(BJT)的开关特性
晶体三极管（BJT）的开关特性
BJT的开关作用对应于触点开关的”断开”和”闭合”。
如图1(a)所示为一个共发射极晶体三极管开关电路。
图1 BJT的开关工作状态
图4.2.1(a)中BJT为NPN型硅管。
电阻Rb为基极电阻，电阻Rc为集电极电阻，晶体三极管T的基极b起控制的作用，通过它来控制开关开闭动作，集电极c及发射极e形成开关两个端点，由b极来控制其开闭，c.e两端的电压即为开关电路的输出电压vO。
当输入电压vI为高电平时，晶体管导通，
相当于开关闭合，所以集电极电压vc≈0，即输出低电平，而集电极电流
iC≈VCC/RC。
当输入电压vI为低电平时，由图可见，晶体管截止，相当于开关断开，所以得集电极电流iC≈0，而集电极电压vc≈VCC，即输出为高电平。
这就是晶体三极管的理想稳态开关特性。
晶体三极管的实际开关特性决定于管子的工作状态。
晶体三极管输出特性三个工作区，即截止区、放大区、饱和区,如图4.2.1(b)所示。
如果要使晶体三极管工作于开关的接通状态，就应该使之工作于饱和区；要使晶体三极管工作于开关的断开状态，就应该使之工作于截止区，发射极电流iE=0，这时晶体三极管处于截止状态，相当于开关断开。
集电结加有反向电压，集电极电流iC=ICBO，而基极电流iB=-ICBO。
说明三极管截止时，iB并不是为0，而等于-ICBO。
基极开路时，外加电源电压VCC使集电结反向偏置，发射结正向偏置晶体三极管基极电流iB=0时，晶体管并未进入截止状态，这时iE=iC =ICEO还是。
三极管开关原理
三极管开关原理三极管是一种常用的电子器件，广泛应用于电子电路中。
三极管可以作为开关使用，其开关原理是通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流传输，从而实现电路的开关功能。
本文将介绍三极管开关的原理及其在电子电路中的应用。
三极管是一种由三个掺杂不同的半导体材料组成的器件，分别是发射极、基极和集电极。
在三极管工作时，通过控制基极电流的大小，可以控制集电极和发射极之间的电流传输，从而实现对电路的控制。
当基极电流为零时，三极管处于截止状态，集电极和发射极之间的电流无法传输，电路处于断开状态；当基极电流为一定数值时，三极管处于饱和状态，集电极和发射极之间的电流可以传输，电路处于闭合状态。
三极管开关的原理可以用一个简单的电路来说明。
假设有一个LED灯，我们希望通过三极管来控制LED灯的开关。
我们可以将LED灯接在三极管的集电极和电源正极之间，将三极管的基极接在控制电路上，通过改变控制电路的电压来控制基极电流的大小。
当控制电路输出高电平时，基极电流足够大，三极管处于饱和状态，LED灯亮起；当控制电路输出低电平时，基极电流为零，三极管处于截止状态，LED灯熄灭。
通过这样的方式，我们可以实现对LED灯的开关控制。
除了在简单的LED灯控制电路中，三极管开关还可以在很多其他电子电路中发挥作用。
例如，在数字电子电路中，三极管开关可以用来实现逻辑门的功能，通过组合不同的三极管开关电路，可以实现与门、或门、非门等逻辑功能。
在模拟电子电路中，三极管开关可以用来实现放大器、振荡器等电路的功能。
总之，三极管开关原理是通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流传输，从而实现电路的开关功能。
通过合理的电路设计和控制，三极管开关可以在各种电子电路中发挥重要的作用，是电子技术中不可或缺的一部分。
希望本文的介绍能够帮助大家更好地理解三极管开关原理及其在电子电路中的应用。
晶体三极管及其开关应用
双极型晶体三级管的开关应用
• 晶体管的开关速度
晶体管的开关速度与工作条件有关，4个开关时间中，ts与Vcc关系较小， 其它3个时间与Vcc有关，尤其与Ic关系很大。图为MMBT5401的开关时 间。
双极型晶体三级管的开关应用
• 提高晶体管开关速度的方法
– 适当增大集电极电流，即减小集电极电阻。
上升时间、下降时间的减小可以认为是时间常数RcCob的减小。
•
小信号（交流）特性
– – 小信号（交流）电流增益hfe ，规定Vce、Ic和信号频率 特征频率fT(即小信号电流增益带宽积，或小信号电流增益降为1时的 频率)
–
– –
输出电容Cobo，规定Vcb，e开路，规定测试频率
输入电容Cibo，规定Veb，c开路，规定测试频率 噪声系数NF
双极型晶体三级管主要参数
晶体三极管及其开关应用
成继勋
2010年8月
内容提要
• 双极型晶体三级管 –类型 –伏安特性 –主要参数 –开关应用 • 光耦电路 • 场效应晶体三极管 –类型 –输出特性和转移特性 –主要参数 • 热阻、功耗(热流量)和温差(升) –开关应用
双极型晶体三级管的类型
• • • • 材料：锗germanium，硅silicon 结构（极性）PNP、NPN 生产工艺：合金型、平面（扩散）型、外延型 应用特性： – 小功率（＜0.5W）、中功率（0.5~5W）、大 功率（≥5W） – 低频、高频、超高频 – 通用目的、开关、高压等
当开关频率在几十KHz以下时，饱和区损耗是主要部分，驱动不足，功耗增大； 几百KHz以上时，开关损耗上升为主要部分。 大功率开关不宜采用射极输出。
双极型晶体三级管的开关应用
• 复合晶体管功率开关
三极管控制mos
三极管控制mos三极管控制MOS引言：三极管和MOS是电子领域中常用的两种器件，它们在电路中扮演着重要的角色。
本文将重点介绍如何使用三极管来控制MOS，探讨其原理和应用。
一、三极管和MOS的基本原理1. 三极管（双极型晶体管）：三极管是一种三端器件，包括基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。
它的工作原理是基于PN结的导电特性。
通过控制基极电流，可以调节集电极与发射极之间的电流放大倍数。
2. MOS（金属氧化物半导体）：MOS是一种有源器件，包括栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。
它的工作原理是基于金属氧化物半导体结构的电场控制特性。
通过调节栅极电压，可以控制漏极与源极之间的电流。
二、三极管控制MOS的原理三极管可以作为MOS的控制器件，通过控制三极管的工作状态来控制MOS的导通情况。
具体原理如下：1. 基本连接方式：将三极管的集电极与MOS的栅极相连，三极管的发射极与MOS 的源极相连，MOS的漏极与负载电阻相连。
此时，三极管的基极电流变化将影响MOS的栅极电压，从而控制MOS的导通或截断。
2. 工作状态：当三极管的基极电流为零或很小时，三极管处于截断状态，MOS的栅极电压为正，MOS导通，电流流过负载电阻。
当三极管的基极电流增大时，三极管处于饱和状态，MOS的栅极电压为负，MOS截断，电流不再流过负载电阻。
3. 控制信号：通过改变三极管的基极电流，即控制信号，可以实现对MOS的控制。
可以使用不同的控制信号来控制三极管的饱和和截断，从而实现对MOS的导通和截断。
三、三极管控制MOS的应用三极管控制MOS的原理和应用非常广泛，下面将介绍一些常见的应用场景。
1. 开关电路：通过三极管控制MOS的导通和截断，可以实现开关电路的控制。
例如，可以将三极管与MOS串联，用于控制高功率负载的开关，如电机控制、照明控制等。
2. 放大电路：三极管具有电流放大的特性，可以将输入信号放大后控制MOS的导通。
这种放大电路广泛应用于音频放大器、射频放大器等领域。
三极管饱和状态下调整发射极电阻会让基极电位升高吗？晶体三极管的放大作用和开关作用
三极管饱和状态下调整发射极电阻会让基极电位升高吗？晶体三极管的放大作用和开关作用三极管饱和状态下调整放射极电阻会转变基极电位在某种上升，直到它脱离饱和状态才有效果。
假如仍旧在饱和区好像没有一点意义。
由于三极管在共放射极放大电路中有三种状态，即截止区、放大区和饱和区。
晶体三极管的放大作用和开关作用一个PN结有单向导电的特性,根据肯定工艺制造的两个PN结,它就能起放大作用和开关作用。
当放射结上加较小的正向电压(即P为正,N 为负),集电结上加较大的反向电压(即P为负,N为正),这时三极管内部电流根据肯定的规律流淌，以PNP型晶体管为例,放射极在正向电压作用下流出的电流很简单穿过薄薄的一层基极被集电极较大的负电压拉过去构成集电极电流我,只有很少一部分(约百分之几)才从基极流出构成基极电流。
由此可见,很小的基极电流对应于较大的集电极电流,当I越大,根据肯定比例I也越大,也就是说I的微小变化就会引起I有较大变化,这就是三极管的放大作用。
NPN型晶体管原理是一样的,只是电压的极性和电流的方向与PNP型晶体管相反。
三极管放大区的条件，放射结正偏V≥0.7V，集电结反偏V0.3V:这样才能满意三极管正向受控作用，满意I=βI+I条件。
晶体三极管当基极电流I在不同数量范围内(也就是放射极-基极电压U在不同数量范围内),晶体管的性能就发生急剧变化。
以共放射极电路为例,三极管的工作状态对应于不同的I(或U)可分为三种,其特点和数量关系如下图表所示。
其中放大状态起着放大作用,截止和饱和状态便起着开关作用。
晶体三极管的上述三种工作状态也可以在其共放射极输出特性曲线上表示。
所谓共放射极输出特性就是在某一给定基极电流I下,集电极电流I 和集电极→放射极电压U的关系,如图上图所示。
依据表的对应关系, 同样可以把曲线分成截止区、放大区和饱和区。
在放大区内，I的变化可引起I按比例的变化，称为放大区的线性部分；而靠近截止区或饱和区的部分，I和I不是按比例变化，称为放大区的非线性部分。
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直耦电路优于复合管电路之处：可以有更低的 饱和电压Vce(sat)；有较高的增益（前级不必 深度饱和），降低驱动电流。
直耦电路与复合电路形式上的的区别：前者的 负载是独立的，后者是双管共有的。
–
双极型晶体三级管的开关应用
• 例：电机驱动电路
双极型晶体三级管的开关应用
• 例：电机驱动电路，考察C相
1 Woff on Vcc I cmton 6
Vcesat Ices
Vce toff ton
t
1 Wsw Won off Woff on Vcc I cm (ton toff ) 6
双极型晶体三级管的开关应用
• 功率开关电路
– 晶体管开关的功耗 总功耗为
Pc
Wc 1 1 [Vcesat I cmt sat Vcc I cm (ton toff )] T T 6
ib (μA)
临界饱和线 iC
U =1 UCE=0 CE UCE=10
பைடு நூலகம்
击穿区 iB=iB iB=iB 4 i =i B B 3 iB=iB 2 iB=iB
1 5
U（BR）EBO
饱和区
uBE
ICBO＋ICEO 截止区
U（BR）CEO uCE
iB=-ICBO
双极型晶体三级管 伏安特性
放大区有以下两个特点： 基极电流对集电极电流有很强控制作用； 恒流特性
Ic(Q13)=150mA，令Ic(Q9)=15mA,查hFEmin(Q9) =25 问题：R20、R21、R28的位置？基极限流电阻的大小即驱动大小够否? R65=(24-1)V/15mA=1.5K Ib(Q9)=15mA/25×2=1.2mA （过驱动倍数N=2） R22=(5-1)V/1.2mA=3.3K
温度影响：硅管每升高8℃，增加1倍，锗管每升高12℃，增加1倍
*集电极截止电流Iceo （穿透电流）， b开路，规定Vce。（近似 Iceo= Icbo×hFE） *集电极截止电流Ices （穿透电流）， be短路，规定Vce。 Iceo＞ Ices 发射极（反向）截止电流Iebo， e开路，规定Veb
双极型晶体三级管 伏安特性
• • 共发射极输入ube-ib伏安特性，类似二极管伏安特性 共发射极输出特性：uce-ic伏安特性（ib为参变量）
– 放大区 ：发射结为正向偏置（大于PN结的导通电压ubeon ）、集电结为反向偏
置的工作区域为放大区，对NPN硅管，ube≥ ubeon（约0.5~0.6V）， uce ≥ ube 。
晶体三极管及其开关应用
成继勋
2010年8月
内容提要
• 双极型晶体三级管 –类型 –伏安特性 –主要参数 –开关应用 • 光耦电路 • 场效应晶体三极管 –类型 –输出特性和转移特性 –主要参数 • 热阻、功耗(热流量)和温差(升) –开关应用
双极型晶体三级管的类型
• • • • 材料：锗germanium，硅silicon 结构（极性）PNP、NPN 生产工艺：合金型、平面（扩散）型、外延型 应用特性： – 小功率（＜0.5W）、中功率（0.5~5W）、大 功率（≥5W） – 低频、高频、超高频 – 通用目的、开关、高压等
双极型晶体三级管的开关应用
• 例：电机驱动电路分析，考察C相
查得1815的Icbo=0.1μA（Ta=25℃），则105 ℃时为0.1mA，所以 R21=1V/0.1mA=10K 在BCW68G/66G的数据手册中查不到Icbo，但有Iebo和Ices，它们的值接 近，可参考。Ta=25 ℃时， Iebo和Ices均为20nA，则108 ℃时为20μA， 可得R20=1V/0.02mA=50K，取10K是可以的。
– 增加加速电容（一般几百至几千pF） Vin跳变时，C1能瞬间提供一个较大 的电流，加速开关过程。 – 在b、c极间加肖特基二极管D1箝位 肖特基二极管的正向压降为0.3~0.4V， 维持b、c间电压为0.3~0.4V，降低晶 体管导通时的饱和深度（维持在临界 饱和状态），从而减小存储时间。
双极型晶体三级管的开关应用
合晶体管电路， Q2的 Vce(sat)大于1.3V，不 宜用于大功率场合。见 右下图。
双极型晶体三级管的开关应用
• 双（多）管直接耦合功率开关
– 同极性晶体管和互补晶体管直耦电路如右图。
–
– – –
同极性晶体管共射直耦电路中，Q2基极不需 加限流电阻，R3就有限流作用（上图）。
中图有电压反相作用。第一级为射极输出，必 须加限流电阻R3。 互补晶体管直耦电路中必需加限流电阻R3 。 大功率开关管基极限流电阻的大小可以用强制 β为10左右来计算。
电气特性（环境温度25 ℃）u
• 开关特性（一般只有开关管才列出）
– 延迟时间td
t
晶体管截止，基极加正偏电压时,发射区的电子进入空间电荷区,使空间电荷区变窄，然后 发射区开始向基区发射电子，晶体管开始导通。这个过程所需要的时间称为延迟时间。
–
上升时间tr
经过延迟时间td后，发射区不断向基区注入电荷，电荷在基区积累，并向集电区扩散，形 成集电极电流iC。随着基区电荷浓度的增加，iC不断增大。iC上升到最大值的90%所需要 的时间称为上升时间tr
•
小信号（交流）特性
– – 小信号（交流）电流增益hfe ，规定Vce、Ic和信号频率 特征频率fT(即小信号电流增益带宽积，或小信号电流增益降为1时的 频率)
–
– –
输出电容Cobo，规定Vcb，e开路，规定测试频率
输入电容Cibo，规定Veb，c开路，规定测试频率 噪声系数NF
双极型晶体三级管主要参数
当开关频率在几十KHz以下时，饱和区损耗是主要部分，驱动不足，功耗增大； 几百KHz以上时，开关损耗上升为主要部分。 大功率开关不宜采用射极输出。
双极型晶体三级管的开关应用
• 复合晶体管功率开关
– 同极性晶体管复合和互 补晶体管复合如右上图。 Q2的Vce(sat)大于0.7V
–
采用射极输出(Q1)的复
双极型晶体三级管的开关应用
• 晶体管的开关速度
晶体管的开关速度与工作条件有关，4个开关时间中，ts与Vcc关系较小， 其它3个时间与Vcc有关，尤其与Ic关系很大。图为MMBT5401的开关时 间。
双极型晶体三级管的开关应用
• 提高晶体管开关速度的方法
– 适当增大集电极电流，即减小集电极电阻。
上升时间、下降时间的减小可以认为是时间常数RcCob的减小。
• • •
双极型晶体三级管主要参数
电气特性（环境温度25 ℃） 注意测试条件
•
不同的参数给出最小值和/或典型值和/或最大值 关态特性
集电极-基极（反向）击穿电压BVcbo，e极开路即Ie=0，规定Ic（例如 100μA）。 – 集电极-发射极（反向）击穿电压BVceo， b极开路即Ib=0 ，规定Ic（例如 1mA），开关管常规定Icp（例如300μs,2%,10mA)。 – 发射极-基极（反向）击穿电压BVebo， c极开路即Ic=0 ，规定Ie（例如 10μA） 由于相应的3个极限参数与以上3个参数的最小值相同，故有时不再列出 – – – – 集电极（反向）截止电流Icbo， e开路，规定Vcb –
晶体管饱和时，hFE急剧减小，因此公式中的hFE应取手 册中的最小hFE值除以N倍，通常取N=2~5
Ib Ic hFE N ,即 Ib N Ic hFE
N一般称为过驱动倍数。实际上， hFE在这里已无意义，实际的
Ic Ib
称为强制β
双极型晶体三级管的开关应用
• 基本电路-共发射极开关电路 – R2的作用：在截止状态，使Icbo通过R2旁路。如果没有 R2， Icbo穿过发射结形成Iceo，温度高时可能误导通。 – R2的取值可以这样估算:在数据手册上查得25℃的Icbo， 按升高8℃增1倍的规律求得最高工作温度下的Icbo*,则
• 右图的电路可用单 片机的一个I/O脚驱 动（注意I/O脚的负 载能力）
双极型晶体三级管的开关应用
光耦电路
• 光耦类型 – 输入侧：发光二极管 – 输出侧： • 三极管（BJT）型 • 达林顿（复合BJT）型 • 可控硅型：单向、双向、过零触发双向 • 集成电路型（高速）：TTL输出、CMOS 输出 光敏元件为光敏二极管 • 线性光耦
– 击穿区： uce> u(BR)CEO
双极型晶体三级管主要参数
极限参数
• • • • • • • 集电极-基极（反向）电压Vcbo，下标o表示第三个电极开路。 集电极-发射极（反向）电压Vceo，低于Vcbo 发射极-基极（反向）电压Vebo，一般为4~6V 集电极电流Ic（DC或连续） 集电极电流Icp（脉冲峰值，规定脉宽和占空比，例如300μs,2%） 基极电流Ib 集电极功率耗散Pc（或器件总功率耗散PD） – 环境温度25℃,可带散热器的中、大功率管同时规定壳温25℃时的 Pc；表贴管一般规定PCB面积,大功率管可能规定散热器面积(注意 注释内容) – 同时规定大于25℃时的降额（W/ ℃) 结温Tj，硅管一般为150 ℃，少数200 ℃ 热阻，结到环境,结到外壳。 储存温度范围：一般-55~150 ℃，少数至200 ℃
iC基本上不随uCE变化，即对uCE变化而言， iC具有恒流性
– 饱和区：发射结为正向偏置（大于PN结的导通电压ubeon ） 、集
电结也正向偏置的工作区域 对NPN硅管，ube≥ ubeon（约0.7V）， uce ≤ ube
– 截止区：发射结为反向偏置（实际上只需小于PN结的导通电压
ubeon ） 、集电结也反向偏置的工作区域
• 功率开关电路
– 晶体管开关的功耗 晶体管开关的功耗等于截止期的功耗，饱和期的功耗，开、关期的功 耗之和。 uce ic 一个开关周期内的能耗为：