无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计

目录

生产工艺 (4)

1前言

碳化硅（SiC）在自然界中几乎不存在，所以SiC是人工合成材料。随后在陨石中偶然发现SiC 化合物的存在。1893年美国人Acheson首先用SiO2碳还原法（SiO2+3C=SiC+2CO(g)）人工合成SiC粉末，该法至今仍是碳化硅粉体合成机材料制备的主要方法，其后又出现了硅-碳直接合成法、气相沉积法、激光法、有机前驱体法等，所以碳化硅（SiC）陶瓷是以SiC 为主要成分的陶瓷制品。

SiC有着的化学稳定性好，但SiC本身很容易氧化，在SiC表面形成一层二氧化硅薄膜，进而氧化进程逐步被阻碍。高纯度的SiC一般用于制造高性能陶瓷与电热元件，纯度大于％的SiC绝大部分用于制造磨料与耐火材料。而制备得SiC陶瓷具有很高的硬度、高温强度高、抗氧化性好、耐腐蚀和良好的热导率等优点，因此成为重要的高温陶瓷材料。SiC陶瓷是非氧化物陶瓷中抗氧化性能最好的一种。碳化硅陶瓷不仅在高新技术领域发挥着重要的作业，而且在冶金、机械、能源和建材化工等热门领域也拥有广阔的市场。

SiC有两种主要的晶型：一种是β-SiC，有类似于闪锌矿结构的立方晶系结构；另一种是α-SiC，是类似于纤锌矿的六方晶系结构。通常情况下β-SiC和α-SiC之间的转化是不可逆的，但是在2000℃一下合成的SiC主要是β-SiC，在2200℃以上可以合成α-SiC。SiC在不同物理化学环境下能形成不同的晶体结构，这些成分相同，形态，构造和物理特性有差异的晶体称为同质多相变体，目前已经发现的SiC多相变体有200多种。SiC是非常强的共价键化合物，其晶体结构的基本结构是配位四面体，通过定向的强四面体SP键结合在一起，并有一定程度的极化，主要区别在于SiC四面体的堆积次序不同。

SiC是共价键材料，很难烧结。传统的SiC耐火材料和发热体一般是采用添加硅酸铝质或者高铝质材料作为结合剂来进行烧结，但是致密度不高，强度和其他力学性能也不好。经过近一二十年的发展有着以下工艺：（1）反应结合SiC；（2）无压烧结SiC；（3）热等静压烧结SiC；其中无压烧结SiC工艺，在微米级别的SiC粉体中加入适量的助烧剂（如：B、C、Al等），混磨均匀后，可根据制品成型要求成型，然后在2100-2200℃的气氛中、1atm下烧结，可以得到相对密度为96％-98％的制品[1]-[2]。故本实验采用无压烧结法。

我国是SiC原料生产大国，又具有广泛的工业和高技术需求，此外由于SiC制品的需求是覆盖整个材料的高、中、低档，有利于产业化和规模化，因此可以进行SiC制品的产业化开发和研制[3]。

2 工艺流程

工艺的选择

碳化硅陶瓷不仅具有很高的强度和硬度以及优异的抗热冲击能力，而且具有可靠地化学稳定性和抗蠕变性等特点。由于其化学键特点，碳化硅陶瓷在烧结时原子扩散速率很低，烧结驱动力小，不易烧结致密，必须引入烧结助剂或提高粉体烧结活性以及采用一些特殊工艺手段才能获取高致密的碳化硅陶瓷材料。在制备结构陶瓷过程中，素坯密度和微观均匀性将直接影响材料的烧结行为、陶瓷的微观结构和力学性能，而原料粉体颗粒形状、大小分布和流动性对其成型性能有着很大的影响。

粉料的制备［4］

喷雾干燥造粒工艺是将混合好的浆料直接喷雾到热空气中，在非常短的时间内干燥，避免了各组分的良团聚和沉降分离，保持了浆料原有的均匀性；同时浆料雾化均匀，得到的粒度分布均匀，流动性好，适合连续自动成型球形颗粒，从而有利于提高素坯的密度、均匀性和烧结性能；而且可以改善成型车间的空气质量，保护工人身体健康。故在本次试验中采用此工艺。

由于各种成分或添加剂的粒度、密度、分散性等各不相同, 为保证混料过程中各组分之间的均匀分散, 对混合过程的湿化学工艺和条件需要进行严格的控制。如果采用简单的混合-烘干- 过筛- 造粒工艺路线, 粉料质量将很难保证。本文中采用压力喷雾造粒的方式对SiC 粉体进行喷雾造粒处理.

成型方式

在特种陶瓷制品生产过程中, 成形是塑造制品形体的手段。用户对陶瓷制品的性能和质量要求各异, 这就使陶瓷制品的形状、大小、厚薄等不同, 因此, 成形方法是多种多样的。特种陶瓷的成形方法有多种, 如注浆成形法( 坯料含水量或含调和剂量＜38%) 、可塑成形法( 坯料含水量或含调和剂量＜26%) 、压制成形法( 坯料含水量或含调和剂量＜3%) 等。压制成形可分为干压成形( 粉料含水量为3%～7%) 和等静压成形( 粉料含水量为3%以下)，多用于圆形、片状、简单不规则形状部件的生产。

干压成形操作方法方便简洁, 技术、资金投入少, 但因其有压制制品形状简单、压制

受力不均、易变形等多种缺点, 所以一般与其他成形方法结合使用。冷等静压成形的坯体强度大、密度高而均匀, 可以成形长径比大、形状复杂的零件, 尤其可以实现坯体近、净尺寸成形, 在改善产品性能, 减少原料消耗, 降低成本等方面, 都具有显着的优点。结合上述两种成形方法的优点，一般采用干压结合冷等静压成型来获得更高性能的陶瓷产品。但由于本实验对性能要求不是很高且仅干压成型就可以满足要求，故本实验只采用了干压成型工艺对其成形。

烧结方式

碳化硅的烧结工艺可分为固相烧结和液相烧结。两种烧结工艺所得到的碳化硅陶瓷的结构及性能特点。如表2-1 所示，两种烧结方法的研究现状。

表2-1 固相烧结和液相烧结的结构特点

烧结类

型烧结温

度℃

力学性能结构断裂

传质方

式

固态烧

结﹥2000

断裂韧性较低，强度较高，

有较高的裂纹敏感性

晶粒粗大均匀性差

穿晶断

裂

扩散传

质

液相烧

结1850~2000 强度，断裂韧性较高晶粒细小，均匀成等轴晶状

沿晶断

裂

粘性流

动

固相烧结的缺点主要为: 需要较高的烧结温度(>2000℃)，对原粉材料的纯度要求较高, 并且烧结体断裂韧性较低, 有较强的裂纹强度敏感性, 在结构上表现为晶粒粗大且均匀性差, 断裂模式为典型的穿晶断裂。

液相烧结的烧结机理是以一定数量的多元低共熔氧化物为烧结助剂, 在高温下烧结助剂形成共熔液相, 使体系的传质方式由扩散传质变为粘性流动传质, 降低了致密化所需要的能量和烧结温度。同时,固熔体的形成引起晶格缺陷, 形成自由焓。由于碳化硅烧结温度较高, 在高温下碳化硅及其晶格振动更容易, 故自由焓随温度的升高而显着增大, 大大增加碳化硅内部空位, 活化碳化硅烧结度。固熔体能提高烧结体致密化速率, 降低晶粒粗化速率。液相烧结首先导致了材料在结构上的变化——晶粒细小均匀呈等轴晶状, 同时由于晶界液相的引入和独特的界面结合弱化, 材料的断裂也变为完全的沿晶断裂模式, 结果使材料的强度和韧性显着提高。

结合所要制得的器件的各项性能要求，固相烧结虽然缺点很多但可以满足要求在此采