最新半导体基础知识习题

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半导体习题及答案

半导体物理学作业第O章半导体中的晶体结构1、试述半导体的基本特性。

答：① 室温电阻率约在10-3~106Ωcm，介于金属和绝缘体之间。

良好的金属导体:10-6Ωcm；典型绝缘体: 1012Ωcm。

② 负的电阻温度系数，即电阻一般随温度上升而下降；金属的电阻随温度上升而上升。

③ 具有较高的温差电动势率，而且温差电动势可为正或为负;金属的温差电动势率总是负的。

④ 与适当金属接触或做成P-N结后，电流与电压呈非线性关系，具有整流效应。

⑤ 具有光敏性，用适当的光照材料后电阻率会发生变化，产生光电导；⑥ 半导体中存在电子和空穴(荷正电粒子)两种载流子。

⑦ 杂质的存在对电阻率产生很大的影响。

2、假定可以把如果晶体用相同的硬球堆成，试分别求出简立方、体心立方、面心立方晶体和金刚石结构的晶胞中硬球所占体积与晶胞体积之比的最大值。

【解】简立方结构，每个晶胞中包含1个原子，原子半径为/2a，比值为334326aaππ⎛⎫⎪⎝⎭=体心立方结构，每个晶胞中包含2个原子，原子半径为/4，比值为3342348aπ⎛⋅⎝⎭=面心立方结构，每个晶胞包含4个原子，原子半径为/4，比值为3344346aπ⎛⎫⋅ ⎪⎝⎭=金刚石结构，每个晶胞包含8/8，比值为33483816aπ⋅⎝⎭=３、什么叫晶格缺陷？试求Si肖特基缺陷浓度与温度的关系曲线。

【解】在实际晶体中，由于各种原因会使结构的完整性被破坏，从而破坏晶格周期性，这种晶格不完整性称为晶格缺陷。

４、 Si 的原子密度为223510/cm -⨯，空位形成能约为2.8eV ，试求在1400O C 、900O C 和25O C 三个温度下的空位平衡浓度。

【解】()()112219231432222192310333221923exp(/)510exp 2.8 1.60210/1.381016731.8710exp(/)510exp 2.8 1.60210/1.381011734.7810exp(/)510exp 2.8 1.60210/1.3810B B B N N W k T cmN N W k T cmN N W k T --------=-=⨯⨯-⨯⨯⨯⨯=⨯=-=⨯⨯-⨯⨯⨯⨯=⨯=-=⨯⨯-⨯⨯⨯()2532982.44100cm--⨯=⨯≈５、在离子晶体中，由于电中性的要求，肖特基缺陷总是成对产生，令Ns 代表正负离子空位的对数，Wv 是产生1对缺陷需要的能量，N 是原有的正负离子的对数，肖特基缺陷公式为/exp 2V s B W N N C k T ⎛⎫=- ⎪⎝⎭，求(1) 产生肖特基缺陷后离子晶体密度的改变(2) 在某温度下，用X 射线测定食盐的离子间距，再由此时测定的密度ρ计算的分子量为58.4300.016±而用化学法测定的分子量是58.454，求此时Ns/N 的数值。

(完整版)半导体及其应用练习题及答案

(完整版)半导体及其应用练习题及答案题目一1. 半导体是什么？答案：半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，在温度适当时具有导电性能。

2. 半导体的价带和导带分别是什么？答案：半导体中的价带是电子离子化合物的最高能级，而导带是能够被自由电子占据的能级。

3. 简要解释半导体中的P型和N型材料。

答案：P型半导体是通过向半导体中掺杂三价元素，如硼，来创建的，在P型材料中电子少，因此存在空穴。

N型半导体是通过向半导体中掺杂五价元素，如磷，来创建的，在N型材料中电子多，因此存在自由电子。

题目二1. 解释PN结是什么？答案：PN结是由一个P型半导体和一个N型半导体通过熔合而形成的结构，其中P型半导体中的空穴与N型半导体中的自由电子结合，形成一个边界处的耗尽区域。

2. 简要描述PN结的整流作用是什么？答案：PN结的整流作用是指在正向偏置电压下，电流可以流过PN结，而在反向偏置电压下，电流几乎不会流过PN结。

3. 什么是PN结的击穿电压？答案：PN结的击穿电压是指当反向偏置电压达到一定程度时，PN结中会发生电击穿现象，导致电流迅速增加。

题目三1. 解释场效应晶体管（MOSFET）是什么？答案：场效应晶体管是一种半导体器件，可以用于控制电流的流动，其结构包括源极、漏极和栅极。

2. 简要描述MOSFET的工作原理。

答案：MOSFET的工作原理是通过栅极电场的变化来控制其上的沟道区域导电性，从而控制漏极和源极之间的电流的流动。

3. MOSFET有哪些主要优点？答案：MOSFET的主要优点包括体积小、功耗低、响应速度快和可靠性高等。

(完整版)半导体器件基础测试题

第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。

A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。

2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。

A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。

3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。

A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。

A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。

A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。

A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。

7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。

A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。

8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。

A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。

A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。

半导体物理试题及答案

半导体物理试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这是由于（）。

A. 半导体的原子结构B. 半导体的电子结构C. 半导体的能带结构D. 半导体的晶格结构答案：C2. 在半导体中，电子从价带跃迁到导带需要（）。

A. 吸收能量B. 释放能量C. 吸收光子D. 释放光子答案：A3. PN结形成的基础是（）。

A. 杂质掺杂B. 温度变化C. 压力变化D. 磁场变化答案：A4. 半导体器件中的载流子主要是指（）。

A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 光子答案：C5. 半导体的掺杂浓度越高，其导电性能（）。

A. 越好B. 越差C. 不变D. 先变好再变差答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体的导电性能可以通过改变其________来调节。

答案：掺杂浓度2. 半导体的能带结构中，价带和导带之间的能量差称为________。

答案：带隙3. 在半导体中，电子和空穴的复合现象称为________。

答案：复合4. 半导体器件中的二极管具有单向导电性，其导通方向是从________到________。

答案：阳极阴极5. 半导体的PN结在外加正向电压时，其内部电场会________。

答案：减弱三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述半导体的掺杂原理。

答案：半导体的掺杂原理是指通过向半导体材料中掺入少量的杂质元素，改变其电子结构，从而调节其导电性能。

掺入的杂质元素可以是施主杂质（如磷、砷等），它们会向半导体中引入额外的电子，形成N型半导体；也可以是受主杂质（如硼、铝等），它们会在半导体中形成空穴，形成P型半导体。

2. 描述PN结的工作原理。

答案：PN结是由P型半导体和N型半导体结合而成的结构。

在PN结中，P型半导体的空穴会向N型半导体扩散，而N型半导体的电子会向P型半导体扩散。

由于扩散作用，会在PN结的交界面形成一个内建电场，该电场会阻止更多的载流子通过PN结。

半导体器件的基础知识

第一章半导体器件的基础知识一、填空题1、自然界中的物质按着导电能力分为、、三类。

2、半导体的导电能力会随着、、、和的变化而发生变化。

3、半导体材料主要有和两种。

4、半导体中的载流子是和。

5、主要靠导电的半导体称为N型半导体，主要靠导电的半导体称为P型半导体。

6、经过特殊工艺加工，将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起，则在两种半导体的交界处就会出现一个特殊的接触面，称为结。

7、PN结的特性是。

8、半导体二极管的符号是。

9、PN结两端外加的反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增大，称为PN 结的。

10、二极管的核心部分是一个，具有特性。

11、半导体二极管又称。

它是由，从P区引出的极和从N区引出的极以及将他们封装起来的组成。

12、由于管芯结构不同，二极管又分为、、。

13、二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定，这两者之间的关系称为二极管的。

用于定量描述这两者关系的曲线称为。

14、当二极管两端所加的正向电压由零开始增大时，开始时，正向电流很小，几乎为零，二极管呈现很大电阻。

通常把这个范围称为，相应的电压称为。

15、硅二极管的死区电压约为；锗二极管的死区电压约为。

16、硅管的导通电压约为，锗管的导通电压约为，17、加在二极管的反向电压不断增大，当达到一定数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为，相应的电压称为。

18、半导体二极管的主要参数有、。

19、半导体三极管的核心是。

20、半导体三极管的两个PN结将半导体基片分成三个区域：、和。

由这三个区引出三个电极为：、和。

分别用字母、和。

其中区相对较薄。

21、半导体三极管中，通常将发射极与基极之间的PN结称为；集电极与基极之间的PN结称为。

22、由于半导体基片材料不同，三极管可分为型和型两大类。

23、半导体三极管常采用、和封装。

24、半导体三极管按功率分有和;按工作频率分有和；按管芯所用半导体材料分有和；按结构工艺分有和；按用途分有和。

半导体基础知识单选题100道及答案解析

半导体基础知识单选题100道及答案解析1. 半导体材料的导电能力介于（）之间。

A. 导体和绝缘体B. 金属和非金属C. 正电荷和负电荷D. 电子和空穴答案：A解析：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。

2. 常见的半导体材料有（）。

A. 硅、锗B. 铜、铝C. 铁、镍D. 金、银答案：A解析：硅和锗是常见的半导体材料。

3. 在纯净的半导体中掺入微量的杂质，其导电能力（）。

A. 不变B. 减弱C. 增强D. 不确定答案：C解析：掺入杂质会增加载流子浓度，从而增强导电能力。

4. 半导体中的载流子包括（）。

A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 质子和中子答案：C解析：半导体中的载流子有电子和空穴。

5. P 型半导体中的多数载流子是（）。

A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：B解析：P 型半导体中多数载流子是空穴。

6. N 型半导体中的多数载流子是（）。

A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：A解析：N 型半导体中多数载流子是电子。

7. 当半导体两端加上电压时，会形成（）。

A. 电流B. 电阻C. 电容D. 电感答案：A解析：电压作用下，半导体中有电流通过。

8. 半导体的电阻率随温度升高而（）。

A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案：B解析：温度升高，载流子浓度增加，电阻率减小。

9. 二极管的主要特性是（）。

A. 单向导电性B. 放大作用C. 滤波作用D. 储能作用答案：A解析：二极管具有单向导电性。

10. 三极管的三个电极分别是（）。

A. 基极、发射极、集电极B. 正极、负极、地极C. 源极、漏极、栅极D. 阳极、阴极、控制极答案：A解析：三极管的三个电极是基极、发射极、集电极。

11. 场效应管是（）控制器件。

A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件。

12. 集成电路的基本制造工艺是（）。

A. 光刻B. 蚀刻C. 扩散D. 以上都是答案：D解析：光刻、蚀刻、扩散都是集成电路制造的基本工艺。

半导体物理复习试题及答案复习资料

半导体物理复习试题及答案复习资料一、引言半导体物理是现代电子学中至关重要的一门学科，其涉及电子行为、半导体器件工作原理等内容。

为了帮助大家更好地复习半导体物理，本文整理了一些常见的复习试题及答案，以供大家参考和学习。

二、基础知识题1. 请简述半导体材料相对于导体和绝缘体的特点。

答案：半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的导电特性。

与导体相比，半导体的电导率较低，并且在无外界作用下几乎不带电荷。

与绝缘体相比，半导体的电导率较高，但不会随温度显著增加。

2. 什么是本征半导体？请举例说明。

答案：本征半导体是指不掺杂任何杂质的半导体材料。

例如，纯净的硅（Si）和锗（Ge）就是本征半导体。

3. 简述P型半导体和N型半导体的形成原理。

答案：P型半导体形成的原理是在纯净的半导体材料中掺入少量三价元素，如硼（B），使其成为施主原子。

施主原子进入晶格后，会失去一个电子，并在晶格中留下一个空位。

这样就使得电子在晶格中存在的空位，形成了称为“空穴”的正电荷载流子，因此形成了P型半导体。

N型半导体形成的原理是在纯净的半导体材料中掺入少量五价元素，如磷（P）或砷（As），使其成为受主原子。

受主原子进入晶格后，会多出一个电子，并在晶格中留下一个可移动的带负电荷的离子。

这样就使得半导体中存在了大量的自由电子，形成了N型半导体。

4. 简述PN结的形成原理及特性。

答案：PN结是由P型半导体和N型半导体的结合所形成。

P型半导体和N型半导体在接触处发生扩散，形成电子从N区流向P区的过程。

PN结具有单向导电性，即在正向偏置时，电流可以顺利通过；而在反向偏置时，电流几乎无法通过。

三、摩尔斯电子学题1. 使用摩尔斯电子学符号，画出“半导体”的符号。

答案：半导体的摩尔斯电子学符号为“--..-.-.-...-.”2. 根据摩尔斯电子学符号“--.-.--.-.-.-.--.--”，翻译为英文是什么？答案：根据翻译表，该符号翻译为“TRANSISTOR”。

半导体基础知识习题

半导体基础知识习题一、填空题1．半导体是一种导电能力介于________与__________之间的物质，最常用的半导体材料有__________和___________。

2．N型半导体中多数载流子是_________，P型半导体中多数载流子是_________。

3．PN结的正向接法为：P区接电源______极，N区接电源______极。

4．PN结具有____________性能，即加正向电压时，PN结_______；加反向电压时，PN结_________。

二、判断题( )1．半导体的导电能力随外界温度、光照或掺入杂质不同而显著变化。

( )2．P型半导体中多数载流子是空穴且带正电。

( )3．在半导体内部，只有电子能传导电流。

三、选择题1．半导体内的载流子是（）。

A．空穴B．自由电子C．自由电子与空穴2.半导体少数载流子产生的原因是（）。

A．外电场B．掺杂C．热激发3．PN结最大的特点具有（）。

A．不导电性 B．单向导电性 C．双向导电性4．煤气报警器中使用的半导体器件是利用了半导体的（）。

A．光敏特性B．气敏特性C．热敏特性5．当温度升高时，半导体电阻将（）。

A．增大B．减少C．不变四、问答题1．半导体材料有那些特性？2．Ｐ型半导体与Ｎ型半导体中的多数载流子各是什么？参考答案半导体基础知识一、填空题1．导体，绝缘体，硅，锗2．电子，空穴3．正，负4．单向导电，导通，截止二、判断题1．（√）2．（√）3．（×）三、选择题1．(C) 2．(B) 3．（B） 4．（B ） 5．(B)四、问答题1．答：半导体物质的重要特性是：（1）导电能力介于导体和绝缘体之间；（2）在温度低到绝对零度且没有外界的能量激发时，相当于绝缘体。

（3）掺杂性和热激发性。

2．答：P型半导体中多数载流子为空穴。

N型半导体中多数载流子为自由电子。

3．答：当P型半导体和N型半导体结合在一起时，在其交界面两侧，由于电子和空穴的浓度相差悬殊，所以在N区中的多数载流子电子向P区扩散；同时，P区的多数载流子也要向N区扩散，当电子和空穴相遇时，将发生复合而消失，于是，在交界面两侧形成一个由不能移动的正负离子所组成的空间电荷区，也就是PN结。

半导体入厂考试题及答案

半导体入厂考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料中，硅（Si）和锗（Ge）属于哪一类半导体？A. 本征半导体B. 元素半导体C. 复合半导体D. 绝缘体答案：B2. 在半导体工艺中，光刻技术主要用于实现以下哪个步骤？A. 氧化B. 扩散C. 刻蚀D. 离子注入答案：C3. 下列哪个参数是衡量半导体材料导电能力的重要指标？A. 载流子浓度B. 禁带宽度C. 电子亲和力D. 晶格常数答案：A4. PN结在正向偏置时，下列哪个现象会发生？A. 耗尽区变宽B. 耗尽区变窄C. 电流增加D. 电流减少答案：B5. 半导体器件中的MOSFET是哪种类型的晶体管？A. 双极型晶体管B. 金属氧化物半导体场效应晶体管C. 结型场效应晶体管D. 绝缘栅双极晶体管答案：B6. 在半导体制造过程中，CMP（化学机械抛光）技术的主要作用是什么？A. 提高表面平整度B. 增加材料的导电性C. 减少材料的电阻率D. 提高材料的机械强度答案：A7. 半导体器件中的二极管在反向偏置时，其导电特性如何？A. 导电性增强B. 导电性减弱C. 几乎不导电D. 导电性不变答案：C8. 下列哪个因素会影响半导体器件的热稳定性？A. 材料的热导率B. 器件的封装C. 环境温度D. 所有以上选项答案：D9. 在半导体工艺中，湿法刻蚀和干法刻蚀的主要区别是什么？A. 刻蚀速率B. 刻蚀方向性C. 使用的刻蚀介质D. 刻蚀后的表面粗糙度答案：C10. 半导体器件中的晶体管在饱和区工作时，其漏电流如何变化？A. 随栅极电压变化B. 随漏极电压变化C. 几乎不变D. 随源极电压变化答案：C二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 半导体材料的掺杂可以是以下哪些类型的杂质？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 同质掺杂D. 异质掺杂答案：A, B2. 半导体器件中的MOSFET在以下哪些区域工作时，其漏电流会显著增加？A. 饱和区B. 线性区C. 截止区D. 亚阈值区答案：A, B3. 下列哪些因素会影响半导体器件的电学特性？A. 掺杂浓度B. 温度C. 光照D. 湿度答案：A, B, C, D4. 半导体工艺中的氧化过程可以产生以下哪些类型的氧化物？A. 二氧化硅B. 三氧化二铝C. 氧化铟D. 氧化锌答案：A5. 在半导体器件设计中，以下哪些参数需要考虑以优化器件性能？A. 阈值电压B. 载流子迁移率C. 漏电流D. 击穿电压答案：A, B, C, D三、判断题（每题1分，共10分）1. 半导体材料的禁带宽度越小，其导电性越好。

半导体器件复习题

半导体器件复习题一、半导体基础知识1、什么是半导体？半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。

常见的半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）等。

其导电能力会随着温度、光照、掺入杂质等因素的变化而发生显著改变。

2、半导体中的载流子半导体中有两种主要的载流子：自由电子和空穴。

在本征半导体中，自由电子和空穴的数量相等。

3、本征半导体与杂质半导体本征半导体是指纯净的、没有杂质的半导体。

而杂质半导体则是通过掺入一定量的杂质元素来改变其导电性能。

杂质半导体分为 N 型半导体和 P 型半导体。

N 型半导体中多数载流子为自由电子，P 型半导体中多数载流子为空穴。

二、PN 结1、 PN 结的形成当 P 型半导体和 N 型半导体接触时，在交界面处会形成一个特殊的区域，即 PN 结。

这是由于扩散运动和漂移运动达到动态平衡的结果。

2、 PN 结的单向导电性PN 结正偏时，电流容易通过；PN 结反偏时，电流难以通过。

这就是 PN 结的单向导电性，是半导体器件工作的重要基础。

3、 PN 结的电容效应PN 结存在势垒电容和扩散电容。

势垒电容是由于空间电荷区的宽度随外加电压变化而产生的；扩散电容则是由扩散区内电荷的积累和释放引起的。

三、二极管1、二极管的结构和类型二极管由一个 PN 结加上电极和封装构成。

常见的二极管类型有普通二极管、整流二极管、稳压二极管、发光二极管等。

2、二极管的伏安特性二极管的电流与电压之间的关系称为伏安特性。

其正向特性曲线存在一个开启电压，反向特性在一定的反向电压范围内电流很小，当反向电压超过一定值时会发生反向击穿。

3、二极管的主要参数包括最大整流电流、最高反向工作电压、反向电流等。

四、三极管1、三极管的结构和类型三极管有 NPN 型和 PNP 型两种。

它由三个掺杂区域组成，分别是发射区、基区和集电区。

2、三极管的电流放大作用三极管的基极电流微小的变化能引起集电极电流较大的变化，这就是三极管的电流放大作用。

半导体复习题(带答案)

半导体物理复习题一、选择题1.硅晶体结构是金刚石结构，每个晶胞中含原子个数为（D）P1A.1B.2C.4D.82．关于本征半导体，下列说法中错误的是（C）P65A.本征半导体的费米能级E F=E i基本位于禁带中线处B.本征半导体不含有任何杂质和缺陷C.本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身D.本征半导体的电中性条件是qn0=qp03．非平衡载流子的复合率定义为单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数。

下面表达式中不等于复合率的是（D）P130A. B. C. D.4．下面pn结中不属于突变结的是（D）P158、159A.合金结B.高表面浓度的浅扩散p+n结C.高表面浓度的浅扩散n+p结D.低表面浓度的深扩散结5.关于pn结，下列说法中不正确的是（C）P158、160A.pn结是结型半导体器件的心脏。

B.pn结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。

C.平衡时，pn结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等。

6.对于小注入下的N型半导体材料，下列说法中不正确的是（B）P128A. B. C. D.7.关于空穴，下列说法不正确的是（C）P15A.空穴带正电荷B．空穴具有正的有效质量C．空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子D．半导体中电子空穴共同参与导电8.关于公式，下列说法正确的是（D）P66、67A.此公式仅适用于本征半导体材料B.此公式仅适用于杂质半导体材料C.此公式不仅适用于本征半导体材料，也适用于杂质半导体材料D.对于非简并条件下的所有半导体材料，此公式都适用9.对于突变结中势垒区宽度，下面说法中错误的是（C）P177A.p+n结中B.n+p结中C.与势垒区上总电压成正比D.与势垒区上总电压的平方根成正比10.关于有效质量，下面说法错误的是（D）P13、14A.有效质量概括了半导体内部势场的作用B.原子中内层电子的有效质量大，外层电子的有效质量小C.有效质量可正可负D.电子有效质量就是电子的惯性质量。

半导体工厂试题及答案

半导体工厂试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料中，硅（Si）的导电性介于以下哪种材料之间？A. 金属B. 绝缘体C. 导体D. 超导体答案：A2. 下列哪种掺杂方式可以增加半导体的导电性？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 无掺杂D. 以上都不是答案：A3. 在半导体制造过程中，光刻技术主要用于以下哪个步骤？A. 氧化B. 扩散C. 离子注入D. 抛光答案：C4. 下列哪种材料通常用于半导体器件的绝缘层？A. 硅B. 硅酸盐C. 硅氧化合物D. 硅化物答案：C5. 半导体器件的PN结在正向偏置时，其导电性如何变化？A. 增加B. 减少C. 不变D. 无法确定答案：A6. 下列哪种现象不是半导体器件的特性？A. 光敏效应B. 热敏效应C. 磁敏效应D. 超导效应答案：D7. 在半导体工艺中，CMOS技术指的是什么？A. 互补金属氧化物半导体B. 共面金属氧化物半导体C. 互补金属半导体D. 共面金属半导体答案：A8. 下列哪种材料不适用于制造半导体器件？A. 硅B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案：C9. 在半导体器件中，晶体管的放大作用是通过改变哪个参数来实现的？A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B10. 下列哪种技术不是用于提高半导体器件性能的？A. 减小特征尺寸B. 增加掺杂浓度C. 增加工作温度D. 使用多门器件答案：C二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 下列哪些因素会影响半导体器件的性能？A. 温度B. 光照C. 湿度D. 电压答案：A、B、D2. 在半导体制造过程中，下列哪些步骤需要精确控制？A. 光刻B. 扩散C. 抛光D. 封装答案：A、B、D3. 下列哪些材料可以作为半导体的掺杂剂？A. 硼B. 磷C. 铜D. 砷答案：A、B、D4. 下列哪些技术是用于提高半导体器件集成度的？A. 减小特征尺寸B. 使用多层互连C. 增加工作电压D. 采用3D集成答案：A、B、D5. 下列哪些因素会影响半导体器件的可靠性？A. 材料纯度B. 工艺控制C. 工作温度D. 环境湿度答案：A、B、C、D三、填空题（每题2分，共10分）1. 半导体材料的导电性介于______和______之间。

半导体集成电路练习题

半导体集成电路练习题一、基础知识类1. 填空题1.1 半导体材料主要包括________、________和________。

1.2 PN结的正向特性是指________，反向特性是指________。

1.3 MOS晶体管的三个工作区分别是________、________和________。

2. 判断题2.1 半导体集成电路的导电性能介于导体和绝缘体之间。

（）2.2 N型半导体中的自由电子浓度高于P型半导体。

（）2.3 CMOS电路具有静态功耗低的特点。

（）二、数字电路类1. 选择题1.1 TTL与非门电路中，当输入端全部为高电平时，输出为（）。

A. 高电平B. 低电平C. 不确定D. 无法判断A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门A. PMOS管导通时，NMOS管截止B. PMOS管截止时，NMOS管导通C. PMOS管和NMOS管同时导通D. PMOS管和NMOS管同时截止2. 填空题2.1 数字电路中的逻辑门主要有________、________、________和________等。

2.2 半加器是由________和________组成的。

2.3 全加器的三个输入端分别是________、________和________。

三、模拟电路类1. 选择题A. 非反相比例运算放大器B. 反相比例运算放大器C. 电压跟随器D. 差分放大器1.2 在运算放大器电路中，虚短是指________。

（）A. 输入端短路B. 输出端短路C. 输入端与地之间短路D. 输入端与输出端之间短路A. 低通滤波器允许低频信号通过，抑制高频信号B. 高通滤波器允许低频信号通过，抑制高频信号C. 带通滤波器允许一定频率范围的信号通过D. 带阻滤波器允许一定频率范围的信号通过2. 填空题2.1 模拟信号的特点是________、________和________。

2.2 运算放大器的主要参数有________、________和________。

半导体的基础知识试题

第一章半导体的基础知识一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为、和三大类。

2、电子技术的核心是半导体，它的三个特性是：、、3、半导体中存在着两种载流子，其中带正电的载流子叫做，带负电的载流子叫做；N型半导体中多数载流子是，P型半导体中的多数载流子是。

4、PN结具有性能，即：加电压时PN结导通，加电压时PN结截止。

5、二极管的主要特性是具有。

二极管外加正向电压超过死区电压以后，正向电流会，这时二极管处于状态。

6、晶体二极管的伏安特性可简单理解为正向，反向的特性。

导通后，硅管的管压降约为，锗管约为。

7、整流电路将交流电变为直流电，滤波电路将直流电变为的直流电。

8、整流电路按整流相数，可分为与两种；按被整流后输出电压（或电流）的波形分，又可分为与两种。

9、把脉动直流电变成比较平滑直流电的过程称为。

10、电容滤波电路中的电容具有对交流电的阻抗，对直流电的阻抗的特性，整流后的脉动直流电中的交流分量由电容，只剩下直流分量加到负载的两端。

二、选择题1、稳压管（）A、是二极管B、不是二极管C、是特殊二极管2、稳压管电路如图1—1所示，稳压管的稳压值为（）A、6.3VB、0.7VC、7VD、14V3、稳压管稳压电路如图1—2所示，其中U Z1=7V、U Z2=3V，该电路输出电压为（）A、0.7VB、1.4VC、3VD、7V4、NPN型和PNP型晶体管的区别是（）A、由两种不同材料硅和锗制成的B、掺入杂质元素不同C、P区和N区的位置不同5、三极管的I CEO大，说明其（）A、工作电流大B、击穿电压高C、寿命长D、热稳定性差6、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V,m则（）A、1为e 2为b 3为cB、1为e 2为c 3为bC、1为b 2为e 3为cD、1为b 2为c 3为e7、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（）A 、i cB 、U CEC 、I bD 、i E8、P 型半导体中空穴多于自由电子，则P 型半导体呈现的电性为（）。

第一章半导体基础知识题库

1．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。

（错）2．晶体管可以把小电流放大成大电流。

（对）3．在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

（对）4．在P型半导体中，空穴是少数载流子，电子是多数载流子。

（错）5．晶体管可以把小电压放大成大电压。

（错）6．在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

（错）7．在N型半导体中空穴是少数载流子，电子是多数载流子。

（对）8．二极管两端加上正向电压就一定会导通。

（错）9.半导体随温度的升高,电阻会增大。

（错）10.PN结正向偏置时电阻小，反正偏置时电阻大。

（对）11.硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。

（错）12.二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。

（错）13.二极管一旦反向击穿就一定损坏。

（错）14.光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。

（对）15.发光二极管可以接受可见光线。

（错）16.发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。

（错）17.硅稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向特性来实现的。

（错）18.硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿状态。

（错）19.硅稳压二极管可以串联使用，也可以并联使用。

（错）20.只要限制击穿电流，硅稳压管就可以长期工作在反向击穿区。

（对）21.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）22.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（对）23-.PN结正向偏置时，其表现的电阻为无穷大。

（错）24.无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。

（错）25.无论P型半导体还是N型半导体都是不带电的。

（对）26.二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。

（错）27.当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I㎝时，该管必被击穿。

（错）28.使用万用表无法判断一个二极管的好坏。

（错）29.三极管的集电极和发射极半导体类型相同，因此可以互换使用。

半导体试题及答案

半导体试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性介于金属和绝缘体之间，这是因为：A. 半导体材料内部存在大量的自由电子B. 半导体材料内部存在大量的空穴C. 半导体材料的能带结构D. 半导体材料的晶格结构答案：C2. 下列哪种掺杂方式可以增加半导体的导电性？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 同时进行N型和P型掺杂D. 不进行任何掺杂答案：A3. 半导体的PN结在正向偏置时，其导通的原因是：A. 电子从P区注入N区B. 空穴从N区注入P区C. 电子和空穴的复合D. 电子和空穴的注入答案：D4. 半导体器件中，晶体管的放大作用主要依赖于：A. 基极电流B. 发射极电流C. 集电极电流D. 所有电流的总和5. 下列哪种材料不适合作为半导体材料？A. 硅B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案：C6. 半导体器件的最小特征尺寸缩小，可以带来以下哪些好处？A. 降低成本B. 提高速度C. 减少功耗D. 所有以上答案：D7. 在半导体工艺中，光刻技术主要用于：A. 制造晶体管B. 制造集成电路C. 制造绝缘体D. 制造导线答案：B8. 半导体的能带理论中，价带和导带之间的区域被称为：A. 能隙B. 能级C. 能带D. 能区答案：A9. 下列哪种半导体器件具有记忆功能？B. 晶体管C. 存储器D. 逻辑门答案：C10. 半导体器件的热稳定性主要取决于：A. 材料的热导率B. 器件的散热设计C. 器件的制造工艺D. 所有以上答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 半导体材料的特性包括：A. 导电性B. 绝缘性C. 半导体性D. 磁性答案：AC2. 下列哪些因素会影响半导体器件的性能？A. 温度B. 湿度C. 光照D. 电压答案：ABC3. 半导体器件的类型包括：A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电阻答案：ABC4. 下列哪些是半导体材料的掺杂元素？A. 硼B. 磷C. 铜D. 锗答案：AB5. 在半导体工艺中，下列哪些步骤是必要的？A. 清洗B. 氧化C. 蒸发D. 抛光答案：ABC三、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性主要依赖于______。

半导体基础知识习题

半导体基础知识习题一、填空题1．半导体是一种导电能力介于________与__________之间的物质，最常用的半导体材料有__________和___________。

2．N型半导体中多数载流子是_________，P型半导体中多数载流子是_________。

3．PN结的正向接法为：P区接电源______极，N区接电源______极。

4．PN结具有____________性能，即加正向电压时，PN结_______；加反向电压时，PN结_________。

二、判断题( )1．半导体的导电能力随外界温度、光照或掺入杂质不同而显著变化。

( )2．P型半导体中多数载流子是空穴且带正电。

( )3．在半导体内部，只有电子能传导电流。

三、选择题1．半导体内的载流子是（）。

A．空穴B．自由电子C．自由电子与空穴2.半导体少数载流子产生的原因是（）。

A．外电场B．掺杂C．热激发3．PN结最大的特点具有（）。

A．不导电性 B．单向导电性 C．双向导电性4．煤气报警器中使用的半导体器件是利用了半导体的（）。

A．光敏特性B．气敏特性C．热敏特性5．当温度升高时，半导体电阻将（）。

（3）掺杂性和热激发性。

2．答：P型半导体中多数载流子为空穴。

N型半导体中多数载流子为自由电子。

第一章半导体的基础知识习题及答案

第一章半导体的基础知识一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为、和三大类。

4、PN结具有性能，即：加电压时PN结导通，加电压时PN结截止。

5、二极管的主要特性是具有。

二极管外加正向电压超过死区电压以后，正向电流会，这时二极管处于状态。

6、晶体二极管的伏安特性可简单理解为正向，反向的特性。

导通后，硅管的管压降约为，锗管约为。

7、整流电路将交流电变为直流电，滤波电路将直流电变为的直流电。

8、整流电路按整流相数，可分为与两种；按被整流后输出电压（或电流）的波形分，又可分为与两种。

9、把脉动直流电变成比较平滑直流电的过程称为。

10、电容滤波电路中的电容具有对交流电的阻抗，对直流电的阻抗的特性，整流后的脉动直流电中的交流分量由电容，只剩下直流分量加到负载的两端。

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选择题
1-1 本征半导体掺入五价元素成为( b )
a)本征半导体 b) N型半导体 c) P型半导体
1-2 N型半导体的多数载流子是( a )
a)电子 b)空穴 c)正离子
d)负
离子 1-3 P型半导体中的多数载流子是（ b ），N型半
导体的多数载流子是（ a ）
a) 自由电子
b）空穴
1-4 用万用表的R*10和R*100档测量同一个二极管的正向电阻 , 两次测量的值分别是 R1 和 R2, 则二者相比,( C )。
Uz=6.3V,正向导通压降UD=0.7V,其输出电压为( C ).
a)6.3V b)0.7V
c)7V
d)14V
1-11 稳压管稳压电路如图1-11所示, 其中UZ1=7V, UZ2=3V , 该电路的输出电压为( C )
a)0.7V b)1.4V c)3V
d)7V
R +
R
+
24V
VSZ1 VSZ2 U0
d)uD<死区电压
1-7锗二极管的导通电压（ c ），死区电压（ b ）。
硅二极管的导通电压（ a ），死区电压（ d ）。
a)0.7V b)0.2V
c)0.3V
d)0.5V
1-8 图1-8给出了锗二极管和硅二极管的伏安特性。硅管的特性曲线（ b ）
a)由a和c组成
b)由a和d组成
c)由b和c组成
半导体基础知识习题
练习：图1、2两三极管都工作在放大状态，分别根据两个电极电流方向和大小，①确定第三个电极的电流方向和大小。②标出b、c、e极和管型（NPN或PNP）③估算β值。
解：
图1： IE=3+0.5=3.5 mA
50μA
3mA
1 23
β≈IC/IB=3/0.05=60 c b e
图1
图2：IB=4.3-4.2=0.1mA
答案：锗管，NPN管，3脚为基极，2脚为发射极，1 脚为集电极。
练习3 用直流电压表测某电路中三只晶体管的三个电极对地的电压，其数值如图所示。试指出每只晶体管的E、B、C三个极，并说明该管是硅管还是锗管。
1
1
6V
0V
V1
2 -2.3V
a)
V2
-3V
5V
3
2 -0.7V
3
b)
1 6V
V3
-6V
2 5.7V
a) iC
b)uCE
c)iB
d)iE
8、某晶体管的发射极电流等于1mA,基极电流等于
20A , 则它的集电极电流等于( a )mA.
a)0.98 b)1.02
c)0.8
d)1.2
9 、图所示为三极管输出特性 , 该管在 UCE=6V, IC=3mA处的电流放大倍数β为( C ).
β≈IC/IB=4.2/0.1=42
4.2mA
4.3mA
1 23
ce b
图2
练习： 1、判断下列各管的工作状态：
5V
10.3V
-5V
0.7V 0V
10.75V 10V
0.7V 0V
放大状态
饱和状态
截止状态
练习： 2、放大电路中某三极管各极对地电位为V2=4.7V, V1=10V，V3=5V。判断该管的材料、管型、管脚的极性。
UB=2.7V (b
, )
UE=(2Ve,
UC=6V , )
则该管为( a
)
a)Si材料
b) NPN材料
c) Ge 材料
d)PNP管
e)工作在放大区
2、三极管的ICEO大, 说明其( d ).
a)工作电流大
b)击穿电压高
c)寿命长
d)热稳定性差
3、工作在放大区的某三极管, 当IB从20uA增大到40uA
时, Ic从1mA变为2mA, 则它的β值约为( b
)
a)10
b)50
c)100
4、电路如图1-24所示, 该管工作在( c )区.
a)放大 20k
b)截止 +UCC
4k 12V
=100
c)饱和
UBE=0.7V 图1-24 UCES=0.3V
5 、测得三极管 IB=30uA 时 IC=2.4mA, IB=40uA 时 IC=3mA,则该管的交流电流放大系数为( b )
a)80
b)60
c)75
d)100
6、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电级1, 2, 3的电位各为V1=2V, V2=6V, V3=2.7V,则( b ) a) 1为e, 2 为b, 3为c
b) 1为e 2 为c 3为b
c) 1为b 2 为e 3为c
d) 1为b 2 为c 3为e
7、晶体管共发射级输出特性常用一族曲线表示 , 其中每一族曲线对应一个特定的（ c ）
可见V1 是NPN硅管。三个极： 2为B； 3为E；1为C
V2管的 U B U E B U E 0 V ( 0 .7 ) V 0 .7 V
V2管是NPN型硅管三个极： 1为B； 2为E； 3为C
V3管的 U B E U B U E 5 .7 V 6 V 0 .3 V
V3管是PNP型锗管三个极： 2为B； 1为E； 3为C
a)R1>R2
b)R1=R2 c)R1<R2 d)说不定哪个大
1-5稳压管（ C1 ）,稳压管工作在（ C2 ）状态。
a1)是二极管 b1)不是二极管 c1)是特殊的二极管
a2)正向导通 b2)反向截止
c( b )
a)uD>0
b)uD>死区电压
c)uD>击穿电压
3
c)
1
1
6V
0V
V1
2 -2.3V
a)
V2
-3V
5V
3
2 -0.7V
3
b)
1 6V
V3
-6V
2 5.7V
3
c)
解在正常工作的情况下NPN型硅管发射结的直流压降Ube =0.6到0.8伏；PNP型锗管 Ube =-0.2到-0.3伏。
V1管的 U B U E B U E 2 .3 V ( 3 ) V 0 .7 V .
12V VSZ1
VSZ2 U0
-
-
图1-10
图1-11
1-12 稳压管电路如图1-12所示,
导通时UD=0.7V, 其输出电压( C
UZ1=UZ2=7V,
)V.
正向
a)1.4V b)7V
c) 10V
d)14V
R +
VSZ1
10V
VSZ2
U0
图1-12
1、对放大电路中的三极管测量，各级对地的电压为
d) 由b和d组成
1-9 由锗二极管VD，电源E和电阻R（R=3kΩ）组成电
路1-9所示，该电路中电流比较准确的值是（ C ）
a) 0 b) 0.27mA
c) 0.4mA
d) 0.5mA
ID ba
dc
UD
图1-8
V E 1. D R
5V
图1-9
1-10 稳压管电路如图1-10所示, 稳压管的稳压值

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