半导体材料发展情况

1、硅材料

从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（CZ - Si）单晶的直

径和减小微缺陷的密度仍是今后CZ－Si 发展的总趋势。目前直径为8 英寸（200mm ）的Si 单晶已实现大规模工业生产，基于直径为12英寸（300mm ）硅片的集成电路（IC‘s）技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前300mm , 0.18阿工艺的硅ULSI生产线已经投入生产，300mm , 0.13阿工艺生产线也将在2003年完成评估。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在实验室研制成功，直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。

从进一步提高硅IC‘S 的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。另外，SOI 材料，包括智能剥离（Smart cut ）和SIMOX材料等也发展很快。目前，直径8英寸的硅外延片和SOI 材料已研制成功，更大尺寸的片材也在开发中。

理论分析指出30nm 左右将是硅MOS 集成电路线宽的“极限”尺寸。这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制问题，更重要的是将受硅、SiO2 自身性质的限制。尽管人们正在积极寻找高K 介电绝缘材料（如用Si3N4等来替代SiO2 ），低K介电互连材料，用Cu代替Al 引线以及采用系统集成芯片技术等来提高ULSI 的集成度、运算速度和功能，但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。为此，人们除寻求基于全新原理的量子计算和DNA 生物计算等之外，还把目光放在以GaAs、InP 为基的化合物半导体材料，特别是二维超晶格、量子阱，一维量子线与零维量子点材料和可与硅平面工艺兼容GeSi 合金材料等，这也是目前半导体材料研发的重点。

2、GaAs 和InP 单晶材料

GaAs 和InP 与硅不同，它们都是直接带隙材料，具有电子饱和漂移速度高，耐高温，抗辐照等特点；在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。

目前，世界GaAs 单晶的总年产量已超过200 吨，其中以低位错密度的垂直梯度凝固法（VGF）和水平（HB ）方法生长的2 —3英寸的导电GaAs衬底材料为主；近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径（4，6和8英寸）的SI —GaAs 发展很快。美国莫托罗拉公司正在筹建6英寸的SI—GaAs 集成电路生产线。InP 具有比GaAs 更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径3英寸以上大直径的InP 单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。

GaAs 和InP 单晶的发展趋势是：

（ 1 ）。增大晶体直径，目前4英寸的SI—GaAs 已用于生产，预计本世纪初的头几年直径为6英寸的SI—GaAs 也将投入工业应用。

（ 2 ）。提高材料的电学和光学微区均匀性。

（ 3 ）。降低单晶的缺陷密度，特别是位错。

（4）。GaAs和InP单晶的VGF生长技术发展很快，很有可能成为主流技

术。

3、半导体超晶格、量子阱材料

半导体超薄层微结构材料是基于先进生长技术（MBE，MOCVD ）的新一代人工构造材料。它以全新的概念改变着光电子和微电子器件的设计思想，出现了“电学和光学特性可剪裁” 为特征的新范畴，是新一代固态量子器件的基础材料。

（1）川一V族超晶格、量子阱材料。

GaAIAs／GaAs，GaInAs ／GaAs，AIGaInP ／GaAs；GalnAs／InP，

AlInAs

/ InP InGaAsP /InP等GaAs、InP基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得

相当成熟，已成功地用来制造超高速，超高频微电子器件和单片集成电路。高电

子迁移率晶体管（HEMT）,贋配高电子迁移率晶体管（P-HEMT ）器件最好水平已达fmax=600GHz，输出功率58mW，功率增益6.4db ;双异质结双极晶体管（HBT）的最高频率fmax也已高达500GHz , HEMT逻辑电路研制也发展很快。基于上述材料体系的光通信用1.3阿和1.5阿的量子阱激光器和探测器，红、黄、橙光发光二极管和红光激光器以及大功率半导体量子阱激光器已商品化; 表面光发射器件和光双稳器件等也已达到或接近达到实用化水平。目前，研制高质量的1.5阿分布反馈（DFB）激光器和电吸收（EA）调制器单片集成InP基多量子阱材料和超高速驱动电路所需的低维结构材料是解决光纤通信瓶颈问题的关键，在实验室西门子公司已完成了80 X40Gbps传输40km的实验。另外，用于制造准连续兆瓦级大功率激光阵列的高质量量子阱材料也受到人们的重视。

虽然常规量子阱结构端面发射激光器是目前光电子领域占统治地位的有源

器件，但由于其有源区极薄（〜0.01阿）端面光电灾变损伤，大电流电热烧毁和光束质量差一直是此类激光器的性能改善和功率提高的难题。采用多有源区量子级联耦合是解决此难题的有效途径之一。我国早在1999 年，就研制成功980nm InGaAs 带间量子级联激光器，输出功率达5W 以上; 2000 年初，法国汤姆逊公司又报道了单个激光器准连续输出功率超过10瓦好结果。最近，我国的科研工作者又提出并开展了多有源区纵向光耦合垂直腔面发射激光器研究，这是一种具有高增益、极低阈值、高功率和高光束质量的新型激光器，在未来光通信、光互联与光电信息处理方面有着良好的应用前景。

为克服PN 结半导体激光器的能隙对激光器波长范围的限制，1994 年美国

贝尔实验室发明了基于量子阱内子带跃迁和阱间共振隧穿的量子级联激光器，突破了半导体能隙对波长的限制。自从1994年InGaAs /InAlAs / InP量子级联激光器（QCLs）发明以来，Bell实验室等的科学家，在过去的7年多的时间里，QCLs 在向大功率、高温和单膜工作等研究方面取得了显着的进展。2001 年瑞士Neuchatel大学的科学家采用双声子共振和三量子阱有源区结构使波长为9.1卩m的QCLs的工作温度高达312K，连续输出功率3mW.量子级联激光器的工作波长已覆盖近红外到远红外波段（3-87 ^m ），并在光通信、超高分辨光谱、超高灵敏气体传感器、高速调制器和无线光学连接等方面显示出重要的应用前景。

中科院上海微系统和信息技术研究所于1999年研制成功120K 5叩和250K 8卩m的量子级联激光器；中科院半导体研究所于2000年又研制成功3.7阿室温准连续应变补偿量子级联激光器，使我国成为能研制这类高质量激光器材料为数不多的几个国家之一。

目前，m-V族超晶格、量子阱材料作为超薄层微结构材料发展的主流方向，正从直径3英寸向4英寸过渡；生产型的MBE 和M0CVD 设备已研制成功并投入使用，每台年生产能力可高达3.75 X104片4英寸或1.5 X104片6英寸。英国卡迪夫的MOCVD 中心，法国的Picogiga MBE 基地，美国的QED 公司，Motorola 公司，日本的富士通，NTT，索尼等都有这种外延材料出售。生产型MBE和MOCVD 设备的成熟与应用，必然促进衬底材料设备和材料评价技术的发展。

（2）硅基应变异质结构材料。

硅基光、电器件集成一直是人们所追求的目标。但由于硅是间接带隙，如何提高硅基材料发光效率就成为一个亟待解决的问题。虽经多年研究，但进展缓慢。人