封装产业以及制程介绍
4.封装流程介绍
入出料主要是将导线架 ( Lead Frame)由物料 盘 ) (Magazine)送上输送架 ) (Bar or Bridge)进入模具 ) 内做冲切;在机台中, 内做冲切;在机台中,入出 料机构的夹具动作大多以气 压作动。 压作动 magazine
F/S入料机构和D/T的入料机构大致相同,均以 F/S入料机构和D/T的入料机构大致相同, 入料机构和D/T的入料机构大致相同 magazine作为入料盒 至于出料方式,D/T为 作为入料盒, magazine作为入料盒,至于出料方式,D/T为 magazine, F/S工作行程最后均将IC从导线架 工作行程最后均将IC magazine,而F/S工作行程最后均将IC从导线架 上取出所以,出料机构总共分为二个部份: 上取出所以,出料机构总共分为二个部份: 1.Tray盘 2.Tube管 1.Tray盘 2.Tube管
固化后取出。 固化后取出。
Epoxy Molding Compound
IC塑胶封装材料为热固性环氧树脂 塑胶封装材料为热固性环氧树脂 塑胶封装材料为 (EMC)其作用为填充模穴 其作用为填充模穴(Cavity) 其作用为填充模穴 将导线架(L/F)完全包覆,使銲线好 完全包覆, 将导线架 完全包覆 的芯片有所保护。 的芯片有所保护。
Tie Bar
4.成型(Forming) 4.成型(Forming) 成型 的目的: 的目的:
将已去框( 将已去框(Singulation) ) Package之Out Lead以连 之 以连 续冲模的方式, 续冲模的方式,将产品脚 弯曲成所要求之形状。 弯曲成所要求之形状。
海 鸥 型 引 脚 插 入 型
Heat Slug Attach
Molding
MD(封胶 封胶) 封胶 (Molding)
IC封装制程介绍基本
電 鍍 設 備
20
➢切筋/成型
傳統IC封裝製程
利用機械模具,將引腳間金屬連接桿和引線框切除,使 外腳與內部線路成單一通路。將已切筋后的料件引腳, 以連續沖模的方式將之彎曲成所要求之形狀。
成型機
Trim & Form
引腳形狀
海鷗型 插入型
J型
21
傳統IC封裝製程
➢電性測試
22
傳統IC封裝製程
➢印碼
在產品的表面刻(印)上廠商LOGO,產品名稱,生產日期,生產批次等.
鐳射刻字 (laser)
油墨印碼 (ink)
23
傳統IC封裝製程
➢包裝-出貨
Tray 盤
管 裝
卷 帶
24
Thank You
25
粘 片前
點膠
粘片
粘片完成
15
➢焊線
傳統IC封裝製程
用金線、銅線、或鋁線把 Pad和 Lead通過焊接的方法連接起來。
焊線前
焊線
焊線后
實物圖
16
傳統IC封裝製程
➢焊線過程分解
瓷嘴Capillary
EFO打火桿烧球
Cap在芯片的Pad上 Cap牽引金線上升 加力和超聲波焊球
Cap運動軌跡形 成弧度
Cap下降到Lead 焊接
基片型封裝(高級):BGA
6
常見IC封裝結構
➢Lead frame封裝
Die 晶片
Bonding wire 焊線
Molding compound 封膠
Leadframe 引綫架
Plating 鍍層
Die attach material (silver paste) 贴晶材料(銀膠)
IC封装产品及制程简介
Bus bar
Signal
Signal
Signal
Signal
Bus bar tape
IC chip
Sectional View
wire
Inner Lead
tape
IC chip
Process Flow Chart, Equipment & Material
FLOW
PROCESS WAFER BACKGRINDRING
PIN PTH IC
J-TYPE P
BALL BGA
BUMPING F/C
IC Package Family
PTH IC:DIP── SIP、PDIP(CDIP)
PGA
SMD IC: SOIC ── SOP(TSOP-I、TSOP-II)、SOJ
LCC ── PLCC/CLCC
QFP ── 14×20/28×28、
LQFP)
10×10/14×14(TQFP、MQFP、 Others ── BGA、TCP、F/C
Something about IC Package Category
PTH IC:1960年代发表,至今在一些低价的电子组件上仍被广泛应用。 DIP ──美商快捷首先发表 CDIP。由于成本技术的低廉,很快成为当时主要的 封装形式;随后更衍生出 PDIP、SIP等。 PGA ──美商IBM首先发表,仅应用于早期的高阶 IC封装上,其Grid Array的 概念后来更进一步转换成为 BGA的设计概念。
EQUIPMENT SIBUYAMA-508
DIE SAW DIE ATTACH WIRE BOND MOLDING
DISCO 651
HITACHI CM200( LOC) HITACHI LM400(LOC)
半导体封装制程及其设备介绍
半导体封装制程及其设备介绍一、概述半导体芯片是一种微型电子器件,半导体封装制程是将芯片进行外层包装,从而保护芯片、方便焊接、测试等工作的过程。
比较常见的半导体封装方式有芯片贴装式、铅框式、无铅框式等。
本文将从半导体封装的制程入手,为大家介绍半导体封装制程及其设备。
二、半导体封装制程1. 粘结半导体封装的第一步是将芯片粘结到支撑贴片(Leadframe)上面。
支撑贴片是一种晶粒尺寸相对较大、但还不到电路板级别的导体片。
常用的粘接剂有黄胶、银胶等,其使用在制程时会加热到一定温度,使其能够黏合贴片和芯片。
2. 线缆连接芯片被粘接到支撑贴片上方后,需要进行内部连线。
通常使用铜线作为内部连线,常用的连线方式有金线焊接和铜线焊接。
它们的区别很大程度上取决于封装要求和芯片使用情况。
3. 包封装在连线之后,开始进行半导体封装的最后一步–包封装。
包封装是将芯片包封闭在一起,以进一步保护它。
常用的封装方式有QFP、BGA、SOIC、CHIP 贴片等。
三、半导体封装设备介绍1. 芯片粘结设备芯片粘结设备是半导体封装的第一步。
常用的芯片粘结设备包括黄胶粘合机、银胶粘合机、重合机等。
不同类型的设备适用于不同封装要求的芯片。
2. 线缆连接设备目前,铜线焊接机处于主流位置。
与金线焊接机相比,铜线焊接机具有成本更低、可靠度更高的优点。
因此,其能够更好地满足不同类型的芯片封装要求。
3. 包封装设备包封装设备是半导体封装的重要步骤。
常用的设备有 QFP 封装机、CHIP 贴片封装机等。
它们能够满足不同类型的封装要求,使芯片更加可靠。
四、半导体封装制程及其设备涉及到了许多知识点。
本文从制程和设备两个角度,为大家介绍了半导体封装制程及其设备。
不同的封装方式和设备对于产品的品质、成本以及生产效率都有很大的影响。
因此,在选择半导体封装制程和设备时,需要根据实际情况进行选择,以确保产品达到最佳性能和质量要求。
集成电路封装技术
集成电路封装技术一、概述集成电路封装技术是指将芯片封装成实际可用的器件的过程,其重要性不言而喻。
封装技术不仅仅是保护芯片,还可以通过封装形式的不同来满足不同应用领域的需求。
本文将介绍集成电路封装技术的基本概念、发展历程、主要封装类型以及未来发展趋势等内容。
二、发展历程集成电路封装技术随着集成电路行业的发展逐渐成熟。
最早的集成电路封装形式是引脚直插式封装,随着技术的不断进步,出现了芯片级、无尘室级封装技术。
如今,随着3D封装、CSP、SiP等新技术的出现,集成电路封装技术正朝着更加高密度、高性能、多功能的方向发展。
三、主要封装类型1.BGA封装:球栅阵列封装,是一种常见的封装形式,具有焊接可靠性高、散热性好等优点。
2.QFN封装:裸露焊盘封装,具有体积小、重量轻、成本低等优点,适用于尺寸要求严格的应用场合。
3.CSP封装:芯片级封装,在尺寸更小、功耗更低的应用场合有着广泛的应用。
4.3D封装:通过将多个芯片垂直堆叠,实现更高的集成度和性能。
5.SiP封装:系统级封装,将多个不同功能的芯片封装在一起,实现更复杂的功能。
四、未来发展趋势随着物联网、人工智能等领域的兴起,集成电路封装技术也将迎来新的挑战和机遇。
未来,集成电路封装技术将朝着更高密度、更低功耗、更可靠、更环保的方向发展。
同时,新材料、新工艺和新技术的应用将为集成电路封装技术带来更多可能性。
五、结语集成电路封装技术是集成电路产业链中至关重要的一环,其发展水平直接关系到整个集成电路的性能和应用范围。
随着技术的不断进步,集成电路封装技术也在不断演进,为各个领域的技术发展提供了强有力的支撑。
希望本文能够帮助读者更好地了解集成电路封装技术的基本概念和发展趋势,为相关领域的研究和应用提供一定的参考价值。
半导体封装制程及其设备介绍——【半导体芯片】
Dual In-line Package
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
8 ~64
SIP
Single In-line Package
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
Material Lead Pitch No of I/O
Ceramic
1.27 mm (50miles) j-shape bend 4 direction
lead
18~124
Ceramic
0.5 mm
32~200
SMT (Optional)
Taping (Optional)
Grinding (Optional)
lead
3~25
Through Hole Mount
ZIP
Zigzag In-line Package
S-DIP
Shrink Dual In-line
Package
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
Pack
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction
lead
8 ~40
集成电路封装制程知识
集成电路封装制程知识
集成电路的制造包括芯片制造、芯片封装、测试三个制程。
目前本公司只进行芯片封装和测试两个制程,封装的制程如下:
1.划片
这道工序是将晶圆贴在蓝膜上,并将晶圆切割成芯粒。
2.粘片
这道工序是为了使芯片和框架之间形成一个良好的欧姆接触。
3.压焊
这道工序是为了将粘片完成后的芯片,使其芯片内引线和框架外引线用金丝键合在一起,从而使内外引脚连接起来。
4.塑封
这道工序是为了将压焊完成后的芯片进行包装,确保芯片和外界保持清洁、无干扰。
5.打印
这道工序是为了将塑封好的产品进行打印标识,使人明白这电路的型号和规格。
6.冲溢料
这道工序是为了除去管脚之间的塑封溢料及连筋,使电路更美观整洁。
7.喷砂
这道工序是为了将产品表面的油渣、生刺和溢料去除,以达到电镀的技术要求。
8.电镀
这道工序是将产品的引脚表面镀上一层纯锡,以提高其抗氧化性并增加其导电性。
9.冲切
这道工序是电镀好的产品冲切成单个的成形品。
10.测试
这道工序是测试产品的电性参数,将合格品和不合格品分开,防止电性不良产品出货。
其它还有:外检、编带、包装等辅助工序。
集成电路封装技术封装工艺流程介绍
集成电路封装技术封装工艺流程介绍集成电路封装技术是指将芯片封装在塑料或陶瓷封装体内,以保护芯片不受外界环境的影响,并且方便与外部电路连接的一种技术。
封装工艺流程是集成电路封装技术的核心内容之一,其质量和工艺水平直接影响着集成电路产品的性能和可靠性。
下面将对集成电路封装技术封装工艺流程进行介绍。
1. 芯片测试首先,芯片在封装之前需要进行测试,以确保其性能符合要求。
常见的测试包括电性能测试、温度测试、湿度测试等。
只有通过测试的芯片才能进行封装。
2. 芯片准备在封装之前,需要对芯片进行准备工作,包括将芯片固定在封装底座上,并进行金线连接。
金线连接是将芯片的引脚与封装底座上的引脚连接起来,以实现与外部电路的连接。
3. 封装材料准备封装材料通常为塑料或陶瓷,其选择取决于芯片的性能要求和封装的环境条件。
在封装之前,需要将封装材料进行预处理,以确保其表面光滑、清洁,并且具有良好的粘附性。
4. 封装封装是整个封装工艺流程的核心环节。
在封装过程中,首先将芯片放置在封装底座上,然后将封装材料覆盖在芯片上,并通过加热和压力的方式将封装材料与封装底座紧密结合。
在封装过程中,需要控制封装温度、压力和时间,以确保封装材料与芯片、封装底座之间的结合质量。
5. 封装测试封装完成后,需要对封装产品进行测试,以确保其性能和可靠性符合要求。
常见的封装测试包括外观检查、尺寸测量、焊接质量检查、封装材料密封性测试等。
6. 封装成品通过封装测试合格的产品即为封装成品,可以进行包装、贴标签、入库等后续工作。
封装成品可以直接用于电子产品的生产和应用。
总的来说,集成电路封装技术封装工艺流程是一个复杂的过程,需要精密的设备和严格的工艺控制。
只有通过合理的工艺流程和严格的质量控制,才能生产出性能优良、可靠性高的集成电路产品。
随着科技的不断进步,集成电路封装技术也在不断创新和发展,以满足不断变化的市场需求。
相信随着技术的不断进步,集成电路封装技术将会迎来更加美好的发展前景。
半导体封装制程及其设备介绍详解演示文稿
半导体封装制程及其设备介绍详解演示文稿一、引言二、半导体封装制程的整体流程1.设计和制备芯片:在封装过程开始之前,需要进行半导体芯片的设计和制备。
这包括设计电路、选择材料、制造芯片等步骤。
2.选型和设计封装方案:根据芯片功能和其他要求,选择合适的封装方案。
封装方案的选择包括外形尺寸、引脚数量和布局、散热设计等。
3.制备基板:选择合适的基板材料,并进行加工和制备。
基板的制备是封装制程中的核心环节之一,目的是为芯片提供支撑和连接。
4.芯片连接:将芯片连接到基板上,通常使用焊接技术或金线键合技术。
焊接是将芯片的引脚与基板的焊盘连接起来,金线键合则是用金线将芯片与基板进行连接。
5.包封:将芯片和连接线封装进封装材料中,形成最终的封装产品。
常见的封装材料有环氧树脂和塑料,也有针对特殊应用的金属封装。
6.测试和质量检验:对封装后的产品进行测试和质量检验,确保其符合设计要求和标准。
测试主要包括电性能测试、可靠性测试和环境适应性测试等。
7.封装后处理:包括喷涂标识、气密性测试、老化测试等。
这些步骤都是为了保证封装产品的质量和性能稳定。
三、半导体封装制程的关键步骤及设备介绍1.基板制备基板制备是封装制程中的核心步骤,主要包括以下设备:(1)切割机:用于将硅片切割成芯片,常见的切割机有钻石切割机和线切割机。
(2)干法清洗机:用于清洗芯片表面的杂质。
清洗机主要有氧气等离子体清洗机和干气流清洗机等。
(3)晶圆胶切割机:用于将芯片粘贴在基板上。
2.连接技术连接技术是将芯片与基板连接起来的关键步骤,常见的设备有:(1)焊接机:用于焊接芯片和基板之间的引脚和焊盘。
常见的焊接机有波峰焊机和回流焊机。
(2)金线键合机:用于将芯片与基板之间进行金线键合连接。
常见的金线键合机有球焊键合机和激光键合机等。
3.封装工艺封装工艺是将芯片和连接线封装进封装材料中的步骤,主要设备有:(1)半导体封装设备:用于将封装材料和连接线封装成最终产品。
IC封装流程介绍ppt课件
精选课件ppt
16
去胶/去纬 (Dejunk / Trimming)
去胶/去纬后
去胶/去纬前
精选课件ppt
17
去胶/ (Dejunk)
去胶(Dejunk)的目的:所谓去胶,是指利用机械模具将脚 尖的费胶去除;亦即利用冲压的刀具(Punch)去除掉介于胶 体(Package)与(Dam Bar)之間的多余的溢胶。
一. 二.IC内部结构
三.封装主要流程简介
四.产品加工流程
精选课件ppt
1
简介
In
Out
精选课件ppt
2
封装的目的
IC封装属于半导体产业的后段加工 制程,主要是将前制程加工完成
(即晶圆厂所生产)的晶圆上的IC 予以分割,黏晶、打线并加上塑封
及成型。
其成品(封装体)主要是提供一个
引接的接口,内部电性讯号可通过
Dam Bar
去胶位置
精选课件ppt
18
去纬 (Trimming)
去纬(Trimming)的目的: 去纬是指利用机械模具将脚间金属连接杆切除。
去纬位置
外腳位置
精选课件ppt
19
去框 (Singulation)
去框(Singulation)的目的: 將已完成盖印(Mark)制程 的Lead Frame,以沖模的方 式将Tie Bar切除,使 Package与Lead Frame分开, 方便下一个制程作业。
精选课件ppt
7
晶粒黏贴 (Die Bond)
目的:将晶粒置于框架(Lead Frame) 上,并用银胶(Epoxy)黏着固定。
导线架是提供晶粒一个黏着的位置 (称作晶粒座,Die Pad),并预设有 可延伸IC晶粒电路的延伸脚。黏晶完 成后之导线架则经由传输设备送至金 属匣(Magazine)内,以送至下一制 程进行焊线。
半导体封装制程及其设备介绍-PPT
Substrate
Solder paste pringting
Stencil
Chip shooting
Nozzle Capacitor
Reflow Oven
Hot wind
DI water cleaning
Automatic optical
inpection
DI water
Camera
PAD PAD
Wafer tape
Back Grind
Wafer Detape
Wafer Saw
Inline Grinding & Polish -- Accretech PG300RM
Coarse Grind 90%
Fine Grind 10%
Centrifugal Clean
Alignment & Centering
Die distance Uniformity
4。PICKING UP
3。EXPANDING
No contamination
TAPE ELONGATION
WEAK ADHESION
3.Grinding 辅助设备
A Wafer Thickness Measurement 厚度测量仪 一般有接触式和非接触式光学测量仪两种;
Solder paste
Die Prepare(芯片预处理) To Grind the wafer to target thickness then separate to single chip
---包括来片目检(Wafer Incoming), 贴膜(Wafer Tape),磨片(Back Grind),剥膜(Detape),贴片(Wafer Mount),切割(Wafer Saw)等系列工序,使芯片达到工艺所要求的形状,厚度和尺寸,并经过芯片目 检(DVI)检测出所有由于芯片生产,分类或处理不当造成的废品.
IC封装技术与制程介绍
IC封装技术与制程介绍课程主要内容••••IC封装技术基础电子元器件的应用电子产品的分解集成电路产业链IC 封装的作用如人的大脑如人的大脑::如人的身体如人的身体::IC封装的功能••••IC封装层次•••IC封装层次培训的主要内容IC封装分类•PCB•插入型封装器件表面贴装型封装器件PCBPCB金属管壳型封装陶瓷封装陶瓷封装-CPGA塑料封装-DIP (Dual In-line Package)塑料封装-QFPBGA封装塑料封装-BGACSP (Chip Scale Package)CSP (Chip Scale Package)IC封装制程(塑料封装)封装结构与材料•••••封装结构示例焊片晶圆切割晶圆点测焊线塑封半导体封装工艺流程晶圆(wafer)的制造WAFERMASKING N+ SUBSTRATEN-DRAINCHANNELCHANNEL SOURCE METALIZATIONGATE OXIDE POLYSILICON GATEP+P+P -P -P -P -N+N+N+N+CURRENT FLOWSilicon Die Cross-SectionBPSG晶圆的制造晶片背磨top side back side目的: 目的:减薄晶片厚度FROM: 0.008”TO: Silicon0.014”Silicon31晶片背金处理目的: 目的:提高导电性Titanium Nickel SilverSilicon32晶片点测目的: 目的:初步筛选出好的芯片Gate /Base ProbeInk bad dice out.Source/ Emitter Probe33晶片切割Wafer sawing is to separate the dice in wafer into individual chips. unsawn wafer sawn waferwafer holder wafer tapeconnected die singulated die34晶片切割InputOutput35焊片工艺Cu Leadframe Die Attach Material Die or MicrochipDie Attach is a process of bonding the microchip on the leadframe.36焊片工艺点胶 真空吸嘴吸附芯片 芯片焊到框架的焊盘上37银胶焊片工艺38银胶焊片工艺SYRINGE EPOXY DIE FLAT FACE COLLETNOZZLES LEADFRAME w/ PLATINGD/A TRACK39银胶焊片工艺D/A TRACKD/A TRACK40共晶焊片工艺DIE w/ BACKMETALLEADFRAME w/ PLATING HEATER BLOCK锡铅焊片工艺SOFT SOLDER WIREHEATER BLOCK HEATER BLOCK焊线工艺99.99% Gold wiresThermosonic wire bonding employs heat and ultrasonic power to bond Au wire on die surface.焊线工艺HEATER BLOCKAu WIRESPOOL DIE BONDED LEADFRAMEAu BALL焊线工艺热声波焊线工艺超声波焊线工艺DIE BALL BOND(1ST bond)WEDGE BOND or WELD(2nd bond)LEADFRAME塑封工艺MOLDCOMPOUNDPELLETS塑封工艺•。
半导体芯片封装工艺流程
半导体芯片封装工艺流程介绍半导体芯片封装工艺是将芯片与外部环境进行隔离和保护的过程。
封装工艺的优劣直接影响着芯片的性能、可靠性和应用场景。
本文将详细介绍半导体芯片封装工艺的流程和重要步骤。
流程概述半导体芯片封装工艺主要包括芯片准备、封装材料选型、封装工艺流程设计、封装设备选择、封装工艺参数调优和封装后测试等环节。
下面将分别详细介绍每个环节的内容。
芯片准备芯片准备是封装工艺的第一步,主要包括芯片的测试、分选和切割。
在这一步骤中,需要对芯片进行质量检测和功能测试,将合格的芯片分选出来,然后使用切割工具将芯片切割成单个的芯片片段。
封装材料选型封装材料的选型对封装工艺的成功与否有着重要的影响。
封装材料的主要考虑因素包括导热性能、绝缘性、封装温度要求、耐候性、成本等。
常见的封装材料有环氧树脂、塑料封装、陶瓷封装等。
在选型过程中,需要根据具体应用场景的需求进行合理选择。
封装工艺流程设计封装工艺流程设计是封装工艺的核心,它直接决定了封装质量和性能。
封装工艺流程一般包括基底制备、粘接、线束焊接、封装胶固化、界面处理等多个步骤。
设计良好的封装工艺流程应该能够满足芯片的封装要求,并具备高效、稳定和可重复的特点。
封装设备选择封装设备的选择是封装工艺流程设计的重要一环。
合适的封装设备能够提供稳定的温度控制、良好的气体环境控制和高精度的动作控制等特点。
常见的封装设备有球栅阵列焊接设备、贴片机、封装脱脂设备等。
在选择设备时,需要考虑设备的性能、可靠性、维护成本和生产效率等因素。
封装工艺参数调优封装工艺参数调优是为了获得最佳的封装效果和性能。
在封装工艺参数调优过程中,需要考虑温度、时间、压力等参数的合理设置,以及不同材料和工艺步骤之间的协调。
通过不断调整工艺参数,优化封装工艺流程,达到最佳封装效果。
封装后测试封装后测试是为了验证封装质量和性能。
封装后测试通常包括电性能测试、可靠性测试和环境适应性测试等。
通过对封装芯片的各项指标进行测试和评估,可以有效地判定封装质量是否符合要求,并为后续的质量控制和改进提供重要数据支持。
半导体封装制程与设备材料知识介绍-FE
半导体封装制程与设备材料知识介绍-FE半导体封装制程是半导体工业中不可或缺的一部分,其随着市场需求的变化不断地在更新换代。
本文将主要介绍半导体封装的制程步骤及相关设备材料知识。
半导体封装制程步骤半导体封装制程主要按照以下步骤进行:1.按照需要封装的芯片布局,设计封装排线和金属引线等结构。
同时,设计封装的外观结构,包括尺寸、形状、数量和分布等。
2.使用设计软件,制作电路图样,该图样包含标准的元器件符号、等电线和连接符等信息。
3.基于制作的电路图样,制作光刻版,在载片上进行银河线蚀刻。
因为光刻版制作的精度较高,可以制作很细的线路和高保真度的图案。
4.将加载的原件(如晶体管芯片等)与抛光后的铜器系排线粘结在一起,其中的薄胶层在压合交联后,铜器系排线被粘在原件表面上。
通过紫外线固化胶水,以确保清洗过程中不再分离。
5.将元器件放入封装内部,并对外壳进行粘接焊接或压力焊接以完成封装。
半导体封装设备材料1.电池板:电池板全名为半导体电池板,是半导体制造中的必要材料之一。
它通常被用作制造微芯片和其他半导体产品的基础材料。
电池板通常由纯硅制成,因为硅是制造半导体的最佳材料之一。
2.排线:排线是半导体封装中最常用的材料之一,因为它可以连接到各种元器件和芯片,从而使它们可以在更广泛的电路中工作。
排线通常由铜、铝或金刚石制成。
铜是最常用的材料之一,因为其导电性能优良,且价格较为实惠。
3.烟雾处理设备:烟雾处理设备是半导体封装过程中至关重要的设备之一。
它可以用来过滤设备产生的烟雾和粉尘,以确保制造环境的清洁和卫生。
烟雾处理设备通常包括过滤器、碳过滤器以及粒子清洁器等。
4.封胶设备:封胶设备用于在芯片上涂覆胶水,并紫外线固化粘胶以固定芯片和排线。
封胶设备的选择应根据使用封胶的材料进行调整,因为不同材料的粘合性能不同。
通常使用的封胶设备有涂胶机、涂覆机和喷涂机等。
半导体封装制程在现代电子产业中扮演着重要角色。
从封装的步骤到所需的设备材料,我们可以看出半导体封装制程的复杂性和高技术含量。
芯片封装工艺流程
芯片封装工艺流程芯片封装是集成电路制造中至关重要的一步,通过封装工艺,将芯片连接到外部引脚,并保护芯片不受外界环境影响。
本文将介绍芯片封装的工艺流程,包括封装前的准备工作、封装工艺的具体步骤以及封装后的测试与质量控制。
1. 准备工作在进行芯片封装之前,需要进行一系列的准备工作。
首先是设计封装方案,根据芯片的功能和性能要求,确定封装形式、引脚数量和布局等参数。
然后进行封装材料的准备,包括封装基板、引线、封装胶等材料的采购和检验。
此外,还需要准备封装设备和工艺流程,确保封装过程能够顺利进行。
2. 封装工艺流程(1)粘合首先将芯片粘合到封装基板上,通常采用导热胶将芯片固定在基板上,以便后续的引线焊接和封装胶注射。
(2)引线焊接接下来是引线焊接的工艺步骤,通过焊接将芯片的引脚与封装基板上的引线连接起来。
这一步需要精密的焊接设备和工艺控制,确保焊接质量和可靠性。
(3)封装胶注射完成引线焊接后,需要将封装胶注射到芯片和基板之间,用于保护芯片和引线,同时还能起到固定和导热的作用。
封装胶的注射需要精确控制注射量和注射位置,以确保封装胶能够完全覆盖引线和芯片。
(4)固化封装胶注射完成后,需要对封装胶进行固化处理,通常采用加热或紫外光固化的方式,确保封装胶能够牢固固定芯片和引线,并具有良好的导热性能。
(5)切割最后一步是对封装基板进行切割,将多个芯片分割成单个封装好的芯片模块。
切割工艺需要精密的设备和工艺控制,以避免对芯片造成损坏。
3. 测试与质量控制封装完成后,需要对芯片进行测试和质量控制,以确保封装质量和性能符合要求。
常见的测试包括外观检查、引脚可焊性测试、封装胶可靠性测试等。
同时还需要进行温度循环测试、湿热循环测试等环境适应性测试,以验证封装的可靠性和稳定性。
总结芯片封装工艺流程包括准备工作、封装工艺步骤和测试与质量控制三个主要环节。
通过精心设计和严格控制每个环节的工艺参数,可以确保封装质量和性能达到要求,为集成电路的应用提供可靠保障。
封装工艺流程
封装工艺流程
封装工艺是电子元器件制造中至关重要的一环,它直接影响到元器件的性能和可靠性。
在封装工艺中,包括了多个步骤和工艺流程,下面将对封装工艺流程进行详细介绍。
首先,封装工艺的第一步是芯片准备。
芯片准备包括对芯片进行清洗、切割和测试。
清洗是为了去除芯片表面的杂质和污垢,以保证封装工艺的顺利进行;切割是将芯片切割成单个的芯片块,以便后续的封装;测试是对芯片进行功能和性能的测试,以筛选出不合格的芯片,确保封装后的产品质量。
接下来是封装材料的准备。
封装材料包括封装胶、导线、基板等。
封装胶是用来封装芯片和导线的材料,它需要具有良好的粘接性能和导热性能;导线是用来连接芯片和基板的材料,它需要具有良好的导电性能和可焊性;基板是封装的载体,它需要具有良好的导热性能和机械强度。
然后是封装工艺的主要步骤——封装。
封装是将芯片和导线封装在封装胶中,并将其固定在基板上的过程。
在封装过程中,需要控制好封装胶的温度、压力和时间,以确保封装胶能够充分固化,
并且芯片和导线能够被牢固地固定在基板上。
最后是封装产品的测试和包装。
测试是对封装后的产品进行功能和性能的测试,以确保产品符合规定的标准和要求;包装是将测试合格的产品进行包装,以便于存储和运输。
总的来说,封装工艺流程包括芯片准备、封装材料的准备、封装和封装产品的测试和包装。
每个步骤都至关重要,任何一环节的问题都可能导致产品的质量不合格。
因此,在封装工艺中,需要严格控制每个步骤的工艺参数,以确保产品的质量和可靠性。
一文详解封装制程工艺
点就是制程能力。
SIP封装制程按照芯片与基板的连接方式可分为引线键合封装和倒装焊两种。
引线键合封装工艺工艺流程圆片→圆片减薄→圆片切割→芯片粘结→引线键合→等离子清洗→液态密封剂灌封→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试→包装。
圆片减薄圆片减薄是指从圆片背面采用机械或化学机械(CMP)方式进行研磨,将圆片减薄到适合封装的程度。
随着系统朝轻薄短小的方向发展,芯片封装后模块的厚度变得越来越薄,因此在封装之前一定要将圆片的厚度减薄到可以接受的程度,以满足芯片装配的要求。
圆片切割圆片减薄后,可以进行划片。
较老式的划片机是手动操作的,现在一般的划片机都已实现全自动化。
无论是部分划线还是完全分割硅片,目前均采用锯刀,因为它划出的边缘整齐,很少有碎屑和裂口产生。
芯片粘结已切割下来的芯片要贴装到框架的中间焊盘上。
焊盘的尺寸要和芯片大小相匹配,若焊盘尺寸太大,则会导致引线跨度太大,在转移成型过程中会由于流动产生的应力而造成引线弯曲及芯片位移现象。
贴装的方式可以是用软焊料(指Pb-Sn 合金,尤其是含Sn 的合金)、Au-Si 低共熔合金等焊接到基板上,在塑料封装中最常用的方法是使用聚合物粘结剂粘贴到金属框架上。
引线键合在塑料封装中使用的引线主要是金线,其直径一般为0.025mm~0.032mm。
引线的长度常在1.5mm~3mm之间,而弧圈的高度可比芯片所在平面高 0.75mm。
键合技术有热压焊、热超声焊等。
这些技术优点是容易形成球形(即焊球技术),并防止金线氧化。
为了降低成本,也在研究用其他金属丝,如铝、铜、银、钯等来替代金丝键合。
热压焊的条件是两种金属表面紧紧接触,控制时间、温度、压力,使得两种金属发生连接。
表面粗糙(不平整)、有氧化层形成或是有化学沾污、吸潮等都会影响到键合效果,降低键合强度热压焊的温度在300℃~400℃,时间一为40ms(通常,加上寻找键合位置等程序,键合速度是每秒二线)。
超声焊的优点是可避免高温,因为它用20kHz~60kHz的超声振动提供焊接所需的能量,所以焊接温度可以降低一些。
半导体封装测试制程介绍
半导体封装测试制程介绍封装前测试是在芯片封装之前对芯片进行测试和筛选,以排除故障芯片,确保封装后器件的质量和可靠性。
主要步骤包括芯片测试和筛选。
芯片测试是对制造好的裸片进行功能测试和性能评估。
通常采用自动测试设备(ATE)进行。
ATE是一种专门设计用来测试半导体芯片的设备,能够自动完成电气参数测试、功能测试和时序测试等,并生成测试报告。
芯片筛选是根据芯片测试结果进行不良芯片的筛选。
一般会根据芯片的电压、电流、频率等参数的合格范围制定筛选标准,并通过测试设备进行筛选。
不合格的芯片将被淘汰,而合格的芯片将被送往封装工艺。
封装后测试是在芯片封装成器件之后,对器件进行功能测试和性能验证。
主要步骤包括器件功能测试、性能测试和可靠性测试。
器件功能测试是对已封装好的器件进行功能验证,例如检查器件是否能够按照设计要求正常工作,是否能够完成特定功能等。
这通常通过连接测试设备进行测试,并检查功能是否正常来实现。
功能测试一般通过提供适当的信号刺激,观察器件的响应来完成。
器件性能测试是对已封装好的器件进行性能评估,例如测量器件的工作频率、传输速率、功耗等性能参数。
性能测试通常通过专业仪器和测试设备进行,根据应用需求制定测试参数和测试方法。
器件可靠性测试是对已封装好的器件进行长时间的运行稳定性测试,以验证器件在工作环境下的可靠性和寿命。
常用的可靠性测试方法包括温度循环测试、高温运行测试、湿热循环测试等。
此外,半导体封装测试制程还涉及到一些关键技术,如引脚焊接技术、封装材料选择与应用、测试设备的选择与使用等。
引脚焊接技术是将芯片引脚与封装器件引脚之间进行焊接,以确保引脚与器件之间的电气连接和机械强度。
封装材料选择与应用是选择适合的材料来包裹和保护芯片,以防止环境对芯片的影响并提供物理支撑。
测试设备的选择与使用是根据芯片的特性和测试需求选择合适的测试设备,并进行正确的使用和操作。
综上所述,半导体封装测试制程是半导体芯片生产过程中的重要环节,通过对芯片和器件进行测试和筛选,以确保芯片和器件的质量和性能。
半导体封装制程简介
(Die Saw)晶片切割之目的乃是要將前製程加工完成的晶圓上一顆顆之芯片(Die)切割分離。
首先要在晶圓背面貼上蓝膜(blue tape)並置於鋼製的圆环上,此一動作叫晶圓粘片(wafer mount),如圖一,而後再送至晶片切割機上進行切割。
切割完後,一顆顆之芯片井然有序的排列在膠帶上,如圖二、三,同時由於框架之支撐可避免蓝膜皺摺而使芯片互相碰撞,而圆环撐住膠帶以便於搬運。
圖一圖二(Die Bond)粘晶(装片)的目的乃是將一顆顆分離的芯片放置在导线框架(lead frame)上並用銀浆(epoxy )粘着固定。
引线框架是提供芯片一個粘着的位置+(芯片座die pad),並預設有可延伸IC芯片電路的延伸腳(分為內引腳及外引腳inner lead/outer lead)一個引线框架上依不同的設計可以有數個芯片座,這數個芯片座通常排成一列,亦有成矩陣式的多列排法。
引线框架經傳輸至定位後,首先要在芯片座預定粘着芯片的位置上点上銀浆(此一動作稱為点浆),然後移至下一位置將芯片置放其上。
而經過切割的晶圓上的芯片則由焊臂一顆一顆地置放在已点浆的晶粒座上。
装片完後的引线框架再由传输设备送至料盒(magazine)。
装片后的成品如圖所示。
引线框架装片成品胶的烧结烧结的目的是让芯片与引线框晶粒座很好的结合固定,胶可分为银浆(导电胶)和绝缘胶两种,根据不同芯片的性能要求使用不同的胶,通常导电胶在200度烤箱烘烤两小时;绝缘胶在150度烤箱烘烤两个半小时。
(Wire Bond)焊线的目的是將芯片上的焊点以极细的金或铜线(18~50um)連接到引线框架上的內引腳,藉而將IC芯片的電路訊號傳輸到外界。
當引线框架从料盒內傳送至定位后,应用電子影像处理技術來確定芯片上各個焊点以及每一焊点所相對應的內引腳上的焊點的位置,然後做銲線的動作。
銲線時,以芯片上的焊点为第一銲點,內接腳上的焊点為第二銲點。
首先將金線的尾线燒結成小球,而後將小球压銲在第一銲點上(此稱為第一銲,first bond)。
fcbga封装制程
fcbga封装制程
本文将介绍FCBGA封装制程,FCBGA即Flip Chip Ball Grid Array,是一种新型的芯片封装技术,主要应用于高性能微处理器、图形处理器和数字信号处理器等高端半导体产品。
FCBGA封装制程是一种先进的技术,其制程步骤包括晶圆制备、芯片处理、粘接、热压合、球形焊接、封装成型、测试等多个环节。
其中,晶圆制备是FCBGA封装制程的第一步,需要对晶圆进行切割、抛光、清洗等处理,以确保芯片的完整性和平整度。
接下来,需要对芯片进行处理,通常采用的方法有湿式腐蚀、干式刻蚀等。
芯片处理完成后,需要将其与基板粘接,采用的粘合剂主要有环氧树脂、聚酰亚胺等。
粘接完成后,需要进行热压合,以确保芯片和基板之间的良好接触。
接下来是球形焊接环节,需要将芯片上的金属球与基板上的焊盘相连接。
球形焊接需要使用焊锡粉末,通过热处理的方式形成球形焊点,以确保芯片与基板的稳定连接。
最后,进行封装成型和测试。
FCBGA封装的成型主要有塑封封装和金属封装两种方式。
测试环节包括外观检查、电性测试等多个环节,以确保封装后的产品的质量和稳定性。
总之,FCBGA封装制程是一种复杂而先进的技术,对于半导体产品的性能和稳定性有着重要的影响。
随着技术的不断发展,FCBGA封装制程也将不断完善和提高。
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PIE 2.8 Year TSMC
(Shanghai)
34 Sec.
Xintec 2.3 Year (Backend) Manager
➢ 06/2002 獲得台積傑出工程師獎 ➢ photo rework rate 0.8% from 4.3%, running 3 years , TSMC 1st ➢ Mask manager system (Repeating defect=0 running 13 months) ➢ Support PIE to gain 3% yield at PHOTO process
Auto
Major Accomplishments
DL Productivity improvement (2009/06~Now) ➢Line_A with Line_B Operation merge (SMF~FVI): Saving 20 HC ➢Raise FVI OMI Inspection rate (48% to 70%) and reduce simplify (25 to 3pcs by lot (1pcs:50dies)), reduce 80%; Saving 8 HC ➢Reduce in-process measure frequency 65% & simplify rate 68% : Saving 12 HC ➢One cassette on line: ➢ reduce 2hr cycle time ;Capacity improve 20% at wet bench process. ➢ Cost saving NT$ 3M/year
Wafer 成品
顯微鏡下的IC 一角
If you are a company boss what you care about is
Major Accomplishments
Lead Xintec Backend development
Base on TSMC/MIC expert experience in Engineering , The essence of self-reliance and innovate to enhance the technological promotion :
knowledge.
Developer smart monitor system to reduce miss operation and pick up a
good yield.
Improve manufacturing capability to enhance the competitiveness of operation and customer service
台灣半導體相關產業在世界扮演的腳色
系統級封裝(System in package, SiP)
Wafer Level CSP Process flow
Wafer Level Chip Scale Packaging (WLCSP)
Dam stage
Bond 1 stage
Research and developer the new knowledge.
PIE &
Future Plan:
RD
Continuously provide better manufacturing service for RD & Eng. Programs
Co-work with RD & Eng. to improve operator & productivity for new
Continue reduce cost & good productivity to gain high profit.
Setup strong training system to reduce business trade Cycle impact
Developer dispatch system to enhance the efficiency for Saw & Notch &
➢Process time & Q-time monitor system ➢Multi-skill certify ➢Batch wafer track in / out system for ETCH and
Bond process ➢Training system setup
Potential for Broader Scope & Responsibilities
(Shanghai)
34 Sec.
台灣技術學院機械系 (1993/9 ~ 1997/6)
2008 PMD :O
Xintec
(MFG)
Experience:
2.5 Year DP.Manager
PHOTO EE 3 Year TSMC 32 Eng.
PHOTO PE 3.5Year
TSMC Group Section
Discipline raise
➢Enhance self audit and find out the Operation handing risk and take action
➢Modify tooling & Machine (wet bench) ➢Rack manager system
Developer system
Tooling & Machine modify
➢Laser marking automation; reduce miss operation and 20 % capacity upgrading
➢Revision software bug to reduce dicing abnormal issue (MO:3 to 0/year)
➢ manual to auto (1 to 25 pcs), capacity improve 70% ; saving 1 HC/Shift. ➢ cost saving 0.6M/Year ➢Apply Auto notch and dicing function ➢ Productivity improvement 100% (1:5 to 1:10), saving 6 DL/Shift, ➢ cost saving NT$3.4M/Year ➢ OCAP rate < 5%
➢B1&B2 cure process (28 to 12 hr) ➢Notch cure process( 9 to 6 hr ) ➢One tape on-line (1.6 hr)
Add Capacity:
➢Blade feed rate 8 to 13mm/sec, Capacity Improve >25% ➢PP robot modify ,capacity improve >50% ➢Improve ETCH available time (83% to 92%) ➢Reduce alarm code of saw (8.5/wafer to 2.8/wafer) ➢Raise efficiency at Saw (76% to 85% /Aligner (90% to
Personality & attributes:
Good Observation & Execute to achieve the targets
En
Responsibility & Conscientious
g
M
Potential scope:
FG
Managerial skills
Nice work style of the leadership
Record High
New low
DM+IDM material cost reduction from us$93 to us$ 64, cost saving 31.18% (2008/03~2009/05) ➢Base on MRP, build up daily material requisite check list to make sure daily MOL. (Safety stock:1 day) ➢Prolong chemical lift time ➢Developer MOL system to review usage by wafer ➢2nd source evaluation & price down (Tape & blade & gas & glass)
Chip 1
Chip 2
Glass 2
“T” Contacts
Epoxy
Barrier Layer
External Lead
Solde Bump
External Lead Formation
BGA Formation
External Passivation
Dicing
➢Co-work with VisEra to allow M-Project release.(2008/04)
Major Accomplishments
Productivity improvement(2008~2009/03):IDL reduce 5HC
➢Design new robot for PP stage, capacity improve 30% (55die to 80die/min) ➢Developer wet bench mode for De-flux process
Be the packaging manufacturing leader Fostering a Dynamic and Fun Work Environment