从GFP2011看硅光子学的进展
硅光子学材料的光学特性研究
硅光子学材料的光学特性研究在当今科技发展迅猛的时代,硅光子学材料的光学特性研究成为了科学界的热门话题。
硅光子学材料使用硅材料作为光学器件基底,通过光与电子的相互作用来实现信息处理和传输。
本文将重点介绍硅光子学材料的光学特性及其研究进展。
硅光子学材料的光学特性主要包括折射率、色散、吸收和发射等方面。
首先,折射率是指光线在介质中传播时的弯曲程度,它影响光线的传输和导引。
硅光子学材料具有较高的折射率,使其可以用来制造小尺寸的光学器件,例如光波导和微环谐振器,实现光信号的传输和调控。
其次,色散是指光线在介质中传播时,不同波长的光线传播速度不同所产生的现象。
硅材料在可见光范围内具有较高的色散,这限制了硅光子学器件的宽带性能。
为了解决这个问题,研究人员通过控制材料的结构和组分,改善了硅光子学材料的色散特性,使其具有更宽的工作频率范围。
此外,硅光子学材料的吸收和发射特性也是研究的重点。
硅材料本身是一种非常弱的吸收器,因此在光学器件中的吸收通常非常小。
然而,通过在硅材料中引入其他元素或控制材料的结构,可以增加其吸收的能力,提高器件的效率。
此外,硅光子学材料也可以具有较强的发射能力,可用于光探测和激光器等应用。
在研究硅光子学材料的光学特性时,科学家们采用了多种方法和技术。
例如,通过透射光谱测量折射率和吸收系数,同时利用反射光谱揭示材料的色散特性。
此外,还可以利用拉曼散射光谱研究硅光子学材料的结构和振动特性。
通过这些研究手段,科学家们能够更全面地了解硅光子学材料的光学特性,并进一步优化材料的性能。
在实际应用中,硅光子学材料的研究已经取得了显著的进展。
其中一个重要领域是光通信。
由于硅材料具有较高的折射率和光学强度,硅光子学器件可以实现高速、大带宽的光信号传输。
此外,硅光子学材料还可以应用于计算和传感等领域。
例如,通过利用硅光子学材料的非线性特性,可以实现光子计算和光子逻辑门等功能。
总之,硅光子学材料的光学特性研究对于推动光子学和相关领域的发展具有重要意义。
芯片研发中的硅光子技术有何应用前景
芯片研发中的硅光子技术有何应用前景在当今科技飞速发展的时代,芯片作为信息技术的核心组件,其性能和功能的不断提升对于推动各个领域的进步至关重要。
而硅光子技术作为芯片研发领域的一项前沿技术,正逐渐展现出巨大的应用前景,为未来的信息处理和通信带来了新的可能性。
首先,让我们来了解一下什么是硅光子技术。
简单来说,硅光子技术就是利用硅材料来实现光子的产生、传输、调制和探测等功能。
与传统的电子技术相比,光子具有更高的传输速度、更低的能耗以及更强的抗干扰能力。
硅光子技术将光子学与成熟的硅基半导体工艺相结合,充分发挥了硅材料在大规模集成和低成本制造方面的优势。
在通信领域,硅光子技术的应用前景极为广阔。
随着数据流量的爆炸式增长,对通信速度和带宽的要求越来越高。
传统的电通信方式在长距离传输和高速率传输方面面临着诸多限制,而硅光子技术能够实现高速、大容量的光通信。
通过在芯片上集成光发射器、光波导和光接收器等组件,可以大大提高通信系统的集成度和性能,降低成本和功耗。
例如,硅光子技术可以用于数据中心之间的高速互联,实现更快速的数据传输和处理,满足云计算、大数据等应用的需求。
在计算领域,硅光子技术也有望带来革命性的变化。
传统的电子芯片在处理大量数据时,由于电子的传输速度和能耗限制,性能提升面临瓶颈。
而硅光子技术可以实现光计算,利用光子的并行处理能力和高速传输特性,提高计算效率。
例如,基于硅光子技术的光神经网络芯片可以大幅提高人工智能计算的速度和能效,为深度学习等应用提供更强大的支持。
此外,硅光子技术在传感器领域也具有重要的应用潜力。
利用硅光子器件对光的敏感特性,可以制造出高精度、高灵敏度的传感器,用于环境监测、生物医学检测等领域。
例如,硅光子传感器可以检测微小的物理量变化,如压力、温度、湿度等,为工业自动化和智能控制提供更精确的数据。
在消费电子领域,硅光子技术也有可能改变未来产品的形态和功能。
例如,采用硅光子技术的微型投影仪可以实现更小的体积、更高的亮度和更好的图像质量;硅光子技术还可以应用于智能手机的摄像头模块,提高图像采集和处理的性能。
硅基光子学国内外研究现状及发展趋势
专题报告-1硅基光电子学(光子学)研究概况网络信息中心文献情报服务2007年6月硅基光电子学研究概况编者按:本文介绍了硅基光电子技术的研究现状、重点研究方向、技术难点以及国内外主要研究机构的基本情况。
希望能为我所学科布局的发展提供一些参考。
一、技术概述硅基半导体是现代微电子产业的基石,但其发展已接近极限。
而光电子技术则正处在高速发展阶段,现在的半导体发光器件多利用化合物材料制备,与硅微电子工艺不兼容,因此,将光子技术和微电子技术集合起来,发展硅基光电子科学和技术意义重大。
近年来,硅基光电子的研究在国内外不断取得引人注目的重要突破,世界各发达国家都把硅基光电子作为长远发展目标。
硅基光电子学包括硅基光子材料、硅基光子器件和硅基光子集成三个主要方面。
分别介绍如下:1. 硅基光子材料(1)硅基纳米发光材料目前的研究重点是如何有效地控制硅纳米晶粒的尺寸和密度,以形成具有小尺寸和高密度的有序纳米结构。
制备方法有:通过独立控制固体表面上的成核位置和成核过程实现自组织生长;在掩蔽图形衬底上的纳米结构生长;扫描探针显微术的表面纳米加工;全息光刻技术的纳米图形制备以及激光定域晶化的有序纳米阵列形成等。
(2)硅基光子晶体光子晶体具有合成的微结构、周期性变化的折射率以及与半导体潜在电子带隙相近的光子带隙。
根据能隙空间分布的特点,可以将其分为一维、二维和三维光子晶体。
光子晶体的实际应用是人们所关注的焦点,而与成熟的硅工艺相结合是人们非常看好的方向,可出现全硅基光电子器件和全硅基光子器件,因此制备硅基光子晶体及其应用将是以后的研究重点。
在所有光子晶体制备方法中,运用多光束干涉的全息光刻法有着许多优点:通过照射过程能够制成大体积一致的周期性结构,并能自由控制结构多次。
通过控制光强、偏振方向和相位延迟,制成不同的结构。
2. 硅基光子器件(1)硅基发光二极管作为硅基光电子集成中的光源,硅基发光二极管(Si-LED)的实现是硅基光电子学研究中的一个主攻方向。
硅光子学研究现状与发展前景
硅光子学研究现状与发展前景大连理工大学光电工程与仪器科学学院为了更好地讨论和展望硅光子学技术及其应 用的现状和发展,首届中欧国际硅光子学研讨会及 培训课程于2019年8月23~26日在大连理工大学举行。
本次大会由欧洲硅基光子研究平台和大连理 工大学光电工程与仪器科学学院共同主办。
比利时 Lureda Photonics集成光电子设计软件和服务公司、深圳市伽蓝特科技有限公司、华为技术杜塞尔多夫 股份有限公司以及普爱纳米位移技术(上海)有限 公司等众多公司也纷纷提供了赞助。
此次会议旨在 为科研工作者和工程技术人员提供一个报道先进 研究成果、交流学科前沿动态的平台。
本次大会的学术负责人/主席为比利时皇家科 学院院士、根特大学RoelBaets教授以及大连理工 大学赵明山教授,会议秘书长/执行副主席为中 国一比利时事务专员陈伟博士。
会议组委会成员为 比利时皇家科学院院士根特大学Roel Baets教授、大连理工大学赵明山教授、中国一比利时事务专员 陈伟博士、ePIXfah协调员AMul Rahim博士、大连 理工大学韩秀友教授、联合微电子中心郭进博士、华南师范大学刘柳教授以及大连理工大学的武震 林副教授、谷一英副教授、李晓洲副教授和胡晶晶 副教授。
与会中、外宾实到人数为64人。
本次会议的主题是讨论硅光子学在各个应用 领域的研究现状和发展前景,同时通过一系列的报 告、讲座和交流,加深各学员对硅光子学的更高认知 以及对相关硅光子技术、器件、应用等的了解和掌握。
该会议主要分为硅光子技术培训会议和研讨会。
硅光子技术培训会议首先由Roel Baets教授开 始讲解,主要包括关于无源硅光子学、有源硅光子 学、包装技术等基础方面的内容。
曹如平博士深入收稿日期:2019-11-2146讲解了硅光子学设计工具及流程,同时针对其方法 进行了细致培训。
Abdul Rahim教授也分别从通信 和硅光子技术的获得两方面来进行培训。
硅光子技术介绍
概念:硅光子技术是一种基于硅光子学的低成本、高速的光通信技术,用激光束代替电子信号传输数据,她是将光学与电子元件组合至一个独立的微芯片中以提升路由器和交换机线卡之间芯片与芯片之间的连接速度。
硅光子架构主要由硅基激光器、硅基光电集成芯片、主动光学组件和光纤封装完成,使用该技术的芯片中,电流从计算核心流出,到转换模块通过光电效应转换为光信号发射到电路板上铺设的超细光纤,到另一块芯片后再转换为电信号。
硅光技术的发展:硅光技术基于1985年左右提出的波导理论,2005-2006年前后开始逐步从理论向产业化发展,Luxtera、Kotura等先行者不断推动技术和产业链的发展,形成了硅光芯片代工厂(GlobalFoundries、意法半导体、AIM等)、激光芯片代工厂(联亚电子等)、芯片设计和封装(Luxtera、Kotura等)较为成熟的Fabless产业链模式,也有Intel为代表的IDM模式,除激光芯片外,设计、硅基芯片加工、封测均自己完成)。
硅光技术的价值:硅光在国家安全布局上具有重要的战略价值。
1、传统光器件使用磷化铟做材料,只负责数据的交换,而不负责数据的处理和存储,因此安全价值仅限于保障通信不断,但是硅光使用硅作为材料,数据的处理、存储和交换全部在硅上面完成,如果技术完全被国外厂商垄断,后果不堪设想;2、受制于量子效应,通过制程改进来提升单核处理器计算性能的方式将会淡出,或者说摩尔定律进入失效期,唯一的解决方案是多核并行计算,根据吉尔德定律,带宽的增长速度至少是运算性能增长速度的 3 倍,因此硅光替代集成电路是必然。
硅光学技术的种类:硅光电子学包括硅基光子材料、硅基光子器件和硅基光子集成三个主要方面。
1、硅基光子材料包括:硅基纳米发光材料和硅基光子晶体2、硅基光子器件包括:硅基发光二极管;硅基激光器;硅基光探测器;硅基光调制器3、硅基光子集成和硅基芯片硅光PID技术优势: PID技术采用硅光子集成技术,利用统一的CMOS工艺平台,一举突破早期PID在集成度、性价比和功耗的诸多瓶颈。
硅光子学技术市场2011-2017年研究报告
硅光子学技术市场2011-2017年研究报告——Silicon Photonics Market & Technologies2011-2017: Big Investments, Small BusinessSilicon photonics has huge potential after 2020, if the current constraints that affect costcan be leveragedOPTICS, CMOS, MEMS, 3DICs : CONVERGING INTO A NEW BREED OF PHOTONIC DEVICESSilicon photonics has tremendous potential as a new technology, blending optical technology with low cost CMOS semiconductor processing. Silicon photonics is a disruptive technology that enables a new breed of monolithic opto-electronic devices.The goal is to deliver economic optical connectivity everywhere, from network level to intra-system level, and eventually to chip-to-chip. Today, except for the light source, all other optical functions (modulators, detection, waveguides, intelligence …) can be embedded wafer-level at the SOI substrate.Si photonics addresses different kind of devices such as:Individual components and subcomponents: used as a single function silicon photonics device, e.g. VOA, Mux/Demux, active filters, optical switches or asoptical engines combining optics and electronics.∙Transceiver-type products: embedded optical modules, transmitters/receivers, active optical cables or AOCs.∙Future products: e.g. hybrid packaged devices and 3DICs / Integrated opto-electronic chips.Moreover, passive optical elements (such as array wave guides, optical filters, couplers, splitters, polarizer arrays) can be created with silicon photonics technologies and integrated with active elements.In the report, we distinguish between Silicon photonics, CMOS photonics, Hybrid silicon photonics, and III-V integrated photonics. Silicon photonics has been restrained to R&D labs for a long time, but now the first Silicon photonics products have shipped and an industrial infrastructure has been set up step-by-step.DATA COMMUNICATION WILL DWARF ALL OTHER SI APPLICATIONSAlthough silicon photonics can address a wide range of applications, very few companies are actually shipping products. The potential markets are:∙Telecom: Metro and long haul applications∙Datacom: Data centers and campus applications∙Consumer: Connect desktop PC devices and PCs with HDTVs∙HPC & Data Centers: Using AOCs or Embedded Modules∙Professional/Commercial Video: Digital signage, digital cinemas, video recording and studios∙Metrology and sensors: Measurement of time, temperature, sound, frequency, stress, range using special silicon photonics sensors∙Medical: DNA, glucose, molecular and cellular analysis, etc... using special silicon photonics sensors∙Military/Aerospace/Scientific: Scientific instruments at corporate and national labs; aircraft, space missile, radar, imaging, intelligence applicationsData communications is the big market and will dwarf all other silicon photonics applications. Indeed, major datacom protocols are all moving to high-speed signaling and passing 10Gbps where reach and signal integrity issues are surfacing for both copper and optical technologies. There is a clear trend to surpass 25Gb in datacom protocols and this is where Si photonics will make sense.The need will be driven by:∙Need for low cost, high-speed interconnects supporting ever increasing data rates at and beyond 25Gbps∙Need for reach distance / data rate not served by VCSELsBIG CHALLENGES AHEADSilicon photonics still faces big market, industrial and technical challenges. The main problems are:∙Few products today∙Few companies have developed integrated product solutions.∙High cost∙CAE/CAD programs are almost non-existent∙Technical mismatch∙Competition with VCSEL-based alternatives∙Need for high volumesFor several years now, the silicon photonics projects have been under the umbrella of large-scale R&D projects to set up roadmaps. Today, MPW services foundries are opening and more industrial foundry activities are set up. Generic technologies and generic production platforms are needed to achieve low cost/high volume. As the future lays in the separation of design and fabrication, this industry is looking for an electronics-like foundry model. The mapping of the players involved in silicon photonics already shows an important number of foundry services.Although the industry is trying to use as much as possible of the existing CMOS processes, 3D ICs technologies will contribute to the Si photonics, especially wafer bonding and 3D interconnects.Although the market will grow by a factor of 3 in 5 years, business could explode after 2020 as inter and intra-chip communications could make this market grow by a factor of 10!KEY FEATURES OF THE REPORTThis report gives an overview of the silicon photonics markets, technologies and players. We also include a financial analysis that shows the latest VC funds.The report includes:∙What is silicon photonics?∙What are the applications?∙What are the challenges are on the applications side?∙What are the challenges are on the technologies side?∙Silicon photonics forecast by applications 2010-2017∙Manufacturing challenges∙Roadmaps∙Profiles of players involved in silicon photonicsWHO SHOULD READ THE REPORT∙Integratorso Understand the potential of the silicon photonicso Understand the technical challenges∙Devices makerso Identify and evaluate silicon photonics markets with market size & growth potentialo Analyze the threats and opportunitieso Monitor and benchmark competitor’s advancementso Evaluate you potential as a silicon photonics player∙Financial & strategic investorso Understand the main market dynamics and main technology trendso Get the list of the key playersLIST OF COMPANIES CITED IN THE REPORT:Altera, Altis, AML, Apple, Aurrion, Avago, BAE Systems, Caliopia, CEA Leti, Chiral Photonics, Cisco, ColorChip, Cyoptics/InPlane, DAS Photonics, Effect Photonics, Enablence, ePIXfab, EuroPIC, EVGroup, Fraunhofer HHI, Freescale, Ghent University, IHP Microelectronics, Fujitsu, Genalyte, Helios, HP Labs, IBM, IME (A*STAR), IMEC, Infinera, Intel, IPKISS, JePPIX, Kotura, Cisco/LightWire, LioniX, Luxtera, MIT, Mitsubishi Heavy Industries, Molex, NeoPhotonics, Northrop Grumman, NTT, Nvidia, Oclaro, OneChip Photonics, OPSIS SYSTEM, Oracle, PECST, Photline, Sandia, Skorpios Technologies, STM, Sun, SUSS MicroTec, TEEM Photonics, TI, TSMC, U2t photonics, UCSB, Stanford University, VLC Photonics, Xilinx, XIO Photonics∙About the authors (2)∙Table of Content (3)∙Companies listed in the report (5)∙What’s inside the report, what’s not (6)∙Executive Summary (7)o The (few) key facts to remember about silicon photonics (8)o Silicon photonics definition (11)o Silicon photonics market (12)o Silicon photonics advantages (13)o Silicon photonics time-to-market (14)o Inflection points for silicon photonics (15)o Silicon p hotonics devices (16)o Silicon photonics application revenues (17)o Silicon photonics dies market forecast (18)o Silicon photonics wafer forecast (19)o Why silicon photonics only in AOCs today (20)o Technical challenges (21)∙Introduction (22)o Silicon photonics definition (23)o Focus on III-V integrated photonics (27)o Focus on silicon photonics (36)∙Industry driving forces (43)o Roadmaps (44)o Datacom protocols roadmap (50)∙Applications (56)o Applications summary (57)o Telecom (66)o Datacom (71)o HPC & Data Centers (75)o Consumer (89)o Others (Military/Aerospace/Medical) (92)∙Market forecast (97)o Silicon photonics TAM (98)o Optical components market forecast (99)o Silicon photonics applications revenues 2010-2017 (102)o Silicon photo nics 2012 revenues by application (103)o Silicon photonics 2017 revenues by application (104)o Active vs. passive silicon photonics revenues 2010-2017 (105)o Silicon photonics products breakdown (108)o Silicon photonics dies market forecast (111)o Silicon photonics wafer forecast (112)o Estimated 2011 market share (113)∙Silicon photonics players (114)o Evolution of the business model (115)o Silicon photonics foundries (118)∙Financial analysis (121)o Raised funds by company (123)o Relative investment efficie ncy (125)∙The different manufacturing approaches (126)o Photonic in standard CMOS (127)o Laser sources vs. VCSELs (133)o The different approaches to Si photonics integration (135)o The different bonding technologies (142)o Design & packaging issues (149)o A new approach: 2.5 and 3D (152)∙The integrated photonics « building blocks » (157)o Summary (158)o Light sources (163)o Modulators (168)o Detectors (173)o Mux/Demux (176)o Couplers (178)o Passive devices (181)o Others (181)∙Conclusions (183)∙Profiles (186)o Summary (187)o Aurrion (189)o CEA Leti (190)o Cisco (Lightwire) (191)o ColorChip (192)o Cyoptics (193)o Enablence (194)o ePIXfab (195)o ePIXnet (196)o HP Labs (197)o IBM (198)o IMEC/Ghent University (199)o Infinera (200)o Intel Labs (201)o Kotura (202)o Luxtera (203)o NeoPhotonics (204)o NTT (205)o OneChip Photonics (206)o OpSIS (207)o Oracle/Sun (208)o PECST (209)o STM (210)o UCSB (211)∙Appendix (212)o Yole Développement presentation (213)o联系方式:网址:/Htmls/PE_Product/121012/154893.html电话:400 009 0050。
硅基光子学的研究进展
硅基光子学的研究进展硅基光子学是一种研究利用硅材料构建光子器件并实现信息传输和处理的科技领域。
在当今信息技术飞速发展的时代,硅基光子学技术的研究成果对于新一代数据传输、通信、计算和储存等领域都有极为重要的作用。
本文将主要探讨硅基光子学研究的发展现状和未来趋势。
1. 硅基光子学概述硅基光子学是一种新兴的光电子系统领域,旨在把集成电路的制造技术应用到光电子学系统的生产中。
硅基光子学使用的是硅材料,这是一种广泛应用于半导体电子学和计算机领域的材料。
硅芯片的最新技术已经在纳米级别得到了实现,这为硅基光子学技术的发展提供了巨大的基础。
硅基光子学得到了广泛的应用,例如通信、计算、检测、感知和操纵。
2. 国内外研究现状硅基光子学的研究在国外已经得到了较为成熟的发展。
例如,美国、日本和欧洲等国和地区已经有许多知名的硅基光子学研究所和公司。
在国内,近几年来,各大高校和科研机构也开始加强硅基光子学研究力度。
例如,中科院武汉物理与数学研究所、中科院苏州纳米技术研究所、中国科学院西安光学精密机械研究所等都在该领域取得了重要成果。
目前,硅基光子学的研究方向主要包括以下几个领域:2.1 硅基光波导硅基光波导是硅基光子学重要的基础技术。
硅基光波导可以将光导向准确的路径,从而实现高速、高效率和低损耗的信息传输。
硅基光波导技术是硅基光子学实现低成本和高性能光电子器件的关键。
2.2 硅基光器件设计设计不同类型的硅基光器件是硅基光子学的又一个重要研究方向。
例如,硅基光耦合器、硅基光调制器、硅基光放大器和硅基光激光器等。
这些器件的设计和制造是构建硅基光子学系统不可或缺的步骤。
2.3 硅基光子系统硅基光子系统结合了硅基光波导和硅基光器件。
这种系统利用硅材料的优势,使用制造集成电路的技术制造复杂的光电子集成芯片。
目前,硅基光子系统已被用于光通信、光计算、光传感和生物医学等领域。
3. 未来趋势随着信息技术的不断发展,硅基光子学将会在各个领域得到更广泛的应用。
硅基光子学器件及其制备技术的发展
硅基光子学器件及其制备技术的发展随着人类社会的不断发展和科技水平的不断提高,大家对于信息的传输和处理的需求也越来越高。
在众多的技术手段中,硅基光子学器件可以说是一种非常重要的技术,因为它可以提供非常高的速度和稳定性,可以大大提高我们的生产力和效率。
本文将介绍硅基光子学器件及其制备技术的发展。
1.硅基光子学器件的基本概念硅基光子学器件是一种利用硅材料制造的光电器件,其最大的特点就是具有非常高的速度和稳定性。
它主要由光器件和电器件两部分组成,其中光器件可以用来转换光信号,而电器件则可以用来控制光器件的工作。
硅基光子学器件一般分为两种类型,分别是硅基光调制器和硅基激光器。
前者主要用于对光信号的控制,可以将光信号进行调制,从而实现光信号的传输和处理。
而后者则是用来产生光信号的,可以将电信号转换成光信号。
2.硅基光子学器件的应用领域硅基光子学器件的应用领域非常广泛,主要包括信息传输、光学通信、生物医疗、光学传感等领域。
其中,光学通信是硅基光子学器件应用最为广泛的领域。
在现代社会中,随着通信技术的不断发展,人们对于高速、安全的信息传输的需求也越来越大。
而硅基光子学器件可以帮助我们实现高速的光学通信,从而提高我们的生产力和效率。
3.硅基光子学器件的制备技术硅基光子学器件的制备技术是非常重要的,它决定了硅基光子学器件的性能和应用。
现在,硅基光子学器件的制备技术主要有三种:晶体硅技术、SOI技术和SiGe技术。
晶体硅技术是最早出现的一种制备技术,其主要特点是在单晶硅片上进行加工。
这种制备技术具有简单、成本低的优势,但是其制备的硅基光子学器件的性能和稳定性相对较差。
而SOI技术则采用了硅上绝缘体的技术,在硅片上隔离出一个电气隔离的层,可以大大提高硅基光子学器件的速度和性能。
而SiGe技术则是将硅和锗进行复合,从而产生一种新的材料,可以大大提高硅基光子学器件的速度和稳定性。
4.硅基光子学器件的未来发展方向硅基光子学器件作为一种非常重要的技术,其未来发展方向也备受关注。
硅光子学器件技术的进展与应用前景
硅光子学器件技术的进展与应用前景硅光子学器件技术是指基于硅材料的光学器件技术,其已经成为了当前最热门的研究领域之一。
硅光子学器件技术采用了微电子加工技术,通过在硅表面制造微米级别的光学器件,能够实现光学和电子晶体管之间的结合,有望将光学器件和电子器件混合在一起,推进电子、通信和计算机等领域的发展进程。
本文将从硅光子学器件技术的基本原理、最新的技术进展和应用前景三个方面进行阐述。
一、硅光子学器件技术的基本原理硅光子学器件技术的基本原理是基于硅材料的光学器件技术。
硅材料是一种具有优异的能量吸收和反射特性的半导体材料。
通过在硅表面制造微米级别的光学器件,能够实现光学和电子晶体管之间的结合。
这些光学器件利用了硅的能量吸收和反射特性,通过内置的光波导或镜面反射等技术,将光信号引导到指定位置,实现光学转换和光学信号的处理,从而完成光学器件的设计和制造。
二、最新的技术进展目前,为了满足不同的应用场景,硅光子学器件技术已经不断发展和升级。
下面就列举最新的技术进展,以纵向的方式进行叙述。
1.全光学交换技术全光学交换技术是一种通过硅光子学器件实现的全光学交换技术,采用了新的光切换开关设计方法,能够在较短的时间内实现高速光信号的转换和处理,还可以避免信号的信噪比和失真问题。
因此,全光学交换技术将会在未来的网络通讯和计算机计算领域中得到应用。
2.硅光子学电路技术硅光子学电路技术是一种基于硅芯片制造的光学电路技术,这种技术利用了硅的低成本、大规模生产和集成化的优势,开发出了用于光电转换和光学缆路控制等方面的微型硅光电子器件。
硅光子学电路技术可以实现多种功能的光学组件和电路器件的集成,可以在更高速度和更高可靠性的情况下处理传输高质量的光信号。
3.高质量互芯片连接技术互芯片连接技术是一种在硅晶片上实现封装、连接和测试的技术。
目前,互芯片连接技术已经与硅光子学器件结合起来,实现了高质量的互芯片连接。
这种技术可以确保芯片之间的高速和高质量连通,提高信号传输和处理的效率,有望在网络通讯和数据存储领域中应用。
硅光子学技术的发展及其应用
硅光子学技术的发展及其应用硅光子学技术是一种新兴的技术,这种技术可以将电子和光子结合起来,制造出性能更出色的芯片。
这种技术有着广泛的应用领域,在通信、计算、生物医学等领域都有着重要的地位。
近年来,随着硅光子学技术的不断发展,这种技术的应用前景也越来越广阔。
硅光子学技术的起源可以追溯到上世纪70年代末期。
当时,人们开始尝试在硅芯片中嵌入光学元件,以便将光信号转换为电信号。
这项技术在当时还处于实验阶段,没有得到广泛应用。
直到20世纪90年代初,人们才开始将硅光子学技术用于制造高速光通信设备。
硅光子学技术的优势在于,它可以将电子和光子结合起来,从而实现更高的速度和更低的功耗。
与传统的电子芯片相比,硅光子芯片在数据传输方面具有很大的优势。
因此,它被广泛地应用于通信、计算、生物医学等领域。
在通信领域,硅光子学技术可以制造出更高效、更稳定的光通信设备。
这种技术可以将光信号直接转换为电信号,从而实现更高的带宽和更快的传输速度。
硅光子芯片还可以将多个光通信器件集成到一起,形成更为复杂的系统。
这种技术在现代通信中占据了重要的地位,为人们的生活和工作提供了便利。
在计算领域,硅光子学技术可以制造出更为高效的处理器和存储器。
这种技术可以利用光子传输数据,从而实现更高的带宽和更快的处理速度。
与传统的电子芯片相比,硅光子芯片具有更低的功耗和更高的集成度。
这使得它在数字信号处理、高性能计算等方面具有重要的应用价值。
在生物医学领域,硅光子学技术可以用于制造生物传感器和生物芯片。
这种技术可以通过光子技术来检测生物分子的变化,从而实现对生物信息的快速识别和分析。
硅光子芯片可以被应用于疾病诊断、药物研发等方面,为生物医学领域的发展提供了有力的支持。
随着硅光子学技术的不断发展,这种技术的应用前景也愈加广阔。
然而,硅光子学技术的发展也面临着一些挑战。
例如,如何提高硅光子芯片的制造工艺,如何处理硅光子芯片中的光学噪声等问题,都是需要解决的难题。
硅光子学技术的应用前景和挑战
硅光子学技术的应用前景和挑战硅光子学是光子学研究中的一个重要领域,它利用芯片制造技术和微纳加工技术,在硅基材料上开发出了一系列光学器件和微型系统,具备了在通信、传感、计算、医疗等多个领域的应用前景。
然而,硅光子学技术也面临着不少挑战,如如何提高能量效率、降低系统复杂度,如何应对材料和器件的制造难度,以及如何解决成本和集成度等问题。
本文将从应用前景和面临的挑战两个方面探讨硅光子学技术的发展现状。
一、应用前景1. 光通信领域在通信领域,光纤引入和升级使得光通信成为现代通信的主要方式。
而硅光子学技术则是实现通信系统个性化、高速度、低成本、小型化的关键技术。
由于硅光子学技术在集成度、无源器件等方面具有优势,它可以用来制造微型化、低功耗、高可靠性光纤通信器件,如微环谐振器和微环腔等,从而实现在芯片上的全光传输和信号处理,促进信息技术的发展。
2. 光计算领域随着计算机技术的整体升级,人们对计算机设备性能和速度的要求也越来越高。
硅光子学技术则通过光学特性实现传输和控制信息,具有速度快、数据量大、延迟低等优势,这使其成为建立新型计算系统的重要支持。
例如,利用硅光子技术可以制造出高速、高一致性的光存储器,提高存储效率,推动信息计算的发展。
3. 光传感领域在光传感领域,由于传感器的灵敏度、稳定性等要求越来越高,硅光子学技术的应用前景日益广泛。
它可以用来在芯片上制造出高灵敏度、大面积的传感器矩阵,监测物理量和化学量等重要信息,如生物分子检测、化学离子传感、气体浓度检测等,从而实现传感、监测、诊断和治疗的实时化。
二、面临的挑战1. 能量效率和系统复杂度硅光子技术的电-光转换效率比晶体管较低,在实际应用中需要大量的电能耗费来维持微波源的输出功率。
同时,硅光子器件的制造过程也复杂,导致相同功能的器件的制造成本过高。
因此,如何提高能量效率,降低硅光子学器件的成本和集成度是当前研究的重点。
2. 材料和器件技术的制造难度硅光子学技术的制造需要高度的微纳加工技术和芯片制造技术支持,包括高精度控制、自组装技术、氧化技术、等离子体刻蚀等。
硅基光子学的最新进展与挑战
硅基光子学的最新进展与挑战关键信息项1、硅基光子学的定义与范畴详细描述:____________________________2、最新进展的具体领域领域 1:____________________________领域 2:____________________________领域 3:____________________________3、面临的主要挑战挑战 1:____________________________挑战 2:____________________________挑战 3:____________________________4、解决挑战的潜在策略策略 1:____________________________策略 2:____________________________策略 3:____________________________5、未来发展的预期成果成果 1:____________________________成果 2:____________________________成果 3:____________________________11 硅基光子学的定义与范畴硅基光子学是一门融合了硅材料科学与光子学技术的交叉学科,旨在利用硅材料实现光的产生、传输、调制、检测和处理等功能。
其范畴涵盖了从基础物理原理的研究到实际应用的广泛领域。
111 基础理论方面包括硅材料的光学特性研究,如折射率、吸收系数等,以及光子与硅材料相互作用的微观机制。
112 器件层面涵盖了各种硅基光子器件,如硅基光源(如发光二极管、激光器等)、硅基光波导、硅基光调制器、硅基光探测器等。
113 系统集成方面研究如何将多个硅基光子器件集成在同一芯片上,以实现高性能的光通信、光计算和光传感系统。
12 最新进展的具体领域121 硅基光源技术在硅基光源方面取得了显著进展。
通过引入新的材料体系和结构设计,提高了硅基光源的发光效率和性能。
硅基光子学器件的性能提升研究
硅基光子学器件的性能提升研究在当今科技飞速发展的时代,信息的传递和处理速度成为了制约众多领域进步的关键因素。
硅基光子学器件凭借其在集成度、速度和能耗等方面的优势,逐渐成为了研究的热点。
然而,要实现其更广泛的应用,性能的提升是亟待解决的核心问题。
硅基光子学器件的性能涵盖了多个方面,包括但不限于传输效率、响应速度、带宽、功耗以及稳定性等。
这些性能指标相互关联又相互制约,提升其中一个方面往往会对其他方面产生影响。
首先,从材料的角度来看,硅材料本身的性质在一定程度上限制了器件的性能。
硅的间接带隙特性导致其发光效率较低,这对于需要光源的器件如激光器来说是一个重大挑战。
为了解决这一问题,研究人员采用了多种方法,其中之一是引入杂质能级来改变硅的能带结构,从而提高发光效率。
此外,通过合金化的手段,如形成硅锗合金,能够调整材料的光学和电学特性,进而优化器件性能。
在器件结构设计方面,创新的结构往往能够带来性能的显著提升。
例如,采用微环谐振腔结构可以增强光与物质的相互作用,提高器件的灵敏度和选择性。
另外,光子晶体结构由于其独特的光子禁带特性,可以实现对光的精确调控,有效地降低损耗和提高传输效率。
还有一种被广泛研究的结构是波导结构,通过优化波导的尺寸、形状和折射率分布,可以减少模式色散和传输损耗。
制造工艺的精度和质量对硅基光子学器件的性能也有着至关重要的影响。
传统的光刻技术在特征尺寸的缩小方面逐渐接近极限,因此新兴的制造技术如电子束光刻、纳米压印光刻等被引入,以实现更高精度的图形转移。
同时,化学机械抛光等表面处理工艺的改进能够降低表面粗糙度,减少散射损耗。
在制造过程中的掺杂工艺控制也非常关键,精确的掺杂分布可以有效地调节材料的电学性能,从而提升器件的性能。
热效应是影响硅基光子学器件性能的一个重要因素。
在高功率工作条件下,器件内部产生的热量会导致折射率变化、波长漂移等问题,严重影响性能的稳定性和可靠性。
为了降低热效应的影响,研究人员采取了多种散热措施,如使用高热导率的衬底材料、优化器件布局以改善热传导路径,以及采用微流体冷却技术等。
硅光电子学技术发展趋势与前景
硅光电子学技术发展趋势与前景随着科技的飞速发展,各行各业都在不断地拥抱数字化与智能化。
在这一过程中,硅光电子学技术越来越得到重视。
作为一种新型的电子器件,硅光电子学技术有着卓越的性能和广阔的应用前景。
本文从理论基础、工业应用和市场前景三个方面,深入探讨硅光电子学技术的发展趋势和前景。
一、理论基础硅光电子学技术是基于半导体材料研究的一个分支领域。
它通过改变半导体材料中的晶格结构,实现了光信号与电信号的互相转换。
具体来说,硅光电子学技术将半导体中的部分能级从价带中提取出来,形成了光子带。
这样,光信号就能够被半导体材料吸收并激发电子运动,并最终被转化为电信号。
因此,硅光电子学技术结合了光学、电子学和材料学等多个学科,是一种具有很高科技含量的技术。
尽管硅光电子学技术是近年来才开始大力开发的领域,但它有着更加广泛的应用前景,比如通信、计算和传感等。
因为它具有低损耗、高速度和可扩展性等优点,它已成为了解决信息传输和存储量爆炸式增长的理想选择。
二、工业应用硅光电子技术在通讯领域有着广泛的应用。
在4G和5G通讯网络中,硅光子学用于制造高效率的光纤,用于替代传统的铜缆缆线。
此外,还有许多其他领域的应用。
例如在医学成像方面,硅光电子技术被用于光学成像。
这种成像技术能够提供更高质量的成像效果,帮助医生更早地发现疾病。
在计算机领域,硅光子技术被用于制造更高速的计算器件。
这些计算器件比传统的电子设备速度更快,同时又节省了更多的电力。
三、市场前景硅光电子学技术的应用前景在市场上同样十分广泛,它可以满足企业和个人不同的需求。
下面我们一一介绍它的市场前景。
首先是移动通信。
在智能手机技术的推动下,全球移动通信日益发达,而硅光电子学技术正可以为移动通信提供更快的速度、更低的成本和更好的传输质量。
这是当前的一个巨大市场机会,也是未来的重点领域之一。
另一个发展迅速的领域是医疗器械。
硅光电子学技术可以提高计算机和视像设备的性能,从而在医疗影像领域中发挥作用。
中国硅光子行业和硅光子技术发展分析研究报告
目录第一节数据中心内部光进铜退需求迫切 (6)一、数据流量以极快速度增长 (6)二、芯片层面光进铜退成为必然 (8)三、硅光子技术有望成为颠覆 (10)第二节硅光子行业爆发将即 (12)一、硅光子技术进入集成应用阶段 (12)二、激光器和功耗方面进展为商用奠定基础 (14)三、Intel 技术规划显示硅光子行业每3 年性能提升8 倍 (17)四、预计硅光子行业两年左右可能迎来爆发 (17)第三节硅光子技术将对光通信产业进行重塑 (19)一、行业初步发展期,没有形成完整竞争格局 (19)二、行业电子属性越来越强 (20)三、下游应用端厂商切入研发制造环节 (21)第四节行业领先公司布局 (21)一、Intel :8 月宣布100G 硅光子模组正式投入商用 (21)二、IBM:硅光子成为超级计算研究方向之一 (23)三、Acacia:2016Q3 营收达1.35 亿美元,保持高速增长 (25)四、华为:收购Caliopa 切入硅光子技术研发 (27)五、其他公司成果 (28)第五节市场空间 (29)第六节投资建议 (30)图表目录图表1:全球IP 流量(Petabytes/月,2015-2020 年) (6)图表2:2019 年全球通信网络流量99%和数据中心相关 (7)图表3:全球数据中心流量(Zettabytes/年,2015-2020 年) (7)图表4:光传输发展路径 (8)图表5:铜线在高速传输信号(>10G)时出现困难 (9)图表6:电、III-V 族、硅光子材料性能对比 (9)图表7:硅光子系统的实现展示 (10)图表8:硅光模块示意图 (11)图表9:硅光发展历程(1960s-2015) (12)图表10:硅光子器件和产品分类 (13)图表11:III-V 族混合激光器 (15)图表12:硅基拉曼激光器 (15)图表13:光传输耗电量明显减小 (15)图表14:硅光子器件传输耗电量举例 (16)图表15:硅光子行业发展催化剂 (17)图表16:硅光子行业发展风险 (18)图表17:硅光子产业链 (19)图表18:硅光子行业电子公司越来越多 (20)图表19:英特尔近10 年硅光子领域成果 (22)图表20:英特尔100Gbps PSM4 QSFP28 光学收发器性能介绍 (22)图表21:IBM 100G 分波多工CMOS 硅光子芯片 (24)图表22:IBM 100G 分波多工CMOS 硅光子芯片工作原理 (25)图表23:Acacia 产品 (26)图表24:Acacia 营收和净利情况(万美元) (26)图表25:Acacia 业务分项目预测 (27)图表26:全球硅光子市场规模预计(百万美元) (29)图表27:硅光子的其它应用 (30)表格目录表格1:III-V 族和硅基材料性能对比 (14)表格2:硅光子产业发展规划 (17)表格3:下游厂商切入硅光子技术研发环节 (21)表格4:Intel 硅光收发器模组发展计划 (23)表格5:硅光子技术是超级计算市场的重要研究方向 (23)表格6:华为目前业务表现 (27)表格7:华为硅光布局 (28)表格8:其他公司布局和产品(部分) (28)表格9:上市公司布局 (31)第一节数据中心内部光进铜退需求迫切一、数据流量以极快速度增长全球流量以爆发式速度增长全球流量正在以极快的速度发展,以国内为例,三大运营商骨干网从2009 年以前的10G带宽技术、2010 年推广40G 带宽技术、2012 年实施100G 骨干波分技术、2015 年测试400G 技术,宽带增速以倍数级增长。
光通信未来方向 硅光子现状及前景解读
通过一种称之为“多路复用”的技术,IBM的研究员演示了如何使芯片通过单根光纤收发4种不同颜色的红外光信号。
目前,单一链路的传输速率为每秒25Gb,4路一起最高为100Gbps。在这一速度下,一张蓝光碟片中容量为25GB的电影只需两秒即可传输完毕。
来自IBM研究院的一位高管表示,大数据和云端服务的日益普及对计算能力产生了极大的需求,而硅光子技术的大规模商用将会使得半导体行业能够满足这一需求。
4、Intel富士通携手:硅光子服务器诞生
富士通通过与Intel的大力合作,已经成功打造并展示了全球第一台基于Intel OPCIe(光学PCI-E)的服务器,而其中的核心技术就是Intel苦心研发多年的硅光子(Silicon Photonics)。
富士通使用了两台标准的Primergy RX200服务器,各自增加一个Intel硅光子模块,以及一颗Intel专门设计的FPGA芯片。后者负责必要的信号调制工作,通过MXC连接器将PCI-E协议以光信号的形式传输到扩展盒中。
IBM研究院硅光子部门经理威尔·格林(Will Green)表示,采用四路复用技术能够将数据中心的光纤成本降低50%。
硅光电子学的研究发展
硅光电子学的研究发展随着科技的不断进步,人们对于传输信息的速度和精度要求也越来越高。
而光通信作为目前应用最广泛的高速通信技术之一,正日益受到人们的关注。
硅光电子学作为光通信技术的核心之一,一直以来受到广大研究者的追捧。
本文将从硅光电子学的历史发展、硅光电子学的原理以及硅光电子学未来的发展展望等方面,对硅光电子学的研究发展进行探讨。
一、硅光电子学的历史发展硅光电子学的研究始于20世纪70年代,当时科研人员主要是将光波导和光探测器等元器件集成在一起,制成了光电集成电路(photonic integrated circuits,PICs)。
但当时的光电集成电路并没有真正达到应用的阶段,主要原因是制造难度较大、制造成本较高等问题。
直到90年代,随着微纳加工技术的不断发展,光电集成电路制造工艺逐渐成熟,硅光电子学开始引起人们的高度关注。
二、硅光电子学的原理硅光电子学是指以硅材料为基础的光电集成电路技术。
其基本原理是利用硅材料的高折射率和光波导的传输特性,将光电器件集成在一起,通过光信号的传输来实现高效的通信。
硅光电子学的关键元器件包括光调制器、波分复用器、耦合器、光探测器等。
其中,光调制器是硅光电子学的重要组成部分。
光调制器利用Pockels效应或Kerr效应实现光信号的调制,将数字信号转换成光信号,并通过光波导传输。
硅光电子学的另一个重要应用则是光纤传输的光端机技术。
三、硅光电子学的未来发展随着人们对于通信技术的不断追求,硅光电子学也不断地在发展和进步。
未来,硅光电子学将向着大规模集成的方向不断发展,实现光电集成电路的高度一体化和微型化。
同时,硅光电子学也将成为人工智能、物联网、云计算等新兴技术的重要支撑,为这些技术的发展提供更加可靠和高效的通信手段。
在未来硅光电子学的应用领域中,无人驾驶、医疗健康、智慧城市等都将成为硅光电子学技术重要应用领域。
总结:硅光电子学作为光通信技术的核心之一,一直以来受到广大研究者的追捧。
硅光子技术主要对光模块中光相关的元器件
硅光子技术主要对光模块中光相关的元器件硅光子技术:点亮光模块中的“光”朋友们!今天咱们聊聊那个让光通信领域兴奋不已的话题——硅光子技术。
这可是个高科技的“光”朋友,它可不是那种普通的电子元件,而是专门负责在光模块里传递信息的“光”专家。
咱们得好好认识一下这位“光”界的明星。
硅光子技术就像是给光模块装上了一双超级灵活的手。
想象一下,你手上戴着一副智能手表,而硅光子技术就像那根连接手表和大脑的细线,让信息传输变得既快速又准确。
这技术可不简单,它利用了硅这种半导体材料的特性,把光信号变成了电信号,再通过电路送到远方。
说到硅光子技术的好处,那可真是数不胜数。
它的速度嗖嗖的,比传统的光纤通信快多了。
想象一下,如果你能像玩魔术一样,把数据从一个地方传到另一个地方,而且速度比风还快,那得多酷啊!再来说说硅光子技术的灵活性。
你知道吗?它可以根据需要调整波长,就像变色龙一样,适应不同的通信环境。
这意味着,无论是在深海、高山还是城市中,只要有光,硅光子技术就能帮你实现高速、稳定的数据传输。
硅光子技术还很环保。
想象一下,没有了那些笨重的光纤和复杂的设备,我们的网络世界变得更加轻盈、简洁。
这样不仅节省了空间,还能减少能源消耗,让我们的环境更加美好。
硅光子技术也不是没有小挑战。
它的成本比较高,制造过程也比较复杂。
但好消息是,随着技术的不断发展,这些难题正在被一一攻克。
我相信,在未来,我们一定能看到更多创新的硅光子产品,为我们的生活带来更多便利。
硅光子技术就像一位技艺高超的光通信大师,它用光的力量点亮了信息的世界。
咱们要感谢这位“光”界的明星,因为它让数据传输变得更加快速、高效、环保。
让我们一起期待这个充满无限可能的未来吧!。
短波中红外硅基光子学进展
短波中红外硅基光子学进展短波中红外(SWIR)区域的波长在1.4-2.5微米之间,是一种重要的光谱区域,在各个领域广泛应用,如商业、安全、医学、环境等。
目前,SWIR光子学在石墨烯、TMDCs、量子点等多种材料中得到了广泛的应用,并引起了人们对硅基SWIR光子学的关注。
硅基SWIR光子学具有许多优点,如成本低、高集成度、易于制备等。
本文将重点介绍硅基SWIR 光子学的进展。
1.硅基SWIR光源硅基SWIR光源是硅基SWIR光子学中的重要组成部分。
传统的硅基光源在SWIR区域的发光效率较低,因此研究人员需要开发新型的硅基光源。
目前,石墨烯、TMDCs、金纳米球、铁氧体等材料已被用于制备硅基SWIR光源。
石墨烯是一种单层碳原子形成的二维材料,其电子与光子的特殊性质使其成为作为SWIR光源的理想选择之一。
激光诱导石墨烯发光(LIG)是一种简单的制备方法,在SWIR区域中有很高的发光效率。
TMDCs是一类具有强烈的光源特性的二维材料。
由于其具有直接能隙,因此在SWIR区域中有很好的光源品质。
近年来,研究人员已经制备了大量的硅基TMDCs光源并进行了深入的研究。
金纳米球具有广泛的应用前景,因其具有高效的局部表面等离子体共振(LSPR)。
研究人员已经利用其LSPR特性成功地制备了硅基SWIR光源。
硅基SWIR检测器通常使用硅基解理探测器、PN探测器、PIN探测器、MOSFET、Bipolar探测器等。
这些硅基检测器具有较高的灵敏度和响应速度,而且可以与现有的硅基微电子器件集成。
PIN探测器是一种常见的硅基SWIR探测器,其可以用于制备面阵列。
PIN探测器利用了硅与硅和掺杂硅的PN结之间不同的响应特性,以实现SWIR光的探测。
硅基解理探测器是SWIR区域中的一种通用探测器,其具有较高的光电响应率和快速响应速度。
同时,硅基解理探测器具有很好的温度稳定性,因此在高温环境下也能稳定地工作。
硅基SWIR光子晶体是由硅基材料制成的光学元件,其表现出多个光子禁带。
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第4 2卷 第 9期
21 0 2年 9月
激 光 与 红 外
L E AS R & I R NF ARE D
Vo . 142, . No 9
S pe e ,0 2 e tmb r 2 1
文 章 编 号 :0 15 7 (0 2 0 -9 1 5 10 -0 8 2 1 ) 90 7 - 0
Ab t a t S mio d co i c n i i d o lcr n mae il a d i a s id o p r p ae p oo tra. tr sr c : e c n u t rs io sa kn fee t tra , n s lo a kn fa p o r t h tn ma ei Mau e l o i 1 mir —l cr nc rc se rv d s l o n ain fr sl o h tn c . h e e t rg e s f S — a e p ia c o ee t is p o e s s p o i e oi fu d t o i c n p oo is T e r c n p o r s o ib s d o t l o d o i c
2 SaeK yL brt yo pol t n sIs t eo e i n utr, hns cdm f cecsB in 0 0 3 C ia . t e aoa r nO t e r i , tu f m c dco C ieeA ae yo Sine ,e ig10 8 , h ) t o e co c n it S o s j n
品 。
光器 , 图 6所示 , 如 发射机 组件 制作在 同样 的波 导结 构 上 , 以实 现 1n 的工 作 波长 范 围 , 而保 证 了 可 m 从
温 度变 化时光 源 和调制 器工作 波长 的 自动 匹配 。温
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基 金项目: 北京市属高等学校科学技 术与研究生 教育创新 工程 建 设 项 目( o P M2 1 _ 12 3 13 3 ) 助 。 N . X 0 10 4 1— 16 4 资 作者 简介 : 陈媛嫒 (9 9一) 女 , 士, 17 , 博 副教 授 , 主要从事半 导体 光波导器件的研究 。E ma :hn y@13 cm — i c e.Y 6 .o l 收 稿 日期 :0 11-9; 订 日期 :0 2 -8 2 1 —22 修 2 1  ̄11
1 引 言
有 晶片 尺寸 大 ; 学 、 热 电学性 能 良好 ; 易加工 , 机械 性
第 八 届 Ⅳ族 光 子学 国际会 议 (h I E tr te8 E E I e— n
nt n l ofrneo ru htnc , F 2 ) a o a C nee c nG o pI P o isG P 0 i V o 1 1
艺更 为硅 光子 学提供 了坚实 的技术 基础 。根据 第 八届 Ⅳ 族 光 子 学 国 际会 议 的信 息 , 文章 综 述
了硅 基 光 波 导技 术特 别 是 S I 波 导技 术 研 究 的最 新进 展 , 重介 绍 了光 调 制器 、 波长 光 O 光 着 亚 栅、 混合 集成 、 封装 以及 波导加 工等 方 面的新 理念 与新 方法 。
形 式增 长 。硅 作 为 一种 价 格 低 廉 的半 导 体 材 料 , 具
94 7
激 光 与 红 外
第4 2卷
在硅 平 台上 与 C S电子技 术兼 容 的光发射 机 MO 也是 近些 年 的研究 热点 。特别 是硅 基线 波导 的微 环
Ln e m n 人利用 3D直 写 的光 刻技 术 , 作 了 id n a n等 制
扩 大与硅 光子 学 的迅猛 发展 是密 不可 分 的。近 十年 来 硅光 子学相 关论 文数 目和引用 次数 几乎 是呈 指数
学 的一 些最 新进 展 , 别 是 对 器件 的工 作原 理 和 结 特
构 进行 了重 点分 析介 绍
2 光 调制 器
。
光 调 制器是 近 年来在 Ⅳ族 光子 学领域 的研 究热
一
种 单模 的光子 线连 接 ( WB) P 自由形 式波 导 , 现 实 了两 个不 同 的纳 米 光 子 芯 片 间 的连 接 。如 图 8 a ()
谐振 器 ( R) MR 具有 低功耗 和 小 尺寸 的 特点 , 以和 可 半导 体光 放 大器组 成 的硅基线 波 导混合 激光 器 。但 是 MMR 光 调 制 器 工 作 波 长 范 围 的 典 型 值 只 有 0 1n 比较 窄 , 温 度 变 化 时 仍 然 保 持 与 激 光 光 . m, 在
又会 增 加 额 外 的静 态 功 耗 。So—w nJog等 人 ekH a en
报 道 了集 成 了级 联 的 MR 的 MZ调 制 器 的外 腔 激 R
层 为 S8聚合物 , u 折射 率为 15 。P .6 WB的跨 度距 离
约为 8 m, 芯 片 间 间隙 约为 2 m。测 量 P 0I 两 x 0 WB 度 的 机 械 对 准 , 可 能 实 现 高 自 动 化 程 度 的 产 有
・
综述 与评论 ・
从 G P 0 硅 光 子 学 的 进 展 F21 1看
陈媛 媛 余 金 中 ,
(. 1 北京工商大学计算机与信息工程学院 , 北京 10 4 ; . 0 0 8 2 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重 点实验室 , 北京 10 8 00 3)
摘
要 : 导体硅 材 料不仅 是 一种 电子材 料 , 半 也是 一种合 适 的光 子材料 。成 熟 的微 电子加工 工
能好 ; 成熟 的微 电子 工 艺 兼 容 等优 点 。虽 然 硅 材 与 料也 存 在发光 困难 , 电光 系数小等 缺 陷 , 一定 程度 上 阻碍 了其发 展速 度 。但 硅仍 不失 为一种 非 常有潜 力 的光子 学材 料 。通过 自由载流子 色散 效应 进行 电光 调 制和 混合集 成 的方式 , 在光 子 学 领 域仍 然 是 大 硅
j
量
I 要
5 ℃ 1 5 0G l 0 船 wa e e g h n v ln t / m 19 50
会 影 响波导 的传输 损耗 。使用 热氧 化 的方法 在一定 程 度上 可 以减 小硅 波 导 表 面粗 糙 度 , 要 求 高 温 的 但 加 工过程 。J ga a 等人 报道 了使用 氢离 子 处理 i nnC i n 硅 波导 以获得 光滑 的表 面 。实验 中使用 氢和水 混合
T e mo u ao ,u w v l n t rt g h b d it gai n p c a i ga d wa e u d e p o e sa e ito u e e al h d lt r s b a ee gh g ai , y r e r t , a k gn n v g i en w rc s r rd c d i d ti. n i n o n n Ke r s: OI o t a a e u d ; i c n b s d; h t n c ; F 2 1 y wo d S ; p i lw v g i e sl o — a e p oo i s G P 0 c i 1
源 的波 长 匹配 比较 困难 。而 通过 热调节 机制来 控 制
所示 , 光子 芯 片和光纤 末端 都 固定在通 用 的载体 上 , 并 用 光刻胶 掩埋 。光 子线 连 接 的 3 D结 构 通过 脉 冲
激光 聚焦下 的双 光子 聚合来 实现 。实 际制作 的光子
线连 接如 图 8 b 所示 。P () WB的 直径 约 2 m。芯
有 可为 的。本 文 概 述 了 G P 0 1上 报 道 的 硅 光 子 F21
已于 2 1 年 9月 1 日到 1 日在 英 国伦 敦 召开 。 01 4 6
该 系列 会议 自 20 首届 举办 以来 , 与的研 究 团 04年 参 体越来 越 多 , 议 收到 的论文 数从 首届 的 7 会 0多篇 逐
鍪 ℃ i 盆 ℃ l 帖 ℃ I : ℃ — 8
度变化时共 振波长 向长波 方 向移 动 , 值大 约为 其
+ .7 m  ̄ 在 不 提 供 外 加 热 调 节 机 制 的 条 件 007n /3,
下, 完全 能够 适应 环境 温 度 的变 化 , 图 7所 示 , 如 在 2 【和 5 5c = 5℃ ,0 G / 的速率 下 中均可 以获得 清 晰 1 b s
( ) 脊 型 线 波 导 的截 面 图 b硅
( ) 物 图 b买
图 6 外腔激光器和光调制器组成 的 MR R基光 发射机 的示意图及硅脊型线波导 的截面图
图 8 光 子 线 连 接 原 理 图 及 实物 图
6 波导 加工