多孔硅
发光多孔硅的形成及性能的研究
发光多孔硅的形成及性能的研究
近年来,研究发光多孔硅的性能和应用已经成为一个研究热点。
发光多孔硅具有良好的热稳定性、光学性能、电子学性能等特点,因而在太阳能电池、储能器件、生物传感器、显示器等领域有着广泛的应用前景。
因此,研究发光多孔硅的形成及性能变得尤为重要。
发光多孔硅通常是由电子束蒸镀技术或水热法制备而成,其形成机理涉及复杂的过程,同时也与温度、时间等因素密切相关。
由于具有多孔结构,发光多孔硅具有高度的比表面积、多孔分布均匀、孔隙大小可调等优点,在发光多孔硅的制备过程中可调控比表面积、孔隙尺寸等参数,从而影响到发光多孔硅的性能。
发光多孔硅具有优异的热稳定性,即发光多孔硅在高温高压条件下,其结构和性能基本不变。
发光多孔硅的热稳定性可为太阳能电池提供较高的抗高温能力。
发光多孔硅具有良好的光学性能,其介质分布均匀,能够有效地吸收和反射光线,可以用于显示器中的照明。
另外,发光多孔硅还具有良好的电子学性能,可用于生物传感器中检测和传感信号,也可用于储能器件的制备。
除了上述性能外,发光多孔硅还有众多优点,如低成本、高比表面积、简单的制备方法等,它具有很多潜在的应用前景。
因此,未来研究发光多孔硅的形成及性能可能会取得更大的进展,从而为更多新型设备的制备提供更多机会。
综上所述,发光多孔硅在热稳定性、光学性能和电子学性能等方面具有优异的性能,并具有低成本、高比表面积、简单的制备方法等
优点,在太阳能电池、储能器件、生物传感器、显示器等领域有着广泛的应用前景。
研究发光多孔硅的形成及性能是未来研究的重要热点,发光多孔硅的有效制备与性能的改善将为新型设备的制备提供更多
机会。
多孔硅
四、展望
由于多孔硅的研究从一开始就有明确的应用 目的,未来可以从以下几个方面去研究: 1、发光机理 2、色彩
五、应用
多孔硅的应用研究领域已经拓展到生物物递送等领域。
二、发展历史
1、1956年Uhlir首先制备并报道了多孔硅, 随后多孔硅作为绝缘材料,即做成 SOL(Silicon on insulator)结构被应用于硅 集成电路; 2、1984年Pickering等首先在低温(4.2K) 下观察到了多孔硅的可见光致发光现象, 但当时未引起足够的重视。
3、1990年Canham 首次报道了多孔硅在 室温下具有强烈的可见光致发光现象后, 多孔硅的研究才得到较大的进展,人们相 继发现了多孔硅多种颜色(红、蓝、绿、紫、 黄、紫外、蓝绿以及黄绿等)的光致发光和 电致发光.鉴于硅基发光材料在光电子学 领域巨大的潜在应用前景,有关多孔硅的 制备、光致(电致)发光特性以及发光器件等 方面的研究便迅速成为当今国际凝聚物理 和材料研究领域的研究热点
多孔硅
一、定义及特点 二、发展历史 三、制备方法 四、展望 五、应用
一、定义及特点
1、定义
多孔硅是一种新型的 一维纳米光子晶体材 料,具有纳米硅原子 簇为骨架的“量子海 绵”状微结构,可以 通过电化学阳极腐蚀 或化学腐蚀单晶硅而 形成。
2、特点
多孔硅具有良好电致发光特性,在光或电的激发 下可产生电子和空穴,这些载流子可以复合发光, 在电场的作用下进行定向移动,产生电信号,也 可以储能。多孔硅在光学和电学方面的特性为全 硅基光电子集成和开发开创了新道路,并迅速引 起了国内外对多孔硅的研究热潮。由于多孔硅具 有比表面大,易氧化的特点,因而被用作集成电 路中的结构隔离层
新型含能材料-多孔硅含能材料
• 引言 • 多孔硅含能材料的制备方法 • 多孔硅含能材料的性能特点 • 多孔硅含能材料的应用领域 • 多孔硅含能材料的挑战与前景 • 结论
01
引言
含能材料的定义与重要性
含能材料
指在一定的条件下能够释放出大 量能量的物质,广泛应用于军事 、航天、能源等领域。
重要性
原材料成本
多孔硅含能材料的原材料成本较高,进一步推高 了其整体成本。
设备投入
为了满足多孔硅含能材料的生产需求,需要投入 昂贵的生产设备和基础设施。
未来发展前景
军事领域应用
多孔硅含能材料具有高能量密度和低 感度的特性,有望在军事领域发挥重 要作用。
航天领域应用
多孔硅含能材料在航天领域可用于推 进剂的燃烧催化剂或点火装置等。
安全防护领域应用
多孔硅含能材料具有快速燃烧的特性, 可应用于安全防护领域的快速灭火或 爆炸抑制等。
新材料研发
多孔硅含能材料作为一种新型含能材 料,其研究和发展对于推动新材料领 域的发展具有重要意义。
06
结论
多孔硅含能材料的重要地位
新型含能材料的代表
多孔硅含能材料作为新型含能材料的代表,具有优异的安 全性能和能量释放能力,在推进剂、爆炸和军事等领域具 有广阔的应用前景。
多孔硅含能材料的简介
多孔硅
多孔硅是一种新型的含能材料, 具有高能量密度、高稳定性、环
保等优点。
制备方法
多孔硅的制备通常采用化学气相沉 积法,通过控制反应条件和原料配 比,制备出不同孔径和孔隙率的硅 基多孔材料。
应用领域
多孔硅含能材料在军事、航天、能 源等领域具有广泛的应用前景,如 火箭推进剂、炸药、燃料电池等。
多孔硅
12
多孔硅的荧光特性
1. 多孔硅的孔度与荧光波长的关系 荧光波长随多孔硅的孔度增加而移向短波段,即光子能量随孔度 荧光波长随多孔硅的孔度增加而移向短波段, 孔度增加 的增加而增大. 的增加而增大. 低孔度 60% % 70% 70%以上 80%以上, %以上, 2. 蓝移现象 多孔硅的电化学处理结束之后切断电源,继续在 中进行化学腐 多孔硅的电化学处理结束之后切断电源,继续在HF中进行化学腐 开路腐蚀, 继续向短波波段移动; 这被称作开路腐蚀 光谱可以继续向短波波段移动 蚀,这被称作开路腐蚀,光谱可以继续向短波波段移动; 或者化学处理结束后,将样品从 溶液中取出后 溶液中取出后, 或者化学处理结束后,将样品从HF溶液中取出后,光谱也会移向 短波段.这是由于多孔硅的样品上吸附了大量的HF溶液 溶液, 短波段.这是由于多孔硅的样品上吸附了大量的 溶液,化学腐 蚀依然在进行,这种现象称蓝移现象. 蚀依然在进行,这种现象称蓝移现象.
11
多孔硅发光的基本理论
分子在势能面间的"跳跃"过程称为跃迁, 分子在势能面间的"跳跃"过程称为跃迁,相应于电子从一个 跃迁 轨道跳跃到另一个轨道. 轨道跳跃到另一个轨道. 辐射跃迁:即跃迁过程伴随着光子的放出,包括荧光和磷光过程; 辐射跃迁:即跃迁过程伴随着光子的放出,包括荧光和磷光过程; 荧光 过程 非辐射跃迁:即跃迁过程没有光子参与, 非辐射跃迁:即跃迁过程没有光子参与,能量以热或者其他形式 耗散,包括内转换,系间窜越等. 耗散,包括内转换,系间窜越等.
7
多孔硅(Porous Silicon) 多孔硅
硅在HF溶液中经电化学腐蚀, 硅在 溶液中经电化学腐蚀,成为多孔 溶液中经电化学腐蚀 多孔硅. 状——多孔硅. 多孔硅 孔度:电化学处理时, 孔度:电化学处理时,腐蚀掉的硅的质量分 数. 低孔度多孔硅: 低孔度多孔硅:主要用于集成器件的隔离和 SOI材料的绝缘衬底; 材料的绝缘衬底; 材料的绝缘衬底 高孔度多孔硅(高于 % :可用作发光材料, 高孔度多孔硅 高于70%):可用作发光材料, 高于 孔度越高,发射光的波长就越短 波长就越短. 孔度越高,发射光的波长就越短.
多孔硅的制备
多孔硅的制备与表征[摘要]多孔硅(Porous Si)是一种具有纳米多孔结构的材料,可以通过晶体硅或非晶硅在氢氟酸中进行阳极氧化来获得。
多孔硅由于原料储备大,制作工艺简单,是一种很有潜力的材料。
同时,多孔硅作为一种硅基纳米发光材料,由于具有与现有硅芯片集成容易、研制成本低以及发射光均匀、多色等优点而被国内外科学家广泛研究,现已成为20世纪90年代以来硅基纳米材料的主要代表。
本论文在进行大量的文献调研基础上,对多孔硅的发展历史、形成机理、分类方法、制备方法及应用方向等进行了简要概述。
本论文研究了多孔硅的制备技术和表征,用比较简单且经济实惠的方法制备了多孔硅,并比较了在不同条件下制得的多孔硅形貌特征和结构差异。
[关键词]多孔硅;电化学方法;结构;光致发光Preparation and Characterization of the Porous Silicon Electronic Information Engineering Specialty SI Wen-fang Abstrac t: Porous silicon(PS) is a material with nanoporous structure. It can be obtained through the crystalline silicon or amorphous silicon anodic oxidation in hydrofluoric acid. Because of its big raw materials reserve and simple manufacturing process, porous silicon is a potential material. At the same time, as a silicon-based material with light-emitting function, porous silicon has been widely researched by scientists all of the world and becomes a represent of silicon-based nanometer materials because of its merits, such as easy integrating with silicon chips, low cost, several colors light emitting etc.Based on a lot of literature investigation, the development history, the forming mechanism, classification, preparation method and the applied direction of the porous silicon is briefly reviewed in this paper. The preparation technology and characterization of porous silicon is researched in this paper. A simple and economical method of the preparation is used in the experiment. Besides, the appearance characteristics and structural differences of the porous silicon in different conditions are discussed in this paper.Key words: Porous silicon; electrochemical method; structure; photoluminescence目录1 引言 (1)2 多孔硅基本原理与概述 (1)2.1 多孔硅发展历史 (1)2.2.1 Beale耗尽模型 (2)2.2.2 扩散限制模型 (2)2.2.3 量子限制模型 (2)2.3 多孔硅的分类 (4)2.4 多孔硅的制备方法 (5)2.4.1 阳极腐蚀法 (5)2.4.2 水热腐蚀法 (6)2.4.3 火花放电法 (7)2.4.4 化学腐蚀法 (7)2.5 多孔硅的应用 (7)3 多孔硅制备的实验过程 (8)3.1 仪器和试剂 (8)3.2 单晶硅片清洗 (8)3.3 多孔硅制备 (8)3.4 多孔硅表面处理 (9)3.4.1 阳极氧化表面处理法 (10)3.4.2 阴极还原表面处理法 (10)4 多孔硅的微结构研究 (10)4.1 制备多孔硅的实验结果对比 (10)4.2 多孔硅微表面和横截面形貌研究 (11)4.2.1 多孔硅AFM表面形貌研究 (12)4.2.2 多孔硅表面三维形貌研究 (12)4.2.3 多孔硅表面二维形貌研究 (13)4.3 多孔硅SEM截面形貌研究 (15)4.4 多孔硅SEM表面形貌研究 (18)5 多孔硅光电特性的分析 (19)5.1 概述 (19)5.2 多孔硅的光致发光. (20)5.2.1 多孔硅发光谱研究 (20)5.2.2 多孔硅发光机理 (21)结束语 (23)参考文献 (24)致谢 (25)1引言多孔硅(PS)是一种具有纳米多孔结构的材料,可以通过晶体硅或非晶硅在氢氟酸中进行阳极氧化来获得。
多孔硅的综合实践
摘要:多孔硅作为一种新型纳米材料,具有独特的结构和优异的性能,在许多领域具有广泛的应用前景。
本文从多孔硅的制备方法、结构特性、性能特点以及应用领域等方面进行综合实践,旨在为我国多孔硅的研究和应用提供参考。
一、引言多孔硅是一种具有纳米级孔隙结构的半导体材料,由于其独特的结构特性,使其在光电子、催化、能源、生物医学等领域具有广泛的应用前景。
近年来,随着纳米技术的快速发展,多孔硅的研究与应用越来越受到重视。
本文将从多孔硅的制备方法、结构特性、性能特点以及应用领域等方面进行综合实践,以期为我国多孔硅的研究和应用提供参考。
二、多孔硅的制备方法1. 化学气相沉积法(CVD)化学气相沉积法是一种常用的多孔硅制备方法,通过在高温、高压条件下,将硅烷气体在催化剂的作用下转化为多孔硅。
CVD法具有制备温度低、孔隙率高、可控性强等优点。
2. 溶液浸渍法溶液浸渍法是一种通过将硅片浸入含有氢氟酸、硝酸等溶液中,使硅片表面形成多孔结构的方法。
该方法操作简便,成本低廉,但孔隙率较低。
3. 电化学腐蚀法电化学腐蚀法是一种利用电化学原理,在硅片表面形成多孔结构的方法。
该方法制备的多孔硅具有孔隙率高、结构均匀等优点。
4. 激光烧蚀法激光烧蚀法是一种利用高能激光束烧蚀硅片表面,形成多孔结构的方法。
该方法制备的多孔硅具有孔隙率高、尺寸可控等优点。
三、多孔硅的结构特性1. 孔隙结构多孔硅的孔隙结构是其最重要的结构特性之一,孔隙率、孔径、孔道分布等参数对其性能和应用具有重要影响。
通过调控制备方法,可以实现对多孔硅孔隙结构的精确控制。
2. 表面性质多孔硅表面具有丰富的活性位点,有利于催化、吸附等反应的进行。
表面性质受制备方法、孔径、孔道分布等因素的影响。
3. 电子结构多孔硅的电子结构对其光电子性能具有重要影响。
通过调控制备方法,可以实现对多孔硅电子结构的优化。
四、多孔硅的性能特点1. 光学性能多孔硅具有独特的光学性能,如光吸收系数高、光致发光等。
多孔硅生产工艺及流程
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多孔硅简介
光致发光等特性的影响已有较多的认识。
缺点是如果阳极和阴极的相对位置不合适及在 其表面形成氢气泡的绝缘效应引起电解质电流密 度空间的变化,从而导致不均匀腐蚀的发生。
2、双槽电化学法制备多孔硅
双槽电化学方法制备多孔硅的具体做法是将
硅片插入装有腐蚀液的电解槽中间的固定架上,
硅片把电解槽分成两个相互独立的电解槽,用两 片铺片分别面对面放在硅片的两侧作为阴极和阳 极。结构简图如图3所示。 通过改变腐蚀电流的大小,可以得到不同太
简单制备方法
硅在HF溶液中进行电化学腐蚀(单槽和双槽)
多孔硅发光机理的几个模型
多孔硅的发光机理——量子尺寸模型
Canham提出,采用电化学腐蚀的制备的多
孔硅是由密集的、具有纳米量级线度和微米量
级的硅丝组成,形成了所谓的“量子线”。当
空隙密度大于80%时,硅丝间是相互竖立的。 多孔硅的发光被认为是约束在这些量子线上的 激子的辐射复合。
多孔硅的制备
1.单槽电化学制备多孔硅
具体做法是先用真空溅射的方法在清洗好抛光 的硅片背面溅射一层金属铂膜作为电极。 再按照图 所示的方法将直流稳压电源、硅片、电流表、阴极 串联成通路,打开电源即可进行腐蚀。
单槽电化学方法是人们对制备多孔硅研究较 多的一种方法,该方法的 优点是工艺比较成熟,人们对温度、腐蚀液成 分、掺杂、电流密度等制备条件对样品的形貌、
多孔硅简介
多孔硅纳米材料的制备及在高能锂电池中的应用
多孔硅纳米材料的制备及在高能锂电池中的应用
多孔硅纳米材料是一种具有高比表面积和孔隙度的材料,具有很好的
电化学性能和储能性能,因此在高能锂电池中有着广泛的应用前景。
其制
备方法主要有化学气相沉积、溶胶-凝胶法、电化学沉积法等。
化学气相
沉积法是一种常用的制备多孔硅纳米材料的方法,其原理是在高温下将硅
源气体(如SiH4)通过化学反应转化为硅纳米颗粒,并在反应过程中控
制气氛和反应条件,使得硅纳米颗粒形成多孔结构。
溶胶-凝胶法则是通
过溶胶-凝胶反应制备多孔硅纳米材料,其原理是将硅源溶液与模板材料
混合,经过凝胶化、干燥、热处理等步骤,最终得到多孔硅纳米材料。
电
化学沉积法则是通过电化学反应在电极表面沉积硅纳米颗粒,控制反应条
件和电极材料,可以制备出具有多孔结构的硅纳米材料。
多孔硅纳米材料
在高能锂电池中的应用主要体现在其作为负极材料的应用。
由于多孔硅纳
米材料具有高比表面积和孔隙度,可以提高锂离子的扩散速率和储存容量,同时也可以缓解硅材料在充放电过程中的体积膨胀和收缩问题,从而提高
电池的循环寿命和稳定性。
此外,多孔硅纳米材料还可以与其他材料复合
使用,如与碳材料复合使用,可以进一步提高电池的性能。
总之,多孔硅
纳米材料是一种具有很好应用前景的材料,在高能锂电池中有着广泛的应
用前景。
其制备方法和应用研究还需要进一步深入探究和发展。
多孔真空硅
多孔真空硅
多孔真空硅的介绍:
1、什么是多孔真空硅:
multi-aperture vacuum silicone,简称MAVS,是一种异种特殊材料。
其主要由多孔
硅(PSA)和真空硅(VSC)组成,主要应用于工业和医疗工程中。
结构很复杂,具有优异的耐温性和高精度,可大大提高工作效率。
2、多孔真空硅的特性:
(1)优异的耐温性:多孔真空硅具有优异的耐温性,可在温度范围内进行长时间
高效运行。
(2)高精度:多孔真空硅表面的精度高达几百微米,使它能够完成高精度的工作。
(3)出色的抗冲击性:多孔真空硅具有良好的抗冲击性,能确保设备在复杂的作
业环境下稳定工作。
3、多孔真空硅的应用:
(1)电子信息工业:多孔真空硅可用于电子信息工业,如通讯设备、射频设计、
无线数据传输以及磁性记忆设备的制造等。
(2)工业设备:多孔真空硅还可以应用于工业设备中,成为各种工业设备的核心
部件之一,可大大提高工作效率。
(3)医疗领域:多孔真空硅在医疗领域也发挥着重要作用,可用于医疗器械、影
像设备等的制造。
4、多孔真空硅的发展趋势:
随着多孔真空硅应用已进入商业市场,越来越多的需求,技术也在不断改进和发展,使得多孔真空硅更加可靠和精确,令人非常满意。
预计多孔真空硅的应用还将进一步扩展,在更多领域产生更大的作用,发挥自身优势,成为行业技术发展的核心。
多孔硅材料的制备原理
多孔硅材料的制备原理
多孔硅材料的制备原理是通过控制硅材料的结构和处理条件,使其形成具有空腔或孔隙的结构。
一般来说,多孔硅材料的制备可以分为以下几个步骤:
1.选择合适的硅源和模板:硅源可以是硅烷或硅氧烷等无机硅化合物,模板可以是有机物或无机物,通常为乳化剂或表面活性剂。
2.形成硅源模板溶液:将硅源和模板在适当溶剂中混合,生成硅源模板溶液。
3.自组装形成模板阵列:在适当的条件下,硅源模板溶液中的硅源和模板分子会发生自组装,形成具有有序排列的模板阵列。
4.固化和烘干:将自组装形成的模板阵列固化并进行烘干,以使其结构稳定。
5.去除模板:通过热解、溶解或其他方法去除模板,留下具有空腔或孔隙结构的多孔硅材料。
制备多孔硅材料的关键是控制硅源和模板的组成、浓度和物理化学性质,以及控制自组装和固化过程中的条件,从而达到所期望的多孔硅材料结构。
同时,不同的制备方法和条件也会影响多孔硅材料的孔径、孔隙分布和形貌等特性。
多孔硅的形貌、制备和应用
化 学腐 蚀制 备 的多孔 硅表 面均匀 性低 ,孑 L 深
化 学腐 蚀方 法简 易 ,操作 简单 。但反 应 产生
大量 的 N O气 泡会 附着 在硅 片表 面 ;而 且 由 于氟 离 子容 易形 成氢 键 ,降低 H F活 性 。使 多孔 硅 表 面 的腐 蚀 非 常 不 均 匀 ,难 以控 制 孔 的 深 度 和 孔
比较浅 ,孔 的深 度 和孔径 都难 以控 制 。为 了克 服 了化学 腐蚀 的不 足 ,发展 了 电化学腐 蚀法 。
2 . 2 电化 学阳极 腐蚀 法
电化学 阳极 腐蚀 法是 以单 晶硅 为 阳极 ,铂 为 阴极 ,氢 氟酸 和 乙醇为 电解液 ,通 过 电腐 蚀 制备
多孔硅 ,其孔 直径 为微米 或纳 米尺 度 、孔深 在几
径 ,腐 蚀 既有纵 向腐 蚀也 有横 向腐 蚀 ,致使 多孔
硅 壁贯 穿 ,部 分 或 全 部 多 孔 硅 层 从 硅 基 片 上 脱 落 ,孔 的深度有 限 ,硅表 面粗 糙 。 因此该 方 法大
多形成 图 2所示 的绒 面表 面 。
微米 到 几 十 微 米 。 电 化 学 腐 蚀 反 应 如 式 5 一
式 1 2 。
在 化 学腐蚀 法基 础上 陆续 发展 了光 化学 腐蚀 法 、受 控错 位刻 蚀 法和水 热腐 蚀法 等 。
阳极 反应 :
S i +4 O H一+n h — } S i ( O H) +( 4一n ) e 一
2 . 1 . 1 光化 学腐 蚀法 光照 能够 产 生 硅 腐 蚀 反 应 必 需 的 电 子 和 空
貌 结构 。
宋 晓 岚 等 人 的研 究 表 明 P型 和 N型 硅 片
多孔硅材料的制备与性能研究
多孔硅材料的制备与性能研究近年来,多孔材料在各个领域中得到了广泛的应用。
而多孔硅材料作为一种新型的多孔材料,在能源存储、催化剂以及生物医学等领域中具有广阔的应用前景。
本文将就多孔硅材料的制备方法以及其性能研究进行探讨。
一、多孔硅材料的制备方法多孔硅材料的制备方法主要有溶胶-凝胶法、模板法和电化学腐蚀法等。
在溶胶-凝胶法中,首先通过水解和缩合反应形成凝胶,然后通过热处理或化学处理使之形成多孔结构。
这种方法具有制备工艺简单、成本低廉的优点,但其孔径分布范围较窄。
模板法通过使用有机或无机模板剂在硅源溶胶中形成孔道结构,然后通过烧结或氧化去除模板剂,最终得到具有多孔结构的硅材料。
这种方法能够制备出具有可控孔径和孔道结构的多孔硅材料,但模板剂的选择和去除过程较为复杂。
电化学腐蚀法则是通过在一定电位下将金属或合金腐蚀形成孔洞,然后将之填充或转化为多孔硅材料。
这种方法制备的多孔硅材料孔径分布范围较广,但制备工艺较为繁琐。
二、多孔硅材料的性能研究1. 孔结构控制多孔硅材料的性能与其孔结构密切相关。
因此,通过调控制备方法可以实现对多孔硅材料孔结构的控制。
可以通过改变前驱体的类型、溶剂的种类和浓度、反应温度等条件来控制多孔硅材料的孔径和孔道结构。
研究表明,当使用有机溶剂时,多孔硅材料的孔径通常较小,而使用无机溶剂时,多孔硅材料的孔径较大。
此外,反应温度的升高有助于减小多孔硅材料的孔径。
2. 光学性能多孔硅材料具有较高的折射率和较低的杂散光损耗,因此在光学器件中有着广泛的应用。
研究表明,多孔硅材料中的孔道结构可以通过调节前驱体的浓度和反应温度来控制。
同时,多孔硅材料的孔径和孔道结构也会对其光学性能产生影响。
通过控制多孔硅材料的孔径和孔道结构,可以实现对其折射率的调节,从而实现光学器件的性能优化。
3. 催化性能多孔硅材料在催化领域中也具有潜在应用。
多孔硅材料的大比表面积和孔道结构可提供更多的活性位点和质量传递通道,从而促进催化反应的进行。
电化学阳极法多孔硅步骤
电化学阳极法多孔硅步骤引言多孔硅是一种重要的材料,在电子器件、催化剂、传感器等领域具有广泛的应用。
电化学阳极法是一种常用的制备多孔硅的方法,通过对硅的电化学腐蚀过程控制,可以得到不同孔径和形貌的多孔硅材料。
本文将介绍电化学阳极法制备多孔硅的步骤。
1.硅基片的制备首先,需要准备硅基片。
硅基片可以通过切割单晶硅棒或多晶硅片得到。
在制备硅基片的过程中,需要保证硅基片的表面平整,并且没有明显的缺陷。
2.清洗硅基片将准备好的硅基片放入去离子水中,超声清洗10分钟,以去除表面的杂质和有机物。
然后用去离子水冲洗,最后用氮气吹干。
3.沉积金属膜在硅基片上沉积一层金属膜,可以选择银、镍等金属。
金属膜的厚度通常为几十纳米至几百纳米,可以通过热蒸发、溅射等方法进行。
4.活化金属膜将沉积好的金属膜进行活化。
活化的方法有热处理和阳极氧化两种。
其中,阳极氧化是一种常用的方法。
在阳极氧化过程中,通过控制电流密度和氧化时间,可以得到不同孔径和形貌的多孔硅。
5.腐蚀金属膜将活化好的金属膜放入腐蚀液中进行腐蚀。
腐蚀液一般为含有氢氟酸的溶液,可以选择不同浓度的氢氟酸。
腐蚀时间的长短决定了多孔硅的孔径大小。
6.清洗多孔硅腐蚀后的多孔硅片需要进行清洗,以去除腐蚀液的残留物和其他杂质。
将多孔硅片放入去离子水中超声清洗10分钟,然后用去离子水冲洗,最后用氮气吹干。
7.表面修饰根据需要,可以对多孔硅片进行表面修饰。
例如,可以使用硅烷偶联剂对多孔硅表面进行修饰,增加其与其他材料的粘接性。
结论电化学阳极法是一种常用的制备多孔硅的方法。
通过控制硅的电化学腐蚀过程,可以得到具有不同孔径和形貌的多孔硅材料。
制备多孔硅的步骤包括硅基片的制备、清洗硅基片、沉积金属膜、活化金属膜、腐蚀金属膜、清洗多孔硅以及表面修饰等。
多孔硅在电子器件、催化剂、传感器等领域具有广泛的应用前景。
希望本文对您理解电化学阳极法制备多孔硅的步骤有所帮助。
多孔硅通过镁热反应作为高性能负极材料应用于锂离子电池
多孔硅通过镁热反应作为高性能负极材料应用于锂离子电池介绍:硅具有较高的理论容量(~4200 mAh/g),被认为是最有前途的锂离子电池负极材料之一。
但在锂化/去锂化过程中,其体积变化较大(>300%),导致硅阳极粉化,最终导致容量衰退。
为了克服硅阳极在循环过程中的损失,研究人员设计并利用了其多孔形式——多孔硅(PSi)。
其微观结构中的孔隙有望适应体积变化并提高硅阳极的循环稳定性。
此外,一些PSi的壁厚在几到几十纳米的范围内,使锂离子的扩散路径保持较短,这可以提高电极的倍率能力。
到目前为止,大量的工作已经证明,与固体材料相比,PSi提高了电化学性能。
然而,由于PSi的孔结构控制不可行,因此PSi的孔结构对其电化学性能的影响尚未得到详细的研究。
传统上,PSi可以通过在浓氢氟酸溶液中阳极氧化,染色蚀刻或金属辅助蚀刻硅片或粉末来制造。
然而,上述方法对PSi孔隙结构的控制尚未得到广泛报道。
本工作的目的是通过控制镁热反应的参数(如温度、时间)来证明调整PSi孔结构的可行性,并研究微观结构对电化学性能(如循环稳定性和倍率能力)的影响。
研究内容:由于PSi基阳极在充放电过程中可能调节体积变化,因此期望其具有良好的循环稳定性和倍率能力。
在这项工作中,证明可以用氧化硅的镁热反应合成具有可调孔径和高达303.2 m2 g-1比表面积的PSi。
结果表明,孔结构在很大程度上受反应温度的控制,而PSi的电化学性能与其孔结构密切相关。
在比电流为1000 mA /g时,具有优化孔隙结构的PSi阳极的可逆比容量为1045.6 mA h/g。
为了进一步证明镁热反应PSi作为高性能阳极材料的潜力,在PSi颗粒的外围包裹了导电碳层。
在1000 mA/g的特定电流下,碳包裹PSi在200次循环后保持1639.0 mA h/g的可逆容量,是初始容量的84.5%。
由于其能有效调节充放电过程中的体积变化,其性能远优于裸PSi或渗碳包覆Psi。
多孔硅基材料的制备及其在催化剂中的应用研究
多孔硅基材料的制备及其在催化剂中的应用研究多孔硅基材料是近年来发展起来的一类新型材料,具有较高的比表面积、较大的孔隙度、优异的化学稳定性和良好的可控性等优点。
在催化剂领域,多孔硅基材料作为载体材料和功能化修饰材料被广泛应用,可用于有机合成、脱硫脱氢等反应中,具有良好的催化性能和选择性。
一、多孔硅基材料制备方法多孔硅基材料的制备方法多种多样,从化学加工到物理加工,可以根据需求选择不同的方法制备出高质量的多孔硅基材料。
以下介绍几种常见的制备方法:1.溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是多孔硅基材料制备的重要方法之一,将硅烷等硅源物在非水性溶液中水解缩合,得到凝胶,再通过洗涤、烘烤等处理制备出多孔硅基材料。
溶胶凝胶法具有较高的成品率和可控性,在催化剂制备中得到广泛应用。
2.电化学法电化学氧化还原反应使含有硅源的电极表面氧化,消耗氧化物,使得电极内部脱去硅酸盐,在电极表面形成多孔硅膜。
电化学法具有简单、操作方便等优点,可利用溶液中硅源的浓度、电解液的化学成分等条件来调节多孔硅基材料的孔径大小。
3.物理蚀刻法物理蚀刻法是将单晶硅片用特殊液体进行腐蚀加工,在晶体表面形成纳米孔道或微孔道。
该方法不需要制备凝胶,具有孔径可控性强、多孔度高等优点,同时,制备过程不增加杂质,没有毒性污染等特点。
二、多孔硅基材料在催化剂中的应用多孔硅基材料作为载体材料和功能化修饰材料已经被广泛应用于研究和开发高效催化剂。
1.载体材料多孔硅基材料作为载体材料可以将金属和非金属等活性组分载在其上,形成活性成分的固定体系。
多孔硅基材料的孔径大小、孔壁化学性质等参数可调控,能够调节和控制不同反应的反应速率、选择性和催化剂的稳定性等性质。
例如,将多孔硅基材料用于甲烷加氢反应中作为载体,可以提高反应的活性和选择性,同时具有较好的耐热性和稳定性。
2.功能化修饰材料多孔硅基材料可以通过物理或化学方法进行表面修饰,实现对催化反应的控制。
通过表面修饰,可以增加催化剂的活性位点数量和催化效率,提高催化剂的选择性和稳定性等性能。
多孔硅基负极材料
多孔硅基负极材料近年来,随着能源需求的不断增长和环境问题的日益突出,新能源技术的发展迫在眉睫。
而多孔硅基负极材料作为一种重要的能量储存材料,引起了人们的广泛关注和研究。
多孔硅基负极材料是一种具有高比表面积和良好导电性的材料,能够有效提高电池的能量密度和循环寿命。
通过精确控制孔隙结构和尺寸,多孔硅基负极材料可以实现更高的储锂/储钠容量,并且具有更快的充放电速度。
这使得它成为新一代锂离子电池和钠离子电池等能量储存设备中的理想材料。
多孔硅基负极材料的制备方法多种多样,包括溶胶-凝胶法、电化学沉积法、气相沉积法等。
这些方法能够在不同的尺寸和孔隙结构下制备出多孔硅基负极材料,以满足不同应用场景的需求。
多孔硅基负极材料的应用潜力巨大。
在电动汽车领域,多孔硅基负极材料的高能量密度和长循环寿命可以大大提高电池的续航里程和使用寿命,推动电动汽车的普及和发展。
在可再生能源领域,多孔硅基负极材料可以作为储能设备,平衡能源供需,提高能源利用率。
在便携式电子产品领域,多孔硅基负极材料的高能量密度和快速充放电速度可以大大延长电池使用时间,提供更好的用户体验。
然而,多孔硅基负极材料在实际应用中还存在一些挑战。
首先,多孔硅基负极材料的制备工艺复杂,成本较高,需要进一步降低制备成本。
其次,多孔硅基负极材料在长期循环使用中会出现容量衰减和结构破坏等问题,需要进一步提高其循环稳定性和结构稳定性。
此外,多孔硅基负极材料的安全性也需要加强,以防止电池短路、过热等安全问题。
多孔硅基负极材料作为一种能量储存新方向,具有重要的研究价值和应用前景。
随着制备工艺的不断改进和材料性能的不断提升,相信多孔硅基负极材料将在能源储存领域发挥越来越重要的作用,为人类创造更加清洁、高效的能源未来。
制备多孔硅的一种新方法
制备多孔硅的一种新方法
制备多孔硅的方法有很多种,其中一种新方法是利用溶剂蒸发法。
这种方法首先需要将硅源溶解在有机溶剂中,然后将溶液滴在基板上,随后通过溶剂的蒸发来形成多孔硅结构。
这种方法相对简单且成本较低,能够制备出具有良好多孔结构的硅材料。
另一种新方法是利用模板法制备多孔硅。
这种方法首先需要选择一种合适的模板材料,将硅源溶液与模板材料混合,然后经过一系列的处理过程,最终得到多孔硅材料。
这种方法能够精确控制多孔结构的尺寸和形貌,因此在材料的定向传输、催化剂载体等领域具有潜在的应用前景。
此外,还有一种利用等离子体刻蚀法制备多孔硅的新方法。
这种方法利用等离子体对硅材料进行刻蚀,形成具有丰富多孔结构的表面。
这种方法具有加工速度快、成本低等优点,能够制备出高表面积的多孔硅材料,适用于储能材料、光电器件等领域。
综上所述,制备多孔硅的新方法包括溶剂蒸发法、模板法和等离子体刻蚀法,这些方法各具特点,能够满足不同领域对多孔硅材料的需求。
希望这些信息能够对你有所帮助。
发光多孔硅的形成及性能的研究
发光多孔硅的形成及性能的研究
近年来,发光多孔硅已广泛用于光电器件、先进制造系统、光传输系统以及其他领域。
发光多孔硅的形成对于实现它在不同系统中的性能和应用有着至关重要的作用。
因此,本研究旨在概述发光多孔硅的形成过程和性能,以便更好地理解它在各个领域的应用。
发光多孔硅是硅材料的一种,利用气泡或空穴技术将其表面组裁出多孔结构。
该材料是一种非节能发光元件,具有导电性、辐射性、高热导率、轻质等优势,可以用作显示器各种视觉设备的表面材料。
发光多孔硅的形成大致分为两个主要步骤:一是将原始硅表面化学处理,改变其表面结构;二是采用遮罩或其他方法将原始硅分割出空心孔隙。
在表面性能上,发光多孔硅拥有低密度,大范围的弯曲断开抗力、易变形性能,以及抗撞击性能等极强的特点,使其在接触性能方面具有显著的优势。
另外,发光多孔硅具有低光衰、低雾度、耐高温等特点,广泛用于光电器件、先进制造系统、光传输系统及其他领域。
此外,发光多孔硅的性能受到结构尺寸和形状的影响,其形状尤为重要。
一般来说,空隙尺寸越小、面积越大,硅材料的发光性能越好。
同时,空心硅中的空气泡体积不宜过大,以免影响发光性能。
空心多孔硅具有许多优点,但也存在着一些问题,如体积紧凑性差、表面平整度差等,其对原料的要求也比较高。
未来,发光多孔硅开发技术应加强研究,探索出更加完善的生产过程,以提高发光多孔硅的可用性。
综上所述,发光多孔硅的形成和性能对于它在不同领域的应用有至关重要的影响,因此必须对其形成过程和性能进行详细的研究,以确保发光多孔硅在应用中的准确性和稳定性。
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S HI Ping2an , F U Chun2yu , NIU Wei , GAO Yang ( Insti t ute of St ruct ural Mecha nics , CA EP , Mia nyang 621900 , China)
Abst ract : Ba sed on t he expe rimental data of unia xial compression a nd st ress rela xation , stre ss r elaxation
图 4 开孔硅泡沫材料的应力松弛曲线 Fig. 4 Str ess r elaxat ion cur ves of por ous sil icone foa m
组合结构由 45 钢的下件、铸铝上件和硅泡沫衬 垫组成 ,两块衬垫对称的裱糊区域在下件内表面 ± 45°处 。由于上 、下件的初始设计间隙等于衬垫的初 始压缩量 ,因此 ,试验以裱糊衬垫后上 、下件上端面 的相对抬高量Δh 作为位移保持的控制 点 ,通过试 验机上 、下压盘对组合结构进行位移加载 ,加载速率 为 5 m m ·min - 1 。图 5 是硅 泡沫衬垫应力松弛的 试验装置和测点的示意 。
摘 要 : 根据多孔硅泡沫材料应力松弛的基本特征 ,得到了体积可压缩硅泡沫材料松弛行为的 数学模型 ,利用该表达式可以对松弛试验结果进行处理及松弛特性分析 。通过含多孔硅泡沫衬垫 的组合结构松弛行为的数值模拟和试验测试数据的对比 ,两者吻合较好 ,说明基于材料应力松弛试 验得到的粘弹性本构模型能够反映多孔硅泡沫材料的力学特性 ;该松弛模型具有较高的计算精度 , 并且形式简单 ,便于工程应用。
Key wor ds : porous silicone ; cushion ; nonlinear visoelasticity ; stre ss relaxation
0 引 言
多孔硅泡沫材料 (简称硅泡沫) 是由硅橡胶经发 泡而制成的一种多孔粘弹性高分子材料 。由于硅泡 沫材料具有硅橡胶的优良性能 ,又具有泡沫材料的 可压缩特性 ,因此可用于精密部件的定位 、减振等 。 工程设计要求硅泡沫材料必须具有低的压缩永久变 形 、高的载荷保持率、长的使用寿命等 。硅泡沫材料 的永久变形 、使用寿命 、载荷保持率等都与材料的应 力松弛有一定的关系 ,且应力松弛现象是伴随着工 程结构使用过程一直存在的 。开展外载作用下多孔 硅泡沫材料的应力松弛和永久变形特性研究 ,既有 助于合理设计硅泡沫结构 ,又可作为其相应条件下 的物性指标的基础研究 ,对多孔可压缩硅泡沫材料
1. 2 试验方法 压缩性能按 GB/ T 7757 - 1993 在室温下用 In2
s tron1196 型万能材料试验机进行测试 ,取 3 次测试 数据的平均值作为测试结果 ,加载速率 为 5 m m · mi n - 1 ,变形值由均衡引伸计测量 ,所有数据由微机 自动采集。
应力松弛率用 CSS2237 型电子 蠕变松 弛试验 机进行测定 ,加载速率为 5 mm ·mi n - 1 ,试验温度 为 25 ℃,相对湿度为 55 %。
第 32 卷 第 3 期 2008 年 3 月
机 械 工 程 材 料
M at erial s for M echa nical Engi neeri ng
Vol. 32 No. 3 Ma r. 2008
多孔硅 泡沫衬垫应力松弛行为的数值模拟
史平安 , 符春渝 , 牛 伟 , 高 洋 (中国工程物理研究院结构力学研究所 ,四川绵阳 621900)
model of five pa rameters of compressible silicone foam wa s o btained by using least square method. Utilizing the co nstit utive relatio n , the no nlinea r viscoelastic constitutive model wa s applied to simulate t he viscoela stic behavior s of porous silico ne cushion in composite structure , and the patter n of stre ss rela xation of the cushion wa s obtained in process of sho rt2time . A compar ison wa s car ried out with the da ta of uniaxial compressio n relaxation e xpe rime nts. The results indicate that the experiment shows good agreement with theoretical re sult s , and t he constitutive models can p redic t the r elaxation character s of silicone foam ma terials.
7. 3
58 0
×1 0 -
9
λ (
40. 5 1
84 2
λ + 40. 5 842 2
λ + 40. 5 842 3
-
3)
-
7 . 2 1 13 ×10 - 7 (1 - J ) - 0. 4 141
( 2)
对于各向同性的粘弹性多孔硅泡沫材料 ,特定
温度环境 条件下应 力松弛 函数可 表示为 PRON Y
图 5 硅泡沫衬垫应力松弛试验的试验装置和测点示意 Fig. 5 Test apparatus and measuring point layout of stress relaxat ion
exper iment of sil icon foam cushion
试验共有 3 套试件 ,在测试区域 Ⅰ布置有 Q100
史平安 ,等 :多孔硅泡沫衬垫应力松弛行为的数值模拟
泡沫材料的本构关系 ;基于上述模型进行了组合结 构中多孔泡沫衬垫应力松弛行为的数值模拟 ,得到 了材料松弛过程中硅泡沫结构件的应力变化规律 。
1 试样制备和试验方法
1. 1 试样制备 试验用硅泡沫材料为自制 ,其工艺是先按硅橡
胶 10 0 g 、气相法白 炭黑 ( 即胶体二氧化 硅 Si O2 · n H2 O) 51 g 、Zn O 晶须 5 g 、ZnO 55 g 、Fe2 O3 1 g 、硫 化剂 1 g 的 比例 ,并经塑炼 、混炼等工序 形成混炼 胶 。然后取 100 g 混炼胶并加入 230 g 的成孔剂进 行溶析成孔 ,在材料预硫化后 ,通过溶剂处理去掉成 孔剂。将溶析成孔后的试样经自然干燥去除残存溶 剂 ,再进行后硫化就形成了硅泡 沫材料 , 其密度为 0 . 54 ×10 - 3 g ·cm - 3 ,平均孔隙率为 59 % ,平均孔 径为 400μm 。其表面微观形貌见图 1。
电子散斑干涉测试系统 ,在测试区域 Ⅱ的测点 3 和
测点 4 处布置单向电阻单向应变片 ,应变片为 B E12021AA 型 ,灵敏度系数 2. 14 ±0. 01 ,尺寸为 3
mm ×4 mm 。
3. 2 数值模拟方法
3. 2. 1 硅泡沫材料应力松弛模型的建立
对于多孔硅泡沫材料的超弹性行为 , 采用基于 伸长比的唯象本构模型 (式 1) 来描述 。根据材料单
图 2 多孔硅泡沫材料的压缩应力2应变曲线 Fig. 2 Compression stress2stra in cur ves of sil icon e f oam material
(a) 试验前
图 1 硅泡沫材料的 S EM 形貌 Fig. 1 SEM image of porous sil icone foam
1
λ ( - 3. 1
2 830
λ + - 3. 2 830 2
λ +
- - 3. 2 830
3
3)
+
·84 ·
15. 8 896 (1 - J 0. 0 335 ) +
4
565. 7
85 1 (λ-1 0. 0 242
λ + - 0. 0 242 2
λ + - 0. 0 242 3
-
3)
-
44 1 6 98 (1 - J 0. 00 025) -
轴压缩试验的应力2应变曲线 ,利用最小二乘法中的
LM 法拟合得到多孔硅泡沫材料的应变能密度函数
见式 2[ 5 ] 。
∑ W (λ1 ,λ2 ,λ3 )
=
ห้องสมุดไป่ตู้
N
μ λ λ λ [ + - n
a n
1
an an 23
α n = 1
n
3] +
∑ n
N =1
μn βn
(1
-
β
Jn
)
( 1)
W
=-
0.
16 2
序列或指数序列形式 :
N
∑ σ( t) = σ∞ +
3 组合结构中硅泡沫衬垫松弛行为的数值 模拟和试验研究
3. 1 试验方法 由于硅泡沫衬垫工作时的受力状态是三维的 ,
为了使试验和模拟能够更好地反映硅泡沫衬垫的实 际应力松弛性能 ,作者自行设计了一套试验装置 ,模 拟硅泡沫衬垫材料工作时的条件进行试验 。
·83 ·
史平安 ,等 :多孔硅泡沫衬垫应力松弛行为的数值模拟
( b) 试验后 图 3 硅泡沫试验前后的 SEM 形貌 Fig . 3 SEM images of por ous sil icone foam before2
an d2after the relaxation test