多晶硅铸锭炉操作与生产流程培训教材PPT(31张)

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度设定等。此窗口还包含隔热笼操作、下炉体运行 控制、慢速抽真空、维护操作等子窗口。
趋势图窗口
趋势图界面显示5个小时内8个变量的实时变化趋势 ,可以查看功率、3个热电偶的温度、炉腔压力、隔
ຫໍສະໝຸດ Baidu 设备的组成和工作原理
设备的组成: 钢结构部件、炉体部件、加热隔热
系统、 真空与供气系统、 冷却系统、 电源供应及控制系统。
1 炉体部件
炉体的组成主要由顶盖、上炉体和下炉体 组成,它们由双层不锈钢焊接形成。层与层 之间留有一定间隙,便于冷却水通过。
2 加热隔热系统
隔热笼在上炉体内,由上下两层不锈钢架组成。 四 周衬有碳纤维隔热材料,主要起保温、隔热作用。
制。
5)检测单元 检测单元包括温度、水流量、隔热笼位置等检测。检测
器件有热电偶,红外测温仪,流量计以及位置反馈编码器 组成。 6)运动单元控制
运动单元控制下炉体的升降运动、隔热区的提升等动作。 7)系统供电单元
系统电源单元包括总电源开关,控制柜内配电保护,以 及UPS等构成。
工作原理
1 多晶硅铸锭炉的工作顺序分:加热, 熔化 , 结晶,退火,冷却,急冷等六个步骤。
2)SNPA智能处理器 是控制系统的下位机单元,是核心单元,完成对温度
的控制,真空度及充入氩气的压力控制,隔热笼的提升控制, 结晶的速度,水流量的检测,并送达上位机。
3)加热器电源系统 包括大容量的降压变压器以及可控硅的控制单元。
4)真空系统控制单元 包括对真空泵的控制,真空度的检测,以及气体流量控
电源柜包括电源开关,功率控制器等。
控制柜系统包括工控机,SNAP智能处理器,加热器的电源 系统,真空系统控制单元,检测单元,运动控制单元,系统 供电单元。
1)工控机 整个控制系统以工控机操作为上位机,上位机完成控制
工艺的设置,控制过程中的监控,各种反馈信息(如:温度、
水流量、隔热区位置等)出现异常报警显示,统计和记录整 个硅结晶过程的各种参量的变化情况并生成图表。
真空系统是由机械泵、罗茨泵、安全阀等其他附件组成, 当炉内压力抽到0.005毫帕时才可以运行。当真空抽到40毫 帕以下时, 罗茨泵自动开始细抽。炉内工作压力需维持600 毫帕时, 是靠机械泵抽气作用。
氩气进入的量是由质流控制器控制,抽气量是由连接 真空泵的比例调节阀调整。空气压力控制阀用于关闭氩气进 气系统及炉体与真空系统分开。
多晶铸锭炉简介与硅锭生产流程
培训内容
►主要用途和特性 ►设备的组成和工作原理 ►结晶炉操作界面 ►硅锭生产流程 ►注意事项
主要用途和特性
1 用途:
JJL-240型多晶铸锭炉将不规则的硅原料,装 炉后重熔,实现稳步定向凝固,生产出高质量,标 准规格的多晶硅硅碇。
2 特性:
在58小时之内生产出275kg的多晶硅硅锭。 在整个结晶过程中,只有一个部件运动 , 简 化设备的操作性和复杂性。
结晶炉操作界面
操作界面的组成
操作界面是有报警、监控、自动控 制、工艺、手动控制、趋势图六大窗 口组成。
报警窗口
最常见的主要报警有: 加热器断开报警、丢失主电源报警、主电源缺项报 警、隔热笼提升故障报警、TC1热电偶故障报警、 高温计不在原点上报警、UPS错误报警、冷却水流 量报警等。
监控窗口
在监控窗口中可以看到系统运行时的状态,包括当 前的模式,步骤,剩余时间以及当前正在使用的工艺
指示当前正在自动运行状态。
工艺窗口
工艺文件在整个系统中具体很重要的意义, 任何一次自动循环都是按照工世文件的设定 进行的,工艺文件的更改可以直接影响生产 出来的硅锭质量。工艺文件总共分四页,操 作者可以按翻页按扭在各页面之间切换。在 一般情况下不建议不懂工艺的人员随便修改 工艺。
手动控制窗口
在手动界面上,允许操作者对各个阀门以及电源接 触器进行操作,更改加热控制方式、功率设定、温
六个铜电极从炉体上方穿入 ,并提供交流电给石墨电 极 , 电极通过石墨螺栓与加热片(呈四方形)连接。四 角用转接片连接,上部被隔热材料覆盖,周围是隔热笼。
在下炉体内,用三支石墨柱支撑着一个用双层隔热材 料组成的平台,在隔热笼下降时形成一个密闭腔。在此平 台上,悬空支撑着一散热交换台,用于放置坩埚。
3 真空与供气系统
文件名。 在屏幕上还显示进气阀的设定值和实测值,出气阀 的设定值和实测值,炉内压力的设定值和实测值,8 路水流量的实测值,隔热笼的目标位置和实际位置,
瞬时电流、电压、功率、通断百分比,控制方式以 及各自的设定值和实测值等。
自动控制窗口
自动控制窗口主要包含自动运行的一些功能。操作 者可以选择正常启动或定时启动来开始一次自动加 工。 只要按下自动运行按钮,系统就会开始自动运行; 自动运行开始运行时,旁边会出现一个绿色圆图标,
4 冷却系统
炉体上部进气冷却循环水分八路,F1,F2,F3三组对 应六个电极,F4进气法兰,F5上炉体,F6下炉体上部,F7 下炉体下部,F8真空泵。
炉内的温度通过循环水散出,升温后的水通过外冷却 塔进行冷热交换,并用水泵送回内循环。
5 电源供应与控制系统
电源供应与控制系统主要由电源柜和控制柜组成。
加热:七个步骤(4-5小时) 熔化:十二个步骤(12-13小时) 结晶:七个步骤(24-25小时) 退火:三个步骤(3小时) 冷却:五个步骤(10-12小时)
2 通过工控机设置完成各种工艺参数和预定参数后, 送 达SNAP智能控制器。
3 具体过程:将经过SiN喷涂处理后的坩埚装入硅原料, 并放置在热交换台上。关闭炉体抽真空,然后通过调整 可控制硅的控制单元的变压器输出的低电压高电流,电 流加到石墨加热器,并通过SNAP智能控制器 ,自动温 度控制,加热若干小时以后完全熔化硅料。当硅料完全 熔化后,根据工艺要求,缓慢提升隔热笼位置,暴露出 热交换台,使一部分热量散发到炉壁,通过冷却水把炉 壁热量带走,交换台温度的下降会传到坩埚底部,使硅 溶液形成垂直的温度梯度,此温度梯度会使硅溶液下方 凝固结晶至上方。当所有的硅液都凝固后,硅锭再经过 退火、通入氩气、控制冷却方式等步骤以避免硅锭出现 内应力,以及减少硅锭产生的晶体缺陷(主要是点、线、 面缺陷),从而提高硅锭质量性能。(硅的导电性、可 切割性。)
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