计算机存储器的种类和特点

计算机存储器的种类和特点

一、RAM（Random Access Memory,随机存取存储器）

RAM勺特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中,并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的电力提供, 一旦系统断电,存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉,并且再也无法恢复。

根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：

01.DRAM（Dynamic RAM,动态随机存取存储器）

这是最普通的RAM 一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作

为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为2~4ms因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。

02.SRAM（Static RAM ，静态随机存取存储器）静态,指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每 6 颗电子管组成一

个位存储单元,因为没有电容器,因此无须不断充电即可正常运作,因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定,往往用来做高速缓存。

03.VRAM（Video RAM,视频内存）

它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中,有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计,其中一个数据口是并行式的数据输出入口,另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。

04.FPM DRAM（ Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）

改良版的DRAM大多数为72Pin或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM DRAM fe触发了行地址后，如果CPU

需要的地址在同一行内,则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的,这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一

连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大

提高读取速度。在96年以前，在486时代和PENTIUM寸代的初期，FPM DRAM被大量使用。

05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM ,延伸数据输出动态随机存取存储器）

这是继FPM 之后出现的一种存储器，一般为 72Pin 、168Pin 的模块。它不需要像 FPM DRAM 那样在存取每一 BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写 有效的数据，而下一个 BIT 的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。因此它可以大大 缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比 FPM 模式快15%左右。它一般应用于中档以下 的Pentium 主板标准内存，后期的 486系统开始支持 EDO DRAM 到96年后期，EDO DRAM 开始执行。。

06.BEDO DRAM （Burst Extended Data Out DRAM ，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储 器） 这是改良型的EDO DRAM 是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪

下一个地址。它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据 每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比 支持BEDO DRAI 内存的主板可谓少之又少，只有极少几款提供支持（如

因此很快就被DRAM 取代了。

07.MDRAM （ Multi-Bank DRAM ，多插槽动态随机存取存储器）

MoSys 公司提出的一种内存规格，其内部分成数个类别不同的小储存库 （BANK ），也即由数 个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用 于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于 L2 高速缓存中。

O8.WRAM （ Window RAM 窗口随机存取存储器）

韩国Samsung 公司开发的内存模式，是VRAM 内存的改良版，不同之处是它的控制线路有一 二十组的输入/输出控制器，并采用 EDO 的资料存取模式，因此速度相对较快，另外还提供 了区块搬移功能（ BitBlt ），可应用于专业绘图工作上。

O9.RDRAM （ Rambus DRAM 高频动态随机存取存储器）

Rambus 公司独立设计完成的一种内存模式， 速度一般可以达到 500~530MB/s ,是DRAM 勺10 倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图 形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。

1O.SDRAM （ Synchron ous DRAM ，同步动态随机存取存储器）

这是一种与CPU 实现外频Clock 同步的内存模式，一般都采用 168Pin 的内存模组，工作电 压为3.3V 。所谓clock 同步是指内存能够与 CPU 同步存取资料，这样可以取消等待周期， 减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。

11.SGRAM （ Synchronous Graphics RAM ，同步绘图随机存取存储器） SDRAM 勺改良版，它以区块 Block ，即每32bit 为基本存取单位，个别地取回或修改存取的 资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，并提供区块 搬移功能（ BitBlt ），效率明显高于 SDRAM 。

EDO DRAM 快。但 VIA APOLLO VP2），

12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM ，同步爆发式静态随机存取存储器）

一般的SRAM!非同步的，为了适应CPU越来越快的速度，需要使它的工作时脉变得与系统同步，这就是SB SRAM产生的原因。

13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM ，管线爆发式静态随机存取存储器）

CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式SRAM取代同

步爆发式SRAM成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。

14.DDR SDRAM（Double Data Rate 二倍速率同步动态随机存取存储器）

作为SDRAM勺换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAI有一倍的提高；其二，采

用了DLL（Delay Locked Loop ：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。

15.SLDRAM （Synchronize Link ，同步链环动态随机存取存储器）

这是一种扩展型SDRAMS构内存，在增加了更先进同步电路的同时，还改进了逻辑控制电路，不过由于技术显示，投入实用的难度不小。

16.CDRAM（ CACHED DRAM同步缓存动态随机存取存储器）

这是三菱电气公司首先研制的专利技术，它是在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插

入一个SRAM乍为二级CACHED用。当前，几乎所有的CPU都装有一级CACHED提高效率，

随着CPU时钟频率的成倍提高，CACH环被选中对系统性能产生的影响将会越来越大，而

CACHE DRA所提供的二级CACHEE好用以补充CPU一级CACHED不足，因此能极大地提高CPU效率。

17.DDRII （Double Data Rate Synchronous DRAM ，第二代同步双倍速率动态随机存取存储

器）

DDRII是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未

来新标准。DDRII 的详细规格目前尚未确定。

18.DRDRAM （Direct Rambus DRAM）

是下一代的主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。

ROM（READ Only Memory 只读存储器）

ROM是线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，在元件正常工作的情况下，其中的代码与数据将永久保存，并且不能够进行修改。一般应用于PC系统的程序码、主机板

上的BIOS （基本输入/输出系统Basic Input/Output System）等。它的读取速度比RAM慢