死区时间的影响与形成
逆变器死区时间对永磁同步电动机系统的影响
I GB T 的集电极流到发射极 ,因此电流仍流过续流二
极管 ,如图 3 的 ④所示 。进入间隔 ⑤,左侧的上 I G2
B T 截止 ,下管子不能立即导通 ,这时仍由二极管续
流 ,当下侧管子的延时时间结束时 ,左侧下方的管子
导通 ,进入时间间隔 ⑥,输出电压变为 0 。
由以上分析可知 ,当电流 ia < 0 时 ,忽略寄生电
和直轴电流 。
根据式 (10) 对某永磁同步电动机系统进行仿真 ,
得到不同负载 ( iq) 情况下逆变器期望输出电压与电 机转速曲线 ,如图 8 所示 。考虑逆变器延时时间的永
进行分析就足够了 。图 2 和图 3 分别是电机一相负
载 H 桥结构逆变器的时序和拓扑电路示意图 。在图
2
中
,
V
a0表示期望的逆变器输出电压
,
V
+ aG
,
V
a-G分别
表示左侧桥臂上 、下功率开关管的门极驱动信号 ; V a
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在永磁同步电机系统中 ,电流调节器的输出与三 角波 (载波) 在比较器中比较后产生 SPWM 信号 ,经 过延时互锁和驱动电路后驱动功率器件 I GB T ,使逆 变器的输出电压很好地跟踪电流调节器输出 ,实现了 电机的准矢量控制[1 ,2 ] 。SPWM 逆变器的结构示意
收稿日期 :2000 04 24
12 微特电机 2001 年第 3 期
图如图 1 所示 。在一些文献中 ,把功率逆变器的作用 等效为一个放大环节 , 用增益 Ks 代替 。理想情况 下 ,逆变器一个桥臂的上下两个功率开关总是互补地 导通和关断 。为了防止上下开关瞬时的同时导通引 起直流母线电压的短路直通 ,在 I GB T 的门极驱动信 号引入比实际开关时间要长的延时时间 (也称为死区 时间) t d[3 ,4 ] 。死区时间的引入使逆变器的输出产生 死区效应 ,输出电压与期望的电压存在偏差 ,引起基 波电压的降低 ,并且使输出电压中产生谐波 。
mos管的死区时间 -回复
mos管的死区时间-回复Mosfet(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件,广泛应用于电子设备中。
它具有高开关速度和低功耗的特点,因此在数字电路和功率放大器中被广泛使用。
而Mosfet的死区时间(Dead Time)则是指在开关过程中,导通与关断之间的一段时间,它对于Mosfet的正常工作非常重要。
本文将一步一步地回答关于Mosfet死区时间的问题,并解释其影响和应对措施。
首先,让我们了解一下什么是Mosfet的死区时间。
在电子设备中,Mosfet 通常用于开关功率。
当信号输入到Mosfet时,它会切换导通或关断,从而控制电流的流动。
然而,由于Mosfet内部的电荷积累和释放过程需要一定的时间,无法实现一个瞬间的过渡,这就导致了死区时间的存在。
具体来说,在Mosfet的驱动电路中,由于开关过程的信号延迟,可能会出现导通和关断之间的重叠现象。
这种重叠存在的时间段就是死区时间。
如果在这段时间内,两个Mosfet同时导通,会导致电流突然过高,可能引发故障甚至损坏设备。
了解了Mosfet死区时间的定义后,接下来我们来探讨死区时间对Mosfet 工作的影响。
首先,较长的死区时间会导致Mosfet的开关速度变慢。
当信号需要在两个Mosfet之间切换时,等待死区时间会导致整体开关速度下降,影响电路的响应速度。
其次,死区时间还会影响Mosfet的功耗。
在死区时间内,两个Mosfet 同时导通,会产生短暂的短路电流,这会增加功耗。
当死区时间过长时,这种短路电流会频繁出现,导致功率损耗增加,降低电路的效率。
现在,对于Mosfet的死区时间,我们需要采取一些措施来应对。
首先,可以通过适当的设计来减小死区时间,以提高Mosfet的开关速度。
例如,选择合适的驱动电路和驱动信号,可以减少信号延迟,从而减小死区时间。
电荷泵死区时间
电荷泵死区时间电荷泵是一种将电荷从低电位输送到高电位的装置,用于产生高电压。
在电荷泵的工作过程中,存在着一个重要的参数,即死区时间。
本文将对电荷泵死区时间进行详细介绍。
一、电荷泵的工作原理电荷泵是一种基于电容器充电和放电的原理来实现电荷输送的装置。
它由一系列开关和电容器组成,通过不断地充电和放电来实现电荷的输送。
在充电过程中,电荷被输送到高电位端,而在放电过程中,电荷被释放到低电位端,从而实现电荷的输送。
二、电荷泵死区时间的定义电荷泵死区时间是指在电荷泵工作过程中,由于开关操作的延迟和电容器充放电的时间,导致电荷泵无法连续工作的时间间隔。
在这个时间间隔内,电荷泵无法继续将电荷输送到高电位端,从而影响了电荷泵的输出效果。
三、电荷泵死区时间的影响因素电荷泵死区时间受到多种因素的影响,包括开关操作的延迟时间、电容器充放电时间以及电荷泵的工作频率等。
其中,开关操作的延迟时间是主要的影响因素之一。
当开关操作的延迟时间较长时,电荷泵的死区时间也会相应增加。
此外,电容器充放电时间也会对死区时间产生一定的影响,充放电时间越长,死区时间越长。
另外,电荷泵的工作频率也会对死区时间产生影响,频率越高,死区时间越短。
四、电荷泵死区时间的影响电荷泵死区时间的增加会对电荷泵的输出效果产生一定的影响。
首先,死区时间会降低电荷泵的输出电压。
在死区时间内,电荷泵无法将电荷输送到高电位端,导致输出电压降低。
其次,死区时间的增加会降低电荷泵的输出效率。
由于死区时间的存在,电荷泵无法连续工作,导致输出效率降低。
此外,死区时间的增加还会增加电荷泵的功耗,降低其能效。
五、减小电荷泵死区时间的方法为了减小电荷泵死区时间,可以采取一些措施。
首先,可以通过优化开关电路设计来减小开关操作的延迟时间,从而降低死区时间。
其次,可以选择合适的电容器来减小其充放电时间,以达到减小死区时间的目的。
此外,还可以通过提高电荷泵的工作频率来减小死区时间。
六、电荷泵死区时间的应用电荷泵死区时间的大小对于电荷泵的输出效果和性能有着重要的影响,因此在电荷泵的设计和应用中需要对死区时间进行充分的考虑。
mos管的死区时间
mos管的死区时间MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管,具有高频和低功耗的特点,广泛应用于各种电子设备和电路中。
然而,MOS管在工作过程中存在一个重要参数——死区时间,这是影响其性能和稳定性的关键因素之一。
本文将对MOS管的死区时间进行探讨,并分析其原因和对电路设计的影响。
首先,让我们了解一下MOS管的基本结构和工作原理。
MOS管由金属氧化物半导体场效应管和金属-半导体接触组成,其中金属氧化物半导体场效应管的介电层充当绝缘层。
当施加电压至场效应管的栅极时,栅极下方的二维电子气被激发,形成一种称为沟道的导电路径,从而实现电流的控制。
当栅极电压为零时,由于介电层的存在,MOS 管被截止,电流无法通过。
然而,由于MOS管的结构和反应原理,它在切换时存在一定的延迟,这就是所谓的死区时间。
具体来说,当我们从导通状态切换到截止状态时,MOS管需要一段时间来收回已经形成的沟道,这个过程称为阻尼过程。
同样地,当我们从截止状态切换到导通状态时,MOS管也需要一段时间来重新形成沟道,这个过程称为恢复过程。
在这两个过程中,MOS管的死区时间就是指从一个状态切换到另一个状态所需的时间间隔。
MOS管的死区时间主要受到以下几个因素的影响。
首先是栅极电压的变化速度。
当栅极电压变化速度较慢时,MOS管的阻尼过程和恢复过程相对较短,死区时间也就相对较短。
但是,当栅极电压变化速度较快时,MOS管的阻尼过程和恢复过程相对较长,死区时间也就相对较长。
因此,要减小MOS管的死区时间,我们需要控制栅极电压的变化速度。
其次是MOS管中的内外电容。
MOS管的内电容是指沟道和栅极之间的电容,而外电容则是指沟道和外部环境之间的电容。
这两个电容在切换过程中会影响电荷传输速度,从而对死区时间产生影响。
一般来说,较大的内外电容会导致更长的死区时间,而较小的内外电容则会缩短死区时间。
因此,在设计MOS管电路时,我们应尽量减小内外电容的大小,以减小死区时间。
全桥开关管死区时间电压负的
全桥开关管死区时间电压负的问题分析一、引言在电力电子转换系统中,全桥电路因其高效率、大功率处理能力而广泛使用。
而在全桥电路中,开关管的开关动作是实现电能转换的关键。
然而,在实际应用中,由于死区时间的设置以及电压负的问题,全桥开关管可能会出现性能下降甚至损坏。
本文将深入探讨死区时间电压负对全桥开关管的影响,并提出相应的解决方案。
二、死区时间与电压负的概念死区时间是指在一个开关周期内,开关管关闭后再次打开或打开后再次关闭之间的时间间隔。
这个时间间隔是为了防止开关管在快速开关过程中发生过大的电压和电流应力,同时也是为了减小开关管之间的交叉导通损耗。
电压负则是指在死区时间内,全桥开关管的输入电压或输出电压出现的负值。
三、全桥开关管的工作原理全桥开关管通常由四个开关管组成,分为两组,每组两个开关管交替导通和关闭。
当一组开关管导通时,另一组开关管关闭,从而实现电能的转换。
在全桥电路中,开关管的快速切换是实现高效率电能转换的关键。
四、死区时间电压负对全桥开关管的影响死区时间电压负对全桥开关管的影响主要体现在以下几个方面:1.开关损耗增加:在死区时间内,由于电压负的出现,开关管实际上处于半导通状态。
这将导致额外的功率损耗,并降低电源转换效率。
2.温升问题:由于死区时间电压负导致的额外损耗,开关管的温度会升高,从而影响其工作性能和寿命。
3.电磁干扰:由于电压负的存在,电路中可能出现电磁干扰,影响电源的稳定性和其他电路元件的正常工作。
4.开关管损坏:在极端情况下,过大的电压负和相应的电流可能会直接导致开关管损坏。
五、解决方案与实验验证为了解决死区时间电压负对全桥开关管的影响,可以采取以下措施:1.优化死区时间:根据实际工作条件和开关管的特性,调整死区时间的设置。
既要保证开关管的保护,又要减小对电能转换效率的影响。
2.采用高性能的开关管:选择具有快速开关响应和高耐压能力的开关管,可以在一定程度上减小电压负的影响。
3.优化电路布局和布线:合理布置电路元件和优化布线,可以减小电磁干扰和降低电压负的影响。
死区时间
死区时间死区时间是PWM输出时,为了使H桥或半H桥的上下管不会因为开关速度问题发生同时导通而设置的一个保护时段。
由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容,所以会造成器件导通关断的延迟现象。
一般在设计电路时已尽量降低该影响,比如尽量提高控制极驱动电压电流,设置结电容释放回路等。
为了使igbt工作可靠,避免由于关断延迟效应造成上下桥臂直通,有必要设置死区时间,也就是上下桥臂同时关断时间。
死区时间可有效地避免延迟效应所造成的一个桥臂未完全关断,而另一桥臂又处于导通状态,避免直通炸模块。
死区时间大,模块工作更加可靠,但会带来输出波形的失真及降低输出效率。
死区时间小,输出波形要好一些,只是会降低可靠性,一般为us级。
IGBT在关断时的脉冲后沿因少数载流子的存储效应会产生一个较大的“拖尾”电流,因此所产生的关断能耗(Eoff)在早期产品中非常突出。
死区时间调整硬件解决方案摘要:针对不同厂家IPM要求的死区时间参数的不同,本文从硬件电路角度出发,提出一种延时电路方案,解决了因参数调整而引起软件的不统一问题,进而为MCU的大批量mask降低成本提供可能。
关键词: IPM 死区时间随着现代电力电子技术的飞速发展,以绝缘栅双晶体管(IGBT)为代表的功率器件在越来越多的场合得到广泛地应用。
IGBT是VDMOS与双极晶体管的组合器件,集MOSFET与GTR的优点于一身,既具有输入阻抗高,开关速度快,热稳定性好和驱动电路简单的长处,又具有通态电压低,耐压高和承受大电流的优点,特别适合于电机控制。
现代逐渐得到普遍推广的变频空调,其内部的压缩机控制单元就是采用以IGBT为主要功率器件的新型智能模块(IPM)。
IPM(智能功率模块)即Intelligent Power Module的缩写,它是将输出功率器件IGBT和驱动电路、多种保护电路集成在同一模块内,与普通IGBT相比,在系统性能和可靠性上均有进一步提高,而且由于IPM通态损耗和开关损耗都比较低,使散热器的尺寸减小,故整个系统的尺寸减小。
执行机构的死区名词解释
执行机构的死区名词解释引言:在现代科技的高速发展下,各种智能设备和机械装置广泛应用于生活和工作的方方面面。
而其中一个重要的概念就是“执行机构的死区”。
本文将对这一名词进行解释,并阐述其在工程设计和机械运动控制中的重要性。
正文:一、什么是执行机构的死区?执行机构的死区(Dead Zone of an Actuator),是指在执行机构(actuator)的运动范围内,存在着一定程度的空隙或无效运动区域。
它是由于执行机构的机械结构以及传感器和控制器的工作特性所导致的。
在这个死区内,执行机构对输入信号或控制命令不做出相应的运动。
二、死区的成因分析1. 机械结构:执行机构通常是由电机、减速器或其他传动机构组成。
在这些机械部件的精度和制造过程中,难免会存在一些制造误差,如摆动、松动等。
这些误差导致了机械结构的死区。
2. 传感器误差:传感器用于检测执行机构的实际运动,并将其转化为电信号传输给控制器。
然而,由于传感器的精度和灵敏度有限,它们在测量、传输数据时也可能存在误差,从而导致死区。
3. 控制器延迟:控制器是执行机构的“大脑”,负责接收输入信号或命令,并控制执行机构的运动。
然而,由于信号传输、计算处理以及控制输出的延迟等因素,控制器响应与执行机构之间可能存在一定的时间差,这也会造成死区。
三、死区对工程设计的影响1. 精度和稳定性:死区可能导致执行机构的运动精度下降,特别是在需要精确控制和定位的应用中。
当设备需要操作在死区内时,控制信号不会对执行机构产生影响,从而影响了精度和稳定性。
2. 响应速度:死区会使得执行机构对输入信号的响应产生滞后,延缓了其运动速度。
这对需要快速反应的应用,如机器人、自动化生产线等,可能造成不利影响。
3. 能效和寿命:在死区内,执行机构的运动是无效的,这会导致能源的浪费和机械部件的额外磨损。
长期来看,这可能影响设备的能效和使用寿命。
四、如何应对执行机构的死区1. 优化机械结构:在工程设计中,可以采用更高精度的机械部件,减少摆动和松动等问题,以减小机械结构的死区。
同步整流及 llc 死区时间 -回复
同步整流及llc 死区时间-回复同步整流及LLC 死区时间一、引言在现代电力电子应用中,同步整流器和LLC谐振反馈拓扑是两个重要的电路结构。
同步整流器是一种通过控制器调节功率开关器件的导通角度,以实现最佳输电功率输出的电路。
它使用了高效的导通角度控制方法,使得功率开关器件能够以很高的效率进行工作,提高功率转换效率和减少功率损耗。
LLC谐振反馈拓扑是一种采用谐振电路的方式来实现高效能量转换的电路,它具有很高的转换效率和宽范围的变换比,常用于直流-直流和直流-交流变换器中。
在同步整流器和LLC谐振反馈拓扑电路中,一个重要的参数是死区时间。
本文将介绍同步整流和LLC电路的基本工作原理,讨论死区时间对电路性能的影响,并提供优化死区时间的方法。
二、同步整流器的工作原理及死区时间同步整流器是一种将交流电转换为直流电的电路,它由多个功率开关器件和一个控制器组成。
在每个周期的导通角度上,控制器决定哪个功率开关器件进行导通,以实现最佳功率输出。
死区时间在同步整流器中是一个重要的参数。
它是指两个相邻开关器件在切换过程中禁止同时导通的时间间隔。
死区时间的存在是为了防止同时导通造成的短路和损坏功率开关器件。
合理设置死区时间可以提高同步整流器的工作效率和稳定性。
如果死区时间设置不当,会导致功率开关器件在切换过程中出现过大的电流冲击和电压跳跃,从而增加功率损耗、降低转换效率,甚至损坏功率开关器件。
因此,在同步整流器中,确定合适的死区时间对电路性能至关重要。
常用的优化死区时间的方法是根据电路的参数和分析仿真结果进行实验调试和调整。
三、LLC谐振反馈拓扑的工作原理及死区时间LLC谐振反馈拓扑是一种采用谐振电路的方式来实现高效能量转换的电路。
它由三个元件组成:电感、电容和负载。
在LLC谐振反馈拓扑中,负载的动态变化会影响电路的振荡频率和幅度。
如果没有合适的死区时间设置,谐振电路可能无法正确工作。
当信号的频率与谐振频率相同时,电流无法正确地通过电感和电容,导致电路性能下降。
逆变器死区时间对输出电压的影响分析
Uo 一 态 ( s , 3 V 2V 3 a 1 v 2VS 或 D , D 导通 ) … 0
D4
f) 电路 拓 扑 a丰
() b 单极 性 调 制波 形
图 1 单 相全桥式逆变器主 电路拓扑及其单极性调制波形
An l ss o h m pa to a tm e i I e t r n Ou putVo t e a y i ft e I c fDe d-i n nv r e s o t lag
Z HANG Ja —e g infn
(h nh i r eE u m , eerhIstt, h g a 20 3 , hn ) S ag a Mai q i e R sa tue S a h 0 0 1 C i n , U c ni n i a
t iu l a eo u u o aei vr d (nrae rdcesd t i p c t a sw lT eeo , eet n h v ta vl f t t lg s a e icesdo erae ) o m ath l d a e .hrfr t slc a e r u op vt i eo 1 eo
逆变器输 出电压的有效值 , 对负载造成影响。因此, 选择合适的死区时间至关重要。经试验 , 其结果与理论分析一致。 关键 词: 变器 ; 逆 死区 ; 出电压 输
中 图 分类 号 :M4 4 T 6 文 献 标 识 码 : A 文 章编 号 :0 0 10 2 0 )8 0 3 — 3 10 — 0 X(0 7 0 — 0 10
Ab t a t T e i a t fd a - me i n e tr n o t u ot g a e n i v siae . se s n ilt n e ta d a - sr c : h mp c e d t n i v re so up tv l e h sb e n e t td I i s e t o i s r e d o i a g t a t o i s r h tt e iv re a p rt n t e c u s f n t r . h n e e p r ts mo e s f l i h n r a e o i t n u e t a h n e rc n o e ae i h o re o au eT e i v r ro e ae r a ey w t t e i c e s f me t t h t e d a . meB tw e h e d t n r a e ,h u p tv l g v f r o e i v r r b c me r itr d a d h e d t . u h n t e d a . me i ce s s t e o t u ot e wa eo m ft n e e e a s mo e d s t , n i i a h t oe
死区时间原理
死区时间原理死区时间原理(Dead Time Principle),又称为死时间原理,是指在控制系统中,由于各种控制元件和传感器的延迟响应,造成系统中存在一段时间的滞后,这段时间被称为死区时间。
死区时间是指控制系统中输入信号发生变化后,到控制系统中的输出信号开始响应之间的时间差。
在控制系统中,死区时间是不可避免的,它来源于各种因素,如传感器的响应时间、控制元件的延迟以及信号传输的时间等。
死区时间的存在会导致系统的响应速度变慢,甚至造成系统的不稳定。
在实际应用中,我们通常会对系统中的死区时间进行补偿,以提高系统的响应速度和稳定性。
常见的补偿方法包括预测控制、模型预测控制和自适应控制等。
预测控制是一种常用的死区时间补偿方法。
它通过对系统进行建模和预测,预测出死区时间内的系统状态,从而提前对输出信号进行调整,以缩短死区时间对系统响应的影响。
预测控制方法广泛应用于工业控制系统中,如温度控制、流量控制等。
模型预测控制是一种基于数学模型的死区时间补偿方法。
它通过建立系统的数学模型,预测出死区时间内的系统响应,并根据预测结果对输出信号进行调整。
模型预测控制方法具有较高的精度和稳定性,广泛应用于工业自动化领域。
自适应控制是一种根据系统实际响应情况自动调整控制参数的死区时间补偿方法。
它通过实时监测系统的输出信号和参考信号的差异,自动调整控制参数,以减小死区时间对系统响应的影响。
自适应控制方法适用于控制系统中死区时间变化较大的情况。
在实际工程中,死区时间的存在常常会引发一些问题。
例如,在机械控制系统中,由于死区时间的存在,控制系统的速度响应会受到一定的影响,可能导致机械设备的运动不够平滑或者出现振动现象。
在电力系统中,死区时间的存在会引起电力系统的频率偏差,可能导致电力供应的不稳定。
因此,在设计和调试控制系统时,需要充分考虑死区时间的影响,并采取相应的措施进行补偿。
死区时间原理是控制系统中不可避免的现象,它会对系统的响应速度和稳定性产生影响。
电压源逆变器死区效应的分析和补偿
电压源逆变器死区效应的分析和补偿姚舜【摘要】针对三相电压源逆变电路同一桥臂2个开关器件之间存在短暂死区时间td的问题,通过说明逆变电路死区效应产生机理及对逆变器输出电压进行傅立叶分析,发现td对逆变器输出的电流在幅值和相位上产生偏差,导致系统供电性能下降.为此,提出死区补偿方法,并根据死区补偿方法的原理,建立近似的死区补偿电路图,描述死区补偿方法工作过程.通过仿真分析,死区补偿方法产生的波形与理想波形一致,无误差畸变,且死区补偿方法的现场实际应用情况良好.【期刊名称】《广东电力》【年(卷),期】2012(025)003【总页数】4页(P40-43)【关键词】电压源逆变器;死区效应;脉宽调制;死区补偿;傅立叶分析【作者】姚舜【作者单位】广州珠江电厂,广东广州511457【正文语种】中文【中图分类】TM621.3三相电压源逆变电路180°导电方式逆变器中,开关器件的关断时间一般大于开通时间[1],如绝缘栅双极型二极管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的关断时间约2.5μs,其开通时间约0.8 μs。
为了防止同一相上、下两个开关器件同时导通而引起直流侧电源的短路,要采取“先断后通”的方法,即先给应关断的器件关断信号,待其关断后留一定的时间裕量后,再给应导通的器件发出开通信号,在两者之间留一个短暂的死区时间td[2-5]。
td的长短视器件的开关速度而定,速度越快,td越短。
1 死区时间的原理及影响下面介绍逆变电路td产生的机理及对输出电压造成的影响。
如图1所示,电路的直流侧通常只设置一个电容器,为分析方便,画作串联的2个电容器并标出虚拟中性接地点N。
以U相桥臂为例,假设负载电流iU以流向负载为正方向。
欲关断的IGBT按照理想波形关断,欲开通的IGBT按照理想波形延迟td的导通,此时,U相开关器件VT1和VT2都不导通,电流经过二极管VD1和VD2续流。
死区时间对变流器频谱的影响及
& 死区时间对电源频谱的影响及其仿真分析
图 & 为一电压源逆变器的主电路,其中每相桥臂 由两个绝缘栅极晶体管( 组成, 由 于 3\]P 的 开 3\]P) 通和关断需要一定时间,为避免同一个桥臂上的两个 开关元件在开关过程中同时导通,控制信号除互锁外
收稿日期:’((,0(20(2 作者简介:曹怀志( , 男, 工程师, 工学学士, 从事机车辅助变流器开发工作。 &[.&0 ) &[[, 年毕业于北方交通大学电力牵引与传动控制专业,
第 ’* 卷 第 % 期 ’((, 年 . 月 ’( 日
电力机车与城轨车辆
M689>B?9 #:9:@:>?A8D W X<DD PB<4D?> Y8H?968D
Y:6+ ’* J:+ % Z76+ ’(>H , ’((,
死区时间对变流器频谱的影响及 其 !"#$ 实现
曹怀志, 蹇 芳
( 株洲电力机车研究所,湖南 株洲 摘
表0 调制比 9:;0 时死区时间对频谱的影响
% !"#$ 实现死区时间调整
目前实现死区调整的方法有三种: 利用单片机本身的软硬件资源实现。其优点是 ( 0) 能充分利用单片机资源, 降低成本; 缺点在于脉冲在传 输过程中易受干扰, 可靠性较差。 ( 利用专用芯片实现。其优点是实现简单, 抗干 %) 扰能力强; 缺点在于成本高, 采购困难, 不灵活。 ( 利用复杂可编程逻辑器件 !"#$ 实现。它的优 ’) 点是抗干扰能力强, 采购容易、 灵活方便, 并可实现在 系统编程。 可编程逻辑器件是一种由用户编程以实现特定逻 辑功能的逻辑器件, 已经得到了广泛应用, 技术成熟, 种 类 繁 多 。 本 设 计 采 用 #:JJG48 公 司 最 新 推 出 的 一 套 该软件可采用原理图、 硬件 K$L 编程软件 G-B#K=KM, 描述语言、 混合输入 ’ 种设 计 输 入 方 式 , 支 持 LN#K3 能对所 O$#, =O$#, =KMP#QR3O$# 等硬件描述语言, 设计的数字电子系统进行功能仿真和时序仿真。编程 软件通过内部编译器对设计进行逻辑优化后映射到器 件中去,自动完成布局与布线并生成编程所需要的熔 丝图文件,最后通过 G-B=S 完成程序到器件的下载。 采用 =O$# 语言对包含死区时间限制的脉冲分配电路 进行描述, 所设计的脉冲分配电路由信号调整, 同步信 最小开通时间限制 .% , 故障 号处理, 死区时间限制 .0 , 锁存时间限制 .’ ,逻辑综合处理等 < 个环节组成, 其 相互关系如图 % 所示。 信号调整环节:主控板产生的 T"US 控制信号经 过一定的传输距离到脉冲信号分配环节,在传输过程 中会拾取噪声, 使信号上升、 下降沿变缓, 并引起振荡, 致使数字电路误动作或不动作,因此前端加信号调整 环节以保证其上升、 下降沿质量, 并去除振荡。 同步信号处理环节:脉冲分配电路中含有时序逻 辑电路,因此在电路的构成中占用了 !"#$ 大量的触
dcdc死区时间的判定标准_概述及解释说明
dcdc死区时间的判定标准概述及解释说明1. 引言1.1 概述DCDC(Direct Current to Direct Current)转换器是一种常见的电能转换器,在电子设备中起到重要作用。
DCDC死区时间的判定标准是评估DCDC转换器性能的关键指标之一。
准确判断和控制DCDC死区时间,对于提高其工作效率、稳定性和可靠性具有重要意义。
1.2 文章结构本文主要围绕着DCDC死区时间的判定标准展开,通过概述、解释说明等部分来深入介绍该主题。
文章包含五个部分:引言、正文、DCDC死区时间的判定标准概述、解释说明和结论。
引言部分将对文章进行整体概括和预览,正文将系统介绍相关理论知识和已有研究成果,接着在第三部分详细阐述了确定DCDC 死区时间所需考虑的各种相关因素。
第四部分将介绍如何建立和应用具体的判定标准,并通过实验验证及结果讨论加以说明。
最后,在结论部分呈现本文工作总结与贡献点归纳以及未来研究方向。
1.3 目的本文旨在概述和解释DCDC死区时间的判定标准,并提供一个详细的分析框架来确定这一关键指标。
通过深入研究和系统分析,本文将为相关领域的学者、工程师和研究人员提供有价值的参考依据,推动DCDC转换器性能优化和应用技术的发展。
此外,本文还可以帮助读者更好地理解DCDC死区时间及其在电力电子领域中的重要性。
2. 正文:DCDC死区时间的判定标准是研究和评估直流-直流转换器(DCDC)系统中死区时间的一种方法。
死区时间是指在两个开关器件同时关闭或同时开启的瞬间,电路中存在的一段时间窗口。
在这个时间窗口内,电路不会响应任何信号变化,从而保证开关器件正常工作。
DCDC死区时间的判定标准是为了确保转换器能够稳定运行并提供可靠的功率转换。
如果死区时间设置不合理,可能导致系统失效或产生不良影响,例如增加电流损耗、提高温度、引起振荡等。
确定合适的DCDC死区时间需要考虑多种因素。
首先是驱动器延迟时间,即控制信号从发出到达开关器件需要花费的一段时间。
pwm死区时间结合波行说明去计算
1. 简介PWM(Pulse Width Modulation)是一种由数字信号控制模拟电子设备的方法,它通过改变脉冲信号的占空比来控制电子设备的输出功率。
在PWM控制中,死区时间是一个重要的参数,它影响着电子设备的稳定性和效率。
2. PWM死区时间的定义PWM信号是通过周期性地改变高电平和低电平时间来实现控制电子设备的输出功率。
在切换高电平和低电平的过程中,存在一个极短的时间间隔,即死区时间。
死区时间是为了避免高电平和低电平同时导通,从而保护功率器件免受损坏。
3. 死区时间的影响死区时间的大小直接影响着PWM控制电路的输出效果。
如果死区时间设置不当,可能导致电子设备的输出波形不稳定,甚至损坏电子设备。
通常情况下,死区时间应根据具体的电子设备和PWM控制器的特性来进行合理的设定。
4. PWM死区时间的计算常见的PWM控制器通常提供了设置死区时间的功能。
在具体设置死区时间时,需要考虑到电子设备的特性以及所需的稳定输出。
一般来说,可以按照以下步骤进行计算:1) 确定电子设备的工作频率和PWM控制器的输出频率;2) 根据工作频率和输出频率计算出一个合理的死区时间;3) 调试死区时间,观察输出波形的稳定性和波形质量,逐步优化死区时间的设置。
5. 死区时间结合波形说明当死区时间根据上述方法计算出来并设置到PWM控制器之后,可以通过观察输出波形来验证死区时间的合理性。
合理的死区时间应该可以确保输出波形的稳定性,在频率变化较大的情况下也能保持较好的波形质量。
6. 总结PWM死区时间是影响PWM控制电路稳定性和输出效果的重要参数,合理的死区时间设置对于保护电子设备、提高功率器件的效率都至关重要。
通过适当的计算和调试,可以得到合理的死区时间设置,并通过观察输出波形来验证死区时间的有效性。
在实际应用中,需要根据具体情况精确设置死区时间,以确保电子设备的安全稳定工作。
7. 死区时间的优化死区时间的优化是一个复杂而关键的过程,需要综合考虑电子设备的工作频率、输出波形的稳定性以及PWM控制器的性能特点。
如何正确计算并最大限度减小IGBT的死区时间
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应用笔记
4
V1.0, 2007-04
AP99007 Dead time calculation
引言
引言
在现代工业中,采用 器件的电压源逆变器应用越来越多。为了保证可靠地运行,应当避免桥臂直通。桥臂直 通将产生不必要的额外损耗,甚至引起发热失控。结果将可能导致 器件和整个逆变器的损坏。
桥臂直通的原因
应用手册
如何正确计算并最大限度减小 区时间
的死
功率管理和驱动
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电影死区时间解析
电影死区时间解析
(原创实用版)
目录
1.电影《死区时间》概述
2.电影的故事背景和主题
3.电影中的时间概念解析
4.电影的视觉效果和音效设计
5.电影的评价和影响
正文
【提纲】
1.电影《死区时间》概述
《死区时间》是一部科幻悬疑电影,讲述了在一个时间停滞的区域,人们为了生存和找出真相而不断挣扎的故事。
该电影融合了科幻、悬疑、生存等多种元素,为观众带来了一场视觉和思考的盛宴。
2.电影的故事背景和主题
电影的故事背景设定在一个时间停滞的区域,人们必须在这个“死区时间”中生存下去。
电影的主题围绕着生存、时间、真相和人性等方面展开,深入探讨了人类在极端环境下的生存状态和心理变化。
3.电影中的时间概念解析
电影中的时间概念是故事的核心,通过时间停滞、时间循环等手法,呈现出一种独特的时间观。
在这个“死区时间”中,人们需要不断适应时间停滞带来的困扰,寻找生存的方法。
这种时间概念为电影增色不少,让观众对时间有了更深的思考。
4.电影的视觉效果和音效设计
电影的视觉效果和音效设计非常出色,将时间停滞、空间扭曲等抽象概念具象化,让观众仿佛置身于这个“死区时间”之中。
视觉效果的震撼和音效设计的引人入胜,使观众在观影过程中获得更好的沉浸感。
5.电影的评价和影响
《死区时间》作为一部科幻悬疑电影,在上映后获得了观众的一致好评。
电影独特的时间概念、引人入胜的故事情节、出色的视觉效果和音效设计,使其在科幻电影领域占有一席之地。
pwm波形死区时间不一致
pwm波形死区时间不一致PWM(Pulse Width Modulation)是一种通过改变信号的脉冲宽度来调节输出功率或模拟信号的一种技术。
在PWM控制中,波形的死区时间(Dead Time)是一个重要参数,它指的是在两个相邻的脉冲之间的间隔时间。
然而,由于一些因素的影响,PWM波形的死区时间可能会出现不一致的情况。
我们需要了解PWM波形的基本工作原理。
PWM信号由一系列的高电平和低电平脉冲组成,高电平代表信号有效,低电平代表信号无效。
脉冲的宽度决定了信号的占空比,即高电平时间与一个周期的比值。
通过改变脉冲的宽度,可以控制输出设备的平均功率或模拟信号的幅度。
然而,在实际应用中,由于电路元件的特性、电磁干扰等因素,PWM 波形的死区时间可能会出现不一致的情况。
死区时间不一致会导致脉冲之间的间隔时间不同,从而影响到PWM信号的稳定性和输出精度。
一种常见的导致死区时间不一致的因素是电路元件的参数差异。
例如,在使用MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)作为开关元件的PWM控制电路中,由于制造工艺和温度等因素,不同的MOSFET可能会有不同的开关速度和延迟时间,从而导致死区时间的不一致。
电磁干扰也是影响死区时间一致性的因素之一。
在高频PWM控制电路中,由于电感和电容的存在,电磁干扰会对PWM信号的传输和处理产生影响,进而导致死区时间不一致。
为了解决死区时间不一致的问题,可以采取一些措施。
一种常见的方法是在PWM控制电路中添加死区时间补偿电路。
该电路可以根据实际的死区时间差异,通过相应的延时或补偿控制,使得PWM波形的死区时间保持一致。
另外,优化电路设计、选择合适的元件以及合理布局电路也可以减小死区时间不一致的影响。
除了死区时间不一致对PWM控制的影响,它还会对电路的稳定性和可靠性产生影响。
当死区时间不一致较大时,会导致开关元件在切换过程中出现交叠,从而产生过渡过程中的瞬态电流和功耗,加剧电路的损耗和热量产生,甚至可能损坏开关元件。
什么是“死区时间”?如何减小IGBT的死区时间
什么是“死区时间”?如何减⼩IGBT的死区时间在现代⼯业中,采⽤IGBT器件的电压源逆变器应⽤越来越多。
为了保证可靠的运⾏,应当避免桥臂直通。
桥臂直通将产⽣不必要的额外损耗,甚⾄引起发热失控,结果可能导致器件和整个逆变器被损坏。
下图画出了IGBT⼀个桥臂的典型结构。
在正常运⾏时,两个IGBT将依次开通和关断。
如果两个器件同时导通,则电流急剧上升,此时的电流将仅由直流环路的杂散电感决定。
图1 电压源逆变器的典型结构当然,没有谁故意使两个IGBT同时开通,但是由于IGBT并不是理想开关器件,其开通时间和关断时间不是严格⼀致的。
为了避免IGBT桥臂直通,通常建议在控制策略中加⼊所谓的“互锁延时时间”,或者通常叫做“死区时间”。
这意味着其中⼀个IGBT要⾸先关断,然后在死区时间结束时再开通另外⼀个IGBT,这样,就能够避免由开通时间和关断时间不对称造成的直通现象。
1. 死区时间对逆变器⼯作的影响死区时间⼀⽅⾯可以避免桥臂直通,另⼀⽅⾯也会带来不利影响。
以图2为例,⾸先假设输出电流按图⽰⽅向流动,⽽IGBT T1由开通到关断,经过⼀⼩段死区时间后IGBT T2由关断到开通。
在有效死区时间内,两个开关管都是关断的,且续流⼆极管D2流过输出电流。
此时负的直流电压加在输出侧,此时电压极性符合设计的要求。
考虑另⼀种情况,T1由关断到开通,⽽T2由开通到关断,此时,由于电流还是沿着同⼀个⽅向,这⼀电流在死区时间依然流过,因此输出电压还是为负值,此时电压极性不是设计希望得到的。
结论可以总结如下:在有效死区时间⾥,输出电压由输出电流决定,⽽⾮控制信号。
图2 电压源逆变器的⼀个桥臂如果我们假设输出电流的⽅向与图2所⽰相反,那么当T1由开通到关断,⽽T2由关断到开通时,也同样会出现类似上述情况。
因此⼀般情况下,输出电压与输出电流会随着死区时间的加⼊⽽失真。
如果我们选择过⼤的死区时间,对于感应电机的情况,系统将会变得不稳定。
mos管死区时间计算公式
mos管死区时间计算公式MOS 管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物-半导体场效应晶体管)在电子电路中有着广泛的应用,而死区时间的计算对于保证电路的正常运行至关重要。
在探讨 MOS 管死区时间的计算公式之前,咱们先来说说为啥要有死区时间这个东西。
想象一下,假如在一个电路中,控制 MOS 管的两个信号没有死区时间,那就可能会出现上下两个 MOS 管同时导通的情况,这就好比是两个人同时要挤过一扇窄门,结果就是“砰”的一下,电路就会出现短路,严重的话可能会烧毁元件。
那 MOS 管死区时间到底咋算呢?一般来说,死区时间(Dead Time)可以通过以下公式计算:Dead Time = t_off + t_delay其中,t_off 表示 MOS 管的关断时间,t_delay 表示控制信号的延迟时间。
MOS 管的关断时间 t_off ,它主要取决于 MOS 管的特性和工作条件。
比如说,不同型号的 MOS 管,它们的关断速度可能就不一样。
就像跑步,有的人跑得快,有的人跑得慢。
而且,工作电流、电压这些条件也会影响关断速度。
再来说说控制信号的延迟时间 t_delay 。
这就好比你给朋友发个信息,从你发送到他收到,中间会有个时间差。
这个时间差可能是因为信号传输的线路长度、信号处理的电路等等造成的。
我记得有一次在实验室里调试一个电源转换电路,就因为没有准确计算死区时间,结果电路一上电,“呲啦”一声,冒出一股烟,可把我吓了一跳!仔细一检查,就是两个 MOS 管同时导通,把芯片给烧了。
从那以后,我每次设计电路,都会特别认真地计算死区时间,不敢有丝毫马虎。
在实际应用中,要准确计算死区时间,还得考虑很多因素。
比如说,温度的变化可能会影响 MOS 管的性能,从而改变关断时间。
还有,电路中的寄生参数,像寄生电容、寄生电感,也可能会对死区时间产生影响。
d类功放死区时间
d类功放死区时间D类功放的死区时间是指在输入信号发生变化时,输出信号从一个极性变为另一个极性所需的时间。
在功放电路中,死区时间是一个重要的参数,它直接影响着功放的性能和稳定性。
死区时间的存在是由于功放电路中的晶体管或MOS管的开关特性。
当输入信号发生变化时,由于晶体管或MOS管的非线性特性,需要一定的时间才能从关断状态切换到导通状态,或者从导通状态切换到关断状态。
这个时间间隔就是死区时间。
死区时间不同于上升时间和下降时间。
上升时间和下降时间是指输出信号从某个电平变化到另一个电平所需的时间,而死区时间是指输出信号从一个极性变为另一个极性所需的时间。
死区时间一般用来描述功放电路的开关速度和动态响应能力。
在实际应用中,死区时间对功放的性能和稳定性有着重要的影响。
如果死区时间过长,会导致功放在输出信号切换时出现延迟,从而影响信号的准确性和稳定性。
特别是在高频率或快速变化的信号处理中,死区时间过长会导致信号失真或产生杂散,影响音频或视频的质量。
为了减小死区时间,可以采取一些措施。
一种常见的方法是使用高速开关晶体管或MOS管,这样可以缩短开关时间,减小死区时间。
另外,优化功放电路的设计和布局,降低电路的阻抗和容抗,也可以缩短死区时间。
除了对功放电路的设计和布局进行优化外,还可以通过选择合适的功放芯片来减小死区时间。
不同的功放芯片具有不同的开关特性和死区时间。
在选择功放芯片时,需要根据具体的应用需求和性能要求来确定合适的芯片。
死区时间是功放电路中一个重要的参数,它直接影响功放的性能和稳定性。
在功放电路的设计和应用中,需要合理选择功放芯片和优化电路设计,以减小死区时间,提高功放的响应速度和信号质量。
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死区时间参数摘要:针对不同厂家IPM要求的死区时间参数的不同,本文从硬件电路角度出发,提出一种延时电路方案,解决了因参数调整而引起软件的不统一问题,进而为MCU的大批量mask降低成本提供可能。
关键词:IPM 死区时间随着现代电力电子技术的飞速发展,以绝缘栅双晶体管(IGBT)为代表的功率器件在越来越多的场合得到广泛地应用。
IGBT是VDMOS与双极晶体管的组合器件,集MOSFET与GTR的优点于一身,既具有输入阻抗高,开关速度快,热稳定性好和驱动电路简单的长处,又具有通态电压低,耐压高和承受大电流的优点,特别适合于电机控制。
现代逐渐得到普遍推广的变频空调,其内部的压缩机控制单元就是采用以IGBT为主要功率器件的新型智能模块(IPM)。
IPM(智能功率模块)即Intelligent Power Module的缩写,它是将输出功率器件IGBT和驱动电路、多种保护电路集成在同一模块内,与普通IGBT相比,在系统性能和可靠性上均有进一步提高,而且由于IPM通态损耗和开关损耗都比较低,使散热器的尺寸减小,故整个系统的尺寸减小。
下面是IPM内部的电路框图:IPM内部含有门极驱动控制、故障检测和多种保护电路。
保护电路分别检测过流、短路、过热、电源欠压等故障,当任一故障出现时,内部电路会封锁驱动信号并向外送出故障信号,以便外部的控制器及时处理现场,避免器件受到进一步损坏。
下图是变频空调室外压缩机控制驱动主电路的原理图。
220V交流电压经过由D1~D4和电解电容C1组成的桥式整流和阻容滤波电路后成为给IPM供电的直流电压,六个开关管按照一定规律通断,分别在U、V、W三相输出一系列的矩形信号,通过调整矩形波的频率与占空比达到调节输出电压频率和幅度的目的,即现在应用最广泛的PWM(PUL SE WIDTH MODULATE 脉冲宽度调制)控制技术,PWM控制技术从控制思想上可以分成四类:等脉宽PWM法、正弦波PWM法、磁链追踪PWM法和电流追踪型PWM法。
不管采用何种控制方式,都必须注意U、V、W任意一相上下两个桥臂不能同时导通,否则直流电源将在IPM内部形成短路,这是绝对不允许的。
为了避免电源元件的切换反应不及时可能造成的短路,一定要在控制信号之间设定互锁时间,这个时间又叫换流时间,或者叫死区时间。
死区时间,一般情况下软件工程师在程序设计时就会考虑并写进控制软件。
但是,由于不同公司生产的IPM,对死区时间长短的要求不尽相同,这样软件就会出现多个版本,不便于管理,并且影响CPU的MA SK(掩模)工作。
为了控制软件的统一性,有的软件工程师将死区时间放到芯片外扩展的E2中,对不同公司的IPM,只需改变一下E2中的数据,即可简单实现死区时间的匹配。
这种方法的缺点是生产成本较高,在实际应用时受到一定限制。
随着集成电路工艺的不断改进,各种逻辑门集成电路的价格不断地下降,使采用硬件电路实现死区时间设定应用到生产上成为可能,这种方法的优点是电路简单,延时时间方便可调,成本低廉。
方案原理图如下图3:控制过程如下:因为IPM控制输入低电平有效。
平时CPU输出控制脚1处于高电平,逻辑或门输出高电平,IPM输入锁定。
当CPU输出低电平有效时,高频瓷片电容通过电阻放电,逻辑或门输入脚2仍然维持高电平,逻辑或门输出高电平,IPM输入仍然锁定。
当电容放电完毕,或门输入脚2变为低电平时逻辑输出才为低电平,IPM控制输入有效,因此,电容放电时间就是CPU控制输出到IPM控制输入有效的延时时间。
当CPU控制输出关断即输出重新变为高电平时,尽管电容处于充电状态而使或门输入脚2处于低电平,逻辑或门输出仍然立即变为高电平,锁定IPM输入。
上述电路只是六路IPM控制输入的其中一路,其他五路做同样处理,通过调整R、C的参数,就可以实现所需要的延时时间。
下面是一相电路控制时序图:下面我们推导图3所示电路中电阻和电容的选择:根据电工学公式,由电阻、电容组成的一阶线性串联电路,电容电压Uc可以用下式表示:Uc=Uoexp(-t/τ)(1)τ为时间常数τ=RC在图3所示电路中,我们选择ST公司生产的高速CMOS或门电路,它的关门电平为 1.35V(电源电压为 4.5V),即当输入电压降至1.35/4.5U0=0.3 U时,输出电平转换有效,因此由式(1)可以推导出:t d=-τln0.3=1.2RC (2)上式就是我们选择R、C值的指导公式。
例如:需要延时时间为10us,选择精度为5%高频瓷片电容,容量为103P,则R= 10 *10e-6/1.2C=833Ω,这样R就可选择精度为1%、阻值为8 20Ω的金属膜电阻。
小结:按照上述方案设计的硬件延时电路,结构简单,成本低廉,可靠性极高,在实际使用时只需简单调换一下电阻的阻值就可实现对死区时间要求不同的IPM的控制。
对于一个反馈控制器而言,如何处理生产过程调节中的死区时间是个棘手的问题,此处我们将讨论几种处理方案。
Smith 预估器使得控制器不再依靠测量到的过程变量,而是依靠改进后的过程变量反馈值(该预估值仅包含系统扰动,而不包含死区时间)来进行调节作用。
如果以上方法运用得当,并且所运用的过程数学模型确实与实际生产过程相匹配,那么在系统设定值改变或生产负荷对生产过程形成干扰时,控制器就可推导出相对于系统某个设定值的实际过程值。
无奈的是,以上条件仅仅是假设。
对于控制器而言,在没有死区时间的情况下来满足以上控制目标当然不难,难的是如何得到实现以上控制方案所需的过程数学模型。
即使过程数学模型与实际生产过程之间存在一点点很小的“不匹配”,也会使得控制器无法成功的算出改进后的、准确的过程反馈值,相反,系统将推导出一个“谬之千里”的过程实际值。
有人提议可以用多种方法来改进基本Smith预估器的使用效果,就如对于死区时间的处理也具有多种可以互为替换的方案一样,然而尽管如此,死区时间的处理仍然是控制过程中非常棘手的问题。
对于一个反馈控制系统,死区时间可以定义为从“测量传感器检测到变量开始改变的瞬时”到“控制器对生产过程开始施加正确有效干预的瞬时”之间的延迟时间。
在死区时间内,生产过程的实际值根本不会对控制器的调节作用起任何反应。
在系统反应的死区时间结束之前,任何试图操纵或改变过程实际值的努力都注定是徒劳的。
举个例子,我们不妨想象一下“驾驶一辆方向盘很松的小汽车的过程”。
小车司机如想拐弯,他一定要使劲打方向盘才能克服方向盘太松而带来的滞差,并真正施加作用在操纵杆上。
只有在此之后,小车司机才能感觉到汽车方向的改变。
所有完成这一系列动作的时间就是死区时间。
死区时间问题是有据可查的最难克服的控制类问题之一。
在上面的例子中,如果一个司机对汽车拐弯过程中的死区时间大小估计不对的话,可能会因为上次的拐弯动作效果不佳,而在本次的拐弯过程中动作过于剧烈。
图1:如果光学测厚仪安装得离轧辊太远,那么控制器要花较长的时间才能够纠正钢板的厚度偏差。
这时还可能由于调节过于“冒进”而使情况变得更糟。
然而,如果司机发现“在原来估算的死区时间结束之前汽车就已经开始拐弯”之后再采取缓解措施就为时已晚了,因为此前的操作动作早已矫枉过正,而且本应早些结束的。
在此之后,司机又不得不试图再拐回原有方向,这样可能最终引发拐弯过程的失控。
顺便提及一下,类似的原因也是如此众多的酒后驾驶事故的罪魁祸首。
也许汽车的方向盘拐弯是灵敏的,但是一个醉酒的司机由于感官不灵,等到他觉察到汽车开始拐弯时汽车就已经拐向过头了。
在这种情况下,拐弯过程的失控是由人的感官迟钝导致,而非设备调节过程的死区时间,然而这种情况导致的结果却是灾难性的。
传感器的安装位置,控制器的偏差容错度在上述两种情况中,显而易见,消除死区时间是解决该控制难题的最佳途径。
汽车的方向盘应该加紧,司机任何时候都应该保持清醒状态。
然而,死区时间有时无法被完全消除。
我们不妨以热轧钢机为例,它有一对相向的轧辊,用于将热钢材轧成规格一致的薄钢板(见图1)。
在轧辊的下游位置有一测厚仪,用来测量刚轧好的薄钢板厚度,控制器再依据此反馈信号来增减轧辊作用于钢材上的压力,并以此方法来保证钢板厚度不会超出规格范围。
按照理想状况,测厚仪的安装位置应该尽量靠近轧辊,因为这样可将“轧辊的压力变化”与“由此引起的厚度变化”之间的死区时间置于最小。
否则,如安装位置太远,控制器就可能无法及时识别偏差,而如果我们将此识别过程设置得足够快,就可避免钢板的厚度不均问题。
更糟的是如果死区时间的影响较为可观,还会导致控制器的调节作用过于剧烈。
正如那位驾驶具有反应滞后方向盘的汽车司机一样,控制器也会以为其先前的调节作用没有效果而将控制作用加得更强。
事实上,在钢板的厚度变化最终体现出来之前,由于控制器的累计效应,使得其输出值与初始值之间的偏差早已大大的超调了,因此又会导致相反方向上的偏差。
此种调节过程,会使得轧辊施加在钢材上的压力持续的上下波动,大量钢板会由此产生侧向皱褶,并最终导致报废。
最为无奈的是,由于测厚仪无法在紧挨着轧辊接触钢材的位置进行安装,因此刚刚轧好的钢板必须要向下游移动一段距离后,才能够测量到厚度,这样的话,调节过程存在一些死区时间也就在所难免了。
这种我们称之为“传输延时”的现象,影响到很多“牵涉到物料需要从执行器到传感器之间传输”的生产流程,如流经管线的流体,吹过风管的空调风,顺着传输带移动的物体等等。
在以上任何一种情况下,如果将传感器的安装位置尽可能的靠近执行器,就可以最大限度的减少死区时间。
然而,死区时间的完全消除是难以做到的。
PID参数的整定要处理自控系统中无法避免的死区时间问题,另外一种方案就是赋予控制器一定限度的“耐性”,或称之为“偏差容错度”。
实施这一方案最为简单有效的办法就是:减弱控制器的整定参数,并以此来减缓系统的响应速度。
图2:Smith 预估器使用了一个过程对象的模型(包括增益,时间常数以及死区时间)来预估在“没有其它干扰及死区时间”情况下的过程实际值。
对于一个PID (比例-积分-微分)回路,控制器整定参数的减弱往往意味着限制控制器的积分作用。
毕竟积分器的作用是“只要设定值和过程实际值之间存在偏差,就要持续不断的、以一定的比率来增加或减少控制器的输出值”。
然而对于存在死区时间的场合,由于控制器需要经过较长时间才能开始以正确的调节作用来纠正偏差,因此偏差往往很长时间都会存在,以致积分器一直都在进行积分作用,最终导致系统超调。
解决方法就是让积分器适时停止积分作用,以避免超时积分引发的系统超调。
John G. Ziegler和Nathaniel B. Nichols在他们1942年发表的关于PID回路整定的著名论文中曾经指出:减弱PID控制器的调节作用的最佳方法是以1/d2 的计算因子来减少积分整定常数, 此处d等于调节过程的死区时间。