能带,态密度图分析
MS电荷密度图、能带结构、态密度的分析如何分
MS电荷密度图、能带结构、态密度的分析如何分ZT]MS电荷密度图、能带结构、态密度的分析如何分析第一原理的计算结果用第一原理计算软件开展的工作,分析结果主要是从以下三个方面进行定性/定量的讨论:1、电荷密度图(charge density);2、能带结构(Energy Band Structure);3、态密度(Density of States,简称DOS)。
电荷密度图是以图的形式出现在文章中,非常直观,因此对于一般的入门级研究人员来讲不会有任何的疑问。
唯一需要注意的就是这种分析的种种衍生形式,比如差分电荷密图(def-ormation charge density)和二次差分图(difference charge density)等等,加自旋极化的工作还可能有自旋极化电荷密度图(spin-polarized charge density)。
所谓“差分”是指原子组成体系(团簇)之后电荷的重新分布,“二次”是指同一个体系化学成分或者几何构型改变之后电荷的重新分布,因此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情况。
通过电荷聚集(accumulation)/损失(depletion)的具体空间分布,看成键的极性强弱;通过某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道(这个主要是对d轨道的分析,对于s或者p轨道的形状分析我还没有见过)。
分析总电荷密度图的方法类似,不过相对而言,这种图所携带的信息量较小。
能带结构分析现在在各个领域的第一原理计算工作中用得非常普遍了。
但是因为能带这个概念本身的抽象性,对于能带的分析是让初学者最感头痛的地方。
关于能带理论本身,我在这篇文章中不想涉及,这里只考虑已得到的能带,如何能从里面看出有用的信息。
首先当然可以看出这个体系是金属、半导体还是绝缘体。
判断的标准是看费米能级和导带(也即在高对称点附近近似成开口向上的抛物线形状的能带)是否相交,若相交,则为金属,否则为半导体或者绝缘体。
MS计算能带图分析[转]
MS计算能带图分析[转]能带图的横坐标是在模型对称性基础上取的K点。
为什么要取K点呢?因为晶体的周期性使得薛定谔方程的解也具有了周期性。
按照对称性取K点,可以保证以最小的计算量获得最全的能量特征解。
能带图横坐标是K点,其实就是倒格空间中的几何点。
其中最重要也最简单的就是gamma那个点,因为这个点在任何几何结构中都具有对称性,所以在castep里,有个最简单的K点选择,就是那个gamma选项。
纵坐标是能量。
那么能带图应该就是表示了研究体系中,各个具有对称性位置的点的能量。
我们所得到的体系总能量,应该就是整个体系各个点能量的加和。
记得氢原子的能量线吧?能带图中的能量带就像是氢原子中的每条能量线都拉宽为一个带。
通过能带图,能把价带和导带看出来。
在castep里,分析能带结构的时候给定scissors 这个选项某个值,就可以加大价带和导带之间的空隙,把绝缘体的价带和导带清楚地区分出来。
DOS叫态密度,也就是体系各个状态的密度,各个能量状态的密度。
从DOS图也可以清晰地看出带隙、价带、导带的位置。
要理解DOS,需要将能带图和DOS结合起来。
分析的时候,如果选择了full,就会把体系的总态密度显示出来,如果选择了PDOS,就可以分别把体系的s、p、d、f状态的态密度分别显示出来。
还有一点要注意的是,如果在分析的时候你选择了单个原子,那么显示出来的就是这个原子的态密度。
否则显示的就是整个体系原子的态密度。
要把周期性结构能量由于微扰裂分成各个能带这个概念印在脑袋里。
最后还有一点,这里所有的能带图和DOS的讨论都是针对体系中的所有电子展开的。
研究的是体系中所有电子的能量状态。
根据量子力学假设,由于原子核的质量远远大于电子,因此奥本海默假设原子核是静止不动的,电子围绕原子核以某一概率在某个时刻出现。
我们经常提到的总能量,就是体系电子的总能量。
这些是我看书的体会,不一定准确,大家多多批评啊!摘要:本文总结了对于第一原理计算工作的结果分析的三个重要方面,以及各自的若干要点用第一原理计算软件开展的工作,分析结果主要是从以下三个方面进行定性/定量的讨论:1、电荷密度图(charge density);2、能带结构(Energy Band Structure);3、态密度(Density of States,简称DOS)。
[整理版]ms计算能带图剖析
能带图的横坐标是在模型对称性基础上取的K点。
为什么要取K点呢?因为晶体的周期性使得薛定谔方程的解也具有了周期性。
按照对称性取K点,可以保证以最小的计算量获得最全的能量特征解。
能带图横坐标是K点,其实就是倒格空间中的几何点。
其中最重要也最简单的就是gamma那个点,因为这个点在任何几何结构中都具有对称性,所以在castep 里,有个最简单的K点选择,就是那个gamma选项。
纵坐标是能量。
那么能带图应该就是表示了研究体系中,各个具有对称性位置的点的能量。
我们所得到的体系总能量,应该就是整个体系各个点能量的加和。
记得氢原子的能量线吧?能带图中的能量带就像是氢原子中的每条能量线都拉宽为一个带。
通过能带图,能把价带和导带看出来。
在castep里,分析能带结构的时候给定scissors这个选项某个值,就可以加大价带和导带之间的空隙,把绝缘体的价带和导带清楚地区分出来。
DOS叫态密度,也就是体系各个状态的密度,各个能量状态的密度。
从DOS图也可以清晰地看出带隙、价带、导带的位置。
要理解DOS,需要将能带图和DOS结合起来。
分析的时候,如果选择了full,就会把体系的总态密度显示出来,如果选择了PDOS,就可以分别把体系的s、p、d、f状态的态密度分别显示出来。
还有一点要注意的是,如果在分析的时候你选择了单个原子,那么显示出来的就是这个原子的态密度。
否则显示的就是整个体系原子的态密度。
要把周期性结构能量由于微扰裂分成各个能带这个概念印在脑袋里。
最后还有一点,这里所有的能带图和DOS的讨论都是针对体系中的所有电子展开的。
研究的是体系中所有电子的能量状态。
根据量子力学假设,由于原子核的质量远远大于电子,因此奥本海默假设原子核是静止不动的,电子围绕原子核以某一概率在某个时刻出现。
我们经常提到的总能量,就是体系电子的总能量。
这些是我看书的体会,不一定准确,大家多多批评啊!摘要:本文总结了对于第一原理计算工作的结果分析的三个重要方面,以及各自的若干要点用第一原理计算软件开展的工作,分析结果主要是从以下三个方面进行定性/定量的讨论:1、电荷密度图(charge density);2、能带结构(Energy Band Structure);3、态密度(Density of States,简称DOS)。
BN
立方BN能带结构及其态密度分析摘要:应用VASP软件包分别用GGA计算方法和HSE计算方法分析了立方BN的能带结构和态密度。
计算结果表明BN是半导体,GAA计算出的带隙为3.98ev,而HSE计算得出的带隙要更宽。
能带在能量较低时主要由N2s态组成,BN的价带顶主要由N原子的2p态组成。
关键字:BN; 能带结构; 态密度Cubic BN band structure and density of statesAbstract:In application of V ASP package with GGA calculation method and HSE calculation method analysised the band structure and density of states of cubic BN.Calculation results show that BN is semiconductor, the GAA to calculation the band gap is 3.98ev, and calculation of HSE is more wide. Band in the low energy is mainly composed of N2s state, to the top of valence band of BN is mainly composed of N’s 2p states.Key words: BN; band structure; density of states1 引言立方氮化硼(cBN)是一种人工合成的半导体材料,具有良好的物理化学性质,在热学,力学,光学,电子学等方面有着广泛的应用前景,与碳相类似,氮化硼既有软的六角的sp2杂化结构又有硬的类金刚石的sp3杂化结构。
其四种相结构分别是与金刚石的闪锌矿结构对应的立方氮化硼(c-BN),与六角石墨对应的六角氮化硼(h-BN),与六方金刚石对应的纤锌矿氮化硼(w-BN)和与三方菱面体结构的石墨对应的菱形氮化硼(r-BN),其中sp2杂化的h-BN 和sp3杂化的c-BN 为稳定态结构,而sp2杂化的r-BN 和sp3杂化的w-BN 为非稳定结构。
能带结构分析、态密度和电荷密度的分析
电荷密度图、能带结构、态密度的分析能带图的横坐标是在模型对称性基础上取的K点。
为什么要取K点呢?因为晶体的周期性使得薛定谔方程的解也具有了周期性。
按照对称性取K点,可以保证以最小的计算量获得最全的能量特征解。
能带图横坐标是K点,其实就是倒格空间中的几何点。
纵坐标是能量。
那么能带图应该就是表示了研究体系中,各个具有对称性位置的点的能量。
我们所得到的体系总能量,应该就是整个体系各个点能量的加和。
主要是从以下三个方面进行定性/定量的讨论:1、电荷密度图(charge density);2、能带结构(Energy Band Structure);3、态密度(Density of States,简称DOS)。
电荷密度图是以图的形式出现在文章中,非常直观,因此对于一般的入门级研究人员来讲不会有任何的疑问。
唯一需要注意的就是这种分析的种种衍生形式,比如差分电荷密图(def-ormation charge density)和二次差分图(difference charge density)等等,加自旋极化的工作还可能有自旋极化电荷密度图(spin-polarized charge density)。
所谓“差分”是指原子组成体系(团簇)之后电荷的重新分布,“二次”是指同一个体系化学成分或者几何构型改变之后电荷的重新分布,因此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情况。
通过电荷聚集(accumulation)/损失(depletion)的具体空间分布,看成键的极性强弱;通过某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道(这个主要是对d轨道的分析,对于s或者p轨道的形状分析我还没有见过)。
分析总电荷密度图的方法类似,不过相对而言,这种图所携带的信息量较小。
成键前后电荷转移的电荷密度差。
此时电荷密度差定义为:delta_RHO = RHO_sc - RHO_atom其中RHO_sc 为自洽的面电荷密度,而RHO_atom 为相应的非自洽的面电荷密度,是由理想的原子周围电荷分布堆彻得到的,即为原子电荷密度的叠加(a superposition of atomic charge densities)。
电子态密度与固体能带理论
电子态密度与固体能带理论在研究固体材料的性质时,电子态密度和固体能带理论是两个重要的概念。
它们在理解和解释材料的导电性、磁性、光学性质等方面起着关键作用。
一、电子态密度电子态密度指的是单位体积内能带中能量范围的电子态数。
在固体中,能量的分布是离散的,由一系列能带组成。
每个能带可以容纳一定数目的电子态。
电子态密度可以通过积分能带的能量分布函数得到。
在自由电子气模型中,能带理论认为固体中的电子行为可以类比于自由电子气体。
根据玻尔兹曼统计分布,我们可以得到电子的能量分布情况。
对于一维情况下的自由电子气体,电子态密度与能量成正比。
而在三维情况下,由于动量的离散化,电子态密度与能量平方根成正比。
这种能量依赖关系在实际材料中也具有一定的适用性。
电子态密度的变化对材料的性质有明显的影响。
当能带带宽较窄时,电子态密度会随着能级变化较大,导致材料的导电性较差。
而当能带带宽变大时,电子态密度增加,导电性也会相应提高。
二、固体能带理论固体能带理论是研究固体中电子行为的重要工具。
它是基于定量量子力学计算的理论框架。
能带理论认为固体中电子的运动受到周期势场的影响,而且这种势场周期性重复。
在周期性势场中,电子的运动可以用一组平面波来描述,这些平面波都服从薛定谔方程。
能带理论将材料中电子的能级分布成一个个能带,每个能带中包含着一系列电子能级。
能带理论通过计算固体中的能级分布情况,得到能带图谱,从而揭示材料的性质。
在能带理论中,准确计算能带图谱并不容易。
因此,通常采用近似方法来获得代表性的能带图像。
最简单的近似方法是累积轨道近似。
此外,还有密度泛函理论、紧束缚模型、半经典近似等方法。
能带理论解释了固体的导电性、绝缘性和半导体特性等现象。
通过分析能带图谱,我们可以得到带隙的信息,即导带和价带之间的能量差。
当带隙较小时,材料表现出半导体特性;当带隙为零时,材料呈现导电性;当带隙较大时,材料则显示出绝缘性。
电子态密度和固体能带理论是理解和解释固体材料性质的重要工具。
如何分析能带图及第一性原理的计算
分析能带图能带结构是目前采用第一性原理(从头abinitio)计算所得到的常用信息,可用来结合解释金属、半导体和绝缘体的区别.能带可分为价带、禁带和导带三部分,倒带和价带之间的空隙称为能隙,基本概念如图所示:如何能隙很小或为0 ,则固体为金属材料,在室温下电子很容易获得能量而跳跃至传倒带而导电;而绝缘材料则因为能隙很大(通常大于9电子伏特),电子很难跳跃至传导带,所以无法导电。
一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特,介于导体和绝缘体之间.因此只要给予适当条件的能量激发,或是改变其能隙之间距,此材料距能导电。
能带用来定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点。
价带(valence band),或称价电带,通常指绝对零度时,固体材料里电子的最高能量.在导带(conduction band)中,电子的能量范围高于价带,而所有在传导带中的电子均可经由外在的电场加速而形成电流。
对与半导体以及绝缘体而言,价带的上方有一个能隙(band gap),能隙上方的能带则是传导带,电子进入传导带后才能在固体材料内自由移动,形成电流.对金属而言,则没有能隙介于价带与传导带之间,因此价带是特指半导体与绝缘体的状况。
费米能级(fermi level)是绝对零度下的最高能级.根据泡利不相容原理,一个量子态不能容纳两个或两个以上的费米子(电子),所以在绝度零度下,电子将从低到高依次填充各能级,除最高能级外均被填满,形成电子态的“费米海”.“费米海”中每个电子的平均能量为(绝对零度下)为费米能级的3/5。
海平面即是费米能级。
一般来说,费米能级对应态密度为0的地方,但对于绝缘体而言,费米能级就位于价带顶。
成为优良电子导体的先决条件是费米能级与一个或更多的能带相交.能量色散(dispersion of energy)。
同一个能带内之所以会有不同能量的量子态,原因是能带的电子具有不同波向量(wave vector),或是k-向量。
在量子力学中,k-向量即为粒子的动量,不同的材料会有不同的能量-动量关系(E—K relationship).能量色散决定了半导体材料的能隙是直接能隙还是间接能隙。
MS电荷密度图能带结构和态密度分析
MS电荷密度图、能带结构、态密度的分析如何分析ZT]MS电荷密度图、能带结构、态密度的分析如何分析第一原理的计算结果用第一原理计算软件开展的工作,分析结果主要是从以下三个方面进行定性/定量的讨论:1、电荷密度图(chargedensity);2、能带结构(EnergyBand Structu re);3、态密度(Density of States,简称DOS)。
电荷密度图是以图的形式出现在文章中,非常直观,因此对于一般的入门级研究人员来讲不会有任何的疑问。
唯一需要注意的就是这种分析的种种衍生形式,比如差分电荷密图(def-ormatio n chargedensity)和二次差分图(differe nce chargedensity)等等,加自旋极化的工作还可能有自旋极化电荷密度图(spin-polariz ed chargedensity)。
所谓“差分”是指原子组成体系(团簇)之后电荷的重新分布,“二次”是指同一个体系化学成分或者几何构型改变之后电荷的重新分布,因此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情况。
通过电荷聚集(accumul ation)/损失(depleti on)的具体空间分布,看成键的极性强弱;通过某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道(这个主要是对d轨道的分析,对于s或者p轨道的形状分析我还没有见过)。
分析总电荷密度图的方法类似,不过相对而言,这种图所携带的信息量较小。
能带结构分析现在在各个领域的第一原理计算工作中用得非常普遍了。
但是因为能带这个概念本身的抽象性,对于能带的分析是让初学者最感头痛的地方。
关于能带理论本身,我在这篇文章中不想涉及,这里只考虑已得到的能带,如何能从里面看出有用的信息。
首先当然可以看出这个体系是金属、半导体还是绝缘体。
dos处理及能带做图说明分析
DOS处理:在dos计算文件夹中直接使用命令split_dos 处理得到DOS0 DOS1 DOS2 DOS3……分别对应总态密度,各个原子的态密度(一一对应POSCAR原子顺序)。
处理后的DOS0,DOS1….等文件的能量值是以费米能级作为能量参考点,DOS0的第一列数据是能量值,单位为eV,第二列数据是总态密度的值,单位为electrons. DOS1是第一个原子的分波态密度值,其中第一列数据是能量值,单位为eV。
第二三四列分别对应s, p, d, 态的分波态密度值,单位为State/eV.atom,其他文件类似DOS1.Sum_dos(sum_dos_np)使用说明:Sum_dos使用于自旋计算,sum_dos_np对应非自旋计算。
他们是把同一类原子的dos对应态密度值加起来!以GaN计算为例,若计算结果里有4个N 4个Ga(对应POSCAR里原子顺序为4个N在前,4个Ga在后),那么在dos计算出来split_dos处理后会出现DOS0 DOS1——DOS8,其中DOS1——DOS4对应的是4个N原子态密度,DOS5——DOS8对应是4个Ga态密度。
若为自旋计算,利用命令sum_dos 0 1 4处理得到DOS.SUM.1.to.4; DOS.SUM.5.to.8两个文件,分别为4个N(Ga)的s p d 态各自相加后的总值(里面每一列对应4个s态的和,4个p态的和,4个d态的和及s+p+d总和)。
非自旋计算利用sum_dos_np同样方式可得。
BAND画图处理:(以GaN为例)布里渊区路径选择为G-K-M-G如图所示:计算过程中两高对称点间插入30个点,首先测出G-K-M-G各段距离:在MS中选定一个线段左侧就能给出此线段距离如图所示:选择G-K段后此线段变为黄色,左侧显示出长度0.206490.同理可得到K-M M-G各段长度分为0.103245,0.179004。
然后新建EXCLE文件(此过程相当于把三段长度分别扩大30倍):如图所示:,然后左键点击0不放松下拉到0.20649 选定1,2行,变为,然后鼠标放到此黑框右下角位置(鼠标变为细黑体十字)点击下拉30行如图:第31行与30行同一个数如图:。
能带与态密度图分析
能带结构和态密度图的绘制及初步分析前几天在QQ的群中和大家聊天的时候,发现大家对能带结构和态密度比较感兴趣,我做计算已经有一年半了,有一些经验,这里写出来供大家参考参考,希望能够对初学者有所帮助,另外写的这些内容也不可能全都正确,只希望通过表达出来和大家进行交流,共同提高。
MS这个软件的功能确实是比较强,但是也有一些地方不尽如人意的地方。
(也可能是我对一些结果不会分析所致,有些暂时不能解决的问题在最后一部分提出,希望大家来研究研究,看看有没有实现的可能性)。
能带结构、态密度和布居分析是很重要的内容,在分析能带结构和态密度的时候,往往是先作图,然后分析。
软件本身提供的作图功能并不是很强,比如说能带结构(只能带只能做point图和line图),不美观不说,对于每一个能带的走势也不好观察,感觉无从下手。
所以我一般用origin作图(右图是用origin做的能带图)。
能带结构和态密度的作图过程请参考我给大家提供的动画。
接下来我们先开看看能带结构的分析和制作!第一部分:能带结构这个部分打算先简单的介绍一下能带的基础知识,希望能对大家有所帮助,如果对能带了解比较深入的朋友,可以跳过这个部分内容,之中不当之处请勿见笑。
^_^第一个问题是:1、能带是怎样形成——轨道和一维体系的能带。
这是最基本的一个问题,我们要对能带结构进行分析,首先要知道它是如何来的。
其实能带是一种近似的结果(可以看成一种近似),是周期边界条件(bloch函数)下的一种近似。
先来看看一个最简单的问题,非周期体系有没有能带结构?答案是没有的,大家可以试试:①建一个周期的晶胞②选择build菜单下的symmetry子菜单下的none periodic superstructure去掉周期边界条件性③看看还能够运行吗?运行(run)按钮变灰了,不能提交作业了。
这说明什么问题?这说明这个CASTEP这个模块不能计算非周期的体系,另外可以参考MS中的DMOL模块,它可以计算非周期系统,虽然可以计算周期系统,但是仍不能计算能带,大家可以试试,看看property中的band structure能不能选上,一定不能!!^_^从这里,我们可以得到一个结论,对于单个原子(分子、单胞)如果不加上周期边界条件,是无法获得能带结构的。
MS电荷密度图
MS电荷密度图、能带结构、态密度的分析如何分析第一原理的计算结果用第一原理计算软件开展的工作,分析结果主要是从以下三个方面进行定性/定量的讨论:1、电荷密度图(charge density);2、能带结构(Energy Band Structure);3、态密度(Density of States,简称DOS)。
电荷密度图是以图的形式出现在文章中,非常直观,因此对于一般的入门级研究人员来讲不会有任何的疑问。
唯一需要注意的就是这种分析的种种衍生形式,比如差分电荷密图(deformation charge density)和二次差分图(difference charge density)等等,加自旋极化的工作还可能有自旋极化电荷密度图(spin-polarized charge density)。
所谓“差分”是指原子组成体系(团簇)之后电荷的重新分布,“二次”是指同一个体系化学成分或者几何构型改变之后电荷的重新分布,因此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情况。
通过电荷聚集(accumulation)/损失(depletion)的具体空间分布,看成键的极性强弱;通过某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道(这个主要是对d轨道的分析,对于s或者p轨道的形状分析我还没有见过)。
分析总电荷密度图的方法类似,不过相对而言,这种图所携带的信息量较小。
能带结构分析现在各个领域的第一原理计算工作中用得非常普遍了。
但是因为能带这个概念本身的抽象性,对于能带的分析是让初学者最感头痛的地方。
关于能带理论本身,我在这篇文章中不想涉及,这里只考虑已得到的能带,如何能从里面看出有用的信息。
首先当然可以看出这个体系是金属、半导体还是绝缘体。
判断的标准是看费米能级和导带(也即在高对称点附近近似成开口向上的抛物线形状的能带)是否相交,若相交,则为金属,否则为半导体或者绝缘体。
对于本征半导体,还可以看出是直接能隙还是间接能隙:如果导带的最低点和价带的最高点在同一个k点处,则为直接能隙,否则为间接能隙。
能带结构和态函数图的绘制及初步分析
能带结构和态密度图的绘制及初步分析前几天在QQ的群中和大家聊天的时候,发现大家对能带结构和态密度比较感兴趣,我做计算已经有一年半了,有一些经验,这里写出来供大家参考参考,希望能够对初学者有所帮助,另外写的这些内容也不可能全都正确,只希望通过表达出来和大家进行交流,共同提高。
MS这个软件的功能确实是比较强,但是也有一些地方不尽如人意的地方。
(也可能是我对一些结果不会分析所致,有些暂时不能解决的问题在最后一部分提出,希望大家来研究研究,看看有没有实现的可能性)。
能带结构、态密度和布居分析是很重要的内容,在分析能带结构和态密度的时候,往往是先作图,然后分析。
软件本身提供的作图功能并不是很强,比如说能带结构(只能带只能做point图和line图),不美观不说,对于每一个能带的走势也不好观察,感觉无从下手。
所以我一般用origin作图(右图是用origin做的能带图)。
能带结构和态密度的作图过程请参考我给大家提供的动画。
接下来我们先开看看能带结构的分析和制作!第一部分:能带结构这个部分打算先简单的介绍一下能带的基础知识,希望能对大家有所帮助,如果对能带了解比较深入的朋友,可以跳过这个部分内容,之中不当之处请勿见笑。
^_^第一个问题是:1、能带是怎样形成——轨道和一维体系的能带。
这是最基本的一个问题,我们要对能带结构进行分析,首先要知道它是如何来的。
其实能带是一种近似的结果(可以看成一种近似),是周期边界条件(bloch函数)下的一种近似。
先来看看一个最简单的问题,非周期体系有没有能带结构?答案是没有的,大家可以试试:①建一个周期的晶胞②选择build菜单下的symmetry子菜单下的none periodic superstructure去掉周期边界条件性③看看还能够运行吗?运行(run)按钮变灰了,不能提交作业了。
这说明什么问题?这说明这个CASTEP这个模块不能计算非周期的体系,另外可以参考MS中的DMOL模块,它可以计算非周期系统,虽然可以计算周期系统,但是仍不能计算能带,大家可以试试,看看property中的band structure能不能选上,一定不能!!^_^从这里,我们可以得到一个结论,对于单个原子(分子、单胞)如果不加上周期边界条件,是无法获得能带结构的。
能带,态密度图分析
能带结构和态密度图的绘制及初步分析前几天在QQ的群中和大家聊天的时候,发现大家对能带结构和态密度比较感兴趣,我做计算已经有一年半了,有一些经验,这里写出来供大家参考参考,希望能够对初学者有所帮助,另外写的这些内容也不可能全都正确,只希望通过表达出来和大家进行交流,共同提高。
MS这个软件的功能确实是比较强,但是也有一些地方不尽如人意的地方。
(也可能是我对一些结果不会分析所致,有些暂时不能解决的问题在最后一部分提出,希望大家来研究研究,看看有没有实现的可能性)。
能带结构、态密度和布居分析是很重要的内容,在分析能带结构和态密度的时候,往往是先作图,然后分析。
软件本身提供的作图功能并不是很强,比如说能带结构(只能带只能做point图和line图),不美观不说,对于每一个能带的走势也不好观察,感觉无从下手。
所以我一般用origin作图(右图是用origin做的能带图)。
能带结构和态密度的作图过程请参考我给大家提供的动画。
接下来我们先开看看能带结构的分析和制作!第一部分:能带结构这个部分打算先简单的介绍一下能带的基础知识,希望能对大家有所帮助,如果对能带了解比较深入的朋友,可以跳过这个部分内容,之中不当之处请勿见笑。
^_^第一个问题是:1、能带是怎样形成——轨道和一维体系的能带。
这是最基本的一个问题,我们要对能带结构进行分析,首先要知道它是如何来的。
其实能带是一种近似的结果(可以看成一种近似),是周期边界条件(bloch函数)下的一种近似。
先来看看一个最简单的问题,非周期体系有没有能带结构?答案是没有的,大家可以试试:①建一个周期的晶胞②选择build菜单下的symmetry子菜单下的none periodic superstructure去掉周期边界条件性③看看还能够运行吗?运行(run)按钮变灰了,不能提交作业了。
这说明什么问题?这说明这个CASTEP这个模块不能计算非周期的体系,另外可以参考MS中的DMOL模块,它可以计算非周期系统,虽然可以计算周期系统,但是仍不能计算能带,大家可以试试,看看property中的band structure能不能选上,一定不能!!^_^从这里,我们可以得到一个结论,对于单个原子(分子、单胞)如果不加上周期边界条件,是无法获得能带结构的。
能带和态密度
能带和态密度能带和态密度是固体物理学中经常涉及的两个概念。
它们是描述固体电子性质的基本工具,对研究材料的导电、热传导、光学等性质非常重要。
能带是能量的分布图,描述具有周期性结构的固体内电子能量分布的特征。
在一个固体材料中,晶格的周期性影响到哈密顿量。
在量子力学中,我们把这种影响称为周期势能,它会导致电子能量的离散化与分布,形成所谓的“能带”。
能带包含了固体能量状态的描述,每个能带都由一组贯穿整个固体的能量态组成。
能带可分为导带和价带。
导带中的电子能量很高,可以轻易地移动,因此在导体中,导带中的电子可以自由活动,使得固体具有导电性。
价带中的电子则是被固体禁锢的状态,不能轻易地移动,因此在绝缘体或半导体中,电子不能自由流动。
密度是指单位能量范围内可能的电子状态数,用能带密度描述了不同能量区间内的电子数目。
态密度则是描述自由电子或能带中电子能量状态的数量密度,可以表示为在一小段能量范围内电子的数目与该能量范围的宽度之比。
态密度的特点取决于材料的结构以及能级分布,通过分析能带结构和态密度,可以预测出材料的电子性质。
例如,金属中能带的带宽度很大,态密度也很高,因此,导带中的电子能量可以非常接近于费米能级,金属具有很好的导电性和热传导性。
而在绝缘体中,带隙比较大,态密度相对较低,难以感应激发,材料比较难产生电流。
总之,能带和态密度是描述固体电子结构最基本的两个概念。
它们是探索固体性质、材料设计和开发新技术的理论基础。
通过这些概念的应用,可以更加深入地理解固体材料的高级性质,并为实现更好的材料设计和开发提供力所能及的理论指导。
如何分析能带图及第一性原理的计算
如何分析能带图及第一性原理的计算-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One 1分析能带图能带结构是L1前采用第一性原理(从头abinitio)计算所得到的常用信息,可用来结合解释金属、半导体和绝缘体的区别。
能带可分为价带、禁带和导带三部分,L A 「 A X U t K 1 r■ K 倒带和价带之间的空隙称为能隙,基本概念如图所示:如何能隙很小或为0 ,则固体为金属材料,在室温下电子很容易获得能量而跳跃至传倒带而导电;而绝缘材料则因为能隙很大(通常大于9电子伏特),电子很难跳跃至传导带,所以无法导电。
一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特,介于导体和绝缘体之间。
因此只要给予适当条件的能量激发,或是改变其能隙之间距,此材料距能导电。
能带用来定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点。
价带(valence band),或称价电带,通常指绝对零度时,固体材料里电子的最高能量。
在导带(conduction band)中,电子的能量范圉高于价带,而所有在传导带中的电子均可经山外在的电场加速而形成电流。
对与半导体以及绝缘体而言,价带的上方有一个能隙(band gap),能隙上方的能带则是传导带,电子进入传导带后才能在固体材料内自山移动,形成电流。
对金属而言,则没有能隙介于价带与传导带之间,因此价带是特指半导体与绝缘体的状况。
费米能级(fermi level)是绝对零度下的最高能级。
根据泡利不相容原理,一个量子态不能容纳两个或两个以上的费米子(电子),所以在绝度零度下,电子将从低到高依次填充各能级,除最高能级外均被填满,形成电子态的“费米海”。
“费米海”中每个电子的平均能量为(绝对零度下)为费米能级的3/5。
海平面即是费米能级。
一般来说,费米能级对应态密度为0的地方,但对于绝缘体而言,费米能级就位于价带顶。
成为优良电子导体的先决条件是费米能级与一个或更多的能带相交。
能量色散(dispersion of energy)。
上海师大固体物理 第五章(7)能带信息
2. 自由电子费米面的构造:二维正方空晶格模型为例
(1)费米半径:由价电子数N决定 设二维晶格的晶格常数为a,晶体的原胞数为N,晶体中平均每个原 子有η个价电子。 在简约布里渊区内,电子的波矢数目等于晶体的原胞数目,而每个 波矢状态可以容纳自旋相反的2个电子,则在k 空间单位面积中的 (价)电子状态数是:
(2) 二维简单格子Brillouin区和近自由电子近似下费米面的构造
简单立方倒格子
对最近邻倒格点 作垂直平分线
1st BZ
2nd BZ、3rd BZ
1st ~4th BZ
自由电子近似下FS 为球面(二维时为圆)
第一能带
第二能带
第三能带 近自由电子近似下FS在BZ边 界发生变化
第四能带
(3) 二维简单格子自由电子和近自由电子费米面的比较
kF
电子浓度η 1 2
k1
3
2
4 5 6
kF/k1
0.798
1.128
1.382
1.596
1.784
1.954
=1
kF
2π a 2
b1
=3
b1 b2 6 π b1 kF , kF a 2 2
=5
10 π b1 b2 kF , k F b1 a 2
1 E k // , k //
1 E k k
既然在布里渊区边界上恒有 E / k 0, 所以可推知,对于 波矢k落在布里渊区边界上的电子,其垂直于界面的速度分 量为零, 0 。这一结论是布拉格反射的必然结果。因
为在垂直于布里渊区边界的方向上,入射分波和反射分波
能带图分析
能带图的横坐标是在模型对称性基础上取的K点。
为什么要取K点呢?因为晶体的周期性使得薛定谔方程的解也具有了周期性。
按照对称性取K点,可以保证以最小的计算量获得最全的能量特征解。
能带图横坐标是K点,其实就是倒格空间中的几何点。
其中最重要也最简单的就是gamma那个点,因为这个点在任何几何结构中都具有对称性,所以在castep里,有个最简单的K点选择,就是那个gamma 选项。
纵坐标是能量。
那么能带图应该就是表示了研究体系中,各个具有对称性位置的点的能量。
我们所得到的体系总能量,应该就是整个体系各个点能量的加和。
记得氢原子的能量线吧?能带图中的能量带就像是氢原子中的每条能量线都拉宽为一个带。
通过能带图,能把价带和导带看出来。
在castep里,分析能带结构的时候给定scissors这个选项某个值,就可以加大价带和导带之间的空隙,把绝缘体的价带和导带清楚地区分出来。
DOS叫态密度,也就是体系各个状态的密度,各个能量状态的密度。
从DOS图也可以清晰地看出带隙、价带、导带的位置。
要理解DOS,需要将能带图和DOS结合起来。
分析的时候,如果选择了full,就会把体系的总态密度显示出来,如果选择了PDOS,就可以分别把体系的s、p、d、f状态的态密度分别显示出来。
还有一点要注意的是,如果在分析的时候你选择了单个原子,那么显示出来的就是这个原子的态密度。
否则显示的就是整个体系原子的态密度。
要把周期性结构能量由于微扰裂分成各个能带这个概念印在脑袋里。
最后还有一点,这里所有的能带图和DOS的讨论都是针对体系中的所有电子展开的。
研究的是体系中所有电子的能量状态。
根据量子力学假设,由于原子核的质量远远大于电子,因此奥本海默假设原子核是静止不动的,电子围绕原子核以某一概率在某个时刻出现。
我们经常提到的总能量,就是体系电子的总能量。
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能带结构和态密度图的绘制及初步分析前几天在QQ的群中和大家聊天的时候,发现大家对能带结构和态密度比较感兴趣,我做计算已经有一年半了,有一些经验,这里写出来供大家参考参考,希望能够对初学者有所帮助,另外写的这些内容也不可能全都正确,只希望通过表达出来和大家进行交流,共同提高。
MS这个软件的功能确实是比较强,但是也有一些地方不尽如人意的地方。
(也可能是我对一些结果不会分析所致,有些暂时不能解决的问题在最后一部分提出,希望大家来研究研究,看看有没有实现的可能性)。
能带结构、态密度和布居分析是很重要的内容,在分析能带结构和态密度的时候,往往是先作图,然后分析。
软件本身提供的作图功能并不是很强,比如说能带结构(只能带只能做point图和line图),不美观不说,对于每一个能带的走势也不好观察,感觉无从下手。
所以我一般用origin作图(右图是用origin做的能带图)。
能带结构和态密度的作图过程请参考我给大家提供的动画。
接下来我们先开看看能带结构的分析和制作!第一部分:能带结构这个部分打算先简单的介绍一下能带的基础知识,希望能对大家有所帮助,如果对能带了解比较深入的朋友,可以跳过这个部分内容,之中不当之处请勿见笑。
^_^第一个问题是:1、能带是怎样形成——轨道和一维体系的能带。
这是最基本的一个问题,我们要对能带结构进行分析,首先要知道它是如何来的。
其实能带是一种近似的结果(可以看成一种近似),是周期边界条件(bloch函数)下的一种近似。
先来看看一个最简单的问题,非周期体系有没有能带结构?答案是没有的,大家可以试试:①建一个周期的晶胞②选择build菜单下的symmetry子菜单下的none periodic superstructure去掉周期边界条件性③看看还能够运行吗?运行(run)按钮变灰了,不能提交作业了。
这说明什么问题?这说明这个CASTEP这个模块不能计算非周期的体系,另外可以参考MS中的DMOL模块,它可以计算非周期系统,虽然可以计算周期系统,但是仍不能计算能带,大家可以试试,看看property中的band structure能不能选上,一定不能!!^_^从这里,我们可以得到一个结论,对于单个原子(分子、单胞)如果不加上周期边界条件,是无法获得能带结构的。
所以计算小分子体系,或者采用团簇模型的朋友,这部分内容或许对你们没有帮助!那么,非周期体系的态密度能够计算吗?这应该是能够计算的,曾经开到过文献采用团簇模型,计算出态密度的(phys. Rev. 上的文章)。
那么非周期体系为什么没有能带结构呢?看一个例子:一个H2分子有能带吗?没有,因为它没有周期边界条件,也就是说在x,y,z方向上没有重复,所以它没有能带结构。
那H2分子有什么东西呢?有两个轨道,两个1s原子轨道,或者说两个轨道能级,它们成键参考右图。
再看另外一个例子:一维无限H原子链H H H H H H在一维无限H原子链体系中,产生了能带。
为什么在一维无限H原子链体系中能够产生能带呢?因为,每一个H 原子有一个1s 轨道,由于在X 轴方向(H 原子周期排列的方向)引入周期边界条件,所以这个体系有无数(阿佛加得罗)个H1s 的轨道能级,这些具有相同能量的能级轨道处于简并的状态。
如果两个相邻的H 原子之间距离较大,不能够成键,那么这无数个简并的能级将排成一条水平的直线,这条直线很长,无法画下来,那么我们只有压缩它,将他压缩到一个区间([0,a π]),这样每一个能级用一个点表示,由于点较多,看起来好像形成了一条线,这样能带就形成了。
如果用函数的语言来描述,周期排列我们采用bloch 函数表示,我们解这些函数,就得到了一些k 矢量,在一维体系中k 矢量表示平移操作,k 的取值见下图,由于H1s 轨道能级有无数个,所以k 平移操作矢量就有无数个(注意k 是量子化的),所以将它们压缩到[0,a π]这个区间,就成了能带结构中的横坐标,另外这个矢量也可以指向-X 方向,所以在[-a π,0]这个区间能带的图像和[0,a π]对称。
当H 原子之间的距离逐渐接近,它们的原子轨道要进行组合,形成一个成键分子轨道和一个反键分子轨道,那么原来能带是一条水平的直线,现在就要开始发生弯曲了(两个分子轨道能量不一样,导致能带发生弯曲),所以[0,a π]这个区间,能带开始有带宽(散度),随着H 原子的距离逐渐接近,可以预料,成键分子轨道和反键分子轨道的分裂越大,能带的带宽(最高能级-最低能级)越大。
所以,相邻轨道之间的重叠越大,成键程度越大,带宽就越大。
另外值得一提的是,k 矢量还可以表示节点的数目。
当k =0的时候表示什么呢?表示节点数为0,没有节点,所以k =0表示的H1s 轨道组合(组成分子轨道的原子轨道都带+号)具有最大的成键,能量最低。
随着k 值的增大,节点数逐渐增多,体系的能量上升,最后k =a π时,H1s 轨道组合成的分子轨道能量最高(原子轨道为+-+-……交替)。
所以H 原子链的能带结构是一条向上弯曲的曲线(能带),k =0能量最低,k =a π时能量最高。
这里要特别注意,并不是k =0的时候节点数都为0,比如(+-,+-,+-,……)这样的p 轨道,如果它们沿着X 轴周期排列,那么k =0的时候将具有最大的节点数,这时候形成的分子轨道将是能量最大的,随着k 的逐渐增加,节点数逐渐减小,所以这时候能带将向下伸展,这与H 原子链的情况刚好相反。
大家都知道,这样的H 原子链是不可能稳定的,最后都要变成H2分子,能带要消失,这是一个什么样的过程呢?在这个一维周期体系中轨道能级的数目假设为N (无限大),那么这个体系的电子数是多少呢?答案是N ,那么这些电子在这个能带上是如何分布的呢?当然是按照能量从低到高的顺序来填充的了,这样由于每一个轨道能够容纳2个电子,而这个能带只有较低能量的部分被填充(能带半充满),所以这时候要产生畸变(Peierls 畸变,即固体物理中的姜-泰勒效应),H 原子之间要产生相对振动(虚模,能量不稳定),以降低体系的能量,这样,H2分子就形成了,而能带也由于H2原子的形成破坏了周期条件,当这些H2分子不再沿着X 轴方向形成周期排列的时候,能带也就消失了(变成非周期体系)。
结论:一个原子的一个原子轨道在一维周期条件下将产生一条能带,能带的带宽取决于这些原子轨道的在周期方向上的成键强度,强度越大,带宽越大,成键越弱,带宽越小,如果周期方向上没有成键,能带将是一条直线。
另外能带是向上伸展还是向下伸展取决于原子轨道的特性,或者说是体系的拓补性质。
接下来我们看看,布里渊区里面的高对称点(G ,X ,F ,M 等)是怎么来的。
2、 布里渊区的高对称点前面讲了一维周期条件下的布里渊区的能带是一条线,如果加上二维(X ,Y )的周期边界条件,这些能带又会变成什么样呢?答案是一个面,由原来的线组成一个面。
因为在一维情况下我们用一条能带来表示k 矢量(对称操作)和能级的关系,可以用E (k )来表示,这构成第一布里渊区(即k 的取值范围[0,a π])。
对于二维周期体系,我们需要两个平移矢量k x 和k y ,所以能带可以用E (k x ,k y )来表示,当k x =0时,变成E (0,k y ),得到一条能带(线,y 方向上与一维周期情况的能带类似);当k y =0时,变成E (k x ,0),得到一条能带(线)。
由于k x 和k y 是矢量,它们可以组合成另外一个矢量,这个矢量不是沿着X 轴,也不是沿着Y 轴,实际上沿着该矢量仍是能够得到一个能带(线)的,这样的矢量有很多,所有的这些能带(线)将构成一个面。
如果我们在做能带结构图的时候,将能带结构按照二维的面画出来是很困难的,而三维的情况更加困难,因为对称操作有很多,k 矢量的取值有很多,所以一个可行的办法就是让k 的取值沿着一定的路径走,最后回到起点。
如右图(二维情况)。
这样,我们只要选择一些较高的对称点,就可以确定这个路径。
比如二维的布里渊区是一个面,这个面上每一点与原点(G 点或Γ点)的连线都构成一个k 矢量,有一个k 矢量就有一个能级对应(E (k ))。
所以,二维的能带结构是这个布里渊区上的一个平面(面积),如上图,按照Γ——>X ——>M ——>Γ这个路径走,就可以得到一个可以大致反映布里渊区上的能带平面的一个近似图,这就是二维的能带结构。
具体的能带图的展开见下图。
三维的能带展开见下图:前面讲了一维H 原子链的能带结构,提到这个体系具有一个能带,并且是向上弯曲的一个能带。
这个能带是这样来的,H 原子链里面的基本单位(单体,单胞)是一个H 原子,每一个原子有一个原子轨道,即每一个基本单位有一个能级轨道,加上周期条件以后,这一系列轨道能就变为一个能带了。
假如,现在以两个H 原子作为一个基本单位呢?能带结构又是如何的呢?这就是能带重叠的问题3、 能带的折叠如上图,将2个氢原子作为一个基本单位,这时候能带结构是什么样子的呢?很容易理解,根据前面的知识,单胞的原子轨道的数目决定了能带的数目,所以这样划分体系将有将有两个能带。
但是这个体系与前面1个H 原子周期链是一样的,只不过人为地进行了划分,能带结构就变了吗?是的,能带确实变了,那么能带将怎样变化呢?下图分别是1个H 原子为单胞和2个H 原子为单胞的能带结构。
第一个图可以清楚的看到,能带底部是成键的,能带的顶部是反键的,中间是非键的(成键与反键相当),能带向上伸展(弯曲)。
在第二个图,原来的中部的非键轨道分别变成了两个能带的反键和成键轨道(相同颜色表示可以重叠成键,不同颜色表示中间有一个节点)。
实际上,这两个图是有关系的,能够反映相同的内容,首先,布里渊区从原来的[0,a π]变为[0,a 2π],这也是可以理解的,原来的能带长度要变成原来的一半(因为周期方向上的单胞数减少一半,原来有N 个单胞,以2个H 原子为一个单胞后,单胞数变为一半,所以布里渊区要减半)。
其次,原来的能带在[0,a π]展开,现在由于布里渊区减半,能带不能在[0,a 2π]这个小区间画出来,所以能带结构将产生折叠,由原来的一个能带变为2个能带,并且是以k =a 2π为对称轴,将原来[a 2π,a π]区间的能带折叠过去,所以就得到了2H 原子为单胞的能带结构。
如果我们将单胞取3个原子,或者取4个原子,体系的能带将如何变化?体系的能带分别变为3条和4条能带,并且是2次或3次折叠原来的能带。
另外,上面的例子我们也可以从另外一个角度考虑问题,即2个H 原子组成一个H2分子,形成成键分子轨道和反键分子轨道,把这两个分子轨道看成一个“原子”的两个“原子轨道”,给这个“原子”加上周期条件以形成能带,这样也得到2个能带。