晶向、晶面及晶带

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2.晶向指数[u v w]确定步骤: ① 建立一个右手空间直角坐标系,在待测晶向上确定两个点的坐 标。 ② 用终点的坐标减去起点的坐标,得到沿各坐标轴方向上的数值。 ③ 将其按比例化为最小的整数。 ④ 将此整数放在一个方括号[u v w]中。若有负号,将负号标在该 数字的上方。
如[121]表示
第2章 晶体学基础
参考教材: The Science and Engineering of
Materials
目录
晶体及其基本性质 晶向、晶面及晶带 晶体的间隙 晶体的缺陷 晶体的投影 倒易点阵
2
2.2 晶向、晶面及晶带
1、晶向与晶向指数 2、晶面与晶面指数 3、面间距、晶面夹角和晶带理论 4、间隙
B (001)
C (110)
D
D (011/2)
O
C
Y
_ AB: [10_1] BC: [1_11] AD: [221]
2020年12月15日1时10分
给出晶向指数,如何画出该晶向? 例:在立方晶格中画出[012]和[123]晶向?
Z
[0l2]
O
X
[0l2]
10
Y
0, 1/2, 1 2020年12月15日1时10分
(1)平行的晶面组成晶面族,晶面族包含所有格点; (2)晶面上格点分布具有周期性; (3)同一晶面族中的每一晶面上,格点分布(情况)相同; (4)同一晶面族中相邻晶面间距相等。
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2.晶面指数(hkl)确定步骤: ① 以晶胞的某一阵点为原点,以过原点的晶轴为坐标轴,以点阵常
数a,b,c为三个坐标轴的长度单位,建立一个空间直角坐标系。 但原点应位于待定晶面之外,以避免出现零截距。 ① 找出待定晶面在三轴的截距,如果该晶面与某轴平行,则截距为 无穷大。 ② 求出晶面在三个坐标轴上的截距x,y,z,对所求截距取倒数得 1/x,1/y,1/z; ③ 将它们按比例化成三个最小的整数h,k,l; ④ 再将它们放在一个圆括号中即得该晶面的晶面指数(hkl)。如 果有存在负号,将负号标在该数字的上方。
u 1, v 2, w 1
Coordinates of selected points in the
unit cell. The number refers to the
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distance from the origin in terms of
lattice parameters.
例题:确定图1-18中A,B和C方向的晶向指数
Z
[123-]
X
1/3, 2/3, -1
Y
O1
O
P
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注意: 晶向是一个矢量,有方向的区别; 一个晶向跟它的倍数是相同的; 对于高对称性的晶体来说,晶体学上等价的晶向具有相似的晶向指数。
这些等价的晶向构成的集合,称为晶向族 。也就是互相不平行而原子 排列规律相同的晶向的集合; 在立方体中有,沿立方边的晶列一共有6个不同的晶向,由于晶格的 对称性,这6个晶向并没有什么区别,晶体在这些方向上的性质是完 全相同的,统称这些方向为等效晶向,写成<100>; 同一晶向族中的指数相同,只是排列顺序或符号不同; 立方晶系中的一些重要的晶向族有6种轴向<100>、12种面对角线方向 <110>、8种体对角线方向<111>和顶点到面心的方向<112>。
0.51125nm 因此,线密度也可以看成是阵点间距的倒数。 线致密度=线密度×2r 。 线致密度=线密度×2r =3.91×2×0.12781=1 说明原子沿[110]晶向相互接触(面心立方晶胞的最密排方向)。
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二、晶面及晶面指数
1.晶面
在晶格中,通过任意三个不在同一直线上的格点作一平面,称为 晶面,描写晶面方位的一组数称为晶面指数。
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一、晶向及晶向指数
1.晶向: 通过晶格中任意两个格
点连一条直线称为晶列, 晶列的取向称为晶向,描 写晶向的一组数称为晶向 指数(或晶列指数 miller indices)。
过一格点可以有无数晶 列。
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晶列的特点: (1)平行晶列组成晶列族,晶列族包含所有的格点; (2)晶列上格点分布是周期性的; (3)晶列族中的每一晶列上,格点分布都是相同的; (4)在同一平面内,相邻晶列间的距离相等。
晶向 A
1.两点坐标分别为(1, 0, 0) and(0, 0, 0) 2. (1, 0, 0) - (0, 0, 0) =( 1, 0, 0) 3. 已为最小的整数,记作 [100]
晶向B
1.两点坐标分别为(1, 1, 1) and (0, 0, 0) 2. (1, 1, 1) -(0, 0, 0) = (1, 1, 1) 3.已为最小的整数,记作 [111]
晶向C
1.两点坐标分别为(0, 0, 1) and (1/2, 1, 0) 2. (0, 0, 1) -(1/2, 1, 0) = (-1/2, -1, 1)
3. 2(-1/2, -1, 1) = -1, -2, 2,记作 [ 122]
练习1:确定图中AB,BC和AD的晶向指数
A
X
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Z
B
A (100)
Determining the repeat distance, linear density, and packing fraction for [110] direction in FCC copper.
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例:已知Cu是FCC晶胞结构,晶格常数a = 0.36451 nm,计算 晶胞中[110]晶向的阵点距离、线密度和线致密度?
[100]
[001] [010] [100]
[010] [001]
100 [100] [010] [001][100][0 10][00 1]
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来自百度文库
2020年12月15日1时10分
3. 阵点间距、线密度和堆垛密度
阵点间距(repeat distance):沿晶向方向阵点之间的距离。 线密度(liner density):沿一个方向单位长度上相同阵点的数目。 线堆垛密度(线致密度):某个晶向上的原子所占的长度的比例。
对于FCC晶胞中[110]晶向,起点设在0,0,0位置,下一个阵点在 面心,即1/2,1/2,0的位置。因此,阵点间的距离是面对角线的 一半,等于 1 2a 。铜的晶格常数为0.36151nm,可以算出阵点 间距为0.25562nm。
铜的面心立方晶胞[110]晶向有2个重复距离,为 2a 0.51125nm 线密度= 2 =3.91阵点/nm
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