2017面向未来的高性能桥梁结构
2017桥梁拉索体系发展与结构创新会议在安徽芜湖顺利召开
世界交通大会会场
欧维姆公司副总经理谢正元教授级高工 在做技术交流报告
欧维姆公司在会场展示区域
2 0 1 7 桥梁拉索诹系发展与结构创新会议在
受徽芜湖顺利召幵
为深入研究桥梁拉索体系与结构， 《桥 梁 》杂志社联合安徽省交通控股集团有限公司，于5 月在安徽省芜湖市召开 了 “2017桥梁拉索体系发展与结构创新会议”。来自于国内外3 0 0 多位桥梁界设计、施工、管理单位的领导、专家加 了会议，是我国桥梁界的盛会。会上中国工程院外籍院士邓文中、中国工程院院士陈政清等18位专家先后做了报告， 与会专家分享了桥梁拉索体系与结构创新的经验，这些经验将有利于解决我国大跨度桥梁建设的新问题、提高我国大 跨 度 桥 梁 设 计 、施 工 、养 护 及 管 理 水 平 ，对于推动我国桥 梁 建 设 事 业 发 展 具 有 巨 大 促 进 作 用 。
欧维姆公司近年来在桥梁建设领域取得了很大的成就，研制的平行钢丝拉索、钢绞线拉索以及体外索在国内外桥 梁上的大量运用，使得欧维姆品牌在我国桥梁界具有良好的口碑。作为会议协办单位之一欧维姆公司也参与了本次会 议 ，并与业内专家、同行进行了广泛而深入的交流。
欧维姆公司国 内营销中心总 工程师方中予 与中国工程院 外籍院士、美 国国家工程院 院士邓文中 ( 右 一 ）交流
由 中 国 科 协 、交 通 运 输 部 、 中 国 工 程 院 、亚 洲 基 础 设 施 投 资 银 行 共 同 主 办 ，中 国 公 路 学 会 、一 带 一 路 公路交通联 盟 （筹 ）承办的首届世界交通运输大会，于2 0 1 7 年6 月在北京顺利召开，本 次 大 会 以 “创新引领•绿色融合”为宗旨， 内容涵盖科学与技术研讨、成果与产品展示、交叉与合作分享、人才与团队培养等方面，为交通运输行业提供面向世 界的酝酿创新、主导创新、展示创新和实施创新的国际化学术交流平台。作为会议协办单位之一的欧维姆公司参与了 本次会议，欧维姆公司副总经理谢正元教授级高工在会上做了题为《公路桥梁预应力智能化发展思考》的技术交流报告。
高性能桥梁结构理论与实践
高性能桥梁结构理论与实践高性能桥梁结构是指在设计和建造过程中，通过采用先进的材料、技术和设计方法，实现桥梁的高强度、高耐久性和高功能性。
高性能桥梁不仅能够满足复杂和苛刻的工程要求，还能在使用寿命和维护成本上具有明显的优势。
高性能桥梁结构的理论基础包括结构力学、材料科学和动力学等多个学科的交叉和融合。
在结构设计方面，采用先进的计算方法和仿真技术，能够精确模拟和分析桥梁在各种荷载和环境条件下的行为，优化结构设计，提高桥梁的性能和安全性。
例如，有限元分析和非线性分析等方法的应用，使得复杂结构的设计和评估更加科学和精确。
材料科学在高性能桥梁结构中的应用尤为重要。
高性能混凝土（HPC）和高强度钢材等新材料的应用，显著提高了桥梁的承载能力和耐久性。
HPC不仅具有高强度和高耐久性，还具有良好的工作性和耐候性，适用于各种复杂和恶劣的环境条件。
高强度钢材则通过优化合金成分和热处理工艺，具备高强度、高韧性和良好的焊接性，广泛应用于大跨度和高应力桥梁结构中。
减隔震技术在高性能桥梁结构中也发挥着重要作用。
通过在桥梁结构中设置减震装置和隔震支座，可以有效降低地震和风荷载对桥梁的影响，提高桥梁的抗震和抗风性能。
常见的减隔震装置包括粘滞阻尼器、摩擦阻尼器和滑动隔震支座等，这些装置能够吸收和耗散外部能量，减少结构变形和应力集中，从而提高桥梁的整体性能和耐久性。
此外，高性能桥梁结构的施工技术也在不断进步。
现代施工技术如高精度测量技术、预应力施工技术和模块化施工技术等，显著提高了施工质量和效率。
通过高精度测量技术，可以确保桥梁构件的精确定位和安装，减少施工误差。
预应力施工技术通过在施工过程中施加预应力，提高了桥梁的抗裂性能和承载能力。
模块化施工技术通过在工厂内预制桥梁构件，并在施工现场进行装配，缩短了施工周期，减少了现场作业的难度和风险。
高性能桥梁结构的维护和管理同样需要高效的技术手段。
通过桥梁健康监测系统，实时监测桥梁的状态，及时发现和处理潜在问题，延长桥梁的使用寿命。
基于AASHTO规范的混凝土桥梁上部结构设计
第3期(总第263期）域命i祈5衫決2021 年 3 月U R B A N R O A D S B R ID G E S &FL O O D C O N T R O L桥梁结构D O I:10.16799/ki.csdqyfh.2021.03.018基于A A S H T O规范的混凝土桥梁上部结构设计韩雄刚(中国市政工程华北设计研究总院有限公司，天津市300000)摘要：在美国公路桥梁设计规范“AASHTO LRFD Bridge Design Specifications 2017-8th Edition”的基础上，采用 美国本土桥梁设计软件CSI Bridge,从强度极限状态、使用极限状态、疲劳极限状态等方面介绍了混凝土桥梁上部结 构的设计验算。
关键词：AASHTO LRFD;CSI Bridge;极限状态；桥梁上部结构中图分类号：U441 文献标志码：A文章编号：1009-7716(2021 )03-0059-030引言美国公路桥梁设计规范AASHTO LRFD BridgeDesign Specifications 2017-8th E d itio n(简称A A S H-TO L R F D规范）为目前现行美国桥梁设计的最新规范，相比之前版本有较大变化，我国现行《公路钢筋混凝土及预应力混凝土桥涵设计规范》(JT G3362—2018)许多条文均参考了AASHTO L R F D规范。
很 多国内设计院对于按照AASHTO L R F D规范设计桥 梁还比较陌生，且用美标设计桥梁存在许多难点。
本 文通过按美标设计T梁的流程来介绍AASHTO L R F D规范，以期为国内设计院走出国门、承揽按美 标设计的桥梁项目提供技术参考和借鉴。
1工程概况本工程为某高速公路项目，标准跨径以30 m简 支结构为主,上部结构采用预应力混凝土T梁，桥梁 全宽20.56 m，横桥向由6片中梁和2片边梁组成，横 向设置2道端横隔板和3道中横隔板，间距7.04 m。
桥梁设计中的创新技术与发展趋势
桥梁设计中的创新技术与发展趋势桥梁是连接不同地区的重要交通工具，同时也是城市建设和经济发展的重要组成部分。
在桥梁的设计中，不断涌现出新的技术和趋势，以满足不同的需求和挑战。
下面我们就来看看桥梁设计中的创新技术和发展趋势。
一、桥梁设计中的创新技术1. 预制桥梁技术预制桥梁技术是一种在工厂预制桥梁构件，然后将构件拼装成整体的桥梁技术。
相比于传统的现场施工，预制桥梁技术可以提高施工效率、减少现场危险因素、减少建筑垃圾，同时还可以在工厂进行质量控制。
因此，这种技术受到越来越多的关注和应用。
2. 钢-混凝土组合桥梁技术钢-混凝土组合桥梁技术是将钢和混凝土有效结合，以达到优化桥梁结构和性能的目的。
在这种技术中，钢结构可以提供桥梁的强度和刚度，而混凝土可以提供较好的耐久性。
相比于传统的桥梁结构，这种技术可以减少桥梁自重，提高抗震性能，同时还可以更好地适应大跨度和复杂形状的桥梁设计。
3. 新型材料应用新型材料的应用对于桥梁的设计和建造有着重要的意义。
比如说，碳纤维复合材料可以用于增强桥梁的强度和刚度；玻璃纤维增强环氧复合材料可以用于桥梁的修补和加固；铝合金可以用于制作轻型桥梁等等。
因此，新型材料的应用对于桥梁的设计和建造有着巨大的潜力。
二、桥梁设计的发展趋势1. 大跨度桥梁随着城市的发展和交通的日益繁忙，大跨度桥梁越来越多地应用于城市建设和交通运输中。
大跨度桥梁的设计和建造需要超长跨径的设计技术、高强度材料和精准施工技术等多种手段。
因此，大跨度桥梁是桥梁设计的一个重要的发展趋势。
2. 绿色桥梁绿色桥梁是指在桥梁设计中充分考虑环保和可持续性的桥梁。
这种桥梁有着低能耗、低污染、低噪音、适应气候变化的特点。
绿色桥梁的实现需要经济、社会、环境等多方面因素的综合考虑，是桥梁设计的重要方向。
3. 智能化桥梁智能化桥梁是指使用新技术和传感器等设备，使桥梁具有自我监测、自我诊断、自我维护和自我修复等功能。
这种桥梁可以在桥梁使用寿命的整个周期中提供可靠的监测和维护，以保证桥梁的安全和可靠性。
剖析未来桥梁设计趋势,打造创新教案
剖析未来桥梁设计趋势，打造创新教案桥梁作为连接两个地区之间的重要交通工具，一直是人们的关注点之一。
自从有桥以来，桥梁的设计就一直在不断地创新和发展。
在过去几十年里，桥梁设计经历了从实用主义到美学主义的转变，从传统材料到新型材料的应用等一系列的变化。
那么，未来的桥梁设计会如何发展呢？本文将从多个方面剖析未来的桥梁设计趋势。
1.自适应性能在未来，桥梁将会具有更强的自适应性能，可以主动进行调整并适应外部变化。
比如，当桥梁发现有车辆行驶速度过快，桥梁就会自适应地调整自身结构以更好地承受交通负荷。
另外，在极端天气情况下，如台风、暴雨等，桥梁也能够通过自身的自适应性能来保证其稳定性，减少对交通的影响。
2.轻量化设计未来的桥梁设计将会更侧重于轻量化设计，这将使得桥梁的使用寿命更长对环境的影响更小，并且减少了建造成本。
而且，轻量化设计将极大地减少施工时间和人工成本。
3.新材料的应用未来，桥梁的设计将会更加注重对新材料的应用。
新材料的应用不仅可以大幅度减轻桥梁的重量，还可以提高桥梁的耐久性、承载能力和抗震性能。
新材料的应用还可以扩大桥梁的设计空间，增加桥梁的美观性。
4.智能化设计未来的桥梁将会更加智能化。
随着科技的不断发展，人们可以更好地利用现代智能化技术，例如，结合物联网技术，实时监测桥梁的状况，在出现异常情况时及时处理。
利用先进的传感器、计算机技术和模拟仿真技术，可以更好地实现桥梁的智能化设计，并且可以实时地检测桥梁的状态，及时维护和修理。
5.可持续发展未来的桥梁设计将更加注重可持续发展，这意味着需要考虑桥梁在环境、社会和经济方面的影响。
在设计环节中，需要考虑减少破坏环境的资材和使用能源的浪费。
在建造过程中，需要减少对环境的破坏和污染，从而保护生态环境。
而且，需要考虑桥梁对当地社会和经济的影响，使其更加符合当地的实际情况。
如何打造创新教案为了更好地适应未来的桥梁设计趋势，我们需要从教育方面开始，对于桥梁设计专业的学生，教育机构和教师有责任制订创新的教案，以培养学生的创新思维和创新能力。
桥梁结构设计的创新与发展
桥梁结构设计的创新与发展桥梁是人类在建筑领域的杰作之一。
自古以来，人们就在不断尝试创新和发展，设计出更加优美、坚固、经济、高效、环保的桥梁结构。
本文将从历史、现状和未来三个方面展开论述，探讨桥梁结构设计的创新与发展。
一、历史桥梁的历史可以追溯到几千年前的古代文明时期，人们利用木材、石头、青铜等原材料建造了各种形式的桥梁。
例如，中国古代建造的有名的著作《营造法式》、《施工图》中就有介绍各种古代桥梁的建造方法。
在欧洲，罗马帝国时期修建的万里长城是当时世界最长的桥梁，它的结构坚固耐久，几乎没有修缮。
随着科技的发展，桥梁的结构形式也得到了进一步的改良和提升。
19世纪末和20世纪初，钢和混凝土等新材料的应用使设计出更加复杂和大胆的桥梁成为可能。
1929年，纽约市布鲁克林大桥的建成标志着桥梁结构设计的新时代，它采用了悬浮式跨度结构，成为世界上首座采用混凝土支柱的大桥。
二、现状随着世界经济的发展和城市化进程的加快，公路、高速铁路、城市轨道交通等基础设施的建设不断加强，桥梁结构的创新和发展也随之加快。
经过多年的实践和研究，桥梁结构的设计已经从简单的梁式和拱式结构转变为更加复杂和科技化的斜拉桥、悬索桥、拱索混合桥等结构形式。
例如，我国最著名的水下隧道桥——港珠澳大桥上的港珠澳大桥主桥，它采用了块状斜拉桥结构，长度达到了约29.6公里，不仅是世界上最长的跨海大桥，也是目前世界上使用箱型拱构架的最大跨径单体箱拱。
同时，智能化、环保化、节能化也成为了当前桥梁结构研究的热点。
许多桥梁都采用了机电一体化技术，实现了桥梁的自动调节、智能诊断、远程监控等功能。
例如，我国第一座由自主研发的机电一体化钢管拱桥——南京四江大桥在施工时采用了先进的机器人焊接技术，增强了桥梁的稳定性、可靠性和安全性。
三、未来随着世界对于城市公共交通的需求不断增长，桥梁在未来将会更加重要。
未来的桥梁结构设计将更加注重环保、智能化、高效和安全等多方面的要求。
港珠澳大桥钢结构桥梁建设综述
港珠澳大桥钢结构桥梁建设综述港珠澳大桥作为世界上最长的跨海大桥，其钢结构桥梁的建设具有重要意义。
本文将综述港珠澳大桥钢结构桥梁建设的最新趋势、建设技术、施工管理和维护保养等方面的文献资料，以期为相关领域的进一步研究提供参考。
近年来，钢结构桥梁的建设技术在国内外得到了广泛应用。
港珠澳大桥钢结构桥梁的建设涉及到了多种高端技术，包括大型钢箱梁的制造和安装、高强度螺栓的连接、焊接工艺等。
相关文献资料表明，这些技术的开发和运用在很大程度上提升了港珠澳大桥的建设质量和效率。
在施工管理方面，港珠澳大桥钢结构桥梁建设采用了先进的BIM技术和施工管理系统，实现了对施工现场的全面可视化和数字化管理。
这不仅提高了施工的精度和效率，还有效降低了安全事故的发生率。
同时，一系列严格的施工质量控制措施和监理制度也得到了贯彻执行，确保了桥梁建设的质量和长期耐久性。
维护保养是保证钢结构桥梁长期性能的关键环节。
港珠澳大桥钢结构桥梁的维护保养工作得到了高度重视，相关部门制定了针对性的维护保养计划和实施方案。
通过定期检查、清洁、涂装和结构加固等措施，有效延长了桥梁的使用寿命，确保了桥梁的安全性和稳定性。
虽然港珠澳大桥钢结构桥梁建设在技术、施工管理和维护保养等方面取得了显著成果，但仍存在一些不足和需要进一步探讨的问题。
例如，针对海工环境下的钢结构防腐保护措施仍需加强研究，以提高桥梁在恶劣环境下的耐久性和安全性。
在施工过程中的环境保护和生态修复问题也需给予足够重视，以实现桥梁建设的可持续发展。
综合以上分析，港珠澳大桥钢结构桥梁建设在多个方面取得了显著成果，为我国钢结构桥梁建设领域的发展提供了有力支持。
然而，针对某些关键问题仍需进一步研究和探讨。
未来，随着技术的不断创新和发展，相信钢结构桥梁建设在我国基础设施建设领域的重要性和发展潜力将得到进一步凸显。
随着经济的发展和科技的进步，大型基础设施建设的安全问题越来越受到人们的。
其中，港珠澳大桥的建设作为一项连接香港、珠海和澳门的重大工程，其安全问题更是备受重视。
未来的桥是什么样子
未来的桥是什么样子引言桥梁作为人类社会最古老的建筑之一，承载着连接两地的重要功能。
随着科技的不断发展和人们对可持续发展的追求，未来的桥梁将不再是简单的实用工程，而是兼具美观、环保和智能化的综合体。
本文将探讨未来的桥梁可能的样式和特点，并展望桥梁领域的未来发展。
智能化特征未来的桥梁将注重智能化设计和功能。
通过集成传感器和监测设备，桥梁可以实时监测自身结构的健康状况，并及时报警和维修。
这种智能化功能将大大提高桥梁的使用寿命和安全性。
此外，桥梁还可以根据天气、交通流量等数据自动调整桥面的坡度，提供更舒适的过桥体验。
环保特点未来的桥梁将重视环保和可持续发展。
首先，材料的选择将更加注重环境友好。
例如，使用可再生材料或回收利用的材料来构建桥梁，以减少对自然资源的消耗。
其次，桥梁将更加注重能源的利用和节约。
例如，通过在桥梁上设置太阳能发电设备，可以为桥梁本身提供所需能源，实现自给自足。
结构形式和创新未来的桥梁在结构形式上将更加多样化和创新。
传统的桥梁结构通常是梁式桥或拱桥，但未来的桥梁将更注重个性化设计。
例如，引入悬索桥、斜拉桥等新型结构形式，既能满足实用需求，又提供独特的美观效果。
此外，未来的桥梁还会融入一些创新技术，例如，无人驾驶技术。
这意味着桥梁可以自动识别车辆，并与车辆通信，实现交通流量的精确控制和自动导航。
人性化设计未来的桥梁将注重人性化设计，为人们提供更好的体验和便利。
比如，在桥梁上设置休息区、观景台以及健身设施，让人们在过桥的同时可以享受到休闲和娱乐的乐趣。
此外，未来的桥梁还可以采用绿化设计，增加植被和景观元素，打造更加舒适和美丽的过桥环境。
结论未来的桥梁将具备智能化、环保、创新和人性化等特征。
这些特点将为人们提供更安全、舒适和便利的桥梁体验，也将有助于推动城市发展和可持续发展。
随着科技的不断进步，我们有理由期待未来的桥梁在设计和功能上的新突破，为城市和人类社会带来更大的福祉。
参考文献：1.范健锋, 史晓炜. 智慧桥梁系统综述[J]. 天津大学学报(社会科学版), 2018(02):75-82.2.鞠颖. 可持续发展理论研究述评[J]. 科学社会主义,2019(03):126-128.3.Li, X., Bai, Q., Zhang, Y., Chen, Y., Luo, Z., & Hao, H. (2019). Bridge Inspection and Diagnosis Based on Unmanned Aerial Vehicles Using Image Processing: A Comprehensive Review. Sensors, 19(8), 1953.。
《建筑业10项新技术(2017版)》钢结构技术综述3篇
《建筑业10项新技术(2017版)》钢结构技术综述3篇《建筑业10项新技术(2017版)》钢结构技术综述1建筑业是一个发展迅速的行业，随着科技的不断进步，建筑业的技术也在不断地更新替代。
在新技术的推动下，建筑业也朝着更加高效、安全、可持续的方向发展。
本文将重点介绍《建筑业10项新技术（2017版）》中的钢结构技术。
钢结构技术可以追溯到上世纪六十年代，其主要特点是以高强度钢材作为骨架，并采用现场组装等先进加工技术将各种构件组合成为整体。
相比于传统的混凝土建筑，钢结构建筑具有更快的施工速度、更轻的自重、更大的跨度和更好的可塑性等特点，因此在高层建筑、大跨度结构和特殊建筑等领域广泛应用。
近年来，随着科技的不断发展，钢结构技术也在不断地创新和更新，出现了一些新的技术和应用。
首先，新材料的应用是钢结构技术的重要发展方向。
目前，高强度钢材、新型耐腐蚀钢材、高性能混凝土等新材料的应用已经成为钢结构建筑的重要特征。
这些新材料具有更高的强度和耐久性，可以更好地应对自然环境和人为因素的影响。
其次，先进的设计技术在钢结构建筑中得到了广泛应用。
例如，基于仿生学、振动学等原理的设计方法可以使建筑结构更加优化，达到更好的稳定性和同步性。
此外，采用虚拟模型技术进行结构分析、抗震性能计算、施工模拟等操作可以更加高效、精确地完成钢结构建筑的设计规划。
再次，数字化技术和智能化技术正在钢结构领域得到广泛应用。
例如，通过BIM技术可以实现建筑的三维建模、施工模拟、物流管理等操作，从而提高施工效率和建筑质量。
智能化技术则可以监测建筑结构的实时状态、实现节能控制等功能。
最后，金属3D打印技术也在钢结构领域得到了广泛应用。
3D打印技术可以根据设计需求，打印出符合要求、精度高的建筑构件，并且可以减少材料浪费，提高能源利用率。
总之，钢结构技术在新技术的推动下不断发展，成为建筑业中的一项重要技术。
未来，钢结构技术还将不断进行技术更新和升级，为建筑业的发展带来更多的科技创新和应用随着现代科技的不断进步和应用，钢结构技术在建筑领域的应用也愈发广泛。
TB 10002—2017《铁路桥涵设计规范》主要修订内容解读
TB10002—2017《铁路桥涵设计规范》主要修订内容解读张莉（中国铁路设计集团有限公司土建工程设计研究院，天津300308）摘要：为满足铁路桥涵建设和发展需要、统一设计标准、提高设计水平、保障安全与质量，TB10002—2017《铁路桥涵设计规范》在编制过程中广泛征求建设、设计、施工、运营及科研单位的意见，经反复修改完善修订而成。
该规范在TB10002.1—2005《铁路桥涵设计规范》基础上，结合我国高速铁路、城际铁路、客货共线铁路及重载铁路桥涵建设、运营的实践经验和科研成果，在内容上有了较大扩充，多条条款也有较大修订。
介绍该规范的修订背景、主要修订内容，对较为重要的修订条款进行解读，以期为相关人员准确理解与应用提供帮助。
关键词：铁路桥涵；桥涵设计；设计规范；修订内容；重要条款；标准解读中图分类号：U442.5文献标识码：A文章编号：1001-683X（2020）09-0088-06 DOI：10.19549/j.issn.1001-683x.2020.09.0881修订背景近年来，我国铁路建设持续加快，随着客货共线铁路、高速铁路、城际铁路、重载铁路的大规模建设以及境外铁路项目的持续增多，TB10002.1—2005《铁路桥涵设计基本规范》（简称05《桥规》）已不能适应新的设计条件。
为有效指导不同运营模式下铁路工程的设计工作，国家铁路局、中国国家铁路集团有限公司先后组织编制了一大批适用于不同设计标准、具有专属性质的综合性规范，如《高速铁路设计规范》《城际铁路设计规范》《重载铁路设计规范》《Ⅲ、Ⅳ级铁路设计规范》等。
在此类规范中，对于桥梁结构仅规定了既定的运行模式和设计标准下，结构的动力性能、刚度变形等设计参数和技术指标，以及对结构方面特殊的构造要求；而对于桥涵设计采用的静力计算方法、常规的设计要求等仍需执行05《桥规》的相关规定。
由于05《桥规》仅适用于设计速度160km/h及以下的旅客列车、120km/h及以下的货物列车，因此，仅从近年来的客运专线、客货共线铁路的运营模式看，原规范中的一些条款已经过时或缺少。
桥梁工程的创新与未来展望
桥梁工程的创新与未来展望桥梁作为连接两地的重要交通工具，起着举足轻重的作用。
随着社会的不断发展和进步，桥梁工程也在不断创新和改进。
本文将探讨桥梁工程的创新和未来展望，展现其在实践中的重要性和潜在发展方向。
一、创新理念与技术1.1 材料创新材料的创新对桥梁工程具有重要意义。
新型的高强度钢材、复合材料和纳米材料等，不仅能够提高桥梁的承载能力和耐久性，还能减轻自重，降低对环境的影响。
此外，应用生物材料和可再生能源材料，也是未来桥梁工程发展的方向之一。
1.2 结构创新结构创新是桥梁工程的又一重要方面。
目前，越来越多的工程师开始将现代建筑和桥梁结合，创造出具有独特设计和美观外观的桥梁。
例如，斜拉桥、悬索桥和拱桥等，不仅具有较高的风险承受能力，还能赋予桥梁更多的艺术和文化内涵。
1.3 运维创新随着科技的迅速发展，桥梁运维也在不断创新。
借助传感技术和远程监测系统，工程师们能够实时监控桥梁的运行状态，预测潜在问题并进行及时维护。
此外，利用无人机等高新技术，也能够提供更精准的巡检和维护服务。
二、未来展望2.1 智能桥梁随着人工智能和大数据的不断发展，智能桥梁将成为未来的发展方向之一。
智能桥梁可以通过传感器和监测系统实时感知桥梁的运行状态，预测风险并提前采取措施。
此外，智能桥梁还可以配备自动驾驶技术，提供更安全、高效的交通服务。
2.2 绿色桥梁环境保护日益受到全球关注，绿色桥梁将成为未来发展的重要方向。
通过应用可再生能源和绿色材料，桥梁工程可以减少对环境的负担，降低碳排放，实现可持续发展。
同时，结合景观设计，打造生态友好型桥梁，提高周边环境的品质。
2.3 高效桥梁随着城市化进程的加快，交通拥堵越来越成为城市发展的难题。
因此，高效桥梁的研究和建设势在必行。
高效桥梁应具备更大的通行能力和运输效率，缩短行车时间，提高交通效率。
此外，采用智能交通系统和智能化管理手段，也是高效桥梁实现的关键。
综上所述，桥梁工程的创新和未来展望涉及材料创新、结构创新和运维创新等方面。
2017全国科普创新大赛之未来出行桥梁设计获奖作品
2017全国科普创新大赛之未来出行桥梁设计获奖作品作者：赵笑乾来源：《西部论丛》2018年第08期摘要：二十一世纪是全面创新的时代，各行各业的创新层出不穷，尤其在科技创新方面，更是不断推陈出新，也因此更吸引了越来越多的人加入其中，作为未来国家的主人——广大青少年也对此充满强烈的好奇和兴趣，所以当2017全国青少年科普创新大赛开赛的时候，当然会吸引广大青少年踊跃参加，再加上学校的高度重视和大力支持，作为对科技创新有着浓厚兴趣的高二学生，当然是不会错过这个机会，毫不犹豫地加入到了这个队伍里。
关键词：赛事作品收获1 赛事介绍1.1这次大赛是由中国科学科普部和中共团中央学校部主办，已经成功举办过四届，竞赛对象分为大学组和中学组，全国十五个赛区，哈尔滨市是黑龙江省、吉林省和辽宁省三省参赛选手的赛区，大赛命题分为创意作品单元（未来教育和未来出行）和科普实验单元（风能利用和火星探索）。
我们经过认真考虑并经过学校的初步选拔之后，参加了未来出行之桥梁设计，为江西省会昌县高排乡高排村一座桥设计桥梁。
1.2该地现有一座13米小桥，由于建成年代太久、设计简单、材料单一，年久失修，过桥安全无法保证等等，已经不适合继续使用。
我们认真研究了组委会提供的資料和媒体经过实地考察报道的资料，了解到目前该桥建成后主要受益人群主要是桥一侧幼儿园里200多小朋友的出行问题，没有大中型货车的通行，需求并不大，但放眼未来，随着社会经济的不断发展，人们生活水平的日益提高，该桥梁不但一定要满足老百姓的日常出行，还要满足家庭轿车、小型机动车和农用车的通行；在桥型的选择上，我们详细研究了当地的建桥条件，包括河床周围的地质条件、当地的经济情况、人们的生活水平、未来桥梁的使用需求以及各种桥型的特点，此处非常适合建平板桥，斜拉桥，悬索桥和石拱桥等其他桥型由于存在施工困难、桥梁部件更换年限短、更换起来困难等缺点，不适合当地，最后我们决定为当地设计一座吊杆平板桥，取名卧龙桥。
桥梁钢—混凝土组合结构设计原理(第二版,)2017
桥梁钢—混凝土组合结构设计原理(第二版)，2017一、绪论1.1 组合结构的概念桥梁钢—混凝土组合结构是一种由钢结构和混凝土结构组合而成的结构，在桥梁工程中具有广泛的应用。
1.2 发展历史组合结构在桥梁工程中的应用可以追溯至19世纪，随着材料科学和结构设计理论的不断发展，组合结构的设计原理也得到了不断完善。
二、桥梁钢—混凝土组合结构的优势2.1 结构性能优越钢和混凝土两种材料各自具有不同的优势，组合结构能够充分发挥两种材料的性能，提高桥梁的承载能力和抗震性能。
2.2 施工便利钢—混凝土组合结构能够充分利用工厂化生产的优势，实现模块化设计和快速施工。
三、桥梁钢—混凝土组合结构设计原理3.1 结构设计原则组合结构的设计原则包括梁板结构设计、腹板设计、节点设计等方面，需要考虑材料的组合、连接和受力性能。
3.2 荷载分析在进行组合结构设计时，需要对荷载情况进行详细的分析，包括静载荷、动载荷以及风荷载等。
四、桥梁钢—混凝土组合结构设计方法4.1 构件设计桥梁钢—混凝土组合结构的设计需要对构件进行合理的设计，包括梁板、腹板、拉杆等构件的设计。
4.2 连接设计钢—混凝土组合结构的连接设计是关键，需要考虑连接的刚度、强度和耐久性，以确保整个结构的稳定性和安全性。
五、桥梁钢—混凝土组合结构的应用5.1 欧洲经典案例欧洲地区有许多著名的桥梁钢—混凝土组合结构案例，例如米兰大桥、巴黎埃菲尔铁塔等。
5.2 我国发展现状近年来，随着我国桥梁建设的快速发展，桥梁钢—混凝土组合结构在我国也得到了广泛应用，例如深圳湾大桥、杭州湾大桥等。
六、桥梁钢—混凝土组合结构的未来发展随着材料科学和工程技术的不断进步，桥梁钢—混凝土组合结构在未来将会有更广阔的发展前景，可以结合新材料和新技术，实现轻质化、高强度化和耐久性的提升。
七、结论桥梁钢—混凝土组合结构作为一种高效、节能、环保的结构形式，在桥梁工程中具有重要的应用价值。
相信随着工程技术的不断进步和设计理论的不断完善，将会有更多具有创新性的桥梁钢—混凝土组合结构问世，为桥梁工程的发展贡献更多力量。
桥梁结构用钢的现状及发展
桥梁结构用钢的现状及发展黄琦;夏勐;彭林;丁朝晖;吴湄庄;吴保桥【摘要】国内钢结构用钢朝着采用热轧H型钢替代部分钢结构的方向发展,但面临热轧H型钢的规格配套及钢种匹配还不完善等问题,在相关标准及设计规范方面有待开展进一步研究.【期刊名称】《安徽冶金科技职业学院学报》【年(卷),期】2018(028)001【总页数】3页(P5-7)【关键词】桥梁结构用钢;高性能;热轧H型钢【作者】黄琦;夏勐;彭林;丁朝晖;吴湄庄;吴保桥【作者单位】马钢股份公司技术中心安徽省马鞍山 243100;马钢股份公司技术中心安徽省马鞍山 243100;马钢股份公司技术中心安徽省马鞍山 243100;马钢股份公司技术中心安徽省马鞍山 243100;马钢股份公司技术中心安徽省马鞍山243100;马钢股份公司技术中心安徽省马鞍山 243100【正文语种】中文【中图分类】TG142.41桥梁钢结构行业是交通运输业发展所需的基础行业，受到国家产业政策的大力支持，国家对交通运输行业的投入也逐年加大，自2010年国家对公路桥梁、铁路桥梁、市政桥梁的总投入达到9253亿元，到2017年已经超过16000亿元，且后期继续加大投入的势头强劲。
根据交通运输部、铁道部颁布的《国家高速公路网规划》与《中长期铁路网规划(2008年调整)》，到2020年我国高速公路网总里程将达到8.5万km，铁路营业里程要将达到12万km以上。
大规模的交通运输基础设施投资，将有效的带动包括桥梁建设工程和施工机械设备相关制造业的发展，也为钢铁产业的转型升级带来广阔的市场空间[1]。
1 国内外桥梁结构用钢发展1.1 国内发展随着桥梁建设过程中所面临的恶劣服役条件对桥梁结构用钢在力学性能、工艺性能和耐候性能等方面的要求逐渐提高，国内桥梁结构用钢沿着“碳锰钢→低合金钢→高强钢→高性能钢”的发展轨迹[2]，大致经历了六代产品的更迭，具体如表1所示。
从发展历程来看，国内在桥梁结构用钢的化学成分、工艺控制、实物性能等方面已经开展了深入研究，朝着具有高强度、优良低温韧性、良好的耐蚀性及抗疲劳性的高性能钢方向发展。
海工高性能混凝土配合比设计
检测结果 质量要求
9.7 ≤12
7.6 ≤15
0.4 ≤0.5
良好 /
6．粉煤灰：华能大连电厂的Ⅰ级粉煤灰 表6
检测项目 细度（45um 方孔筛筛余） （%）
粉煤灰指标表
检测结果 7.4 1.0 94 82 92 1.3 规范要求 ≤12 ≤5 ≤100 ≥80 ≥90 ≤3
328 表7
检测项目 细度（45um 方孔筛筛余） （%） 烧失量（%） 二氧化硅（%） 火山灰活性指数（%）
中 国 水 运 硅灰指标表
检测结果 3.2 1.78 89.2 112 规范要求 ≤10 ≤6 ≥85 ≥90
第 17 卷
现砂的细度模数在 2.5~2.7 之间较为适宜，最后根据试验的 实际情况进行综合确定。本工程由于优质砂源有限而只能采 用细度模数为 2.9~3.0 的砂。 （2）掺入粉煤灰不仅可以填充混凝土本身的部分孔隙， 提高一定的密实性，还能改善和易性；对于海工高性能混凝 土而言，混凝土早期强度不明显，但后期强度贡献较大。粉 煤灰的用量通过试验来调整，同时也要考虑到混凝土的后期 强度，施工性能综合确定。 （3）采用粉煤灰硅灰双掺，硅灰掺 4%，粉煤灰掺 20% 并考虑 1.4 的超掺系数。 经过多次试拌调整确定如下配合比。 表 10
材料 初步设计 配合比 水泥 （kg） 308
三、承台 C45F350P4 高性能混凝土配合比设计 1．承台 C45F350P4 高性能混凝土配合比设计基本要求 大连南部滨海大道工程桥梁结构设计基准期为 100 年， 承台处于水位变动区， 设计采用 C45F350P4 高性能混凝土。 高性能混凝土根据《水运工程混凝土施工规范》 JTS202-2011 及《海港工程混凝土结构防腐蚀技术规范》 JTJ275-2000 耐久性要求：水胶比≤0.35，最小胶凝材料 用量≥400kg/m3，抗氯离子渗透性≤1,000C；图纸设计要 求抗冻等级 F350、抗渗等级 P4。另外，为满足施工泵送要 求，混凝土坍落度拟设计为 160~200mm。 2．技术路线 采用低水胶比， 采用高性能减水剂降低用水量进而也有效 降低胶材用量， 采用掺合料提高耐久性和混凝土和易性。 考虑 到有抗冻要求，单独加入引气剂以提高混凝土的抗冻性能。 根据以上技术路线，初步考虑采用单掺硅灰进行配合比 设计如下。 表8
未来桥梁的设计及发展方向
未来桥梁的设计及发展方向未来桥梁的设计及发展方向-力学2班刘佩玮1117030233 总览迄今为止，古今中外所有的桥梁均按照构造和受力体系分类，大致可分为8种：刚架桥、拱桥、系杆拱桥、简支梁桥、连续梁桥、T构桥、斜拉桥、悬索桥。
如中国古桥赵州桥、各种石拱桥、混凝土拱桥、钢管拱桥均属拱桥类；南京长江大桥、九江长江大桥、杭州钱江二桥等属连续梁桥类；美国旧金山的金门大桥、中国西陵长江大桥、汕头海湾大桥均属悬索吊桥；武汉长江二桥、芜湖长江大桥、宜昌夷陵长江大桥等均属斜拉桥类。
21世纪，随着高强度钢、玻璃钢、铝合金、碳纤维等太空轻质材料的大量启用，桥梁建筑的主要材料将不断更新，桥梁结构的形式将呈现出多样化发展格局。
而斜拉索桥是半个多世纪以来最富于想象力和构思内涵最丰富而引人注目的桥型，它具有广泛的适应性。
一般来说，对于跨度从200m至700m左右的桥梁，斜拉索桥在技术上和经济上都具有相当优越的竞争能力。
然而，随着斜拉索桥跨度的增大，将会面临桥塔过高和斜索过长等一系列技术问题。
另外，必须提到的是，斜拉索桥的斜拉索可以说是这种桥梁的生命线，至今国内外已发生过几起通车仅几年就因斜拉索腐蚀严重而导致全部换索的不幸工程实例。
因此如何做好斜拉索的防腐工作，确保其使用寿命，仍是当今桥梁界十分重视的重要课题。
值得一提的是，目前世界上第二高的桥梁米约大桥就是采用斜拉索桥的设计。
尽管全长达2.46公里，但只用7个桥墩支撑，其中2、3号桥墩分别高达245米和220米，是世界上最高的两个桥墩。
如果算上桥墩上方用于支撑斜拉索的桥塔，最高的一个桥墩则达到343米，超过法国巴黎著名的埃菲尔铁塔23米。
大桥总重29万吨，其中仅钢结构桥面就重达3.6万吨。
斜拉索桥的优点是：梁体尺寸较小，桥梁的跨越能力较大；受桥下净空和桥面标高的限制少；便于悬臂施工等。
不足之处是，它是多次超静定结构，设计计算复杂；索与梁或塔的连接构造比较复杂；施工中高空作业较多，且施工控制等技术要求严格。
桥梁设计中的创新构造和材料应用
桥梁设计中的创新构造和材料应用简介：桥梁作为城市交通和交流的重要组成部分，其设计及建设一直以来都是工程技术的重点领域。
随着科技的不断发展以及人们对城市交通要求的提高，桥梁的设计构造和材料应用也在不断创新和改进。
本文将探讨桥梁设计中的创新构造和材料应用，以期提供一些启示和思考。
一、创新构造1. 悬索桥悬索桥作为一种常见的桥梁结构，其创新构造主要体现在两个方面。
首先是悬索桥的主跨设计，现代悬索桥的主跨长度不断刷新纪录，不断挑战工程技术的极限；其次是悬索桥的桥面设计，通过创新的桥面结构和连接方式，提高了悬索桥的承载能力和使用寿命。
2. 斜拉桥斜拉桥是一种通过倾斜的斜拉索来支撑桥面的结构，其创新构造主要体现在两个方面。
首先是斜拉索的设计，通过优化斜拉索的布置和张力分配，改善了桥梁的整体刚度和抗风性能；其次是桥塔的设计，现代斜拉桥的桥塔结构越来越高大，能够在复杂地质条件下确保桥梁的稳定性和安全性。
3. 拱桥拱桥作为一种古老而经典的桥梁结构，其创新构造主要体现在两个方面。
首先是拱桥的支座设计，通过采用先进的支座技术，减小了拱桥的变形和位移，提高了桥梁的整体稳定性；其次是拱桥的桥面设计，借助先进的材料和构造方法，提高了拱桥的承载能力和使用寿命。
二、材料应用1. 高性能混凝土高性能混凝土是指具有优异的力学性能和耐久性能的混凝土材料，其材料应用主要体现在两个方面。
首先是桥墩和桥台的材料选择，采用高性能混凝土可以提高桥墩和桥台的承载能力和抗震性能；其次是桥面板和护栏的材料选择，使用高性能混凝土可以提高桥梁的使用寿命和安全性。
2. 高强度钢材高强度钢材是一种具有更高屈服强度和抗拉强度的钢材，其材料应用主要体现在两个方面。
首先是悬索桥和斜拉桥中的悬索索材料选择，使用高强度钢材可以减小悬索索的直径和长度，减轻桥梁的自重；其次是桥梁的梁体材料选择，采用高强度钢材可以提高梁体的承载能力和整体刚度。
3. 新型复合材料新型复合材料是指由两种或更多种材料组合而成的材料，其材料应用主要体现在两个方面。
采用CMOS和CNFET技术的4～2压缩机新型高性能桥梁结构(IJMECS-V9-N6-7)
I.J. Modern Education and Computer Science, 2017, 6, 48-58Published Online June 2017 in MECS (/)DOI: 10.5815/ijmecs.2017.06.07A New High-Performance Bridge Structure for 4-to-2 Compressor using CMOS and CNFETTechnologyMehdi DarvishiDepartment of Computer Engineering, Rafsanjan Branch, Islamic Azad University, Rafsanjan, IranEmail: mehdi.db.4471@Mehdi BagherizadehDepartment of Computer Engineering, Rafsanjan Branch, Islamic Azad University, Rafsanjan, IranEmail: m.bagherizadeh@srbiau.ac.ir*Correspondence: M. BagherizadehAbstract—In this paper, a new high-speed and energy efficient 4-to-2 compressor cell was presented using carbon nanotube field effect transistors (CNFETs). CNFET is very suitable for high-frequency and low-voltage applications. In addition, in this paper several conventional and state-of-the-art 4-to-2 compressor cells are surveyed and compared. In order to evaluate the proposed designs, computer simulations are carried out using 32nm-CMOS and 32nm-CNFET technologies. Simulations are conducted using various low voltage power supplies, different temperatures, frequencies and load capacitors. Results of simulation demonstrate predominance of the proposed design in terms of power consumption, delay, and power-delay product (PDP) compared to other 4-to-2 compressor cells and they confirm that the proposed design is the fastest 4-to-2 compressor in various working circumstances.Index Terms—Carbon Nanotube Field Effect Transistor, CNFET, 4-to-2 Compressor, Compressor, Nanotechnology.I.I NTRODUCTIONTodays' need of designing large-scale, high-speed and low-power integration (VLSI) circuits has been increased extremely. However, there are a number of problems in the technology of scaling metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs). Problems like drain-induced barrier lowering effect, leakage current, and other short channel effects degrade the performance of VLSI circuits [1]. In other words, with scaling down of the feature size in nano ranges, MOSFET technology has faced significant challenges including high sensitivity to process variations, decreased gate control, high-power densities, and short channel effects [2, 3]. Actually scaling becomes a difficult task when thinking to shrink their sizes more and more. Difficulties related to system efficiency and manufacturing technology. Many solutions have been proposed by experts to fix this problem. One of the solutions to overcome these problems is carbon nanotube field effect transistors (CNFETs) technology [4, 5]. Due to the similarity between MOSFETs and CNFETs in terms of natural features and operation, CNFET appears to be more promising and practical compared to other nanotechnologies [5]. A carbon nanotube field effect transistor has a carbon nanotube, which could be a single nanotube or a nanotube array. In nature, nanotubes are stationary and could carry a high electric current [4]. One of the remarkable characteristics of CNFET is that N-CNFET and P-CNFET, with the similar device geometries. These transistors have the same mobility and identical current drive capabilities, which is very important for transistor sizing in intricate circuits[6].Multiplication is the most important arithmetic operation in many applications executed on common and specific purpose digital processors. A multiplication process consists of three phases: partial product generation, partial product reduction, and the final carry propagating addition. The most area consuming and power dissipating part among aforementioned three phases is partial products reduction. This phase has received a lot of attention by researchers of digital multipliers [7, 8].In multiplication hardware and multi-operand addition, compressor cells seem to be the most generic bit-compressing cells with main application. Digital multiplication circuits are used extensively in digital signal processors and microprocessors. Performance of many arithmetic algorithms depends on multiplier’s efficiency [9]. Due to the critical role of compressor cells in the design of efficient multipliers, the comprehensive study of design alternatives of these cells was motivated. Compressor cells are used in multiplier circuits in order to reduce the number of partial products. The advantages and performance of compressor cells are understood via gate level analysis. The real implementation of these cells is based on thefinal figs of merits namely area, delay, and power consumption [10, 11]. In this paper, new 4-to-2 compressor cells are presented using a novice method. The new design based on new interpretation of compressor cell functionality, all with the goal of increased efficiency. The efficiency of 4-to-2 compressor cells is exclusively influential on performance of multiplication computations [12]. A 4-to-2 compressor is functionally equal to two cascaded Full Adders (FAs) [9, 13]. The structure of compressor could be of more interesting using the CNTFET technology. Therefore, in this paper a new designing method for 4-to-2 compressor cells is introduced using CNTFET technology. The efficiency of our proposed 4-to-2 compressor cell has been thoroughly checked under different frequencies, temperatures, voltage supply and load capacitors.In the rest of this paper, a brief review of carbon nanotube field effect transistors is presented in section 2. In section 3, recently reported compressors' architectures and literature are reviewed. Section 4 introduces our proposed CNFET-based 4-to-2 compressor cell, while the corresponding simulation results and comparisons for 4-to-2 compressor cells are offered in Section 5. Finally, Section 6 presents the conclusions.II.C ARBON N ANOTUBE F IELD E FFECT T RANSISTORS(CNFETS)To generate smaller chips, scalability is applied which has led to challenges in MOSFET characteristics [11], since researchers pursue an appropriate replacement for MOSFET technology. Results of elementary experiments conducted on semiconductor single walled CNFETs demonstrate equivalent manner like that of MOSFETs. CNFET technology is qualified to become an appropriate replacement for MOSFET at nanoscale, due to the good electric attributes of this technology, including timely switching and acceptable current- voltage conversion[11, 14, 15]. With respect to that of MOSFET, these transistors have high-speed and low-power consumption. Another advantage of CNFET is its appropriate function at low-input voltages [11]. Actually, carbon nanotube (CNT) is a sheet of graphite that is rolled up along a wrapping vector [16]. CNTs have appropriate features such as ballistic convey of electrons along the tube and a simple construction process. These features make them appropriate for designing CNFETs[17]. CNTs are classified into two categories: single-wall CNTs (SWCNTs) and multi-wall CNTs (MWCNTs). SWCNTs are composed of one cylinder while MWCNTs have more than one cylinder[17]. Each CNT has a specified vector called chirality, which is defined as 12ch=na+ma: where, (n, m) are chiral numbers and (a1, a2) are unit vectors[11]. SWCNTs could be conducting or semiconducting, in order to the relationship between (n, m) in chiral vector [18]. If n-m=3k(k z)∈, CNT is metallic, otherwise is semiconductor[18].Semiconducting SWCNTs can be applied as the channel of CNFET device [17]. The width of a CNFET gate can be nearly computed according to (1)[19].gate Min(min , Pitch)W W N≈⨯(1)Where, N is the number of nanotubes under the gate and minW is the minimum width of the gate. The distance between the centers of two adjoining SWCNTs under the same CNFET gate is called pitch, which directly affects width of the gate and contacts of the device[5]. One of the most advantageous features of a CNFET device is that the appetence threshold voltage can be adjusted by adopting appropriate diameter for its CNTs [17]. This feasible characteristic makes CNFET more flexible than MOSFET for designing digital circuits and makes it very appropriate for designing multi-threshold circuits [5].The threshold voltage of CNFET is computed by (2)[17].pthCNT(nm)CNT(nm)0.436==VD DaV(2) Where, 0 (0.142 nm)a is the length of carbon-to-carbon bond in a CNT[17], 3.033V p eV the carbon ππ-bond energy in the tight bonding model, and e represents the electric charge of a single electron[20].CNTD is the diameter of its nanotube which is computed by Equation (3)[17].22CNT3a n nm mDπ++=(3) Where,03a is the distance between carbon atoms, 3.033πeV is the carbon -ππ bond energy in the tight bonding model, and n and m chiral numbers[11]. In the literature, three different types of CNFETs have already been presented, namely SB-CNFET, T-CNFET and MOSFET-LIKE CNFET [17]. SB-CNFET is a tunneling device. This device works on the tenets of direct tunneling by a schottky Barrier at the source channel intersection [5]. SB-CNFETs indicate strong ambipolar specifications that restrict the application of these devices in CMOS-like logic families. This kind of CNFET is suitable to moderate high-efficiency applications [5].Due to more correspondence with MOSFET in terms of physical characteristics and device structure, MOSFET-LIKE CNFET is more suitable for circuit designing according to CMOS architectures [17]. The third kind of CNFET is called the band-to-band tunneling CNFET (T-CNFET). This kind of CNFET has low ON currents and high cut-off characteristics. T-CNFET is very appropriate for low-power and subthreshold circuit designing [21].In addition, another important characteristic of CNFET, which makes it more promising, is its unique one-dimensional band structure which suppresses backscattering and causes near-ballisticoperation [3]. Chirality of a CNT is the angle difference between grapheme strip’s orientation and axis o f the resulting nanotube. Chirality of CNTs affects their semiconducting behavior [4]. In general, CNFET has a higher performance and lower power consumption compared to silicon-based MOSFET and it is very suitable for low-voltage and high-frequency applications [5].III. R ELTED W ORKSThere are different designs of 4-to-2 compressor cells which have been proposed in various literature [10, 12, 22-25]. In this section, several CMOS and CNFET-based 4-to-2 compressor cells are briefly reviewed. The conventional 4-to-2 compressor cell is shown in Fig.1. This compressor cell has 64 transistors using CMOS implementation of basic blocks. The conventional 4-to-2 compressor cell has a higher noise margin compared to other designs.Another CMOS 4-to-2 compressor design is shown in Fig.2a [10]. This design is based on (4) and (5). In this design, one full adder and four NAND gates are used on two-input XNOR. The performance of this compressor cell depends on the full adder used in this cell [25].x3x4CARRYMUXci x4x1x2SUMcix1COUTMUX x3Fig.1. Conventional Compressor Design.4123()()i SUM XC X X X =⊗⊗(4)12344()()()i i COUT X X X C X X C =⊗⊗⊗+ (5)The CMOS 4-to-2 compressor design in [24] is shown in Fig.2b. The critical path delay of this cell equals the sum of delays of one NAND and two 2-way XNOR and one 2-way XOR gate. There are 72 transistors in this compressor cell.Another CMOS design shown in Fig.2c has 70 transistors [22].The functionality of this design is based on (6), (7) and (8). The critical path of this cell is about three 2-way XOR gates [25]. 1234()()i SUM X X X X C =⊗⊗(6)123(C C )C COUT =+(7)O 12C (C )C =(8)The 4-to-2 compressor design is shown in Fig.2d. The critical path delay of this structure equals the sum of delays of one 2-way XOR, two 2-way XNOR, and two 2-way NAND gates. To design this cell, 78 transistors are required using CMOS implementation of basic blocks [25].CMOS 4-to-2 compressor design in [12] which is shown in Fig.2e focuses on gate decomposition to employ less transistors [26]. In this design, by decomposition of four XOR gates to three simple gates, eliminates excess of five gates in total of cell. The critical path delay of this cell equals the sum of delays of three NOR and three NAND and one NOT gate. In this cell, the critical path at output nodes is very long which leads to long propagation delay [25]. This design has 74 transistors. The CNFET design in [25] is shown in Fig.2f. In this design, in pull-down and pull-up networks, transistors with normal threshold are used which are controlled by NOT gate with different threshold voltages. To design COUT output, a gate level of a multiplexer cell and a majority function are used. All transistors in the multiplexer cell are of normal threshold [25]. Another CNFET 4-to-2 compressor cell is designed in [27]. This design is highly dependent on diameters of CNT. Accordingly, it is highly sensitive to process and voltage variations.IV. P ROPOSED 4-T O -2 C OMPRESSOR C ELLIn this section, a new structure is designed for a 4-to-2 compressor. The proposed design is implemented based on CNFET bridge style. In fact, the proposed structure module has advantages of the bridge style including simplicity of the design and low-power consumption. This design offers significant performance improvement compared to an exact 4-to-2 compressor in terms of power consumption, delay, PDP, and the number of transistors [28]. The proposed compressor cell shown in Fig.5, is composed of three separate fully symmetric CNFET pass-transistor networks to implement the SUM and COUT and CARRY outputs in a parallel manner. The first network is a 3-input XOR circuit, which implements the COUT output using 10 CNFETs based on bridge structure and a NOT gate to convert to COUT. The functionality of proposed 4-to-2 compressor cell is based on (9) - (13).1231223(X )(X X )(X X )COUT X X ⋅=⋅⋅+⋅+ (9)312231(X )()()()S COUT COUT COUT X X COUT X X X =⋅⋅+⋅+⋅+⋅⋅ (10)44()()(X )i i i CARRY X C S C S C =⋅⋅+⋅+⋅ (11)14()i S X C =⊗ (12)1()SUM S S =⊗ (13)In the following, the proposed structure is discussedin detail.A. Bridge StructureFig.2. (a) CMOS design [10], (b) CMOS design [24], (c) CMOS design [22], (d) CMOS design [23], (e) CMOS design [12], (f) CNFET design[25].Bridge structures are circuits that create a conditional connectivity between two circuit nodes. Using this type of structure, the classical VLSI circuits can be designed smaller and faster than the conventional method. One of the important parameters in circuit design is the chip area. Therefore, the bridge structure might increase density or reduce the area of transistors in unit of area [29]. For instance, implementation of the majority function using bridge structure is illustrated in Fig.3.Majority function could be implemented via a fully symmetric style using bridge structure. Majority are given in figure as the (14).(,,)()Majority A B C A C B C A B =⋅+⋅+⋅ (14)Based on above information, it can be said that the bridge structure could be able to design VLSI circuits in a symmetric manner, which is very advantageous for VLSI layout design, placement and routing. This development can be design mentioned circuits in smaller area [29]. B. Bridge Structure Full AdderThe significant advantage of bridge structure for circuit designing is low number of transistors, its simplicity and modularity. In fact, structure of the bridge by shortening the route and reducing the transistors, reduces the complex and increases the efficiency of proposed 4-to-2 compressor cell [29-31]. Fig.4 shows a full adder cell designed using bridge structure. This bridge design of fullFAx1x2x3CoutSumCarrypQ1Q2x4ciS Cci x4MUXci x4x1x2x3x4ciSUMCOUT(a)(b)HAHAFAx1x2x3x4ciCOUT CARRYSUMcscscs cix1x2x3SUMx4ci x1ci x1COUT(c)(d)CARRY(e)C x1x2x3x4ciA BABABVddSUMCOUTCARRYBAx1x2x3c (f)ciSUMCOUTx1x2x3x4adder performs realizations by organizing some different branches.ABABVDDGNDBCCBC CMAJORITYFig.3. Bridge implementation of majority function (fully-symmetricstyle).B AABCi BACiABGNDVDDCiAA CiBCoCoSUMCOUTVDDGNDVDDGND GNDVDDBCoFig.4. Bridge full adder [29-31].Bridge design style centralizes its attention on meshes and connects each two adjacent meshes by a transistor, called bridge transistor; whereas each branch provides a path from supply lines to an output [30]. The functionality of the presented Full Adder cell is based on (15) and (16).()i i COUT A B A C B C =⋅+⋅+⋅ (15)()i i SUM C A B C Co Co B Co A Co =⋅⋅+⋅+⋅+⋅⋅ (16)Bridge transistors create a new path from supply lines to an output to provide the possibility of sharing transistors of different paths. Variants of logic circuits can be easily realized with respect to high flexibility of bridge methodology. The bridge transistors must be arranged such that they not only validate the accuracy of the circuit, but also keep pull-up and pull-down networks mutually exclusive. In general, bridge structure can lead to highly structured designs. In this structure, control signals can be applied to the sides of meshes. With respect to the high flexibility of bridge methodology, variants of logic VLSI circuits can be easily realized. C. New 4-to-2 compressor design based on CNFET bridge structureIn the proposed design, two-input XOR gates, three not gate, one bridge structure, and one bridge full adder circuit are used. The XOR gate structures has a low number of transistors with very low power consumption. In the proposed design of 4-to-2 compressor, all three outputs were achieved using a bridge structure Fig.3 Two outputs, SUM and CARRY, are obtained concurrently. This is the most efficient way to reduce delay and power consumption at the same time.In fact, in some digital computing systems, the basic cell is the compressor which has five inputs (X1, X2, X3, X4 and Ci) and three outputs (SUM, COUT and CARRY). Fig.5 depicts a schematic of proposed 4-to-2 compressor. The proposed compressor cell has a symmetric structure which leads to more simple layout process. This structure has totally 44 transistors. Fig.6 depicts the final structure of proposed 4-to-2 Compressor.SUMx2x3x4ciBridge-FAx1SCoutBridge stracturex4ciCARRYFig.5. A schematic of proposed design.The proposed design of 4-to-2 compressor is quite different from the previous structures and it highly outperforms them. This design is completely based on bridge structure. Compared to other designs fewest number of transistors are used. The proposed method to design a 4-to-2 compressor is a super high-speed design and has a very good performance compared to all designs offered up to now.V. S IMULATION R ESULTSIn this section, the proposed designs are evaluated comprehensively in various situations and are compared with other classical and state-of-the-art CMOS and CNFET-based 4-to-2 compressor cells. All designs are simulated using Synopsys HSPICE 2008 simulator tool with 32nm-CMOS technology for CMOS circuits and 32nm-CNFET technology for CNFET-based circuits. Results of this simulation are used to compare the performance of proposed compressor to the performance of other classical and state-of-the-art CMOS and CNFET compressors simulated using Stanford comprehensiveCNFET SPICE model which is described in [32] and using the post-layout CMOS library of standard cell. This standard model has been designed for enhancement-mode unipolar MOSFET-like CNFETs, where each transistor may contain more than one CNT as its channel.All structures of 4-to-2 compressor cells are simulated using 32nm technology. Maximum delay has been considered as the delay of circuit. To measure cell delay, all possible transitions have been generated through test patterns and it is applied for all structures.Fig.6. The structure of proposed 4-to-2 compressor.Simulations are carried out at room temperature and various supply voltages, frequencies and loads are used for it. We provide simulation results of delay, power consumption, and PDP in 27o C with the 0.65V supply voltage, in frequency of 100MH and 2.1fF load capacitor based on MOSFET technology.In the simulation, CMOS design of [10] Fig.2a, CMOS design of [24] Fig.2b, CMOS design of [22] Fig.2c, CMOS design of [23] Fig.2d, CMOS design of [12] Fig.2e, CNFET design of [25] Fig.2f, and the proposed design, Fig.6, in MOSFET technology are surveyed. Results of this simulation is shown in Table 1. Based onVDDCiX4CiGNDGNDVDDCARRYSCiSSSGNDCiSGNDCOUTCOUTCOUTCOUTVDDVDDGNDGND VDDCOUTCOUTVDDGNDGNDSUMS1X4CiX4S1SSSX4CiCiX4X2X1X3X1X1X1X2X2X2X2X2X3X3X3X3X3S1this table, it is clear that the proposed design consumes less static power, less delay and the best PDP among other designs. The best results at each parameter are demonstrated with bold-faced numbers.According to experimental results, the proposed design has the shortest delay, power and the lowest PDP compared to the other designs in MOSFET technology. In another experiments, all circuits are simulated at 0.65 V power supply, 27°C and at 100MH operating frequency with 2.1fF output load capacitance in CNFET technology [25].Here, all MOSFET designs turned into CNFET, and we proved that the proposed in comparison with all designs. In addition to MOSFET technology, in CNFET technology also has full superiority. Results of this experiment are listed in Table 2. Experimental results indicate that the proposed design again has the shortest delay, lowest power consumption and lowest PDP compared to other designs at all parameters.As shown in these tables, the proposed design has the lowest delay, power consumption and PDP in comparison to other circuits. In the next section, superiority of the proposed design over other designs will be examined comprehensively. A. Temperature AnalysisIn temperature analysis, circuits are simulated in a wide temperature range of 0–100°C with 0.65V powersupply, 2.1fF load capacitor and 100MH frequency.Simulation results for delay, power and PDP are shown in Fig.7, respectively [10]. Simulation results show that the proposed design is consistently faster, consume less power, delay and PDP optimized than the reference designs [10].255075100125150175200225250P D P (E -17j )Temperature (°C)(a)Design[23]Design[24]Design[22]Design[12]Design[10]Design[25]Porposed2468101214161820P o w e r (E -7W )Temperature (°C)(b)Design[23]Design[24]Design[22]Design[12]Design[10]Design[25]Porposed20406080100120140D e l a y (E -10S )Temperature (°C)(c)Design[23]Design[24]Design[22]Design[12]Design[10]Design[25]PorposedFig.7. PDP (a) power consumption (b) and delay (c) vs. temperature.In particular, the delay, power consumption, and PDP plotted in Fig.7 from 0°C to 100°C in order to achieve lowest delay, power consumption, and PDP. Simulation results also show robustness of theTable 1. Simulation results in 27○C with the 0.65V in frequency100MH and c-load 2.1fF with MOSFET technology. PDP(×10-17j ) Power(×10-7w ) Delay (×10-10s ) Compressor Designs 207.14 1.7496 118.40 CMOS-Design [23] 40.160 2.0368 19.718 CMOS-Design [24] 182.65 1.8027 101.32 CMOS-Design [22] 46.883 2.3500 19.950 CMOS-Design [12] 39.794 1.6182 24.592 CMOS-Design [10] 18.13418.5220.97904CMOS-Proposed Design Table 2. Simulation results in 27○C with the 0.65V in frequency100MH and c-load 2.1fF with CNFET technology. PDP(×10-17j ) Power(×10-7w ) Delay (×10-10s ) Compressor Designs 16004 159.43 100.38 CNFET-Design [23] 0.70352 1.6606 0.42365 CNFET-Design [24] 156.81 1.5632 100.31 CNFET-Design [22] 177.34 1.7675 100.33 CNFET-Design [12] 0.59425 1.3956 0.42579 CNFET-Design [10] 6.0417 8.7052 0.69403 CNFET-Design [25] 0.378621.35940.27851CNFET-Proposed Designproposed circuit against temperature variations. B. Power Supply AnalysisFig.8 shows simulation results for the studied circuits in a wide voltage range of 0.5–1.1V , based on constant temperature of 27°C, 2.1fF load capacitor and 100MH frequency.500100015002000250030003500400045000.50.650.9 1.1 1.5P D P (E -17j )Power supply (V)(a)Design[23]Design[24]Design[22]Design[12]Design[10]Design[25]Porposed40801201602002402803203600.50.650.91.11.5P o w e r (E -7W )Power supply (V)(b)Design[23]Design[24]Design[22]Design[12]Design[10]Design[25]Porposed204060801001201400.50.650.91.11.5D e l a y (E -10S )Power supply (V)(c)Design[23]Design[24]Design[22]Design[12]Design[10]Design[25]PorposedFig.8. PDP (a) power consumption (b) and delay (c) vs. voltage scaling.In particular, the delay, power consumption, and PDP plotted in Fig.8 in 0.5V , 0.65V , 0.9V , 1.1V , and 1.5V power supply in order to achieve lowest delay, power consumption, and PDP[10].C. Load Capacitor AnalysisIn order to analyze the driving capability of the studied circuits, all of which are simulated for a wide range of load capacitance from 1.4fF to 4.9fF at 27°C with 0.65V power supply and frequency of 100MH.4080120160200240280320360400 1.4 2.13 3.8 4.9P D P (E -17j )Load capacitor (fF)(a)Design[23]Design[24]Design[22]Design[12]Design[10]Design[25]Porposed12345678910111.42.133.84.9P o w e r (E -7W )Load capacitor (fF)(b)Design[23]Design[24]Design[22]Design[12]Design[10]Design[25]Porposed153045607590105120135150 1.42.133.84.9D e l a y (E -10S )Load capacitor (fF)(c)Design[23]Design[24]Design[22]Design[12]Design[10]Design[25]PorposedFig.9. (a) PDP, (b) power consumption, Delay (c) vs. load capacitance.Results can be examined in Fig.9, where the proposed compressor circuit shows off even if a large load capacitance is used. Delay, power consumption, and PDP are plotted in Fig.9 in order to achieve lowest delay, power consumption, and PDP.D. Operating Frequency AnalysisIn this analysis, compressor circuits are simulated in various frequencies ranges of 250, 400, and 500MH with 0.65V power supply, temperature of 27°C, and 2.1fF load capacitor.Table 3. Simulation results in 27○C with 0.65V and c-load 2.1fFin different frequencies.Frequency (MHz) 250MH 400MH 500MHDelay (×10-10s)CNT-Design [23]40.384 25.384 20.387CNT-Design [24]0.42434 0.42551 0.66334CNT-Design [22] 40.314 25.315 20.314CNT-Design [12] 40.332 25.339 20.344CNT-Design [10] 0.42466 0.42489 0.42688CNT-Design [25]0.72815 0.72501 0.73107CNT-Proposed Design 0.27641 0.2767 0.28002Average Power (×10-7w)CNT-Design [23] 161.84 164.14 165.63CNT-Design [24] 4.1033 6.6269 4.7265CNT-Design [22] 3.8414 6.1898 7.6943CNT-Design [12] 4.3429 6.9578 8.6932CNT-Design [10] 3.4901 5.4331 6.7791CNT-Design [25] 10.757 12.825 14.22CNT-Proposed Design 3.2581 5.1385 6.3813Leakage PDP (×10-17j)CNT-Design [23] 6535.6 4166.5 3376.7CNT-Design [24] 1.7412 2.8198 3.1353CNT-Design [22] 154.86 156.69 156.30CNT-Design [12] 175.16 176.31 176.85CNT-Design [10] 1.4821 2.3085 2.8938CNT-Design [25] 7.8330 9.2984 10.395CNT-Proposed Design 0.90056 1.4218 1.7869 Simulation results for delay, power and PDP are shown in Table 3, respectively. In Table 3, it is seen that the proposed design has the best response at all frequencies. Simulation results show that the proposed 4-to-2 compressor is consistently faster and more efficient than reference designs.VI. C ONCLUSIONA new energy-efficient, high-speed and low-PDP CNFET-based 4-to-2 compressor has been proposed in this paper. Feature size scaling is a technique to improve the performance of circuits, but it leads to a variety of critical challenges when it reduces further into nano ranges. Therefore, new technologies for circuit design, including SET, QCA, and CNFET are considered among which CNFET is the more promising successor.The proposed 4-to-2 compressor design has been evaluated in terms of delay, power supply, PDP with different frequencies and has been compared with several state-of-the-art compressor cells. Moreover, some additional experiments have been performed to evaluate the immunity of proposed design to the accuracy of fabrication and process variations. All designs of 4-to-2 compressor cells are simulated in various supply voltages, frequencies, temperatures and load capacitors using HSPICE circuit simulator. Simulation of all implemented designs has been performed by HSPICE simulation tool. 32nm-CMOS technologies have been used for simulating CMOS circuits, and 32nm-CNFET technologies have been used for simulating CNFET circuits. More importantly, all projects MOSFET once with CMOS technology and once with CNFET simulation technology, and in both cases proposed design is superior. Simulation results have demonstrated superiority of the proposed design in terms of the mentioned metrics compared to other designs.R EFERENCES[1]J. K. Sahani and S. Singh, "Design of Full Adder CircuitUsing Double Gate MOSFET," in 2015 Fifth International Conference on Advanced Computing & Communication Technologies, 2015, pp. 57-60.[2]M. Bagherizadeh and M. Eshghi, "Two novel low-powerand high-speed dynamic carbon nanotube full-adder cells," Nanoscale research letters, vol. 6, pp. 1-7, 2011. [3]S. Lin, Y.-B. Kim, and F. Lombardi, "A novel CNTFET-based ternary logic gate design," in Circuits and Systems, 2009. MWSCAS'09. 52nd IEEE International Midwest Symposium on, 2009, pp. 435-438.[4]H. Gautam and P. Bindra, "Structure and a DetailedAnalysis of Various Simulation Results of CNTFET: A Review," International Journal of Scientific Engineering and Technology, vol. 4, 2015.[5]M. H. Moaiyeri, R. F. Mirzaee, K. Navi, and A. Momeni,"Design and analysis of a high-performance CNFET-based Full Adder," International Journal of Electronics, vol. 99, pp. 113-130, 2012.[6]M. Bagherizadeh, M. H. Moaiyeri, M. Eshghi, "Digitalcounter cell design using carbon nanotube FETs," inJournal of Applied Research and Technology, 2017. [7]L. Dadda, "Some schemes for parallel multipliers," Altafrequenza, vol. 34, pp. 349-356, 1965.[8] C. S. Wallace, "A suggestion for a fast multiplier," IEEETransactions on electronic Computers, pp. 14-17, 1964. [9] C. H. Chang, J. Gu, and M. Zhang, "Ultra low-voltagelow-power CMOS 4-2 and 5-2 compressors for fast arithmetic circuits," IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, vol. 51, pp. 1985-1997, 2004.[10] A. Pishvaie, G. Jaberipur, and A. Jahanian, "ImprovedCMOS (4; 2) compressor designs for parallel multipliers,"Computers & Electrical Engineering, vol. 38, pp. 1703-1716, 2012.。
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面向未来的高性能桥梁结构研发与应用
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轻型组合桥面新理念
超高性能轻型组合桥面
裂缝
混凝土桥面铺装
钢桥面铺装
开裂
高模量 超韧混凝土层 (永久结构层)
4580mm
17
传统钢桥面
轻型组合桥面
钢—超韧混凝土(STC)轻型组合桥面优点：
（1）提高桥面局部刚度40倍以上，延长钢桥面疲劳寿命超3倍 （2）钢桥面铺装的难题不复存在
高性能桥梁之三：城市UHPC高架桥梁
2017/5/28
面向未来的高性能桥梁结构研发与应用
4
主要内容
关于UHPC
高性能桥梁之一：钢-STC轻型组合桥面
高性能桥梁之二：单向预应力UHPC连续箱梁桥
高性能桥梁之三：城市UHPC高架桥梁
2017/5/28
面向未来的高性能桥梁结构研发与应用
2017现代交通桥梁新技术发展研讨大会
面向未来的高性能桥梁结构 研发与应用
邵旭东
湖南大学UHPC桥梁结构研发团队 2017年5月11日·上海
面临的挑战
我国的公路桥梁已逾80万座
名副其实的桥梁大国
但是，
钢桥面破损、混凝土梁桥开裂下挠、装配化程度
低等根深蒂固的难题没有解决
阻碍了中国成为桥梁强国
2017/5/28 2017/5/28
发表于《混凝土》1993年第3期
基于对UHPC18年的研究积累，2010年起， 专注研发用UHPC强化钢桥面的技术
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面向未来的高性能桥梁结构研发与应用
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超高性能轻型组合桥面
基于UHPC，提出了钢-超韧混凝土STC (Super Toughness
Concrete)轻型组合桥面结构，以大幅度提高钢桥面局部刚度， 解决病害问题。
UHPC的超韧性
UHPC是当今世界上最先进的混凝土材料之一。
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关于UHPC
UHPC
不同材料等强度对比
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7
关于UHPC
国内外颁布了多个UHPC规程或指南。
中国2015
法国2013
瑞士2016
日本2006
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面向未来的高性能桥梁结构研发与应用
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关键技术
但新体系存在以下技术空白：
沥青铺装层
10~15MPa的拉应力
STC层 (永久结构层)
STC层拉应力高
如何确保STC层百年不开裂?
如何确保STC层与钢板牢固结合？
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薄层 组合
界面剪应力大
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面向未来的高性能桥梁结构研发与应用
1.05 N (a0 ac1.05 ) / (6.825 1016 4.1 )
滑移增长率： log 10.574 14.053F / Qu 疲劳断裂寿命：
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铺装层 (6~40mm) 超韧混凝土结构层(35~60mm) 短栓钉和钢筋 钢面板
轻型组合桥面
授权发明专利：ZL201210521668.1、ZL201110384487.4、ZL 201410276349.8、
ZL201310749788.1、ZL201510026894.6、 ZL 201410474441.5
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关键技术
针对技术空白点2：提出适宜的矮剪力键形式和计算公式
矮剪 力键
常规栓钉
抗剪承载力： S-N疲劳曲线：
短栓钉
Qu (0.85 Asc f f c'd wclwc ) / v
首次提出了UHPC中短剪力钉的设计计算公式：
8log log N 22.1131
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钢桥面的难题
钢桥的正交异性钢桥面两大病害长期得不到解决
面板
纵肋
横隔板
（1）钢桥面易疲劳开裂，存在断裂高风险！
开裂
推移
坑槽
（2）钢桥面沥青铺装频繁破损，翻修成本巨大！
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1.1 钢桥面的难题 发明背景
上述病害在我国十分普遍而严重，已成为钢桥的癌症，钢 桥面板通常运营不足 10年便开裂，铺装一般使用 5~8年便 破损，这些顽疾属世界性难题。
最近一次大修花费一个亿！
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面向未来的高性能桥梁结构研发与应用
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钢桥面的难题
病害的根本原因：钢桥面太柔
开裂 4580mm 裂缝
5
关于UHPC
UHPC(Ultra-High Performance
Concrete) ，即 超高性能混凝土 ， 也 称 作 活 性 粉 末 混 凝 土 RPC (Reactive Powder Concrete) ，系
指抗压强度150MPa以上、具有超高
韧性和超长耐久性的水泥基复合材料， 由法国学者于1993年研发成功。
面向未来的高性能桥梁结构研发与应用
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研发宗旨
为此，以需求为导向——
研发面向未来的高性能桥梁新结构 力求突破桥梁建设的技术瓶颈。
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主要内容
关于UHPC
高性能桥梁之一：钢-STC轻型组合桥面
高性能桥梁之二：单向预应力UHPC连续箱梁桥
美国2013
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UHPC材料工程应用
--- 已成功应用于300余座桥梁
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主要内容
关于UHPC
高性能桥梁之一：钢-STC轻型组合桥面
高性能桥梁之二：单向预应力UHPC连续箱梁桥
高性能桥梁之三：城市UHPC高架桥梁
关键技术
针对技术空白点1：以UHPC为基础，研发了钢桥面专用的超韧 混凝土STC
超高性能混凝土UHPC
抗拉强度 约8 MPa 收缩应变 约800με
掺混杂纤维 密配筋
超韧混凝土STC
30-42 MPa 约80με
掺纳米材料 蒸汽养护
确保超韧混凝土STC能抵抗钢桥面上的高拉应力
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沥青铺装层
传统沥青体系
问题和抓手：如何在不增加自重的前提28
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超高性能轻型组合桥面
用UHPC从源头上解决难题
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超高性能轻型组合桥面
湖南大学是国内最早 研究UHPC的单位之一