求该放大电路的电压放大倍数和电压增益
模拟电子技术第4章习题答案
4基本放大电路自我检测题一．选择和填空1.在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A 或 C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。
（ A ．共射组态， B ．共集组态， C．共基组态）2．射极跟随器在连接组态方面属共集电极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很大，输出电阻很小。
3．H参数等效电路法适用低频小信号情况。
4．图解分析法适用于大信号情况。
5．在线性放大条件下，调整图选择题 5 所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。
（ A ．增大， B．减小， C．基本不变）（ 1）当 R c增大时，则静态电流 I CQ将 C ，电压放大倍数A v将A，输入电阻R i将C，输出电阻 R o将 A ；（ 2）当 V CC增大，则静态电流 I CQ将 A ，电压放大倍数A v将A，输入电阻R i将B，输出电阻 R o将 C 。
6．在图选择题5所示电路中，当输入电压为 1kHz 、 5mV 的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。
回答以下问题。
（1）这种失真是 B 失真。
（A ．截止， B．饱和， C．交越， D．频率）（2）为了消除失真，应 B 。
（A ．增大R C，B．增大R b，C．减小R b，D ．减小+V CCR b RcC2C 1Tv o v i V CC，E．换用β大的管子）。
R L图选择题57.随着温度升高，晶体管的电流放大系数_A_ ，穿透电流I CEO _A_ ，在 I B不变的情况下b-e 结电压 V BE_ B_。
（ A ．增大， B．减小， C．不变）8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。
（ A ．上移，B．下移， C．左移， D ．右移， E．增大， F．减小， G．不变）9．共源极放大电路的v o与 v i反相位，多作为中间级使用。
电压放大倍数或电压增益
高 频 电 子 线 路
按带宽分：
1、窄频带放大器：
窄带放大器用LC谐振回路或集中选频滤波器做负 载，具有放大、选频的功能。其中心频率在（几百-
几百M）Hz范围内，频带宽度约（几～几十M）Hz。
2、宽带放大器： 用纯阻或变压器做负载，带宽较宽，越（几M～几 百M）Hz。
主讲 元辉
高 频 电 子 线 路
主讲 元辉
3.1.1
高 频 电 子 线 路
5．噪声系数
表征信号经放大后，信噪比变坏的程度。 噪声系数的定义是放大器的输入信噪比（输入端的信 号功率与噪声功率之比）与输出信噪比之比，即
psi pni NF pso pno
N F 通常是大于1的， N F 越接近于1，放大器的输出
噪声越小。 放大器中产生噪声的原因有放大器本身产生的噪声。 在多级级联的放大器中，前一、二级放大器的噪声对整 个放大器的噪声起决定作用。为了减少放大器的内部噪 声，在设计与制作时应当采用低噪声管，正确的选择工 作点电流，选用合适的电路等。
非谐振放大器：以传输线变压器作负载。
主讲 元辉
3.1
高 频 电 子 线 路
二、高频小信号放大器
按元器件分： 1、以分离元件为主的高频小信号调谐放大器（用 LC谐振回路作负载） 又可分为： 谐振放大器（频率可调，主要做高频放大级，接 收天线后第一级放大器）
中频（频带）放大器（频率固定的中放电路）；
2、以集成电路为主的集中选频放大器（用集中选 择性滤波器做负载）。
高 频 电 子 线 路
第三章 高频小信号放大器
本章重点：高频小信号谐振放大器的 工作原理及性能指标计算。
难
点：谐振放大器的性能分析。
主讲 元辉
模拟电子技术综合复习
4.放大电路的输入电压 Ui=10mV，输出电压 UO=1V，该放大电路的电压放大倍数为 -100 ， 电压增益为 40 dB。
5.集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输
出端 相同 ，后者的极性与输出端 相反 。 6.理想运算放大电器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为
2. 在单相桥式整流电路中，若将 4 只二极管全部反接，试分析对输出有何影响？若将其中的 1 只二极管反接，对输出有何影响？
VT1 VT2
V1
VT4
V2
VT3
+
R uo
-
六、计算题
= 100，RS= 1 k，RB1= 62 k，RB2= 20 k, RC= 3 k，RE = 1.5 k，RL= 5.6 k，VCC = 15 V。 求：“Q”，Au，Ri，Ro。
（√ ）
10.乙类互补对称功率放大电路产生的失真是交越失真。
（ √）
四、判断三极管工作状态（每小题 4 分，共 12 分）
-5V
-1.7 V
3.3V 3.7V
6V 2V
-2V
3V
a.（截止
） b.（ 饱和 ）
3V
c.（ 截止
）
五、分析题（每小题 9 分，共 18 分）
1. 试分析图示电路中，级间交流反馈 是正反馈还是负反馈，是电压反馈还是电 流反馈，是串联反馈还是并联反馈？
（ ×）
2.二极管在工作电流大于最大整流电流 IF 时会损坏。 3.三极管基极为高于发射极电位，三极管一定处于放大状态。
（√ ） （ ×）
4.放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无关。（ × ）
模拟电子技能技术总结习题及答案
精心整理模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
456781．1A2．A3A4A5A1．12341．1值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U＝(6—0.7)V＝5.3V。
(b)令二极管断开，可得UP ＝6V、UN＝10V，UP<UN，所以二极管反向偏压而截止，U＝10V。
(c)令V1、V2均断开，UN1＝0V、UN2＝6V、UP＝10V，UP—UN1>Up—UN2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U＝0.7V。
2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出ui 、u、iD的波形。
解：输入电压ui 为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u＝0，而流过二极管的电流iD ＝ui／R，为半波正弦波，其最大值IDm＝10V／1kΩ＝10mA；当ui为负半周时，二极管反偏截止，iD ＝0，u＝ui为半波正弦波。
因此可画出电压u电流iD的波形如图(b)所示。
3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知UZ ＝5V，IZ＝5mA，电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关s断开和闭合时，电压表和电流表、读数分别为多大?解：当开关S断开，R2支路不通，IA2＝0，此时R1与稳压二极管V相串联，因此由图可得可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5V。
当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得R2两端压降为故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R1、R2构成串联电路，电流表A1、A2的读数相同，即而电压表的读数，即R2两端压降为3.6V。
第2章半导体三极管及其基本应用2．1填空题12种载流子参与导电。
专升本《模拟电子技术》_试卷_答案
专升本《模拟电子技术》一、（共48题,共150分）1。
直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
（2分)A.电阻阻值有误差 B。
晶体管参数的分散性C。
晶体管参数受温度影响 D。
晶体管结电容不确定性。
标准答案：C2。
稳压二极管的有效工作区是（ )。
（2分）A。
正向导通区 B。
反向击穿区 C。
反向截止区 D。
死区。
标准答案：B3。
如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（）。
（2分）A。
放大状态 B。
微导通状态 C。
截止状态 D。
饱和状态。
标准答案:D4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。
（2分）A。
便于设计 B。
放大交流信号C.不易制作大容量电容 D。
不易制作大阻值的电阻。
标准答案：C5。
用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的（）. (2分）A。
抑制共模信号能力增强 B.差模放大倍数数值增大C。
差模输入电阻增大 D.差模输出电阻增大。
标准答案：A6。
半导体中PN结的形成主要是由于（）生产的。
（2分）A。
N区自由电子向P区的扩散运动B。
N区自由电子向P区的漂移运动C。
P区自由电子向N区的扩散运动D。
P区自由电子向N区的漂移运动标准答案：A7。
理想的功率放大电路应工作于( )状态. （2分）A。
甲类互补 B。
乙类互补 C。
甲乙类互补 D.丙类互补。
标准答案：C8。
NPN共射电路的Q点设置在接近于（）处将产生顶部失真。
(2分）A。
截止区 B.饱和区 C。
击穿区 D。
放大区。
标准答案:A9。
当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( ）。
（2分）A。
低通 B.高通 C。
带通 D。
带阻标准答案：C10。
差动放大电路的特点是抑制（）信号，放大（）信号。
(2分）A。
共模共模 B.共模差模C.差模差模 D。
差模共模。
标准答案：B11。
利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
（2分）（）。
电子技术基础与技能13.放大电路的基本知识
【解析】 a) 三极管的发射结正偏，集电结反偏，管子处于放大状态。 b) 三极管发射结和集电结均反偏，管子处于截止状态。 c) 三极管的发射结和集电结均正偏，管子处于饱和状态。晶体三极管的主要参数参数电流放大
系数
反向
ICBO
饱和
电流
ICEO
ICM
极限
参数
PCM
U（BR）CEO
电路放大器； 4、按用途分，可分为电压放大器、电流放大器和功率放大
器。 注：本章所学的是低频小信号放大器。
【组成】放大器由信号源、放大电路、直流电源和 负载四部分组成。
【方框图】其中信号源代表被放大的弱小电信号； 负载代表实际用电设备(例如扬声器、显像管等)。
（a）组成框图
(b)内部结构
放大电路的主要性能指标
名称
直流 放大系数
交流 放大系数
集电极—基极 反向饱和电流
集电极—发射极 反向饱和电流 （穿透电流）
集电极最大 允许电流
集电极最大 允许耗散功率
集电极-发射极 反向击穿电压
说
明
反映晶体管电流放大能力强弱的参数 = Ic IB
反正映弦晶信体号管时电，流可放用大正能弦力量的的参 瞬数 时值表= 示IIBc 。当 = i输c 入
（1）放大倍数：衡量放大电路放大能力的指标，用字母A表
示。它是在输出波形不失真的情况下输出端电量与输入端 电量的比值。
（2）输入电阻：为放大器输入端（不含信号源内阻Rs）的 交流等效电阻。
（3）输出电阻：为放大器输出端（不含外接负载电阻RL）的 交流等效电阻。
（1）放大倍数：衡量放大电路放大能力的指标，用字母A表
AP
第三章 多级放大电路
当 f >> fH 时，
f = 100 f H | AU |≈ 0.01
| AU |=
1 1 + ( f / fH )
2
≈ fH / f
斜率为 -20dB/十倍频程 的直线 十倍频程
f = f H | AU |=
1 ≈ 0.707 20 lg | AU |= 3dB 2
20 lg | AU |= 20 lg( f H / f )
)
2
0 -20 -40
f
当 f << f H 时，
| AU |=
1 1 + ( f / fH )
2
≈1
20 lg | AU |= 20 lg 1 ≈ 0 dB
f = 10 f H
| AU |≈ 0 .1
0分贝水平线 分贝水平线
20 lg | AU |= 20 dB 20 lg | AU |= 40 dB
+
- 20k
Re1
2.7k Ce1
Rc2
4.3k u o
-
+
I B1 = I C1 / β = 9 .9 uA
UC1 = UB2 = Vcc IC1Rc1 = 12 0.99× 5.1 = 7.2 V
UCE1 ≈ Vcc IC1(Rc1 + Re1) = 12 0.99× 7.8 = 4.6 V
R e2 T2
+ V CC + uo
- V EE
3. 变压器耦合
级与级之间利用变压器传递交流信号。 （1）优点:匹配好、耗能少、Q点独立、可阻抗转换
' β RL Au = rbe
（2）缺点:频带窄、体积大、笨重、非线性失真大、只传 递交流、无法集 成
模拟电子技术填空题答案
1，半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2，本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是自由电子，若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3，PN结在正偏是导通，反偏是截止，这种特性称为单向导电性。
4，当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向电压将减小。
5，整形电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单项脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6，发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7，光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8，测得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于650Ω，交流电阻等于26Ω。
1，晶体管从结构上可以分为PNP和NPN两种类型，它工作时有两种载流子参与导电。
2，晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
3，晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。
4，当温度升高时，晶体管的参数增大，I增大，导通电压减小。
5，某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10uA变化到20uA时，集电极从1mA变为1.99mA，则交流电流放大系数约为99.6，场效应管从结构上可分为两大类：MOS场效应管、结型场效应管；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：增强型、耗尽型。
7，Ugs(off)表示夹断电压，Idss表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。
1，放大电路的输入电压Ui=10mV,输出电压Uo=1V，该放大电路的电压放大倍数为100，电压增益为40dB。
2，放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电阻也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。
3，共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为1，输入电阻大，输出电阻小。
《模电》经典题目,含答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd =A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。
放大电路基础
第三章放大电路基础练习题一、填空1.单级双极型三极管放大电路中，输出电压与输入电压反相的为共极电路，输出电压与输入电压同相的有共极电路、共极电路。
2.已知某放大电路的∣Au∣=100，∣Ai∣=100，则电压增益为dB，电流增益为dB，功率增益为dB。
3.差动放大电路中，差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比，称为，理想差动放大电路中其值为。
4.放大器的静态工作点过高可能引起______失真，过低则可能引起____ __失真。
分压式偏置电路具有自动稳定____ __的优点。
5.NPN管和PNP管构成放大电路时，所需的工作电压极性相，但这两种管子的微变等效电路。
6.射极输出器的主要特点是：电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。
7.三种基本组态双极型三极管放大电路中，若希望源电压放大倍数大，宜选用共__ 极电路，若希望带负载能力强，宜选用共极电路，若希望从信号源索取的电流小，宜选用共极电路，若希望用作高频电压放大器，宜选用共极电路。
8.差分电路的两个输入端电压分别为u i1=2.00V，u i2=1.98V，则该电路的差模输入电压u id为V，共模输入电压u ic为V。
9.场效应管放大电路中，共极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相；共极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。
10.在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中，若两个输入电压u i1=u i2，则输出电压u O = 。
若u i1=+50mV，u i2=+10mV，则可知该差动放大电路的共模输入信号u ic= ; 差模输入电压u id = ，因此分在两输入端的一对差模输入信号为u id1= ，u id2= 。
11.三种基本组态双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是共极电路，输入电阻最小的是共极电路，输出电阻最小的是共极电路。
12.当放大电路要求恒压输入时，其输入电阻应远于信号源内阻；要求恒流输入时，输入电阻应远于信号源内阻13.某放大电路的电压增益为100 dB，即电压放大倍数为倍。
求该放大电路的电压放大倍数和电压增益
三极管有三种工作状态，不同的电子电路三极管的工作工作状态 不同。在模拟电路中，三极管大多工作在放大状态，作为放大管 使用；在数字电路中，三极管大多工作在饱和和截止状态，作为 开关管使用。
四、三极管的主要参数
1、电流放大倍数hFE和
（1）共射极直流电流放大系数hFE
（2）共射极交流电流放大系数
符号
意义
符号
意义
P
普通管
A 高频大功率
W
稳压管
D 低频大功率
Z
整流管
G 高频小功率
U 光电器件 X 低频小功率
K
开关管 CS 场效应器件
V L
微波管 整流堆
T
半导体闸流 管
S FH
隧道管 复合管
BT
半导体特殊 器件
第四部 分
用数字 表 示 器 件 序 号
第五部 分
用字母 表 示 器 件 规 格 号
金封大功率管：3DD15D
2)有信号输入时放大器的工作情况 当输入Ui不等于0，放大电路处于动态。输入输出波形如下图
2、放大器的输入、输出波形图
二、放大电路的基本参数
1、放大倍数 放大倍数是衡量放大电路放大能力的指标，用字母A表示。 1）电压放大倍数：输出电压有效值Uo（或变化量uo）与输入电 压有效值Ui （或变化量ui）的比。
注意：A是一个比值，没有单位 2）电压增益GU：放大倍数的对数值，常用分贝（dB）来度量。
（2）截止区
IB < 0 以下区域为截止区，有 IC 0 。在截止区发射结处于反向 偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。C极与E极 之间等效电阻很大，相当于开路。
（3）饱和区
当UCE UBE时，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，IB IC， 发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时，硅管 UCES 0.3V，锗管UCES 0.1V。C极与E极之间等效电阻很小， 相当于短路。
模拟电子技术基础-自测题答案
第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，假设掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；假设掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单项选择题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
(√)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
(×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(×)第2章半导体三极管及其基本应用2．1 填空题1．晶体管从结构上可以分成PNP 和NPN两种类型，它工作时有2种载流子参与导电。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。
4．当温度升高时，晶体管的参数β增大，I CBO增大，导通电压U BE 减小。
集成电子技术基础浙大版3篇1章习题解答
题3.1. 17两级阻容耦合放大电路如图题3.1.17所示，已知T1为N沟道耗尽型绝缘栅场效应管，gm=2mS，T2为双极型晶体管，=50，rbe=1KΩ，忽略rce，试求：
(1)第二级电路的静态工作点ICQ2和VCEQ2；
(2)画出整个放大电路简化的微变等效电路；
(3)该电路在中频段的电压放大倍数 ；
题3.1.1对于放大电路的性能指标，回答下列问题：
(1)已知某放大电路第一级的电压增益为40dB，第二级的电压增益为20dB，总的电压增益为多少dB？
(2)某放大电路在负载开路时输出电压为4V，接入3kΩ的负载电阻后输出电压降为3V，则该放大电路的输出电阻为多少？
(3)为了测量某CE放大电路的输出电压，是否可以用万用表的电阻档直接去测输出端对地的电阻？
(1)当输入信号为vi=0.1sinωt(V)时，画出g、d点的电压波形vG、vD，并标出峰、谷电压的大小；
(2)当输入信号为vi=0.3sinωt(V)时，画出g、d点的电压波形vG、vD，并标出峰、谷电压的大小。
图题3.1.3
解：(1)当vi=0.1sinωt(V)时，
栅极的静态电压为：
栅极的瞬态电压为：
图(c)电路：
(1)求静态工作点
ICQ=βIBQ=2mA
VCEQ=1.5-ICQ·Re=15-2×3=9V
(2)CC组态，微变等效电路为：
(3)动态指标计算
(4)当截止失真时，Vom1=ICQ·RL′=2×1.5=3V
当饱和失真时，Vom2=VCEQ-VCES=9-0.7=8.3V
所以，首先出现截止失真，Vom=3V
(2)
Ri=∞
kΩ
题3.1.11FET恒流源电路如图题3.1.11所示。若已知管子的参数gm、rds。试证明该恒流源的等效内阻
模拟的电子技术基础--胡宴如-自测题问题详解
模拟电子技术胡宴如（第3版）自测题第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
( √)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
( ×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
( ×)1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。
数模及模数转换器习题解答
自我检测题1．就实质而言，D/A 转换器类似于译码器，A/D 转换器类似于编码器。
2．电压比较器相当于1位A/D 转换器。
3．A/D 转换的过程可分为 采样 、保持、量化、编码4个步骤。
4．就逐次逼近型和双积分型两种A/D 转换器而言， 双积分型 的抗干扰能力强，逐次逼近型 的转换速度快。
5．A/D6．8位D/A 转换器当输入数字量只有最低位为1时，输出电压为，若输入数字量只有最高位为1。
A ． C ． D ．都不是 7．D/A 转换器的主要参数有 、转换精度和转换速度。
A ．分辨率B ．输入电阻C ．输出电阻D ．参考电压8．图所示R-2R 网络型D/A 转换器的转换公式为 。
图A ．∑=⨯-=303REFo 22i i iD V v B ．∑=⨯-=304REF o 2232i i i D V vD ．∑=⨯=304REFo 22i i i D V v9．D/A 转换器可能存在哪几种转换误差？试分析误差的特点及其产生误差的原因。
解：D/A 转换器的转换误差是一个综合性的静态性能指标，通常以偏移误差、增益误差、非线性误差等内容来描述转换误差。
偏移误差是指D/A 转换器输出模拟量的实际起始数值与理想起始数值之差。
增益误差是指实际转换特性曲线的斜率与理想特性曲线的斜率的偏差。
D/A 转换器实际的包络线与两端点间的直线比较仍可能存在误差，这种误差称为非线性误差。
10．比较权电阻型、R -2R 网络型、权电流型等D/A 转换器的特点，结合制造工艺、转换的精度和转换的速度等方面比较。
解：权电阻型D/A 转换器的精度取决于权电阻精度和外接参考电源精度。
由于其阻值范围太宽，很难保证每个电阻均有很高精度，因此在集成D/A 转换器中很少采用。
R -2R 网络型D/A 转换器电阻网络中只有R 和2R 两种阻值的电阻，且比值为2。
虽然集成电路技术制造的电阻值精度不高，但可以较精确地控制不同电阻之间的比值，从而使R -2R 网络型D/A 转换器获得较高精度。
第4章《自测题、习题》参考答案
第4章 多级放大电路与频率响应自测题4.1填空题1．在三级放大电路中，已知u1||=50A ，u2||=80A ，u3||=25A ，则其总电压放大倍数u ||=A ，折合为 dB 。
2．一个三级放大电路，若第一级和第二级的电压增益为30dB ，第三级的电压增益为20dB ，则其总电压增益为 dB ，折合为 倍。
3．在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 ，而前级的输出电阻则也可视为后级的 。
4．在多级直接耦合放大电路中，对电路零点漂移影响最严重的一级是 ，零点漂移最大的一级是 。
5．集成运放的两个输入端分别为 和 输入端，前者输入信号的极性与输出端极性 ，后者输入信号的极性与输出端极性 。
6．某单级共射放大电路的对数幅频响应如题4.1.6图所示，则该放大电路的us1A 频率响应表达式为 ，ush A 频率响应表达式为 。
7．在题4.1.7图所示放大电路中，空载时，若增大电容1C 的容量，则中频电压放大倍数usm A 将 ，L f 将 ，H f 将 ；当b R 减小时，L f 将 。
当带上负载后，L f 将 。
8．多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都 ；级数越多则上限频率H f 越 。
9．已知RC 耦合放大电路在L f 处放大倍数为100，则在H f 处放大倍数为 ，中频区放大倍数为 。
答案：1．105，100。
2．80，104。
3．负载电阻，信号源内阻。
4．输入级，输出级。
5．同相，反相，相同，相反。
6．usl 1001j(100)A f -=-/；ush 51001j(10)A f -=+/。
7．不变，下降，不变，增大，增大。
8．窄，低。
9．100，141。
4.2选择题1．一个由相同类型管子组成的两级阻容耦合共射放大电路，前级和后级的静态工作点均偏低，当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将 。
A ．削顶失真；B ．削底失真；C ．双向失真。
2．两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们级联后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数 。
篇章习题解答浙大版集成电路课后答案
第四章功率变换电路题3.4.1一双电源互补对称电路如图题3.4.1所示，设已知V CC =12V ，R L =16Ω，v I 为正弦波。
求：(1)在三极管的饱和压降V CES 可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率Pom=?；(2)每个管子允许的管耗P Cm 至少应为多少?(3)每个管子的耐压｜V (BR)CEO ｜应大于多少?图题3.4.1解：(1)负载上可能得到的最大输出电压幅度V om =12V(W 5.416212222=⨯==L om omR V P ) (2)(W)9.02.0(max)==om CM p P ∴CM P ≥0.9W (3)CEO BR V )(≥24V题3.4.2在图题3.4.2所示的OTL 功放电路中，设R L =8Ω，管子的饱和压降｜ＶCES ｜可以忽略不计。
若要求最大不失真输出功率(不考虑交越失真)为9W ，则电源电压V CC 至少应为多大?(已知v i 为正弦电压。
) 图题3.4.2解：W 982)21(2)21(22(max)=⨯==CC L CC om V R V PV CC =24(V)∴电源电压V CC 至少24V题3.4.3OTL 放大电路如图题3.4.3所示，设T 1、T 2特性完全对称，v i 为正弦电压，V CC =10V ，R L =16Ω。
试回答下列问题：(1)静态时，电容C 2两端的电压应是多少?调整哪个电阻能满足这一要求? (2)动态时，若输出电压波形出现交越失真，应调整哪个电阻?如何调整?(3)若R 1=R 3=1.2k Ω，T 1、T 2管的β=50,｜V BE ｜=0.7V,Pcm=200mW,假设D 1、D 2、R 2中任意一个开路，将会产生什么后果?图题3.4.3解：(1)静态时，电容C 2两端的电压应为5V 。
调整R 1、R 3，可调整上、下两部分电路的对称性，从而使C 2两端电压为5V 。
(2)若出现交越失真，应调大R 2，使b １b 2间电压增大，提供较大的静态电流。
模拟电路 1-2章习题讲解
直流信号所通过的路径。
对直流信号，电感是短路的，而电容是开路的。
交流通路AC
交流信号所通过的路径 。
对交流信号，电感是开路的，而电容和直流电源（忽略电源内阻 的情况下）是短路的。
习题讲解
例1、
直 流 通 路 不 正 确 交流 通路 不正 确， 造成 输出 端交 流短 路。
Ui
Uo
直 流 通 路 不 正 确
习题讲解
三极管及其基本放大电路
1、三极管工作在不同状态时的判定条件：
线性放大区：发射结正偏并正向偏置电压大于0.7V（硅管）、 集电结反偏；
饱和区：发射结正偏、集电结正偏，或C、E间压降≤0.3V； 截止区：发射结反偏或正向偏置电压小于0.7V。
习题讲解
例1、β=100，饱和压降为0.3V，判断其工作状态。
1 50 50mV
习题讲解
3-1 电流源电路
三极管电流源电路示例
=50，rbe=700， rce3=20k
12kW 1kW +
12V
ic1
T1
+ - vo
ic2
T2
12kW 1kW +
电流源交流等效电阻为： b ib
rbe
c e
Re3
ic3
ib
rce3
v i1
-
ic3
2kW T3 5kW 9V D 0.6V
习题讲解
2）共模输出增益为：
RC
RB rbe (1 )( RP 2 2 RE )
AUC
双端输出： U oc双 端 AUC (U ic1 U ic 2 ) 0 单端输出： U oc单 端 AUCU ic1
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2、反向饱和电流
（1）集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO 小功率锗管 ICBO 约为几微安；硅管的 ICBO 小，有的为纳安数
量级。
（2）集电极和发射极之间的反向饱和电流ICEO
（2）截止区
IB < 0 以下区域为截止区，有 IC 0 。在截止区发射结处于反向 偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。C极与E极 之间等效电阻很大，相当于开路。
（3）饱和区
当UCE UBE时，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，IB IC， 发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时，硅管 UCES 0.3V，锗管UCES 0.1V。C极与E极之间等效电阻很小， 相当于短路。
（3）极间反向击穿电压
外加在三极管各电极之间的最大允许反向 电压。U(BR)CEO：基极开路时，集电极 和发射极之间的反向击穿电压。 U(BR)CBO：发射极开路时，集电极和基 极之间的反向击穿电压。
安全工作区同时要受 PCM、ICM 和U(BR)CEO限制。
例题1、如图2-26所示各三极管电极实测电位数据，分析 各管的材料、管型及三极管所处的工作状态？
当 b 开路时， c 和 e 之间的电流。
hFE值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。
3、极限参数
（1）集电极最大允许电流 ICM
当 IC 过大时，三极管的 值要减小。在 IC = ICM 时， 值下降到额定值的三 分之二。
（2）集电极最大允许耗散功率 PCM
将 IC 与 UCE 乘积等于规定的 PCM 值 各点连接起来，可得一条双曲线。ICUCE < PCM 为安全工作区，ICUCE > PCM为 过损耗区。
综上所述：
三极管有三种工作状态，不同的电子电路三极管的工作工作状态 不同。在模拟电路中，三极管大多工作在放大状态，作为放大管 使用；在数字电路中，三极管大多工作在饱和和截止状态，作为 开关管使用。
四、三极管的主要参数
1、电流放大倍数hFE和
（1）共射极直流电流放大系数hFE
（2）共射极交流电流放大系数
• 你想知道小李是如何修复放大电路的故障的吗？让我们一起来学一学， 做一做！
基础知识
◆知识链接1 三极管的基本知识
一、三极管的结构、符号和类型 1、三极管的外形
2、三极管的结构和符号
（a）NPN型三极管
（b）PNP型三极管
3、三极管的类型
分类方法 按极性分
种类 NPN三极管
应用 目前常用的三极管，电流从集电极流向发射极
（a）
（b）
（c）
（d）
（e）
解：分析发射结的电压（基极与发射极之间的电压差）可以判断材料，从电路符号上 判断管型，从发射结和集电极结的偏置状态来判断工作状态。所以：
（a）NPN型锗材料、放大状态 （b）PNP型硅材料、放大状态 （c）NPN型硅材料、截止状态 （d）PNP型锗材料、放大状态 （e）NPN型硅材料、饱和状态
说明
IC=βIB
集电极电流为基极电流的β倍，β一般为几十或几 百，只要用很小的基极电流，就可以控制较大 的基极电流。
IE=IB+IC=(1+β)IB
三个电流中，IE最大，IC其次，IB最小。IE和IC相 差不大，它们远大于IB
综合以上情况可以得出结论：
（1）三极管电流放大作用的条件是：反射结正偏，集电结反偏 。
（2）三极管电流放大作用的实质是：用较小的基极电流控制较 大的集电极电流
三、三极管的特性曲线
实验电路 ：
1、输入特性
输入特性曲线是指在UCE一定 的条件下，加在三极管基极与 发射极之间的电压UBE和基极 电流IB之间的关系曲线，只有 发射结的正向电压UBE大于死 区电压（硅管0.5V，锗管0.3V） 时，才产生基极电流IB，这时 三极管处于放大状态，发射结 的两端的电压UBE大于死区电 压（硅管0.7V，锗管0.5V）.
项目三、三极管及放大电路
知识目标
1、知道电子单元电路组装的一般步骤。 2、能识别典型放大电路，以及组成元件的作用。 3、熟悉典型放大电路的工作原理和分析方法。
技能目标
1、能识别制作基本放大电路所需的元器件。 2、会用万用表测试放大电路中各元件的质量。 3、会安装、测试基本放大电路。
安全规范
1、电烙铁的安全使用 2、万用表的安全使用 3、示波器的安全使用
➢任务一 制作基本放大电路
情景模拟
• 双休日，小李在家休息。邻居王奶奶的收音机坏了，知道小任在职校 学的是电工，就拿过来请小王修理。小李熟练地拆下外壳，用万用表 检查后，发现是放大电路的故障。小李用电烙铁拆下坏的元器件，换 上一只新的。不一会儿，王奶奶的收音机又传出了悦耳动听的声音。 王奶奶伸出大拇指，夸奖地说：“小李，你真行，学到了真本领”。
2、输出特 性
输出特性曲线是指在IB一定 的条件下，三极管集电极与 发射极之间的电压UCE和集 电极电流IC之间的关系曲线。 三极管的输出特性曲线分为 截止区、放大区和饱和区三 个区域，在放大区域内，有 一个特定的基金极电流，就 有一个特定的集电极电流， 实现基极对集电极的控制。
(1) 放大区
在放大区有 IC= IB ，也称为线性区，具有恒流特性。在放大区， 发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大 状态。C极与E极之间等效电阻相当于一只可变电阻，电阻的大小 受基极电流大小的控制，基极电流越大C极与E极之间等效电阻越 小。
按材料分
PNP型三极管 硅三极管 锗三极管
电流从发射极流向集电极 热稳定性好，是常用的三极管 反向电流大，受温度影响较大，热稳定性差
按工作频率 分
按功率分
按用途分
低频三极管
高频三极管 小功率三极管 大功率三极管
放大管 开关管
工作频率比较低，用于直流放大，音频放大电 路
工作频率比较高，用于高频放大电路 输出功率小，用于功率放大器末前级 输出功率大，用于功率放大器输出级
应用于模拟电路 应用于数字电路
二、三极管的电流放大作用
1、三极管的工作电压
三极管要实现放大作用，必须满足一定的外部条件，即反射结正偏，集电结反偏。
（a）NPN型三极管 UC＞UB＞UE
（b）PNP型三极管UC＜UB＜UE
2、据 ：
实验数据的分析 ：
电流关系