电力电子习题及答案

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《电力电子技术》习题答案第四版

《电力电子技术》习题答案第四版

《电力电子技术》习题答案(第四版_ 1.电力电子技术的基本原理是什么?答:电力电子技术是指通过电子器件将
电能进行控制和转换的技术。

其基本原理是利用半导体器件的导通和截止特性,通过控制电流和电压的方向和大小,实现对电能的调节和转换。

2.什么是电力电子器件?答:电力电子器件是用于电力电子技术中的半导体
器件,常见的有晶闸管、二极管、MOSFET、IGBT等。

这些器件具有导通和截止的特性,可以实现对电能的控制和转换。

3.请简述晶闸管的工作原理。

答:晶闸管是一种双向可控的半导体开关器
件。

其工作原理是通过控制晶闸管的控制极,将其导通或截止。

当控制极施加一个触发脉冲时,晶闸管的阳极和阴极之间的电流将开始流动,晶闸管处于导通状态;当没有触发脉冲时,晶闸管处于截止状态。

4.什么是PWM调制技术?答:PWM调制技术是一种通过改变脉冲宽度的方式
来实现对电能的调节。

通过改变脉冲的宽度,可以改变电平的平均值,从而实现对电能的调节。

PWM调制技术广泛应用于电力电子领域,如变频调速、电力供应等。

5.请简述逆变器的工作原理。

答:逆变器是一种将直流电能转换为交流电能
的电力电子设备。

其工作原理是通过控制器控制晶闸管等开关器件的导通和截止,将直流电源的电压和电流转换为交流电压和电流。

逆变器广泛应用于太阳能发电、电动汽车等领域。

电力电子复习题(包括答案)

电力电子复习题(包括答案)

一、填空题绪论1、电力变换的四大类整流、直流斩波、交流电力控制变频变相和逆变。

第二章1、电力电子器件一般都工作在开关状态。

2、电力电子器件一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组。

3、电力电子器件的损耗主要为通态损耗和断态损耗,当器件的开关频率较高时,开关损耗会增大。

4、按电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件。

5、晶闸管有阳极A、阴极K和门极G。

6、电力二极管的特性是正向导通和反向截止。

7、要使晶闸管导通必须在阳极可正向电压,在门极加正向电压。

8、在晶闸管的阳极加反向电压时,不论门极加何种电压,晶闸管都截止。

9、多个晶闸管并联要考虑均流问题,多个晶闸管串联要考虑均压问题。

第二章1、单向半波可控整流电路带电阻负载时α角的移相范围0~π,阻感负载α角的移相范围是0~π/2。

2、单向桥式全控整流电路带纯电阻负载时α角的移相范围是0~π,单个晶闸管承受的最大反压是0~π/2,单个晶闸管承受的最大反压是3、三相半波可控整电路中,三个晶闸管的触发脉冲相序互差120°,单个晶闸管承受最大反压带阻感性负载时α角的移相范围是0~π/2。

4、逆变电路中,当交流侧和电网联结时称有源逆变,若要实现逆变必须要用可控整流电路,当0〈α〈π/2时,电路工作在整流状态,π/2〉α〉π时,电路工作在逆变状态。

5、使变流器工作于有源逆变状态的条件有二:①直流侧要有电动势,其极性须和晶闸管的导通方向一致,其值应大于变流电路直流侧的平均电压;②要求晶闸管的控制角α>π/2,使U d为负值。

第三章1、直流斩波电路是把直流变为直流的电路。

2、斩波电路2种最基本的电路是降压斩波和升压斩波。

3、斩波的三种控制方法是脉冲宽度调制(脉冲调宽型)、频率调制(调频型)和混合型。

4、升降压斩波电路升压的条件是1/2〈α〈1。

第四章1、改变频率的电路叫变频电路。

电力电子技术及应用习题含答案

电力电子技术及应用习题含答案

电力电子技术及应用习题含答案1、逆导晶闸管是将二极管与晶闸管( )在同一管芯上的功率集成器件。

A、串联B、并联C、不确定D、反并联答案:D2、带电感性负载的单相交流调压电路,当α=φ时,电流导通角θ=180°,正负半周电流处于()状态。

A、临界连续B、断续C、关断D、连续答案:A3、以下哪项不是晶闸管的电压定额(____)。

A、断态重复峰值电压B、反向重复峰值电压C、通态平均电压D、门极触发电流答案:D4、电力场效应管(MOSFET)主要采用何种结构形式?(____)。

A、P沟道耗尽型B、P沟道增强型C、N沟道耗尽型D、N沟道增强型答案:D5、调光灯电路中,决定灯泡能否点亮的关键是(____)。

A、三极管B、晶闸管C、续流二极管D、单结晶体管答案:B6、若测得晶闸管的UDRM为835V,URRM为976V,则额定电压应定义为(____)。

A、750VB、800VC、680VD、875V答案:B7、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于()负载。

A、电感性B、电阻性C、电容性D、反电动势答案:D8、双向晶闸管的结构有螺栓式和(____)。

A、绝缘式B、螺管式C、平板式D、方管式答案:C9、电阻性负载的特点是(____)。

A、电压允许突变,电流不允许突变B、电流允许突变,电压不允许突变C、电压和电流均允许突变D、电压和电流均不允许突变答案:C10、电力MOSFET的通态电阻具有()温度系数。

A、正B、负C、零D、稳定答案:A11、将三相桥式全控整流电路中共阳极组的三只晶闸管换成三只二极管,就构成()。

A、三相半波可控整流电路B、双反星形可控整流电路C、三相桥式半控整流电路D、十二脉波可控整流电路答案:C12、带电感性负载的单相交流调压电路,晶闸管的导通角θ不仅与控制角α有关,而且与(____)有关。

A、导通角θB、控制角αC、功率因数角φD、停止导电角δ答案:C13、型号为KS100-8的元件表示()。

电力电子期末试题.及答案

电力电子期末试题.及答案

1.晶闸管导通的条件是什么?导通后流过晶闸管的电流由什么决定?晶闸管的关断条件是什么?如何实现?晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少?解:晶闸管导通的条件是:晶闸管阳极和阴极之间加正向阳极电压.门极和阴极之间加适当的正向阳极电压。

导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。

晶闸管的关断条件是:阳极电流小于维持电流。

关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极-阴极间电压或增大主电路中的电阻.晶闸管导通时两端电压为通态平均电压(管压降),阻断时两端电压由主电路电源电压决定。

2.调试图所示晶闸管电路,在断开负载R d测量输出电压U d是否可调时,发现电压表读数不正常,接上R d后一切正常,请分析为什么?习题2图解:当S断开时,由于电压表内阻很大,即使晶闸管门极加触发信号,此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流,晶闸管无法导通,电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值,所以此读数不准。

在S合上以后,Rd介入电路,晶闸管能正常导通,电压表的读数才能正确显示。

3.画出图1—35所示电路电阻R d上的电压波形。

图1—35 习题3图解:4.说明晶闸管型号KP100-8E代表的意义。

解:KP100—8E表示额定电流100A、额定电压8级(800V、通态平均电压组别E(0。

7<U T≤0。

8)普通晶闸管.5.晶闸管的额定电流和其他电气设备的额定电流有什么不同?解:由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能,所以晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同,采用的是平均电流,而不是有效值,又称为通态平均电流。

所谓通态平均电流是指在环境温度为40℃和规定的冷却条件下,晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载电路中,当不超过额定结温且稳定时,所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。

6.型号为KP100-3、维持电流I H=3mA的晶闸管,使用在习题图所示的三个电路中是否合理?为什么(不考虑电压、电流裕量)?习题6图解:(a)图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念,擎住电流一般为维持电流的数倍。

电力电子课后习题答案

电力电子课后习题答案

2—11试列举您所明白的电力电子器件,并从不同的角度对这些电力电子器件进行分类。

目前常用的控型电力电子器件有哪些?答:1、依照器件能够被控制的程度,分为以下三类:(1)半控型器件:晶闸管及其派生器件(2)全控型器件:IGBT,MOSFET,GTO,GTR(3)不可控器件:电力二极管2。

依照驱动信号的波形(电力二极管除外)(1)脉冲触发型:晶闸管及其派生器件(2)电平控制型: (全控型器件)IGBT,MOSFET,GTO,GTR3、依照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类:(1) 单极型器件:电力MOSFET,功率 SIT,肖特基二极管(2) 双极型器件:GTR,GTO,晶闸管,电力二极管等(3) 复合型器件:IGBT,MCT,IGCT 等4。

依照驱动电路信号的性质,分为两类:(1)电流驱动型:晶闸管,GTO,GTR 等(2)电压驱动型:电力 MOSFET,IGBT 等常用的控型电力电子器件:门极可关断晶闸管, 电力晶闸管,电力场效应晶体管,绝缘栅双极晶体管。

2-15 对晶闸管触发电路有哪些基本要求?晶闸管触发电路应满足下列要求:1)触发脉冲的宽度应保证晶闸管的可靠导通;2)触发脉冲应有足够的幅度,对户外寒冷场合,脉冲电流的幅度应增大为器件最大触发电流的3-5倍,脉冲前沿的陡度也需增加,一般需达到1-2A/US。

3)所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额,且在门极伏安特性的可靠出发区域之内。

4)应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。

2—18 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采纳专用的混合集成驱动器。

GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,如此可加速开通过程,减小开通损耗;关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。

电力电子习题答案

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第2章电力电子器件与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才能使它具有耐受高电压和大电流的能力解:1. 电力二极管是垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,提高通流能力 2.电力二极管在P区和N区多了一层低掺杂区,可以承受很高的电压而不致被击穿;3.具有电导调制效应。

使晶闸管导通的条件是什么答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。

或者U AK >0且U GK>0维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能使晶闸管由导通变为关断答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。

图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为Im , 试计算各波形的电流平均值I d1,I d2,I d3与电流有效值I1,I2,I3解:a) Id1= Im I1==b) Id2== Im I2= Imc) Id3== Im I3== Im.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少这时,相应的电流最大值Im1,Im2,Im3各为多少解:额定电流I T(AV)=100A的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) Im1=I/=, ≈≈89.48Ab) Im2=I/ = Id2= =c) Im3=2I=314 Id3= =和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能答: GTO之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同:l)GTO 在设计时2α较大,这样晶体管V2控制灵敏,易于GTO 关断;2)GTO 导通时21αα+的更接近于l,普通晶闸管5.121≥+αα,而GTO 则为05.121≈+αα,GTO 的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;3)多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小, 门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2极区所谓的横向电阻很小, 从而使从门极抽出较大的电流成为可能。

电力电子课后习题答案-部分

电力电子课后习题答案-部分

2—11试列举你所知道的电力电子器件,并从不同的角度对这些电力电子器件进行分类。

目前常用的控型电力电子器件有哪些?答:1。

按照器件能够被控制的程度,分为以下三类:(1)半控型器件:晶闸管及其派生器件(2)全控型器件:IGBT,MOSFET,GTO,GTR(3)不可控器件:电力二极管2。

按照驱动信号的波形(电力二极管除外)(1)脉冲触发型:晶闸管及其派生器件(2)电平控制型:(全控型器件)IGBT,MOSFET,GTO,GTR3.按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类:(1) 单极型器件:电力 MOSFET,功率 SIT,肖特基二极管(2) 双极型器件:GTR,GTO,晶闸管,电力二极管等(3)复合型器件:IGBT,MCT,IGCT 等4。

按照驱动电路信号的性质,分为两类:(1)电流驱动型:晶闸管,GTO,GTR 等(2)电压驱动型:电力MOSFET,IGBT 等常用的控型电力电子器件:门极可关断晶闸管, 电力晶闸管,电力场效应晶体管,绝缘栅双极晶体管。

2-15对晶闸管触发电路有哪些基本要求?晶闸管触发电路应满足下列要求:1)触发脉冲的宽度应保证晶闸管的可靠导通;2)触发脉冲应有足够的幅度,对户外寒冷场合,脉冲电流的幅度应增大为器件最大触发电流的3-5倍,脉冲前沿的陡度也需增加,一般需达到1—2A/US.3)所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额,且在门极伏安特性的可靠出发区域之内。

4)应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。

2—18 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。

GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗;关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度.GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部分。

电力电子习题答案

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电力电子习题答案《电力电子技术》习题及解答1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。

导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A决定。

2晶闸管的关断条件是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答:晶闸管的关断条件是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流I A减小,I A下降到维持电流I H以下时,晶闸管内部建立的正1反馈无法进行。

进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A 决定。

3温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化?答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小,正反向漏电流随温度升高而增大,维持电流I H 会减小,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。

7型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使用在图题1.8所示电路中是否合理,为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.8答:(a )因为HAI mA K VI<=Ω=250100,所以不合2理。

(b) 因为A VIA2010200=Ω=, KP100的电流额定值为100A,裕量达5倍,太大了。

(c )因为A VIA1501150=Ω=,大于额定值,所以不合理。

8 图题1.9中实线部分表示流过晶闸管的电流波形,其最大值均为I m ,试计算各图的电流平均值.电流有效值和波形系数。

解:图(a): I T(A V )=π21⎰πωω0)(sin t td I m =πmII T =⎰πωωπ2)()sin (21t d t I m =2m IK f =)(AV T T I I =1.573图题1.9图(b): I T(A V )=π1⎰πωω0)(sin t td I m =π2Im I T =⎰πωωπ02)()sin (1t d t I m =2m IK f =)(AV T T I I =1.11图(c): I T(A V )=π1⎰ππωω3)(sin t td I m =π23I mI T =⎰ππωωπ32)()sin (1t d t I m =4I mm I 63.08331≈+πK f =)(AV T T I I =1.26图(d):I T(A V )=π21⎰ππωω3)(sin t td I m =π43I m I T =⎰ππωωπ32)()sin (21t d t I m =I mm I 52.06361≈+πK f =)(AV T T I I =1.78图(e): I T(A V )=π21⎰40)(πωt d I m =8mII T =⎰402)(21πωπt d I m =22m IK f =)(AV T TI I =2.83图(f): I T(A V )=π21⎰20)(πωt d I m =4m II T =⎰202)(21πωπt d I m =2mI5K f =)(AV T T I I =29上题中,如不考虑安全裕量,问额定电流100A 的晶闸管允许流过的平均电流分别是多少?解:(a)图波形系数为 1.57,则有: 1.57)(AV T I ⨯=1.57⨯100A , I T(A V) = 100 A (b)图波形系数为 1.11,则有: 1.11)(AV T I⨯=1.57⨯100A , I T(A V)=141.4A (c)图波形系数为 1.26,则有: 1.26)(AV T I ⨯=1.57⨯100A , I T(A V)=124.6A (d)图波形系数为 1.78,则有: 1.78)(AV T I ⨯=1.57⨯100A , I T(A V)=88.2A (e)图波形系数为 2.83,则有: 2.83)(AV T I ⨯=1.57⨯100A, I T(A V)=55.5A (f)图波形系数为2,则有:2)(AV T I⨯=1.57⨯100A , I T(A V)=78.5A10某晶闸管型号规格为KP200-8D ,试问型号规格代表什么意义?6解:KP 代表普通型晶闸管,200代表其晶闸管的额定电流为200A ,8代表晶闸管的正反向峰值电压为800V ,D 代表通态平均压降为VUV T7.06.0<<。

电力电子习题答案

电力电子习题答案

第一章 电力电子器件1.1 使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。

或者U AK >0且U GK >01.2 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。

1.3 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为Im , 试计算各波形的电流平均值I d1,I d2,I d3与电流有效值I 1,I 2,I 3解:a) Id1=Im 2717.0)122(2Im )(sin Im 214≈+∏=∏⎰∏∏t ω I1=Im 4767.021432Im )()sin (Im 2142≈∏+=∏⎰∏∏wt d t ϖ b) Id2=Im 5434.0)122(2Im )(sin Im 14=+=∏⎰∏∏wt d t ϖ I2=Im 6741.021432Im 2)()sin (Im 142≈∏+=∏⎰∏∏wt d t ϖ c) Id3=⎰∏=∏20Im 41)(Im 21t d ω I3=Im 21)(Im 21202=∏⎰∏t d ω1.4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时,相应的电流最大值Im1,Im2,Im3各为多少?解:额定电流I T(A V)=100A 的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) Im135.3294767.0≈≈I A, Id1≈0.2717Im1≈89.48A b) Im2,90.2326741.0A I ≈≈ Id2A 56.1262Im 5434.0≈≈ c) Im3=2I=314 Id3=5.783Im 41=1.5.GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能?答:GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益1α和2α,由普通晶阐管的分析可得,121=+αα是器件临界导通的条件。

电力电子技术练习题库与参考答案

电力电子技术练习题库与参考答案

电力电子技术练习题库与参考答案一、单选题(共30题,每题1分,共30分)1、直接耦合式强迫换流是给晶闸管加上反向电压而使其关断,因此又叫()。

A、电流换流B、器件换流C、电压换流D、负载换流正确答案:C2、PWM控制技术在( )电路中的应用最为广泛。

A、逆变B、整流C、变频D、斩波正确答案:A3、单相全桥电压型逆变电路阻感负载,需要()个续流二极管。

A、2B、4C、1D、3正确答案:B4、逆变电路根据交流输出侧接的对象,可分为()。

A、单相逆变电路和三相逆变电路B、电压型逆变电路和电流型逆变电路C、有源逆变电路和无源逆变电路D、电容式逆变电路和电感式逆变电路正确答案:C5、单相全控桥式整流电路最多需要()个晶闸管。

A、2B、3C、1D、4正确答案:D6、采用调制法得到PWM波形,把希望输出的波形作为()。

A、正玄波B、载波C、调制信号D、锯齿波正确答案:C7、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件,它是由()复合而成的。

A、GTR和MOSFETB、GTR和GTOC、GTO和MOSFETD、SCR和MOSFET正确答案:A8、所谓电力电子技术就是应用于电力领域的()技术。

A、变换B、电子C、控制D、交流正确答案:B9、单相桥式可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )。

A、0º-150°B、0º-90°C、0º-120°D、0º-180°正确答案:D10、斩波电路控制方式中,ton和T都可调,改变占空比,称为()。

A、频率调制B、PWMC、相位控制D、混合型正确答案:D11、得到PWM波形的方法有()。

A、计算法和调制法B、计算法和画图法C、调制法和画图法D、计算法和理论法正确答案:A12、逆变电路根据直流侧电源性质的不同,可分为()。

A、电压型逆变电路和电流型逆变电路B、单相逆变电路和三相逆变电路C、电容式逆变电路和电感式逆变电路D、有源逆变电路和无源逆变电路正确答案:A13、斩波电路控制方式中,ton不变,改变T,称为()。

电力电子技术_习题集(含答案)

电力电子技术_习题集(含答案)

《电力电子技术》课程习题集一、单选题1.晶闸管内部有()PN结。

A、一个B、二个C、三个D、四个2.电力二极管内部有()个PN结。

A、一个B、二个C、三个D、四个3.双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有()电极。

A、一个B、两个C、三个D、四个4.比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。

A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR5.下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、SR6.比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是()。

A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT7.下列半导体器件中属于电压型控制器件的是()。

A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR8.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作()。

A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是()。

A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护10.普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的()来表示的。

A、有效值B、最大值C、平均值D、最小值11.晶闸管在电路中的门极正向偏压()愈好。

A、愈大B、愈小C、不变D、为零12.快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作()。

A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护13.当晶闸管的额定电压小于实际要求时,可以用两个以上同型号的器件相( )。

A、串联B、并联C、串并联14.当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( )。

A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定15.当晶闸管的额定电流小于实际要求时,可以用两个以上同型号的器件相 ( )。

A、串联B、并联C、串并联16.晶闸管整流电路中直流电动机应该属于()负载。

A、电阻性B、电感性C、反电动势D、不定17.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小,则输出的电压平均值会()。

A、不变B、增大C、减小D、不定18.三相可控整流与单相可控整流相比较,输出直流电压的纹波系数()。

电力电子技术习题及答案

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电力电子技术习题集习题一1. 试说明什么是电导调制效应与其作用。

2. 晶闸管正常导通的条件是什么,导通后流过的电流由什么决定?晶闸管由导通变为关断的条件是什么,如何实现?3. 有时晶闸管触发导通后,触发脉冲结束后它又关断了,是何原因?4.图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形,其最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值、有效值。

如不考虑安全裕量,额定电流100A 的晶闸管,流过上述电流波形时,允许流过的电流平均值I d 各位多少?(f)图1-30 习题1-4附图5. 在图1-31所示电路中,若使用一次脉冲触发,试问为保证晶闸管充分导通,触发脉冲宽度至少要多宽?图中,E =50V ;L =0.5H ;R =0.5Ω; I L =50mA 〔擎住电流〕。

图1-31习题1-5附图 图1-32习题1-9附图6. 为什么晶闸管不能用门极负脉冲信号关断阳极电流,而GTO 却可以?7. GTO 与GTR 同为电流控制器件,前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同? 8. 试比较GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 之间的差异和各自的优缺点与主要应用领域。

9. 请将VDMOS 〔或IGBT 〕管栅极电流波形画于图1-32中,并说明电流峰值和栅极电阻有何关系以与栅极电阻的作用。

10. 全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么?试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。

11. 限制功率MOSFET 应用的主要原因是什么?实际使用时如何提高MOSFET 的功率容量?习题二1.具有续流二极管的单相半波可控整流电路,带阻感性负载,电阻为5Ω,电感为0.2H,电源电压的有效值为220V,直流平均电流为10A,试计算晶闸管和续流二极管的电流有效值,并指出晶闸管的电压定额〔考虑电压2-3倍裕度〕。

2.单相桥式全控整流电路接电阻性负载,要求输出电压在0~100V连续可调,输出电压平均值为30 V时,负载电流平均值达到20A。

电力电子技术习题及参考答案

电力电子技术习题及参考答案

电力电子技术习题及参考答案一、单选题(共25题,每题1分,共25分)1.降压斩波电路中,已知电源电压Ud=16V,负载电压Uo=12V,斩波周期T=4ms,则开通时Ton=()A、3msB、2msC、4msD、1ms正确答案:A2.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与门极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、门极电压与阳极电流的关系D、阳极电压与门极电流的关系正确答案:B3.可实现有源逆变的电路为()。

A、单相半控桥整流电路B、单相全控桥接续流二极管电路C、三相半波可控整流电路D、三相半控桥整流桥电路正确答案:C4.在单相桥式全控整流电路中,大电感负载时,控制角α的有效移相范围是()。

A、90°~180°B、0°~180°C、0°~90°正确答案:C5.采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为()。

A、减小输出功率B、减小输出谐波C、减小输出幅值D、增大输出幅值正确答案:B6.单相全控桥式整流电路大电感性负载中,控制角的最大移相范围是()A、90°B、150°C、180°D、120°正确答案:A7.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A、不控型器件B、全控型器件C、半控型器件D、触发型器件正确答案:B8.电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是()。

A、0°~120°B、0°~150°C、30°~150°D、15°~125°正确答案:B9.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是()A、150°B、90°C、120°D、180°正确答案:D10.单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角α的移相范围是()A、90度-180度B、0度-90度C、0度D、180度-360度正确答案:B11.在晶闸管应用电路中,为了防止误触发,应使干扰信号的幅值限制在()A、可靠触发区B、不触发区C、安全工作区D、不可靠触发区正确答案:B12.IGBT属于()控制型元件。

电力电子习题答案

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第2章电力电子器件2.1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才能使它具有耐受高电压和大电流的能力?解:1.电力二极管是垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,提高通流能力2.电力二极管在P区和N区多了一层低掺杂区,可以承受很高的电压而不致被击穿;3.具有电导调制效应。

2.2使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。

或者UAK>0且UGK>02.3维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。

2.4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为Im,试计算各波形的电流平均值Id1,Id2,Id3与电流有效值I1,I2,I3解:a)Id1=0.2717 ImI1==0.4767Imb)Id2==0.5434 ImI2=0.6741 Imc)Id3==0.25 ImI3==0.5 Im2.5.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时,相应的电流最大值Im1,Im2,Im3各为多少?解:额定电流IT(AV)=100A的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a)Im1=I/0.4767A=329.35A,Id10.2717Im189.48Ab)Im2=I/0.6741 =232.90AId2=0.5434Im2=126.56Ac)Im3=2I=314Id3=0.25Im3 =78.5A2.6.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?答:GTO之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同:1l)GTO在设计时2较大,这样晶体管V2控制灵敏,易于GTO关断;2)GTO导通时12的更接近于l,普通晶闸管12 1.5,而GTO则为12 1.05,GTO的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;3)多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2极区所谓的横向电阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。

电力电子技术练习题库与答案

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电力电子技术练习题库与答案一、判断题(共100题,每题1分,共100分)1.双向晶闸管的结构与普通晶闸管一样,也是由四层半导体(P1N1P2N2)材料构成的。

()A、正确B、错误正确答案:B2.给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通()A、正确B、错误正确答案:B3.逆变角太大会造成逆变失败。

()A、正确B、错误正确答案:B4.降压斩波电路中二极管作用是续流。

()A、正确B、错误正确答案:A5.螺栓式晶闸管的优点是散热性能好。

()A、正确B、错误正确答案:B6.并联谐振逆变电路采用负载换流方式时,谐振回路不一定要呈电容性。

()A、正确B、错误正确答案:B7.变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。

()A、正确B、错误正确答案:A8.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。

()A、正确B、错误正确答案:A9.电力电子器件一般工作在开关状态,因此可以用理想开关模型来代替。

()A、正确B、错误正确答案:A10.对三相桥式全控整流电路的晶闸管进行触发时,只有采用双窄脉冲触发,电路才能正常工作。

()A、正确B、错误正确答案:B11.在单相全控桥电路中,晶闸管的额定电压应取U2。

()A、正确B、错误正确答案:B12.无源逆变电路是把直流电能逆变成交流电能送给交流电网。

()A、正确B、错误正确答案:B13.整流电路按电路结构不同分为零式电路和桥式电路。

()A、正确B、错误正确答案:A14.变频器总是把直流电能变换成50Hz交流电能。

()A、正确B、错误正确答案:B15.逆变失败,是因主电路元件出现损坏,触发脉冲丢失,电源缺相,或是逆变角太小造成的。

()A、正确B、错误正确答案:A16.无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。

()A、正确B、错误正确答案:B17.为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在开关状态。

()A、正确B、错误正确答案:A18.电感元器件对电流的变化起阻碍作用,在电路中通交阻直。

电力电子技术练习题与答案

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(第一章)一、填空题1、普通晶闸管内部有PN结,,外部有三个电极,分别是极极和极。

1、两个、阳极A、阴极K、门极G。

2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时,门极上加上电压,晶闸管就导通。

2、正向、触发。

3、、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态和反向状态。

阻断、导通、阻断。

4、某半导体器件的型号为KP50—7的,其中KP表示该器件的名称为,50表示,7表示。

4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。

5、只有当阳极电流小于电流时,晶闸管才会由导通转为截止。

5、维持电流。

6、当增大晶闸管可控整流的控制角α,负载上得到的直流电压平均值会。

减小。

7、按负载的性质不同,晶闸管可控整流电路的负载分为性负载,性负载和负载三大类。

7、电阻、电感、反电动势。

8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会,解决的办法就是在负载的两端接一个。

8、减小、并接、续流二极管。

9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。

要求管子的额定电流值要些。

9、小、脉冲、小、大。

10、单结晶体管的内部一共有个PN结,外部一共有3个电极,它们分别是极、极和极。

10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。

11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通;低于电压时就截止。

11、峰点、谷点。

12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压,保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发,才能得到稳定的直流电压。

12、同步、时刻。

13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。

13、正弦波、锯齿波。

14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加,利用改变的大小,来实现移相控制。

14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。

15、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。

15、关断过电压。

16、为了防止雷电对晶闸管的损坏,可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。

(完整版)电力电子技术练习题(答案)

(完整版)电力电子技术练习题(答案)
为 ~。
34、将50Hz的工频交流电直接变换成其他频率的 交流电,—般输出频率均小于工频频率,这种直 接变频的方式称为 交—交变频 。
35、将50Hz的交流电先经整流变换为直流电,再 由直流电变换为所需频率的交流电这种变频的方 式称为 交—直—交变频。
36、如图为电流型并联谐振式变频电路,其输出电 流的波形为 矩形波 , 其输出电压的波形基本 为 正弦波 。
5、有源逆变的条件( A ) A (1)有直流电动势源EM,其极性和晶闸管
的导通方向一致且EM>Ud (2)、逆变角β<90º (α>90º )。
B (1)有直流电动势源EM,其极性须和晶闸 管的导通方向一致且EM>Ud
37、如图为电压型并联谐振式变频电路,其输出电 流的波形为 正弦波 , 其输出电压的波形基本 为 矩形波 。
38、电压型变频电路的特点是: (1) 直流侧接有 大电容 ,相当于电压源,直流电
压基本无脉动。 (2) 交流侧电压波形为 矩形波 ,交 流侧电流的波形由 负载性质 决定。
39、电流型变频电路的特点不: (1)直流侧接有 大电感 ,相当于电流源,直流电流基 本无脉动。(2)交流侧电流为 矩形波 ,交流侧电压的
斩波式 和通断式。
31、双向晶闸管的主要参数中,额定电流指的 是:在规定条件下,晶闸管所允许流过的最大工频 。 电流的有效值
32、对于电阻性负载的单相交流调压电路,输入电压
为Ui,控制角α的可调范围为
,输出电压的可
调范围为

0~
0 ~ Ui
33、对于电感性负载的单相交流调压电路,若负载 的阻抗角为φ,则晶闸管的控制角α的可调范围
电力电子技术练习题
一、填空题
1、电子技术包括信息电子技和术 电力两电大子分技支术。
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电力电子技术课后题答案第一章1.1 电力技术、电子技术和电力电子技术三者所涉及的技术内容和研究对象是什么?三者的技术发展和应用主要依赖什么电气设备和器件?答:电力技术涉及的技术内容:发电、输电、配电及电力应用。

其研究对象是:发电机、变压器、电动机、输配电线路等电力设备,以及利用电力设备来处理电力电路中电能的产生、传输、分配和应用问题。

其发展依赖于发电机、变压器、电动机、输配电系统。

其理论基础是电磁学(电路、磁路、电场、磁场的基本原理),利用电磁学基本原理处理发电、输配电及电力应用的技术统称电力技术。

电子技术,又称为信息电子技术或信息电子学,研究内容是电子器件以及利用电子器件来处理电子电路中电信号的产生、变换、处理、存储、发送和接收问题。

其研究对象:载有信息的弱电信号的变换和处理。

其发展依赖于各种电子器件(二极管、三极管、MOS管、集成电路、微处理器电感、电容等)。

电力电子技术是一门综合了电子技术、控制技术和电力技术的新兴交叉学科。

它涉及电力电子变换和控制技术技术,包括电压(电流)的大小、频率、相位和波形的变换和控制。

研究对象:半导体电力开关器件及其组成的电力开关电路,包括利用半导体集成电路和微处理器芯片构成信号处理和控制系统。

电力电子技术的发展和应用主要依赖于半导体电力开关器件。

答案1.2 为什么三相交流发电机或公用电网产生的恒频、恒压交流电,经电压、频率变换后再供负载使用,有可能获得更大的技术经济效益?答:用电设备的类型、功能千差万别,对电能的电压、频率、波形要求各不相同。

为了满足一定的生产工艺和流程的要求,确保产品质量、提高劳动生产率、降低能源消耗、提高经济效益,若能将电网产生的恒频、恒压交流电变换成为用电负载的最佳工况所需要的电压、频率或波形,有可能获得更大的技术经济效益。

例如:若风机、水泵全部采用变频调速技术,每年全国可以节省几千万吨以上的煤,或者可以少兴建上千万千瓦的发电站。

若采用高频电力变换器对荧光灯供电,不仅电-光转换效率进一步提高、光质显著改善、灯管寿命延长3~5倍、可节电50%,而且其重量仅为工频电感式镇流器的10%。

高频变压器重量、体积比工频变压器小得多,可以大大减小钢、铜的消耗量。

特别在调速领域,与古老的变流机组相比,在钢铜材消耗量、重量、体积、维护、效率、噪音、控制精度和响应速度等方面优势明显。

答案1.3 开关型电力电子变换有哪四种基本类型?答:有如下四种电力变换电路或电力变换器,如图所示:交流(A.C)—直流(D.C)整流电路或整流器;直流(D.C)—交流(A.C)逆变电路或逆变器;直流(D.C)—直流(D.C)电压变换电路,又叫直流斩波电路、直流斩波器;交流(A.C)—交流(A.C)电压和/或频率变换电路:仅改变电压的称为交流电压变换器或交流斩波器,频率、电压均改变的称为直接变频器。

答案1.4 图1.6(a)所示的开关电路实现DC-AC逆变变换的基本原理是什么?从开关电路的输出端CD能否直接获得理想的正弦基波电压?直流电源输出到开关电路输入端AB的直流电流是否为无脉动连续的直流电流?答:1 DC/AC逆变电路的可以采用三种控制方案:A、180°方波;B、小于180°单脉冲方波;C、PWM控制。

基本原理分别如下:A 180°方波。

当要求输出交流电的频率为时,在半周期内使S1、S4导通,S2、S3阻断,则逆变电路输出电压;令随后的时间内S2、S3导通,S1、S4阻断,则逆变电路输出电压为负的电源电压(-)。

因此是频率为、幅值为的交流方波电压,如图1.6(b)所示。

对进行傅立叶分解,得到其基波电压有效值为,大小取决于直流电源的电压;基波角频率,取决于开关的工作频率。

其中含有大量的高次谐波经滤去后,负载可获得正弦交流基波电压。

B 小于180°单脉冲方波。

类似180°方波控制,但是仅在半周的一部分时间内让相应的开关导通,则将是导电时间小于T/2,导电宽度角小于的矩形波,如图1.6(c)所示进行傅立叶分解,得到基波电压有效值为或。

显然,控制导通时间可以控制输出电压基波大小,而输出电压的频率f仍取决于开关工作频率。

C 若采用高频开关PWM控制策略,则交流输出电压为图1.6(d)所示的脉冲宽度调制(PWM)的交流电压,输出电压波形更接近正弦波且其中谐波电压的频率较高,只需要很小的滤波就可得到正弦化的交流电压。

其性能远优于单脉波的方波逆变方案。

2 不能直接获得理想的正弦基波电压。

3 是有脉动非连续的直流电流。

答1.5 开关型电力电子变换器有那些基本特性?案答:(1)变换器的核心是一组开关电路,开关电路输出端电压和开关电路输入端电流都不可能是理想的直流或无畸变的正弦基波交流,含有高次谐波。

(2)要改善变换电路的输出电压和输入电流的波形,可以在其输出、输入端附加LC滤波电路;但是最有效方法是采用高频PWM 控制技术。

(3)电力电子变换器工作时,开关器件不断进行周期性通、断状态的依序转换,为使输出电压接近理想的直流或正弦交流,一般应对称地安排一个周期中不同的开关状态及持续时间。

因此对其工作特性的常用分析方法或工具是:开关周期平均值(状态空间平均法)和傅立叶级数。

答1.6 开关型电力电子变换器有哪两类应用领域?案答:按功能可分为两大应用领域:(1)开关型电力电子变换电源或简称开关电源。

由半导体开关电路将输入电源变换为另一种电源给负载供电。

这一类应用现在已经十分广泛。

(2)开关型电力电子补偿控制器。

它又分为两种类型:电压、电流(有功功率、无功功率)补偿控制器和阻抗补偿控制器。

它们或向电网输出所要求的补偿电压或电流,或改变并联接入、串联接入交流电网的等效阻抗,从而改善电力系统的运行特性和运行经济性。

这类应用将导致电力系统的革命并推动电力电子技术的继续发展。

第二章2.1 说明半导体PN结单向导电的基本原理和静态伏-安特性。

答:PN结——半导体二极管在正向电压接法下(简称正偏),外加电压所产生的外电场与内电场方向相反,因此PN结的内电场被削弱。

内电场所引起的多数载流子的漂移运动被削弱,多数载流子的扩散运动的阻力减小了,扩散运动超过了反方向的漂移运动。

大量的多数载流子能不断地扩散越过交界面,P区带正电的空穴向N区扩散,N区带负电的电子向P区扩散。

这些载流子在正向电压作用下形成二极管正向电流。

二极管导电时,其PN结等效正向电阻很小,管子两端正向电压降仅约1V左右(大电流硅半导体电力二极管超过1V,小电流硅二极管仅0.7V,锗二极管约0.3V)。

这时的二极管在电路中相当于一个处于导通状态(通态)的开关。

PN结——半导体二极管在反向电压接法下(简称反偏)外加电压所产生的外电场与原内电场方向相同。

因此外电场使原内电场更增强。

多数载流子(P区的空穴和N区的电子)的扩散运动更难于进行。

这时只有受光、热激发而产生的少数载流子(P区的少数载流子电子和N区的少数载流子空穴)在电场力的作用下产生漂移运动。

因此反偏时二极管电流极小。

在一定的温度下,二极管反向电流在一定的反向电压范围内不随反向电压的升高而增大,为反向饱和电流。

因此半导体PN 结呈现出单向导电性。

其静态伏-安特性曲线如左图曲线①所示。

但实际二极管静态伏-安特性为左图的曲线②。

二极管正向导电时必须外加电压超过一定的门坎电压(又称死区电压),当外加电压小于死区电压时,外电场还不足以削弱PN结内电场,因此正向电流几乎为零。

硅二极管的门坎电压约为0.5V,锗二极管约为0.2V,当外加电压大于后内电场被大大削弱,电流才会迅速上升。

二极管外加反向电压时仅在当外加反向电压不超过某一临界击穿电压值时才会使反向电流保持为反向饱和电流。

实际二极管的反向饱和电流是很小的。

但是当外加反向电压超过后二极管被电击穿,反向电流迅速增加。

答2.2 说明二极管的反向恢复特性。

案答:由于PN结间存在结电容C,二极管从导通状态(C很大存储电荷多)转到截止阻断状态时,PN 结电容存储的电荷并不能立即消失,二极管电压仍为≈1~2V,二极管仍然具有导电性,在反向电压作用下,反向电流从零增加到最大值,反向电流使存储电荷逐渐消失,二极管两端电压降为零。

这时二极管才恢复反向阻断电压的能力而处于截止状态,然后在反向电压作用下,仅流过很小的反向饱和电流。

因此,二极管正向导电电流为零后它并不能立即具有阻断反向电压的能力,必须再经历一段反向恢复时间后才能恢复其阻断反向电压的能力。

答案2.3 说明半导体电力三极管BJT处于通态、断态的条件。

答:电力三极管BJT处于通态的条件是:注入三极管基极的电流大于基极饱和电流(已知三极管的电流放大系数,有)。

这时三极管、导电性很强而处于最小等效电阻、饱和导电状态,可以看作是一个闭合的开关。

BJT处于断态的条件是:基极电流为零或是施加负基极电流,即。

这时BJT的等效电阻近似为无限大而处于断态。

答案2.4 电力三极管BJT 的四个电压值、、和的定义是什么?其大小关系如何?答:、、和分别为不同基极状态下的三极管集-射极击穿电压值:定义为基极反偏时,三极管集-射极电压击穿值;为基极短接、基极电压为0时,三极管集-射极电压击穿值;为基极接有电阻短路时的集-射极击穿电压值要;为基极开路时集-射极击穿电压值。

其大小关系为:。

答案2.5 说明晶闸管的基本工作原理。

在哪些情况下,晶闸管可以从断态转变为通态?已处于通态的晶闸管,撤除其驱动电流为什么不能关断,怎样才能关断晶闸管?答:基本工作原理:见课本p36-37;应回答出承受正向压、门极加驱动电流时的管子内部的正反馈过程,使不断增大,最后使,很大,晶闸管变成通态;撤去门极电流后由于,仍可使很大,保持通态。

有多种办法可以使晶闸管从断态转变成通态。

常用的办法是门极触发导通和光注入导通。

另外正向过电压、高温、高的都可能使晶闸管导通,但这是非正常导通情况。

要使晶闸管转入断态,应设法使其阳极电流减小到小于维持电流,通常采用使其阳极A与阴极K 之间的电压为零或反向。

答案2.6 直流电源电压=220V,经晶闸管T对负载供电。

负载电阻R=20Ω,电感=1H,晶闸管擎住电流=55mA,维持电流=22mA,用一个方波脉冲电流触发晶闸管。

试计算:⑴ 如果负载电阻R=20Ω,触发脉冲的宽度为300μs,可否使晶闸管可靠地开通?⑵ 如果晶闸管已处于通态,在电路中增加一个1KΩ的电阻能否使晶闸管从通态转入断态?⑶ 为什么晶闸管的擎住电流比维持电流大?(1) 设晶闸管开通:,由此可解出:当时,,所以可以使晶闸管可靠导通。

(2) 加入1KΩ电阻后,有,不能使晶闸管由通态转入断态。

(3) 为什么晶闸管的擎住电流比维持电流大:擎住电流和维持电流都是在撤去门极驱动电流的条件下定义的,因此阳极电流。

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