四川大学848材料科学基础2008年试题
《材料科学基础》部分章节试题及答案(大学期末复习资料).docx
![《材料科学基础》部分章节试题及答案(大学期末复习资料).docx](https://img.taocdn.com/s3/m/2b30940c4693daef5ff73d9c.png)
第三章作业答案1.说明面心立方结构的潜在滑移系有12个,体心立方结构的潜在滑移系有48个。
解:面心立方晶体的滑移系是{111} < 1-10> , (111}有四个,每个{111}面上有三个〈110〉方向,所以共有12个潜在滑移系。
体心立方晶体的滑移系是(110} <- 111 > , {211} <- 111 >以及{312} < -111 >o{110}面共有6个,每个{110}面上有两个<-111 >方向,这种滑移系共有12个潜在滑移系; {211}面有12个,每个“211”面上有1个〈111〉方向,这种滑移系共有12个潜在滑移系;{312}面共有24个,每个{312}面上有1个<-111 >方向,这种滑移系共有潜在滑移系24个, 这样,体心立方晶体的潜在滑移系共有48个。
2.一个位错环能否各部分都是螺位错?能否各部分都是刃位错?为什么?解:螺位错的柏氏矢量与位错线平行,而一个位错只有一个柏氏矢量,一个位错环不可能与一个方向处处平行,所以一个位错环不能各部分都是螺位错。
刃位错的柏氏矢量与位错线垂直,如果柏氏矢量垂直位错环所在的平面,则位错环处处都是刃位错。
这种位错的滑移面是位错环与柏氏矢量方向组成的棱柱面,这种位错又称棱柱位错。
3.纯铁的空位形成能为105kJ/mol.将纯铁加热到850°C后激冷至室温(20°C),假设高温下的空位能全部保留,试求过饱和空位浓度与室温平衡空位浓度的比值。
解:G,=4exp(-g)850 °C (1123K)后激穆室温可以认为全部空位保留下来Exp(31.87)4.写出距位错中心为R1范围内的位错弹性应变能。
如果弹性应变能为R1范围的一倍,则所涉及的距位错中心距离R2为多大?解:距位错中心为&范围内的位错弹性应变能为E = 竺瓦马。
4忒Ab如果弹性应变能为&范围的一倍,则所涉及的距位错中心距离R2为2 竺= 也4.K Ab A TT K Ab即R,=¥2 Ab5.简单立方晶体(100)面有一个b=[001]的螺位错。
四川大学材料科学与工程基础试题
![四川大学材料科学与工程基础试题](https://img.taocdn.com/s3/m/7836c045a8956bec0975e3d2.png)
导电性:金属材料最好,陶瓷材料和高分子材料均差(1 分)。
m 导热性:金属材料最好,陶瓷材料和高分子材料均差(1 分)。
热膨胀性:陶瓷材料和金属材料较小,高分子材料较大(1 分)。
o 注意只要将意思表达即可得到相应的分数。(若能简要说明原因最好,如原子
. KJ/ m2
、比热容 J·Kg-1·K-1 、磁矩 A·m2 。
e 5.写出按照压痕硬度法原理测试材料硬度的三种主要方法的名称 布氏硬度 、
h 洛式硬度 、 维氏硬度
。
c 6. 写出以下各性能参数之间的关系式 n 渗透率( 液体)J ( D、 L、c1、c2),J= —D(c2—c1) / L a 本征半导体的电导率σ(Eg、T):σ= σ0·exp(—Eg/2kT)
(F )
w13. 硬磁材料被外磁场磁化后,去掉外磁场仍然保持较强剩磁。
(T )
14. For pure metals, heat is only transported by free electrons.
(F )
15.n 型半导体指在 Si、Ge 等四价元素中掺入少量五价元素 P、Sb、Bi、As (T )
A 分子结构、温度
m B 多相体系、交变电场频率
C 温度,原子的电子结构
o D 小分子及杂质,
c 10、A.m-1 是以下哪两个磁学物理量的量纲。 ( AB
)
A、磁场强度
. B、磁化强度
C、磁感应强度
e D、磁导率
h 11、考虑裂纹形状因子 Y,应力强度因子用公式( B )计算
A K=2E Y / (π.σ c 2 );
decreased to 10 mm, what fraction of light will be transmitted?(8 分)
08年试卷A--答案
![08年试卷A--答案](https://img.taocdn.com/s3/m/2834f86925c52cc58bd6be4f.png)
东 北 大 学 秦 皇 岛 分 校课程名称: 材料科学基础(上) 试卷: (A) 考试形式: 闭 卷授课专业: 材料科学与工程 考试日期:2008年06月25日 试卷:共 4 页一、 填空题(每空1分,共10分)1、Cu (原子序号29)的基态电子组态为 1s 22s 22p 63s 23p 63d 104s 1 。
2、聚乙烯高分子材料中C —H 化学键属于 共价键 。
3、金属的三种常见晶体结构中,密排六方 结构不能称作为一种空间点阵。
4、面心立方晶体的孪晶面是__(111) 。
5、在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷是弗伦克尔缺陷 。
6、链段是用来描述高分子的柔顺 性。
7、固体金属内原子扩散的驱动力是 化学位梯度 。
8、既能提高硬度,又能降低其脆性的手段是 细晶强化 。
9、再结晶的驱动力是 储存能(应变能) 。
10、在金相试样表面上几组交叉滑移线的产生是由于多滑移 。
二、 选择题(每题1.5分,共30分)1、简单立方晶体的致密度为 。
( C ) A 、100% B 、65% C 、52% D 、58%2、空间点阵是由 在空间作有规律的重复排列。
( C )A 、原子B 、离子C 、几何点D 、分子3、在SiO 2七种晶型转变中,存在两种转变方式:一种为位移转变,另一种为重构转变,位移转变需要的激活能____ 重构转变的激活能。
( B ) A 、大于 B 、小于 C 、等于4、每一个面心立方晶胞中有八面体m 个,四面体间隙n 个,其中: 。
A 、m=4,n=8 B 、m=13,n=8 C 、m=1,n=4 ( A )5、不能发生攀移运动的位错是 。
( A ) A 、肖克莱不全位错 B 、弗兰克不全位错 C 、刃型全位错6、在一块晶体中有一根刃位错P 和一根相同长度的螺位错线Q ,比较两者的能量,有: 。
( A ) A 、E (P )>E (Q ) B 、E (P )<E (Q ) C 、E (P )=E (Q )7、有两根右螺位错线,各自的能量都为E 1,当它们无限靠近时,总能量为: 。
材料科学基础试卷A
![材料科学基础试卷A](https://img.taocdn.com/s3/m/6dc4bbfe195f312b3069a505.png)
装订线装 订 线 内 不 要 答 题学 号姓 名班 级东 北 大 学秦 皇 岛 分 校课程名称: 材料科学基础 试卷: A 考试形式: 闭卷授课专业: 材料科学与工程 考试日期: 2008年12月31日 试卷:共 6页一、填空题:(每空1分,共20分)1、三元凝聚系统中最大相数是 。
2、某一氮气和氧气的混合物系统,其独立组元数是 ,相数是 。
3、下图为晶核的半径r 与△G 间的关系,现有不同温度的三条曲线,请指出哪条温度最高? 。
哪条温度最低? 。
4、在单元系的p (压强)-T (温度)相图内,当高温相向低温相转变时体积收缩,则根据克拉珀龙方程,相界线的斜率为 (填正、负或大于零、小于零)。
5、测定某种晶体凝固时生长速度(υg )与液固相界面前端动态过冷度(△T K )的关系为υg 正比于△T K 2,则该晶体的长大属于 方式。
6、一般金属在非均匀形核时,所需的过冷度是其结晶温度Tm 的 倍。
7、高分子从熔体冷却结晶时,通常形成 。
高分子的熔点随其晶片厚度的增加而 。
8、二元包晶合金中,有α相和β相两相,α相是初生相,其包晶转变式为 。
9、调幅分解是经过 方式形成。
10、有效分配系数K e 表示液相的混合程度,其值范围是 。
(其中K 0是平衡分配系数)11、在金属-金属型共晶中有两组成相,其中一组成相的体积百分数为23.6%,则共晶组织可能呈 形状。
12、高分子合金中难以形成单相组织的主要原因是合金化时 。
13、“树脂”通常是两种单体经 反应得到的聚合物的称谓。
14、工程高分子聚合物按性能可分为五大类型 、 、 、胶粘剂和涂料。
15、纳米材料是指三维中至少有一维的尺度小于 的固体材料。
(写出具体数字和单位)二、单项选择题(每题1分,共25分)1、在二氧化硅的多晶型转变中,哪个晶型不是通过位移型转变得到的: (A) 高温型方石英 (B) 低温型石英 (C) 中间型鳞石英 (D) 低温型鳞石英2、形成临界晶核时,体积自由能的减少只能补偿表面能的: (A) 1/2 (B) 1/3 (C) 2/3 (D) 3/43、凝固时在形核阶段,只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心。
四川大学材料科学848题库
![四川大学材料科学848题库](https://img.taocdn.com/s3/m/8a02e1689b6648d7c1c746db.png)
四川大学材料科学基础题库2013年10月27第一章1、空间点阵与晶体点阵有何区别?晶体点阵也称晶体结构,是指原子的具体排列;而空间点阵则是忽略了原子的体积,而把它们抽象为纯几何点。
2、金属的3种常见晶体结构中,不能作为一种空间点阵的是哪种结构?密排六方结构。
3、原子半径与晶体结构有关。
当晶体结构的配位数降低时原子半径如何变化?原子半径发生收缩。
这是因为原子要尽量保持自己所占的体积不变或少变[原子所占体积VA=原子的体积(4/3πr3+间隙体积],当晶体结构的配位数减小时,即发生间隙体积的增加,若要维持上述方程的平衡,则原子半径必然发生收缩。
4、在晶体中插入柱状半原子面时能否形成位错环?不能。
因为位错环是通过环内晶体发生滑移、环外晶体不滑移才能形成。
5、计算位错运动受力的表达式为,其中是指什么?外力在滑移面的滑移方向上的分切应力。
6、位错受力后运动方向处处垂直于位错线,在运动过程中是可变的,晶体作相对滑动的方向应是什么方向?答:始终是柏氏矢量方向。
7、位错线上的割阶一般如何形成?位错的交割。
8、界面能最低的界面是什么界面?共格界面。
9、“小角度晶界都是由刃型位错排成墙而构成的”这种说法对吗?否,扭转晶界就由交叉的同号螺型位错构成。
10、原子的结合键有哪几种?各有什么特点?离子键:正负离子相互吸引;键合很强,无方向性;熔点、硬度高,固态不导电,导热性差。
共价键:相邻原子通过共用电子对结合;键合强,有方向性;熔点、硬度高,不导电,导热性有好有差。
金属键:金属正离子于自由电子相互吸引;键合较强,无方向性;熔点、硬度有高有低,导热导电性好。
分子键:分子或分子团显弱电性,相互吸引;键合很弱,无方向性;熔点、硬度低,不导电,导热性差。
氢键:类似分子键,但氢原子起关键作用XH-Y;键合弱,有方向性;熔点、硬度低,不导电,导热性好。
11、面心立方晶体和体心立方晶体的晶胞原子数、配位数和致密度各是多少?晶胞原子数配位数致密度面心立方 4 12 74%体心立方 2 8 68%12、立方晶系中,若位错线方向为[001],,试说明该位错属于什么类型。
四川大学848材料科学基础考研历年真题及解析
![四川大学848材料科学基础考研历年真题及解析](https://img.taocdn.com/s3/m/8a9c7d0ca6c30c2259019e88.png)
四川大学考研历年真题解析——848材料科学基础主编:弘毅考研编者:Mirror弘毅教育出品【资料说明】《848材料专业综合知识历年考研真题解析(专业课)》系四川大学优秀材料科学基础考研辅导团队集体编撰的《弘毅胜卷》系列资料之一。
历年真题是除了参考教材之外的最重要的一份资料,其实,这也是我们聚团队之力,编撰此资料的原因所在。
历年真题除了能直接告诉我们历年考研试题中考了哪些内容、哪一年考试难、哪一年考试容易之外,还能告诉我们很多东西。
1.命题风格与试题难易第一眼看到川大历年试题的同学,都觉得试题“简单”。
其实,这也是很多学生选择川大的原因吧。
川大的试题不偏、不怪,80% 的题目可以在课本上找到答案。
其实,“试题很基础”----“试题很简单”----“能得高分”根本不是一回事。
试题很基础,所以每个学生都能答上一二,但是想得高分,就要比其他学生强,要答出别人答不出来的东西。
要答出别人答不出来的东西,这容易吗?大家不要被试题表象所迷惑。
很多学生考完,感觉超好,可成绩出来却不到100分,很大程度上就是这个原因:把考的基础当成考的简单。
其实这很像武侠小说中的全真教,招式看似平淡无奇,没有剑走偏锋的现象,但是如果没有扎实的基础和深厚的内功是不会成为大师的。
我们只能说命题的风格是侧重考察基础的知识,但是,我们要答出亮点,让老师给你高分,这并不容易。
2.考试题型与分值大家要了解有哪些题型,每个题型的分值。
从最近几年看,川大的题型的变动不是很大,基本都填空题、判断题、简答题、综述题这几种题型,其中简答题和综述题的比重有逐渐增加的趋势。
可很多学生平时喜欢做判断题,不想写,到考试的时候就会傻眼。
每个题型的分值是不一样的,一个判断题一般也就是1-2分,可一个主观答题至少8分。
这要求我们平时一定要学会思考,学会总结知识点并且注意书面表达能力的练习。
3.各章节的出题比重川大的专业课没有考试大纲,因此没有重、难点的告知,但大家可以通过对历年真题的分析,掌握各个章节在整个考研中的重要地位并针对性的分配好复习的时间量。
材料科学基础期末考试历届考试试题复习资料
![材料科学基础期末考试历届考试试题复习资料](https://img.taocdn.com/s3/m/e8c4aa3c360cba1aa911da9a.png)
四川理工学院试卷(2010至2011学年第1学期)系专业级班学号姓名密封线密封线内不要答题课程名称:材料科学基础(参考答案2)命题教师:唐杰适用班级:2008级材料专业考试(考查)年月日共页注意事项:1、满分100分。
要求卷面整洁、字迹工整、无错别字。
2、考生必须将姓名、班级、学号完整、准确、清楚地填写在试卷规定的地方,否则视为废卷。
3、考生必须在签到单上签到,若出现遗漏,后果自负。
4、如有答题纸,答案请全部写在答题纸上,否则不给分;考完请将试卷和答题卷分别一同交回,否则不给分。
试题一、判断题:(10分,每题1分,对V错X )1晶向指数表示一条原子列的空间位向。
(X)2螺旋型位错有左右之分,他们之间有本质区别。
(V)3珠光体由奥氏体相和铁素体相组成。
(X)4同一塞积群中的位错一定是同号位错。
(V)5晶体多组滑移系在同一方向同时启动就发生多滑移。
(X)6流线是熔体浇注时流动的痕迹。
(X)7共晶成分的合金熔体凝固后就得到共晶合金。
(X)8根据菲克定律,扩散驱动力是浓度梯度,因此扩散总是向浓度低的方向进行(X)9热塑性聚合物应力与应变呈线性关系主要是山链段运动引起。
(X)10复合材料山基体和增强体及其界面三部分组成。
(V )得分二、选择题:(10分,每空1分)1 一个体心立方晶胞含有(B)个原子。
(A) 3 (B) 2 (C) 4 (D) 12固溶体的不平衡凝固可能造成(A)(A)晶内偏析(B)晶间偏析(C)集中缩孔(D)缩松3科肯道尔效应的形成机制主要是(B)(A)间隙机制。
(B)空位机制。
(C)填隙机制。
(D)换位机制。
4蠕变的正确说法是(B)(A)物体在恒定应力作用下形变随温度升高逐渐增大的现象。
(B)物体在恒定应力作用下形变随时间逐渐增大的现象。
(C)物体在恒定应力作用下变形很小。
(D)物体在恒定应力下变形不规则。
5固溶体宏观偏析最小的工艺条件是(A)(A)快速结晶(B)中速结晶(C)缓慢结晶6根据Hall—Pectch公式可知(A)(A) 在常温下,晶粒越细,强度越大。
四川大学材料科学与工程学院848材料科学基础考
![四川大学材料科学与工程学院848材料科学基础考](https://img.taocdn.com/s3/m/5182d479f46527d3240ce07e.png)
四川大学材料科学与工程学院848材料科学基础考研全套资料真题答案辅导笔记模拟卷2015年弘毅考研川大分部研究生团队已达50多人,涵盖经济、法学、文学、新传、外国语、艺术、历史、旅游、数学、化学、生物、电子、材料、机械、电气、计算机、环境、水土、水利、化工、发酵、行管、教经、社保、商院、体育、马克思、护理、口腔、公卫、预防、药学等30多个院系专业,是目前专业课考研最权威的专业团队,以“弘毅川大考研论坛”为基石,各个专业的学长学姐给您答疑解惑。
为您全程护航。
2015年四川大学考研的成功与否,不仅仅取决于自己是否足够努力,更多在于自己能否拿到真正有价值的川大专业课备考复习资料和获得内部考研信息,这将极大地决定着自己一年的辛苦努力是否能划上圆满的句号。
鉴于此,弘毅考研根据自己多年考研专业课成功辅导经验,联合川大高分研究生团队,同时和高分研究生团队一起将最有价值的考研复习资料通过科学的排版,荣誉推出了2015版《弘毅胜卷系列——完备复习指南、历年真题解析、高分辅导讲义、最后三套模拟卷》专业精品复习资料,该辅导系统从根本上解决了广大考研学子考研专业课信息不对称、考研专业课复习难度大等问题,三年来倍受好评,每年考取我校的大部分同学来自我们川大考研论坛的全程辅导,“弘毅胜卷”也成为每一个报考四川大学材料科学与工程学院材料学专业的考生人手一册、不可或缺的考研专业课复习备考资料。
《弘毅胜卷》的特点:1.“全”:本资料把参考书可能考到的知识点都全部列出,并做了详细的讲解,并对历年真题进行透彻的解析;2.“简”:为不增加考生负担,对考点的讲解,尽量做到精简,除去了教材繁琐臃肿的语言,直击要害;3.“具实用性”:各高校考题的重复率非常高。
针对此规律,本资料将专业涉及到的真题举例附在每个考点后面,方便大家查阅。
4.“具时效性”:本资料会根据最新的招生简章和目录、最新的参考书目和考试大纲对资料进行及时调整、更新,让弘毅胜卷臻于完善!提醒:为保证产品质量,我们在反盗版技术上投入了很大人力物力,首先在阅读体验上远远超越盗版资料(加了水印和红白页,复印基本看不清楚),同时弘毅考研每年均根据当年最新考试要求进行改版升级并提供超值的售后服务,并将后续重要资料分期发送,盗版将丢失这些重要资料,请考生务必谨慎辨别,不要为了省一点小钱购买其他机构或个人销售的盗版材料而耽误备考,甚至影响前途的大事情。
08级《材料科学基础》试题A标准答案
![08级《材料科学基础》试题A标准答案](https://img.taocdn.com/s3/m/e81550cda8956bec0875e379.png)
2010-2011学年第1学期考试试题(A)卷标准答案及评分标准课程名称:《材料科学基础》适用专业: 08材料物理1、2班一、填空题(共20分,每空1分)1、①变形是可逆的,去除外力后变形消失;②服从虎克定律,应力与应变呈线性关系。
2、滑移系;3、传递、协调;4、韧性;5、晶界、晶粒、细晶粒、高温;6、时间;7、下坡、上坡;8、结构起伏、能量起伏、过冷度;9、自由度、组元数、相数;10、间隙二、选择题(共10分,每题1分)A、1、B;2、D;3、A、A、D;4、C、5、B、6、A、B;7、D;8、A;9、A;10、C三、问答题(共30分,每题6分)1、回答下列问题:(1)在立方晶系的晶胞内画出具有下列密勒指数的晶面和晶向:(001)与[210],(111)与[112],(110)与 [111],(132)与[123],(322)与[236](2)在立方晶系的一个晶胞中画出(111)和(112)晶面,并写出两晶面交线的晶向指数。
解:(101)(112)(101)[111](101)(112)(101)[111]各1分2、调幅分解反应和一般的形核长大机制有何不同?答:调幅分解反应不需要形核,新相成分变化、结构不变,界面宽泛(初期无明显分界面),组织均匀规则,原子扩散为上坡扩散,形核转变率高(3分)一般的形核长大需要形核,新相成分、结构均发生变化,界面明晰,组织均匀性差、不规则,原子扩散为下坡扩散,形核转变率低(3分)3、拉伸试验主要了解材料的哪些特性?可获得哪些常用的力学性能数据?答:拉伸试验可用来了解材料的变形与断裂特性。
在拉伸试验中,试样在比较短的时间内,以恒定的速率受到拉伸直至断裂。
拉伸试验时由记录纸得出的负荷—伸长曲线可以转换为应力一应变曲线(又称应力一应变图)。
(1分)从拉伸试验可以获得以下几项力学性能:①弹性模量;②规定非比例伸长应力;③抗拉强度;④断后伸长率;⑤断面收缩率。
(各1分)这些性能数据对于工程上的结构设计和金属材料检验是很重要的。
(NEW)四川大学848材料科学基础历年考研真题汇编
![(NEW)四川大学848材料科学基础历年考研真题汇编](https://img.taocdn.com/s3/m/8f6a071dc850ad02df804127.png)
2010年四川大学848材料科学基础 考研试题
2011年四川大学848材料科学基础 考研试题
2012年四川大学848材料科学基础 考研试题
2013年四川大学848材料科学基础 考研试题
2014年四川大学848材料科学基础 考研试题
2015年四川大学848材料科学基础 考研试题
2016年四川大学848材料科学基础 考研试题
2017年四川大学848材料科学基础 考研试题
2004年四川大学848材料科学基础 考研试题
2005年四川大学848材料科学基础 考研试题
2006年四川大学848材料科学基础 考研试题
2007年四川大学848材料科学基础 考研试题
2008年四川大学848材料科学基础 考研试题
2009年四川大学848材料科学基础 考研试题
目 录
2004年四川大学848材料科学基础考研试题 2005年四川大学848材料科学基础考研试题 2006年四川大学848材料科学基础考研试题 2007年四川大学848材料科学基础考研试题 2008年四川大学848材料科学基础考研试题 2009年四川大学848材料科学基础考研试题 2010年四川大学848材料科学基础考研试题 2011年四川大学848材料科学基础考研试题 2012年四川大学848材料科学基础考研试题 2013年四川大学848材料科学基础考研试题 2014年四川大学848材料科学基础考研试题 2015年四川大学848材料科学基础考研试题 2016年四川大学848材料科学基础考研试题 2017年四川大学848材料科学基础考研试题