AN-6076 供高电压栅极驱动器IC 使用的自举电路的设计和使用准则

自举电容的电荷总量通过等式 4 计算：
QTOTAL = QGATE + (ILKCAP + ILKGS + IQBS + ILK + ILKDIODE) ⋅ tON + QLS
(4)
其中：
QGATE = 栅极电荷的总量 ILKGS = 开关栅 - 源级漏电流； ILKCAP = 自举电容的漏电流； IQBS = 自举电路的静态电流； ILK = 自举电路的漏电流； QLS= 内部电平转换器所需要的电荷，对于所有的高压栅 极驱动电路，该值为 3nC ；
Ls2 RG2
ifree
Q2 㓁⌕䏃ᕘ
使用说明书
2.4 VS 引脚产生负电压的原因
如图 5 所示，低端续流二极管的前向偏置是已知的将 VS 下低到 COM （地）以下的原因之一。
主要问题出现在整流换向期间，仅仅在续流二极管开始 箝压之前。
在这种情况下，电感 LS1 和 LS2 会将 VS 压低到 COM 以 下，甚至超过如上所述的位置或正常稳态。
(5)
其中：
ICHARGE = 自举电容的充电电流； RBOOT= 自举电阻；和 tCHARGE= 自举电容的充电时间 ( 低端导通时间 )
自举电容 CBOOT，通过自举二极管 DBOOT，被电源 VDD 瞬间充电。
由于 VDD 电源以地作为基准，自举电容产生的最大电压 等于 VDD 加上源极上的负电压振幅。
Ⳉ⌕⑤
HIN LIN
RBOOT
DBOOT
VB
VDD
HO
HIN
LIN
VS
CIN
COM
LO
RG1 Q1 催ッ݇
CBOOT
Ls1 iLoad
VDD
VB
DBS
COM
VS
ᷙᵕ偅ࡼ఼
图 9. 情况 1：理想自举电路
䕧ܹ VB VS
䕧ߎ
ֵো϶༅䯂乬
催 V BS
GND
图 8. 信号丢失情况下的波形
图 10. 情况 1 的 VB 和 VS 波形
© 2008 飞兆半导体 Rev. 1.0.0 • 6/8/09
3
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IN
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VB
UVLO
HO
RR
ాໄ⍜䰸఼
S
Q
VS
图 1. 高端驱动集成电路的电平转换器
2.2 自举式驱动电路工作原理
自举式电路在高电压栅极驱动电路中是很有用的，其工
作原理如下。当 VS 降低到 IC 电源电压 VDD 或下拉至地 时 （低端开关导通，高端开关关断），电源 VDD 通过自 举电阻， RBOOT，和自举二极管， DBOOT，对自举电容 CBOOT，进行充电，如图 2 所示。当 VS 被高端开关上拉 到一个较高电压时，由 VBS 对该自举电容充电，此时， VBS 电源浮动，自举二极管处于反向偏置，轨电压 （低 端开关关断，高端开关导通）和 IC 电源电压 VDD，被隔 离开。

AN-6076
供高电压栅极驱动器 IC 使用的自举电路的设计和使用准则
1. 引言
本文讲述了一种运用于功率型 MOSFET 和 IGBT 设计高 性能自举式栅极驱动电路的系统方法，适用于高频率， 大功率及高效率的开关应用场合。不同经验的电力电子 工程师们都能从中获益。在大多数开关应用中，开关功 耗主要取决于开关速度。因此，对于绝大部分本文阐述 的大功率开关应用，开关特性是非常重要的。自举式电 源 是 一 种 使 用 最 为 广 泛 的，给 高 压 栅 极 驱 动 集 成 电 路 (IC) 的高端栅极驱动电路供电的方法。这种自举式电源 技术具有简单，且低成本的优点。但是，它也有缺点， 一是占空比受到自举电容刷新电荷所需时间的限制，二 是当开关器件的源极接负电压时，会发生严重的问题。 本文分析了最流行的自举电路解决方案；包括寄生参 数，自举电阻和电容对浮动电源充电的影响。
VB VS
VB ᥹䖥 COM VBS ๲ࡴ
GND
图 13. VB 和 VS 的典型响应
准确地说，任何一种极限情况都是流行的，检验如下。
如果 VS 过冲持续时间超过 10 个纳秒，自举电容 CBOOT 被 过 充 电，那 么 高 端 栅 极 驱 动 器 电 路 被 过 电 压 应 力 破
坏，因为 VBS 电压超过了数据表指定的绝对最大电压 (VBSMAX) 。设计一个自举电路时，其输出电压不能超过 高端栅极驱动器的绝对最大额定电压。
䕧ܹ
䕧ߎ
䯁䫕䯂乬
图 7. 闭锁情况下的波形
使用说明书
2.6 考虑闭锁效应
最完整的高电压栅极驱动集成电路都含有寄生二极管， 它被前向或反向击穿，就可能导致寄生 SCR 闭锁。闭锁 效应的最终结果往往是无法预测的，破坏范围从器件工 作时常不稳定到完全失效。栅极驱动集成电路也可能被 初次过压之后的一系列动作间接损坏。例如，闭锁导致 两输出驱动同时置于高态，造成交叉传导，从而导致开 关故障，并最终使栅极驱动器集成电路遭受灾难性破 坏。如果功率转换电路和 / 或栅极驱动集成电路受到破 坏，这种失效模式应被考虑成一个可能的根本原因。下 面的理论极限可用来帮助解释 VS 电压严重不足和由此产 生闭锁效应之间的关系。
3. 自举部件的设计流程
3.1 选择自举电容
自举电容 (Cboot) 在低端驱动器导通，输出电压低于栅极 驱动器的电源电压 (VDD) 时每次都被充电。自举电容仅 当高端开关导通的时候放电。自举电容给高端电路提供
电源 (VBS)。首先要考虑的参数是高端开关处于导通时， 自举电容的最大电压降。允许的最大电压降 (VBOOT) 取决 于要保持的最小栅极驱动电压 （对于高端开关） 。如果
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假想自举电源被理想浮动电源替代，如图 11 所示，这 时， VBS 在任何情况下都是恒定的。注意利用一个低电 阻辅助电源替代自举电路，就能实现这种情况。这时， 如果 VS 过冲超过数据表 (datasheet) 规定的最大 VBS 电 压，闭锁危险就会发生，因为寄生二极管 DBCOM 最终沿 COM 端到 VB 方向导通，如图 12 所示。
VCC
VCC
VB
DBCOM
COM
VS
ᷙᵕ偅ࡼ఼
图 11. 情况 2：理想浮动电源
VB VS
VB ԢѢ COM
GND
图 12. 情况 2 的 VB 和 VS 波形
一 种 实 用 的 电 路 可 能 处 在 以 上 两 种 极 限 之 间，结 果 是 VBS 电压稍微增大，和 VB 稍低于 VDD，如图 13 所示。
例如：如果 VDD=15V， VS 下冲超过 10V，迫使浮动电 源电压在 25V 以上，二极管 DBS 有被击穿的危险，进而 产生闭锁。
如果 VS 电压下冲没有超过规定的绝对最大额定值，栅极 驱动 IC 不会受到损害。然而，当 VS 处于如图 8 所示的 下冲状态时，高端输出不会对输入转换作出响应。在这 种情况下，高端栅极驱动电路的电平转换器不会受到工 作电压余量不足的影响。需要注意的是，大多数事实证 明高端通常不需要在一个开关动作之后立即改变状态。
该负电压的放大倍数正比于寄生电感和开关器件的关断 速度， di/dt ；它由栅极驱动电阻， RGATE 和开关器件的 输入电容， Ciss 决定。 Cgs 和 Cgd 的和，称为密勒电容。
VCC 䕧ܹ
CDRV
DBOOT
VDC
IN VDD GND
HVIC
VB
CBOOT
Q1
HO
A
B RGATE
VS
C
LS1 C
LS2
GND
- VS
D1
iLOAD iFree
V COUT
OUT
图 5. 降压转换器 图 6 描述了高端 N 沟道 MOSFET 关断期间的电压波形。
图 3. 半桥式应用电路
HIN
t
VS -COM
-VS
t
㓁⌕
图 4. 关断期间的 VS 波形
A⚍
VBS
B⚍ C⚍ VGS=B-C П䯈
VDC+VGSˈᆚࢦ VDC
2. 高速栅极驱动电路
2.1 自举栅极驱动技术
本节重点讲在不同开关模式的功率转换应用中，功率型 MOSFET 和 IGBT 对自举式栅极驱动电路的要求。当输 入电平不允许高端 N 沟道功率型 MOSFET 或 IGBT 使用 直接式栅极驱动电路时，我们就可以考虑自举式栅极驱 动技术。这种方法被用作栅极驱动和伴发偏置电路，两 者都以主开关器件的源极作为基准。驱动电路和偏置电 路 都 在 相 对 于 器 件 源 极 的 两 个 输 入 电 压 之 间 摆 动。但 是，驱动电路和它的浮动偏置可以通过低压电路实现， 因为输入电压不会作用到这些电路上。驱动电路和接地 控制信号通过一个电平转换电路相连。该电平转换电路 必须允许浮动高端和接地低端电路之间存在高电压差和 一定的电容性开关电流。高电压栅极驱动 IC 通过独特的 电 平 转 换 设 计 差 分 开。为 了 保 持 高 效 率 和 可 管 理 的 功 耗，电平转换电路在主开关导通期间，不能吸收任何电 流。对于这种情况，我们经常使用脉冲式锁存电平转换 器，如图 1 所示。
VGSMIN 是最小的栅 - 源极电压，电容的电压降必须是：
Δ VBOOT = VDD − VF − VGSMIN
(2)
其中：
VDD = 栅极驱动器的电源电压；和 VF = 自举二极管正向电压降 [V]
计算自举电容为：
CBOOT
=
QTOTAL ΔVBOOT
(3)
其中 QTOTAL 是电容器的电荷总量。
间等于高端导通时间 （占空比 50%）。根据不同的自举
电容值，使用以下的等式：
ΔV B O O T
=
-Q----T---O----T---A----LCBOOT