2.4 硅单晶漩涡缺陷的检测解析
硅片缺陷自动检测分类方法探究
Ｓｉ ｌ ｌ ＣＯｎ Ｗ ａ， Ｉ ｅｒ
Ｓ ｈ ａ ｏ Ｑ ｉ ，Ｘ ｉ ｏ ｎ ｇ Ｃ ｈ ｅ ｎ ｇ ｌ ｅ ｉ
（ Ｌ ｕ ｏ ｙ ａ ｎ ｇ ｓ ｉ ｎ ｇ ｌ ｅ ｃ ｒ ｙ ｓ ｔ ａ ｌ ｓ ｉ ｌ ｉ ｃ ｏ ｎ Ｒ ｅ ｆ ｃ ｏ Ｇ ｒ ｏ ｕ ｐ Ｌ ｔ ｄ ． ４ ７ １ ０ ０ ０ ）
用 的是人眼观察 以及 自动检测方式 。 采用人眼进行观察往往具有 异 方面 。 且因为 多晶硅片在缺 陷种类方 面的表现 较少 ， 使得判 断
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
主 观性缺 陷， 同时因为人 眼很容易发生 疲劳 ， 这 就 可 能 极 大 的 降 分 类 的 主 要 依 据 较 为 明 显 ， 区分度也相对 更高 ， 检测分 类难度更 低检测 有效性与准确性 。 为 此， 采用何种方式进行硅 片缺陷检测， 加低 。 并 通 过 自动 检 测 完 成 缺 陷 问题 分 类 是 关 键 。 通过 结合实 际情况 ，
除此 之 外 ， 在 进 行 阈值 设 计 阶段 需 要 综 合 考 虑 人 为 因 素 ， 并
运用数字处理技术可 以解决相关 问题 。
对生产试验过程 中的相关细节进行 严格 限定 。 单 晶硅片检测 过程
分 类 方 法 进 行 研 究 具有 重要 意义 。
关键词 ： 硅片 ； 缺晤 ； 自动检测
Ｋ ｅＳ ｎ ｅａｒ ｃｎ ｌ ０ｎ ａｕｔ － Ｏｍ ａｔ Ｊ ｌ ● Ｃ ｄｅｔ １ ● ｅＣ ｔ ・ ｌ ● ｏｎ ａ Ｊ 【 Ｉ ｄ １ Ｃｌ １ ａＳ Ｓｎ ● 一 ｌ Ｃａｌ ｔ ■ ｌ ● ｏｎ ０Ｉ ｎ １ ｄｅＩ ｎ ｅＣｔ Ｊ Ｓ ｌ ● ｉ ｔ
Ａｂｓ ｔ ｒ ａｃ ｔ： Ａ ｓ ｏ ｎ ｅ ｏ ｆ ｔ ｈ ｅ ｉ ｍ ｐ ｏ ｒ ｔ ａ ｎ ｔ ｉ ｎ ｆ ｌ ｕ ｅ ｎ ｃ ｅ ｆ ａ ｃ ｔ ｏ ｒｓ ｏ ｆ ｂ ａ ｔ ｔ ｅ ｒ ｙ ｐ ｏ ｗｅ ｒ ａ ｃ ｔ ｕ ａ ｌ ｅ ｆ ｆ ｉ ｃ ｉ ｅ ｎ ｃ ｙ ｓ ｉ ｌ ｉ ｃ ｏ ｎ ｗ ａ ｆ ｅ ｒ ｑ ｕ ａ ｌ ｉ ｔ ｙ ｐ ｌ ａ ｙ ｓ ａ ｎ ｉ ｍ ｐ ｏ ｒ ｔ ａ ｎ ｔ ｒ ｏ ｌ ｅ ． Ｓ ｈ ｏ ｕｌ ｄ ｂ ｅ ｃ ｏ ｎ ｓ ｉ ｄ ｅ ｒ ｅ ｄ ｉ ｎ ｔ ｈ ｅ ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ ｏ ｆ ｐ ｒ ｏ ｄ ｕ ｃ ｔｉ ｏ ｎ ｏ ｆ ａ ｖ ａ ｒ ｉ ｅ ｔ ｙ ｏ ｆ ｆ ａ ｃ ｔ ｏ ｒ ｓ ， ｔ ｈ ｉ ｓ ｉ Ｓ ｂ ｅ ｃ ａ ｕ ｓ ｅ ｔ ｈ ｅ Ｓ ｉ ｌ ｉ ｃ ｏ ｎ ｗ ａ ｆ ｅ ｒ ｐ ｒ ｏ ｄ ｕ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ ｉ ｔ ｓ ｅ ｌ ｆ ｈ ａ ｓ ｓ ｏ ｍ ｅ ｓ ｈ ｏ ｒ ｔ ｃ ０ ｍ ｉ ｎ ｇ ｓ ． Ｔ ｈ ｅ ｐ ｏｌ ｙ ｃ ｒ ｙ ｓ ｔ ａ ｌ １ ｉ ｎ ｅ Ｓ ｉ ｌ ｉ ｃ ｏ ｎ ｓ ｌ ｉ ｃ ｅ ｏ ｆ ｒ ｅ ｇ ｕ ｌ ａ ｒ ｄ ｅ ｆ ｅ ｃ ｔ ｓ ａ ｒ ｅ ｍ ａ ｉ ｎ ｌ ｙ ｐ ｕ ｒ ｉ ｔ ｙ ｉ ｓ ｎ ｏ ｔ ｈ ｉ ｇ ｈ ａ ｎ ｄ ｄ ｉ ｓ ｌ ｏ ｃ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｄ ｅ ｆ ｅ ｃ ｔ ｓ ． Ｓ ｗ ｉ ｒ ｌ ｉ Ｓ ｍ ａ ｉ ｎｌ ｙ ｐ ｒ ｏ ｄ ｕ ｃ ｅ ｄ ｂ ｙ ｄ ｅ ｆ ｅ ｃ ｔ ｓ ｏ ｆ ｍ ｏ ｎ ｏ ｃ ｒ ｙ ｓ ｔ ａ ｌ ｌ ｉ ｎ ｅ Ｓ ｉ １ ｉ ｃ ｏ ｎ ｓ ｌ ｉ ｃ ｅ ． Ｓ ｉ ｌ ｉ ｃ ｏ ｎ ｗ ａ ｆ ｅ ｒ ｄ ｅ ｆ ｅ ｃ ｔ ｓ ｍ ａ ｙ ｃ ａ ｕ ｓ ｅ ｃ ｅ ｌ １ ｃ ａ ｐ ａ ｃ ｉ ｔ ｙ ｉ Ｓ ａ ｆ ｆ ｅ ｃ ｔ ｅ ｄ ，
2.4 硅单晶漩涡缺陷的检测
2、晶体中漩涡缺陷的横向和纵向分布 （1）纵向分布----呈螺旋条纹分层分布，左右两侧的条纹相 间。如图所示：
（2）涡旋缺陷的横截面分布 1）当切割面与生长轴垂直时，同时显示几个层次的腐蚀坑， 形成如图2-4-4（b）的漩涡条纹。 2） 当切割不垂直生长轴时，切割面与漩涡缺陷的几个层次 相交割，显示了每个层次的一段弧线。如图2-4-4 （c）所示。
三、涡旋缺陷分布的特点：
1、两种浅腐蚀坑带——A和B缺陷
（1）A缺陷为大的腐蚀丘或腐蚀坑（3-10μm） （2）B缺陷为很小的腐蚀坑（1 μm ）
（3）A缺陷的分布比B缺陷小两个数量级，两者均呈条纹状 分布，但局部分布位置不同。（B缺陷主要分布在四周,中心 部分较小，A只分布在晶体中心）
2、漩涡缺陷：微缺陷在宏观上呈涡旋状分布。
二、涡旋缺陷的形态
1、涡旋缺陷可以通过择优腐蚀显示，(111)晶面呈旋涡状的 三角形浅底腐蚀坑，并靠近生长条纹。宏观上呈现涡旋花纹 （不连续的同心圆或非同心圆的条纹），如图所示。
图2-4-1
（a)直拉单晶硅
（b）区熔单晶硅
2、涡旋缺陷形态与其他缺陷的区别 （1）微观上与位错同样形成三角形腐蚀坑。区别在微缺陷 为三角形的浅平底腐蚀坑，显微镜下呈白色芯，尺寸较小； 而位错为较深的尖底腐蚀坑，显微镜下显示黑色三角形。如 图所示：
（2）在晶体表面1-2cm范围内微缺陷的浓度比内部要低。
四、漩涡缺陷的腐蚀方法 显示漩涡缺陷的主要方法：择优腐蚀，铜缀饰后X射线透射 形貌、扫描电子显微术和透射电子显微术。 择优腐蚀法显示漩涡缺陷 1、择优腐蚀法：将样品在1100℃时湿氧氧化，以放大或缀 饰硅片中的缺陷，再用希尔液按HF:33%CrO3=1:1配比进行 腐蚀。 2、缺陷显示的意义：检测各种缺陷（微缺陷、沉积、位错、 堆垛层错、电阻率条纹等)
区熔硅单晶中的漩涡缺陷及其影响因素
区熔硅单晶中的漩涡缺陷及其影响因素邢友翠;闫萍;刘玉岭;李万策【摘要】因生长时工艺条件的不同,区熔硅单晶中的微缺陷类型及分布会呈现出不同的变化.对单晶生长工艺中影响缺陷形成的相关因素进行了分析, 并给出了不同工艺条件下单晶中漩涡缺陷的宏观分布状态以及所对应缺陷的微观形貌.单晶生长实验结果表明,除生长速率与晶体中的微缺陷变化具有明显的对应关系外,晶体生长界面附近的温度梯度、晶体直径以及晶体生长的气氛环境等因素也与晶体中的微缺陷直接相关.%The types and distributions of micro-defects in zone-fused silicon crystals vary with the growth conditions. In this paper,the factors affecting the formation of defects in single crystal growth process are analyzed,and the macroscopic distribution of vortex defects in single crystal under different process conditions and the corresponding micro-morphology of defects are given. The experimental results of single crystal growth show that besides the obvious correlation between the growth rate and the change of micro-defects in the crystal,the temperature gradient near the crystal growth interface,crystal diameter and the atmosphere surrounding the crystal growth are also directly related to the micro-defects in the crystal.【期刊名称】《电子工业专用设备》【年(卷),期】2018(000)005【总页数】5页(P50-54)【关键词】区熔工艺;硅单晶;漩涡缺陷【作者】邢友翠;闫萍;刘玉岭;李万策【作者单位】中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津 300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津 300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津 300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津 300220【正文语种】中文【中图分类】TN304.05高晶体完整性的硅单晶材料是器件获得高性能的保证。
太阳能光伏组件在多晶硅和单晶硅的表面缺陷检测技术研究
太阳能光伏组件在多晶硅和单晶硅的表面缺陷检测技术研究随着全球对可再生能源的需求不断增加，太阳能光伏发电成为了一种越来越受欢迎的可再生能源形式。
而太阳能光伏组件是太阳能光伏发电的核心部分，因此它们的质量直接影响着太阳能光伏发电系统的效率和寿命。
然而，太阳能光伏组件的生产过程中，由于无法完全避免的环境因素、材料和制造过程中的变异等原因，会导致其表面出现各种缺陷，如裂纹、气泡、杂质等，这些缺陷会影响到组件的输出功率和使用寿命。
因此，检测和评估太阳能光伏组件表面缺陷的技术研究尤为重要。
本文将围绕太阳能光伏组件在多晶硅和单晶硅的表面缺陷检测技术展开详细探讨。
1. 多晶硅太阳能光伏组件表面缺陷检测技术多晶硅主要由多个晶粒组成，晶格方向和晶界方向不完全符合，造成了晶界缺陷，如止裂带、晶粒边缘应力及晶界杂质等缺陷。
这些缺陷会影响到组件的光电转化效率和使用寿命。
因此，需要对多晶硅太阳能光伏组件表面缺陷进行检测。
（1）人工检测多晶硅太阳能光伏组件表面缺陷检测最早采用的是人工目测方法，采用人眼对组件进行检测，通过人工观察来判断是否有缺陷。
这种方法简单易懂，成本低廉。
但是由于人眼对于缺陷的分辨率和敏感度程度不同，容易出现漏检或误检的情况。
（2）光子能谱学技术近年来，随着相关技术的不断发展，出现了一系列的非接触式缺陷检测方法。
光子能谱学技术是一种新兴的非接触式成像技术，可以用来检测太阳能光伏组件表面及内部的结构与性能缺陷。
该技术的作用原理是，在多晶硅表面扫描出激增能谱信号，通过分析这个信号的某些物理参数来了解有关缺陷的信息。
（3）热成像技术热成像技术是一种新型的非接触式检测方法，可以用来检测太阳能光伏组件表面的缺陷。
该技术通过红外辐射来探测缺陷的存在。
在检测过程中，将多晶硅太阳能光伏组件加热至一定温度后，使用红外相机来记录下缺陷部位的热辐射图像。
根据热辐射图像中缺陷部位的温度与周围区域的温度差异的大小可以判断缺陷的存在和位置。
单晶硅中可能出现的各种缺陷
创作编号：GB8878185555334563BT9125XW创作者：凤呜大王*单晶硅中可能出现的各种缺陷缺陷，是对于晶体的周期性对称的破坏，使得实际的晶体偏离了理想晶体的晶体结构。
在各种缺陷之中，有着多种分类方式，如果按照缺陷的维度，可以分为以下几种缺陷：点缺陷：在晶体学中，点缺陷是指在三维尺度上都很小的，不超过几个原子直径的缺陷。
其在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子，有被称为零维缺陷。
线缺陷：线缺陷指二维尺度很小而第三维尺度很大的缺陷，也就是位错。
我们可以通过电镜等来对其进行观测。
面缺陷：面缺陷经常发生在两个不同相的界面上，或者同一晶体内部不同晶畴之间。
界面两边都是周期排列点阵结构，而在界面处则出现了格点的错位。
我们可以用光学显微镜观察面缺陷。
体缺陷：所谓体缺陷，是指在晶体中较大的尺寸范围内的晶格排列的不规则，比如包裹体、气泡、空洞等。
一、点缺陷点缺陷包括空位、间隙原子和微缺陷等。
1、空位、间隙原子点缺陷包括热点缺陷（本征点缺陷）和杂质点缺陷（非本征点缺陷）。
1.1热点缺陷其中热点缺陷有两种基本形式：弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。
单晶中空位和间隙原子在热平衡时的浓度与温度有关。
温度愈高，平衡浓度愈大。
高温生长的硅单晶，在冷却过程中过饱和的间隙原子和空位要消失，其消失的途径是：空位和间隙原子相遇使复合消失；扩散到晶体表面消失；或扩散到位错区消失并引起位错攀移。
间隙原子和空位目前尚无法观察。
1.2杂质点缺陷A、替位杂质点缺陷，如硅晶体中的磷、硼、碳等杂质原子B、间隙杂质点缺陷，如硅晶体中的氧等 1.3点缺陷之间相互作用一个空位和一个间隙原子结合使空位和间隙原子同时湮灭（复合），两个空位形成双空位或空位团，间隙原子聚成团，热点缺陷和杂质点缺陷相互作用形成复杂的点缺陷复合体等。
2、微缺陷2.1产生原因如果晶体生长过程中冷却速度较快，饱和热点缺陷聚集或者他们与杂质的络合物凝聚而成间隙型位错环、位错环团及层错等。
单晶硅中可能出现的各种缺陷
单晶硅中可能出现的各种缺陷缺陷，是对于晶体的周期性对称的破坏，使得实际的晶体偏离了理想晶体的晶体结构。
在各种缺陷之中，有着多种分类方式，如果按照缺陷的维度，可以分为以下几种缺陷：点缺陷：在晶体学中，点缺陷是指在三维尺度上都很小的，不超过几个原子直径的缺陷。
其在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子，有被称为零维缺陷。
线缺陷：线缺陷指二维尺度很小而第三维尺度很大的缺陷，也就是位错。
我们可以通过电镜等来对其进行观测。
面缺陷：面缺陷经常发生在两个不同相的界面上，或者同一晶体内部不同晶畴之间。
界面两边都是周期排列点阵结构，而在界面处则出现了格点的错位。
我们可以用光学显微镜观察面缺陷。
体缺陷：所谓体缺陷，是指在晶体中较大的尺寸范围内的晶格排列的不规则，比如包裹体、气泡、空洞等。
一、点缺陷点缺陷包括空位、间隙原子和微缺陷等。
1、空位、间隙原子点缺陷包括热点缺陷（本征点缺陷）和杂质点缺陷（非本征点缺陷）。
1.1热点缺陷其中热点缺陷有两种基本形式：弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。
单晶中空位和间隙原子在热平衡时的浓度与温度有关。
温度愈高，平衡浓度愈大。
高温生长的硅单晶，在冷却过程中过饱和的间隙原子和空位要消失，其消失的途径是：空位和间隙原子相遇使复合消失；扩散到晶体表面消失；或扩散到位错区消失并引起位错攀移。
间隙原子和空位目前尚无法观察。
1.2杂质点缺陷A、替位杂质点缺陷，如硅晶体中的磷、硼、碳等杂质原子B、间隙杂质点缺陷，如硅晶体中的氧等1.3点缺陷之间相互作用一个空位和一个间隙原子结合使空位和间隙原子同时湮灭（复合），两个空位形成双空位或空位团，间隙原子聚成团，热点缺陷和杂质点缺陷相互作用形成复杂的点缺陷复合体等。
2、微缺陷2.1产生原因如果晶体生长过程中冷却速度较快，饱和热点缺陷聚集或者他们与杂质的络合物凝聚而成间隙型位错环、位错环团及层错等。
Cz硅单晶中的微缺陷，多数是各种形态的氧化物沉淀，它们是氧和碳等杂质，在晶体冷却过程中，通过均质成核和异质成核机理形成。
硅中缺陷
3. 4. 径向电阻率均匀性的因素 及其控制办法。 说明不同的固液生长界面形状（凸、凹、平） 对电阻率径向分布的影响（K<1杂质） 分析产生杂质条纹的根本原因并说明对于非平 坦界面，由于晶转轴与热转轴不重合带来的杂 质条纹的形状（横截面、纵截面、表面） 解释组分过冷（constitutional supercooling）并推 导组分过冷产生的条件，讨论出现组分过冷时 平坦界面上的干扰如何发展成胞状界面及枝蔓 生长。 简述位错对材料性能的影响及无位错单晶工艺 的要点。
氧杂质及与氧相关缺陷的利弊
SiO溶入Si熔体中进入晶体，在晶格中呈间隙态 在热处理过程中，过饱和间隙氧会在晶体中偏聚，沉淀 而形成氧施主，氧沉淀及二次缺陷 利：本征内吸杂，吸附有源区内的有害杂质和产生微缺 陷的间隙原子，钉扎位错，提高Si晶片的力学强度 弊：氧沉淀会妨碍光刻，如在PN结区引起微等离子击 穿，氧沉淀过大导致Si片翘曲 CZ工艺中降低氧含量的措施
时，寿命随着ND的增加而降低。
位错对半导体器件的影响
位错同杂质沉淀相结合使P-N结反向性能劣化 纯净位错并不对P-N结造成可觉察的坏影响 但位错处易导致重金属杂质沾污 位错的存在易造成P-N结贯通 杂质在位错线附近扩散快，因此在晶体管中，扩散发射区 时，局部穿透了基区，形成C-E穿通。 位错引起噪声增加 位错线附近载流子的产生与复合，引起电导率的局部涨落， 使有位错的单晶器件的噪声电压明显地高于无位错单晶器件。
通过机械化学处理方法在硅片的非电活性区引入缺陷在热处理时一些重金属杂质会扩散并淀积在这些缺陷处从而减少了这些有害杂质对器件工作区的影响改善了器件的性能这种工艺叫碳杂质主要来自于多晶原料生长炉内气氛及坩埚与石墨加热元件尾部含碳较多在硅中主要是替位位置电中性杂质引起晶格畸变c对si器件有害晶体冷却时发生沉淀和偏聚会降低击穿电压增加漏电流
晶体硅电池组件EL缺陷分析
晶体硅电池组件EL缺陷分析
EL检测仪，又称太阳能组件电致发光缺陷检测仪，是跟据硅材料的电致发光原理对组件进行缺陷检测及生产工艺监控的专用测试设备。
给晶体硅电池组件正向通入1-1.5倍Isc 的电流后硅片会发出1000-1100nm的红外光，测试仪下方的摄像头可以捕捉到这个波长的光并成像于电脑上。
因为通电发的光与PN结中离子浓度有很大的关系，因此可以根据图像来判断硅片内部的状况。
缺陷种类一：黑心片EL照片中黑心片是反映在通电情况下电池片中心一圈呈现黑色区域，该部分没有发出1150nm的红外光，故红外相片中反映出黑心，此类发光现象和硅衬底少数载流子浓度有关。
这种电池片中心部位的电阻率偏高。
缺陷种类一：黑心片缺陷种类二：黑团片多晶电池片黑团主要是由于硅片供应商一再缩短晶体定向凝固时间，熔体潜热释放与热场温度梯度失配导致硅片内部位错缺陷。
缺陷种类二：黑团片缺陷种类三：黑斑片黑斑片一般是由于硅料受到其他杂质污染所致。
通常少数载流子的寿命和污染杂质含量及位错密度有关。
黑斑中心区域位错密度>107个/cm2，黑斑边缘区域位错密度>106个/cm2均为标准要求的1000～10000倍这是相当大的位错密度。
缺陷种类三：黑斑片缺陷种类四：短路黑片缺陷种类五：非短路黑片短路黑片、非短路黑片成因电池片黑片有两种，全黑的我们称之为短路黑片，通常是由于焊接造成的短路或者混入了低效电池片造成的。
而边缘发亮的黑片我们称之为非短路黑片，这种电池片大多产生于单面扩散工艺或是湿法刻蚀工艺，单面扩散放反导致在背面镀膜印刷，造成是PN结反，也就是我们通常所说的N型片，这种电池片会造成IV测试曲线呈现台阶，整个组件功率和填充因子都会受到较大影响。
12。
单晶硅中可能出现的各种缺陷
单晶硅中大概出现的百般缺陷之阳早格格创做缺陷，是对付于晶体的周期性对付称的益害，使得本量的晶体偏偏离了理念晶体的晶体结构.正在百般缺陷之中，有着多种分类办法，如果依照缺陷的维度，不妨分为以下几种缺陷：面缺陷：正在晶体教中，面缺陷是指正在三维尺度上皆很小的，没有超出几个本子曲径的缺陷.其正在三维尺寸均很小，只正在某些位子爆收，只效率相近几个本子，有被称为整维缺陷.线缺陷：线缺陷指二维尺度很小而第三维尺度很大的缺陷，也便是位错.咱们不妨通过电镜等去对付其举止瞅测.里缺陷：里缺陷时常爆收正在二个分歧相的界里上，大概者共一晶体里里分歧晶畴之间.界里二边皆是周期排列面阵结构，而正在界里处则出现了格面的错位.咱们不妨用光教隐微镜瞅察里缺陷.体缺陷：所谓体缺陷，是指正在晶体中较大的尺寸范畴内的晶格排列的没有准则，比圆包裹体、气泡、空洞等.一、面缺陷面缺陷包罗空位、间隙本子战微缺陷等.1、空位、间隙本子面缺陷包罗热面缺陷（本征面缺陷）战纯量面缺陷（非本征面缺陷）. 1.1热面缺陷其中热面缺陷有二种基础形式：弗仑克我缺陷战肖特基缺陷.单晶中空位战间隙本子正在热仄稳时的浓度与温度有闭.温度愈下，仄稳浓度愈大.下温死少的硅单晶，正在热却历程中过鼓战的间隙本子战空位要消得，其消得的道路是：空位战间隙本子相逢使复合消得；扩集到晶体表面消得；大概扩集到位错区消得并引起位错攀移.间隙本子战空位暂时尚无法瞅察.1.2纯量面缺陷A、替位纯量面缺陷，如硅晶体中的磷、硼、碳等纯量本子B、间隙纯量面缺陷，如硅晶体中的氧等 1.3面缺陷之间相互效率一个空位战一个间隙本子分离使空位战间隙本子共时湮灭（复合），二个空位产死单空位大概空位团，间隙本子散成团，热面缺陷战纯量面缺陷相互效率产死搀纯的面缺陷复合体等.2、微缺陷2.1爆收本果如果晶体死少历程中热却速度较快，鼓战热面缺陷汇集大概者他们与纯量的络合物凝结而成间隙型位错环、位错环团及层错等.Cz硅单晶中的微缺陷，普遍是百般形态的氧化物重淀，它们是氧战碳等纯量，正在晶体热却历程中，通过均量成核战同量成核机理产死. 2.2微缺陷瞅察要领1）择劣化教腐蚀：择劣化教腐蚀后正在横断里上呈匀称分集大概组成百般形态的宏瞅漩涡花纹（漩涡缺陷）.宏瞅上，为一系列共心环大概螺旋状的腐蚀图形，正在隐微镜下微缺陷的微瞅腐蚀形态为浅底腐蚀坑大概腐蚀小丘（蝶形蚀坑）.正在硅单晶的纵剖里上，微缺陷常常呈层状分集.2）热氧化处理：由于CZ硅单晶中的微缺陷，其应力场太小，往往需热氧化处理，使微缺陷缀饰少大大概转移为氧化层错大概小位错环后，才可用择劣腐蚀要领隐现.3）扫描电子隐微技能，X射线形貌技能，白中隐微技能等要领. 2.3微缺陷结构曲推单晶中微缺陷比较搀纯.TEM瞅察到正在本死曲推硅单晶中，存留着间隙位错环，位错团战小的堆跺层错等形成的微缺陷，以及板片状SiO2重积物，退火Cz硅单晶中的微缺陷为体层错、氧重淀物及重淀物-位错-络合物等.Cz硅中的本死缺陷分别是根据分歧的丈量要领而命名，有三种：1.使用激光集射层析摄影仪检测到的白中(IR)集射核心(LSTD)；2.经一号荡涤液腐蚀后，正在激光颗粒计数器下检测为微弱颗粒的缺陷(COP)；3.流型缺陷(FPD)，它是正在Secco腐蚀液择劣腐蚀后，用光教隐微镜瞅察到的形如楔形大概扔物线形的震动图样的缺陷，正在其端部存留有很小的腐蚀坑.统造CZ硅单晶中本死缺陷的道路是采用符合的晶体死少参数战本死晶体的热履历.要安排的主要死少参数是推速、固液界里的轴背温度梯度G(r)(含符合的v/G(r)比值)、热却速率等.其余通过相宜的退火处理可缩小大概与消本死缺陷.二、线缺陷位错：包罗螺位错战刃位错1、爆收本果1)籽晶中位错的蔓延；2)晶体死少历程中，固液界里附近降进没有溶固态颗粒，引进位错；3)温度梯度较大，正在晶体中爆收较大的热应力时，更简单爆收位错并删殖.2、位错形态及分集1）择劣化教腐蚀：位错蚀坑正在{100}里上呈圆形，但是其形态还与位错线走背、晶背偏偏离度、腐蚀剂种类、腐蚀时间、腐蚀液的温度等果素有闭.硅单晶横断里位错蚀坑的宏瞅分集大概组态：A、位错匀称分集B、位错排是位错蚀坑的某一边排列正在一条曲线上的一种位错组态，它是硅单晶正在应力效率下，位错滑移、删殖战散集的截止.位错排沿目标排列.C、星形结构式由一系列位错排沿目标汇集排列而成的.正在{100}里上，星形结构呈井字形组态.2）白中隐微镜战X射线形貌技能3、无位错硅晶体的死少1）缩颈2）安排热场，采用合理的晶体死少参数，保护宁静的固液界里形状3）预防没有溶固态颗粒降进固液界里三、里缺陷里缺陷主要有共种晶体内的晶界，小角晶界，层错，以及同种晶体间的相界等.仄移界里：晶格中的一部分沿着某部分网相对付于另一部分滑动(仄移).堆跺层错：晶体结构中周期性的互相仄止的堆跺层有其固有的程序.如果堆跺层偏偏离了本去固有的程序，周期性改变，则视为爆收了堆跺层错.晶界：是指共种晶体里里结晶圆背分歧的二晶格间的界里，大概道是分歧晶粒之间的界里.按结晶圆背好别的大小可将晶界分为小角晶界战大角晶界等.小角晶界普遍指的是二晶格间结晶圆背好小于10度的晶界.偏偏离角度大于10度便成了孪晶.相界：结构大概化教身分分歧的晶粒间的界里称为相界.1、小角晶界：硅晶体中相邻地区与背没有共正在几分之一秒到一分（弧度）的晶粒间界称为小角度晶界.正在{100}里上，位错蚀坑则以角顶底办法曲线排列.2、层错：指晶体内本子仄里的堆垛序次庞杂产死的.硅单晶的层错里为{111}里. 2.1层错爆收本果：正在暂时工艺条件下，本死硅单晶中的层错是已几睹的.普遍认为，正在单晶死少历程中，固态颗粒加进固液界里，单晶体内存留较大热应力，固液界里附近熔体过热度较大，以及板滞振荡等皆大概成为爆收层错的本果. 2.2层错的腐蚀形态应用化教腐蚀要领隐现硅单晶中的层错时，偶我不妨瞅察到沿目标腐蚀沟槽，它是层错里与瞅察表面的接线.正在{111}里上，层错线互相仄止大概成60o，120o分集，{100}里上的层错线互相仄止大概者笔曲，正在层错线二端为偏偏位错蚀坑.层错不妨贯脱到晶体表面，也不妨终止于晶体内的半位错大概晶粒间界处. 2.3氧化诱死层错产死的根根源基本果：热氧化时硅二氧化硅界里处爆收自间隙硅本子，那些自间隙硅本子扩集至弛应力大概晶格缺陷(成核核心)处而产死OSF并少大.普遍认为，OSF主要成核十硅片表面的板滞益伤处、金属沾污宽重处，其余诸如表面大概体内的旋涡缺陷、氧重淀也是OSF的成核核心它与中延层错相辨别也与由体内应力引起的体层错(bulkstackingfaults)相辨别.常常OSF有二种：表面的战体内的.表面的OSF普遍以板滞益伤，金属沽污、微缺陷(如氧重淀等)正在表面的隐露处等动做成核核心；体内的B-OSF(BulkOSF)则普遍成核于氧重淀.20世纪70年代终，钻研者创造硅晶体中的OSF时常呈环欲分集特性(ring-OSF)后裔的钻研标明，那与晶体死万古由死少参数(死少速度、固液界里处的温度梯度)决断的面缺陷的径背分集相闭联由搞空位战自间隙的相互效率，从而引起氧的非常十分重淀，从而激励OSF.3孪晶 3.1孪晶的形成孪晶是由二部分与背分歧，但是具备一个共共晶里的单晶体组成.它们共用的晶里称为孪死里，二部分晶体的与背以孪死里为镜里对付称，且二部分晶体与背夹角具备特定的值.硅晶体的孪死里为{111}里. 3.2孪晶死成本果晶体死少历程中，固液界里处引进固态小颗粒，成为新的结晶核心，本去没有竭少大产死孪晶.别的，板滞振荡、推晶速度过快大概推速突变也可督促孪晶的产死.四、体缺陷所谓体缺陷，是指正在晶体中三维尺度上出现的周期性排列的混治，也便是正在较大的尺寸范畴内的晶格排列的没有准则.那些缺陷的地区基础上不妨战晶体大概者晶粒的尺寸相比较，属于宏瞅的缺陷，较大的体缺陷不妨用肉眼便不妨浑晰瞅察.体缺陷有很多种类，罕睹的有包裹体、气泡、空洞、微重淀等.那些缺陷地区正在宏瞅上与晶体其余位子的晶格结构、晶格常数、资料稀度、化教身分以及物理本量有所分歧，佳像是正在所有晶体中的独力王国.1嵌晶硅晶体里里存留与基体与背分歧的小晶体（晶粒）称为嵌晶.嵌晶可为单晶大概多晶.正在普遍推晶工艺下，嵌晶很少睹.2夹纯物由中界大概多晶引进熔硅中的固态颗粒，正在推晶时被夹戴到晶体中产死第二相称为夹纯物.应用电子探针战扫描电子隐微镜瞅察到曲推大概者区熔硅单晶中，存留α-SiC 战β-SiC颗粒，其尺寸由几个微米到十几个微米.3孔洞硅单晶中存留的近于圆柱形大概球形的空洞.正在硅单晶板滞加工时，硅片上所睹到的圆形孔洞，大的孔洞曲径有几毫米.五、条纹正在宏瞅上为一系列共心环状大概螺旋状的腐蚀图形，正在100倍大概者更下搁大倍数下是连绝的表面坎坷状条纹.。
晶体缺陷显示实验
晶体缺陷显示实验指导实验名称：晶体缺陷显示实验实验目的：1、了解掌握硅单晶片研磨、热处理、化学抛光和化学腐蚀的操作方法。
2、学会在金相显微镜下观测硅单晶中的位错或点缺陷。
实验内容：在硅单晶（选〈111〉晶向）片上通过研磨和热处理、化学抛光和化学腐蚀的方法显示晶体缺陷。
用“非择优腐蚀剂”进行表面化学抛光；然后用“择优腐蚀剂”进行化学腐蚀来揭示晶体缺陷。
在金相显微镜下观测硅晶体位错或漩涡缺陷（点缺陷）的腐蚀坑，根据显示的腐蚀坑数目来计算缺陷密度。
实验原理：1、常用的“非择优腐蚀剂”为：HF (40—42 %)：HNO3 (65%) = 1：2.5。
主要用于硅片表面化学抛光，以达到表面清洁处理，去除机械损伤层，获得光亮表面的目的。
（其反应原理为：Si + 4HNO3 + 6HF = H2SiF6 + 4NO2↑+4 H2O ）2、常用的“择优腐蚀剂”为：标准液：HF (40—42 %) = 3:1慢速液标准液：HF (40—42 %) = 2:1中速液标准液：HF (40—42 %) = 1:1中速液标准液：HF (40—42 %) = 1:2快速液（其中标准液为：CrO3：H2O = 1：2 重量比）。
用来揭示缺陷，一般来说腐蚀速度越快，择优性越差。
根据现在气温我们选1:1的中速液。
（其反应原理为：Si + CrO3 + 8HF = H2SiF6 + CrF2 + 3H2O ）硅晶体中位错线或点缺陷附近晶格发生畸变，不稳定。
位错或漩涡缺陷在硅片表面露头处周围，腐蚀速度比较快，从而形成缺陷腐蚀坑（如图）。
腐蚀坑的数目可在金相显微镜中数出，单位面积内腐蚀坑的数目称为缺陷密度。
三角坑是因为硅（111）面容易显露出来的结果。
实验方法和步骤：1、用14μ刚玉细砂在玻璃板上研磨硅片30—40分钟。
2、在ZKL—1F型石英管扩散炉中对硅片进行退火处理1小时。
3、带上乳胶手套，在通风橱中用量筒、烧杯配适当量的“非择优腐蚀剂”，将硅片放入其中进行抛光，时间大约3—4分钟，以试剂变成棕黄色并冒烟为准。
2.3 硅晶体中位错的检测
3、缺陷腐蚀：用希尔腐蚀液,腐蚀时间在10-15min。
HF:33%的CrO3水溶液=1:1 其电化学反应：
负极：
正极：
4、在光学显微镜下观测硅晶体的腐蚀坑。 5、根据显示的腐蚀坑数目来计算缺陷密度。
二、硅单晶(100)和（110）晶面上位错的显示 1、（110）晶面上位错的显示工艺跟（111）相同。显示 的位错坑呈菱形。 2、（100）晶面腐蚀液的配比为HF:33%的CrO3水溶液 =1:2 3 、（100）晶面腐蚀时间比较长。缺陷显示的时间长短 主要取决于位错纵向腐蚀速度与表面剥蚀速度的差。
D
D/
B/ B
A
D C A B
D(D/)
A
D/
C B(B/)
B/
（1 10）晶面构成的位错
（110）晶面腐蚀坑
2.3.3 位错密度的测定
1、位错的体密度：单位体积中位错线的长度，用 Nv表示： L
NV V
2、位错的面密度：穿过单位截面积的位错线数，用 ND表示：
N ND S
位错的其他研究方法： 1、逐层腐蚀对应法。 2、解理面对应方法。 3、酸-碱-酸对应方法。 4、铜沉淀技术：即使铜淀积在位错管道中，用红 外显微镜进行观察铜缀饰的位错线，如图所示：
铜缀饰位错的红外显微像
分析：在硅单晶的4个晶胞中取一个八面体，每个面都是 {111}晶面，如图所示。
C
D
E
B
A
x
（100）晶面位错坑
(1 1 1)
V
D
V
(1 1 1)
D
C
A B C
直拉硅单晶中微缺陷的特征及演变
直拉硅单晶中微缺陷的特征及演变佟丽英;高丹【摘要】After high temperature oxidation and etching ,Czochralski(CZ) silicon single crystal polished wafers show oxidation induced defects including swirl defects and oxidation induced stacking faults (OISF) ,whose shape and distribution correlate with microdefects during the single crystal growth process .The internal characteristics of swirl defects and the density distribution of OISF are experi‐mentally demonstrated and the effect of the defects on the device performance i s analyzed .T he charac‐teristic parameters of single crystal quality are also determined .%直拉硅单晶抛光片经过高温氧化后，腐蚀显示出氧化诱生缺陷，包括漩涡缺陷和氧化层错（oxidation induced stacking faults ，OISF），其形状和分布与单晶生长过程中形成的微缺陷有一定的对应关系。
文章通过试验显示出漩涡缺陷的内部特征及O IS F的密度变化，推测出其对器件性能产生的影响，并确定控制单晶质量的特征参数。
【期刊名称】《合肥工业大学学报（自然科学版）》【年(卷),期】2016(039)009【总页数】4页(P1196-1198,1225)【关键词】微缺陷;氧化诱生;漩涡缺陷;氧化层错【作者】佟丽英;高丹【作者单位】中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津 300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津 300220【正文语种】中文【中图分类】TN304.053在实际生长的半导体晶体中,总是存在着偏离理想情况的不完整现象。
晶体缺陷检测ppt课件
8
利用SIMS进行器件失效分析
9
吸收 最强
吸收 次强
C
杂质C（替位）的最强红外吸收峰波长:16.4μm 杂质O （间隙）的红外吸收峰波长：9.1μm
10
2、位错和层错的检测
腐蚀＋金相显微镜观测（简单常用的方法） X射线衍射法 （精确的方法） 电子显微镜
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2.1 腐蚀金相观察法
（1）检测基本原理
滑移面
附加的原子或者 受热不均
位错线 刃形位错形成示意图
刃型位错后发生滑移4
位错形成的一系列 透射电子显微镜照片
5
（3）面缺陷
a. 堆垛层错：由位错的相关原子组成的多余原子面。 堆垛层错通常在外延生长层中观察到。一般要求外
延层中的层错密度小于102/cm2。
螺型位错后发生堆垛
6
b. 挛晶：从同一个界面生长出两种不同方向晶体 c. 晶界：具有很大取向差别的晶块结合时产生
17
为了研究表面结构，电子加速电压 也可低达数千甚至数十伏，这种装置 称低能电子衍射装置，称反射电子衍 射（RHEED）。
最简单的电子衍射装置。从阴极 K发出的电子被加速后经过阳极A 的光阑孔和透镜L到达试样S上， 被试样衍射后在荧光屏或照相底板 P上形成电子衍射图样。由于物质 （包括空气）对电子的吸收很强， 故上述各部分均置于真空中。电子 的加速电压一般为数万伏至十万伏 左右，称高能电子衍射——透射1。8
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d f .T
f
式中，T为微观生长速率变化的周期，ω 为转速，f为拉速
同一层的微缺陷不是同时出现不在同一个面上，有先有后， 当腐蚀达到漩涡条纹与下一条纹之间的地方，浅腐蚀坑密 度达到饱和不再增加，此时为微缺陷的饱和密度σ0。 所以微缺陷的平均体密度：
0
d
0 .
f
六、旋涡缺陷的影响:旋涡缺陷的尺寸比较小，但硅片在热氧 化过程中，由于受应力的影响，其容易形成氧化层错，对器 件性能有影响。 七、旋涡缺陷的消除：旋涡缺陷的形成是与单晶生长条、热场 对称性和其生长过程中晶体回熔有关。因此可以调整晶体生 长参数(熔融温度、晶锭直径、拉速和转速），尽量避免晶 体回熔，在采用比较高的拉速的同时，并保持平坦而微凹的 生长界面，使涡旋缺陷消除。
2、晶体中漩涡缺陷的横向和纵向分布 （1）纵向分布----呈螺旋条纹分层分布，左右两侧的条纹相 间。如图所示：
（2）涡旋缺陷的横截面分布 1）当切割面与生长轴垂直时，同时显示几个层次的腐蚀坑， 形成如图2-4-4（b）的漩涡条纹。 2） 当切割不垂直生长轴时，切割面与漩涡缺陷的几个层次 相交割，显示了每个层次的一段弧线。如图2-4-4 （c）所示。
（2）在晶体表面1-2cm范围内微缺陷的浓度比内部要低。
四、漩涡缺陷的腐蚀方法 显示漩涡缺陷的主要方法：择优腐蚀，铜缀饰后X射线透射 形貌、扫描电子显微术和透射电子显微术。 择优腐蚀法显示漩涡缺陷 1、择优腐蚀法：将样品在1100℃时湿氧氧化，以放大或缀 饰硅片中的缺陷，再用希尔液按HF:33%CrO3=1:1配比进行 腐蚀。 2、缺陷显示的意义：检测各种缺陷（微缺陷、沉积、位错、 堆垛层错、电阻率条纹等)
图2-4-5 热氧化装置
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五、漩涡缺陷密度的计算 均体密度。用如下公式计算：
t
其中σ----观察到的微缺陷腐蚀坑的面密度， t----腐蚀掉的表面层厚度。
2、层间厚度法 漩涡缺陷与生长条纹具有相同的形式和曲率，因此纵向呈 分层分布，且层与层之间的厚度同生长条纹相同。生长条 纹是由于晶体生长时生长速度变化引起杂质的分凝作用， 反映了杂质分凝起伏的周期。 层间厚度即为生长率条纹的间距
2.4 硅单晶漩涡缺陷的检测
一、微缺陷与漩涡缺陷的概念
1、微缺陷的概念：热缺陷中的空位和填隙原子，以 及化学杂质原子在一定的条件下都会出现饱和情况， 因此会出现凝聚成点缺陷团，称之为微缺陷。
2、漩涡缺陷：微缺陷在宏观上呈涡旋状分布。
二、涡旋缺陷的形态
1、涡旋缺陷可以通过择优腐蚀显示，(111)晶面呈旋涡状的 三角形浅底腐蚀坑，并靠近生长条纹。宏观上呈现涡旋花纹 （不连续的同心圆或非同心圆的条纹），如图所示。
图2-4-1
（a)直拉单晶硅
（b）区熔单晶硅
2、涡旋缺陷形态与其他缺陷的区别 （1）微观上与位错同样形成三角形腐蚀坑。区别在微缺陷 为三角形的浅平底腐蚀坑，显微镜下呈白色芯，尺寸较小； 而位错为较深的尖底腐蚀坑，显微镜下显示黑色三角形。如 图所示：
a)位错
b) 微缺陷
图2-4-2
微缺陷的浅腐蚀坑与位错的深腐蚀坑
三、涡旋缺陷分布的特点：
1、两种浅腐蚀坑带——A和B缺陷
（1）A缺陷为大的腐蚀丘或腐蚀坑（3-10μm） （2）B缺陷为很小的腐蚀坑（1 μm ）
（3）A缺陷的分布比B缺陷小两个数量级，两者均呈条纹状 分布，但局部分布位置不同。（B缺陷主要分布在四周,中心 部分较小，A只分布在晶体中心）
（2）微缺陷宏观上呈涡旋条纹（常被碳、重金属杂质所缀 饰），与电阻率条纹相似，但两者产生机理和微观形态不同。 其区别： a、本质和形成机理不同，涡旋缺陷由热点缺陷的聚集而成， 电阻率条纹是由于杂质的分凝系数起伏变化而引起。
b、微观上微缺陷为三角形平底腐蚀坑或小丘，电阻率条纹 腐蚀时无微缺陷腐蚀坑，腐蚀面成镜面。
a )纵向分布
b)横向分布1 图2-4-4 涡旋缺陷的横向和纵向分布
c)横向分布2
3、漩涡缺陷分布的其他特点 （1）在有位错的硅单晶中没有漩涡缺陷的出现，而无位错 的硅单晶中会出现这种微缺陷。 在位错单晶四周情况下过饱和热点缺陷被位错吸收，而不 会发现微缺陷存在。位错的正、负攀移实质就是对填隙原 子核空位的吸收。
3、检测工艺： （1）采样:在晶锭头、尾、中部各取一片。 （2）试样制备：研磨、化学抛光等表面处理。 （3）样品清洗：两种清洗液(RCA公司清洗液） a) NH4OH:H2O2:H2O=1:1:4 b) HCl:H2O2:H2O=1:1:4 （4）热氧化处理:在1100℃左右，湿氧气氛中进行氧化。如 图2-4-5所示为热氧化的装置。 （5）缺陷腐蚀显示，用金相显微镜进行观察并计算密度。