《模拟电子技术》习题集.

《模拟电子技术》习题集

一、填空题

1.半导体是一种导电能力介于和之间的物质。

2.半导体的导电类型分型和型半导体。

3.在判别硅、锗晶体二极管时，当测出正向电压为时就认为此二极管为锗二极

管；当测出正向电压为时，就认为此二极管为硅二极管。

4.N型半导体主要依靠载流子导电。

5.P型半导体主要依靠载流子导电。

6.PN结加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层变。PN结加反向电压时，

扩散电流漂移电流，耗尽层变。

7.PN结具有性能，即加正向电压时ＰＮ结，加反向电压时ＰＮ

结。

8.当温度升高时，PN结的反向电流会。

9.用万用表欧姆挡测量二极管好坏时，测量的正反向阻值间相差越越好。

10.二极管按结构分类，可分为、、三种。

11.硅稳压二极管是一种具有作用的特殊二极管。

12.硅稳压二极管的动态电阻r z越其稳压性能越好。

13.用硅稳压二级管组成稳压电路时，电路中稳压管必须与负载联。

14.晶体三极管有型和型两种。

15.当温度上升时，晶体三极管的I CEO会，β值，ＵBE。

16.三极管具有电流放大作用的外部条件必须使结正向偏置，结反向偏

置。

17.晶体三极管的区与区由同一类型材料组成，区掺杂最

重，区掺杂最轻。

18.当三极管饱和时，它的发射结必是偏置，集电结必是偏置。

19.硅三极管I CEO比锗管小得多，硅管的热稳定性比锗管要。

20.NPN 型三极管各电极电位关系是V C＞V B＞V E，该管工作于状态。

21.PNP型三极管各电极电位关系是V C＜V B＜V E ，该管工作于状态。

22.晶体三极管三个极电流之间的关系式为I E＝。

23.晶体三极管输出特性中的三个区分别叫区、区和区。

24.判断图1--10所示三极管的工作状态，其中也有损坏状态的可能。

25.在电路中测得各三极管对地电位如图1－11所示，判断三极管工作状态

1