贴片三极管测量与分类资料
贴片三极管引脚 三极管的识别分类和测量
贴片三极管引脚三极管的识别分类和测量贴片三极管引脚三极管的识别分类及测量符号：“Q、VT”三极管有三个电极，即b、c、e，其中c为集电极（输入极）、b为基极（控制极）、e为发射极（输出极）三极管实物图：贴片三极管功率三极管普通三极管金属壳三极管二、三级管的分类：按极性划分为两种：一种是NPN型三极管，是目前最常用的一种，另一种是PNP型三极管。
按材料分为两种：一种是硅三极管，目前是最常用的一种，另一种是锗三极管，以前这种三极管用的多。
三极按工作频率划分为两种：一种是低频三极管，主要用于工作频率比较低的地方；另一种是高频三极管，主要用于工作频率比较高的地方。
按功率分为三种：一种是小功率三极管，它的输出功率小些；一种是中功率三极管，它的输出功率大些；另一种是大功率三极管，它的输出功率可以很大，主要用于大功率输出场合。
按用途分为：放大管和开关管。
三、三极管的组成：三极管由三块半导体构成，对于ＮＰＮ型三极管由两块Ｎ型和一块Ｐ型半导体构成，如图Ａ所示，Ｐ型半导体在中间，两块Ｎ型半导体在两侧，各半导体所引出的电极见图中所示。
在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面形成两个ＰＮ结，在基极与集电极之间的ＰＮ结称为集电结，在基极与发射极之间的ＰＮ结称为发射结。
图Ｂ是ＰＮＰ型三极管结构示意图，它用两块Ｐ型半导体和一块Ｎ型半导体构成。
ＡＢ四、三极管在电路中的工作状态：三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。
当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的。
1、截止状态：当三极管的工作电流为零或很小时，即IB=0时，IC和IE也为零或很小，三极管处于截止状态。
2、放大状态：在放大状态下，IC=βIB，其中β(放大倍数)的大小是基本不变的（放大区的特征）。
有一个基极电流就有一个与之相对应的集电极电流。
3、饮和状态：在饮和状态下，当基极电流增大时，集电极电流不再增大许多，当基极电流进一步增大时，集电极电流几乎不再增大。
工作状态定义电流特征解流截止状态集电极与发射极之间电阻很大 IB=0或很小，IC或IE为零或很小因为IC＝βIB利用电流为零或很小特征，可以判断三极管已处于截止状态放大状态集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制，基极电流大，其内阻小 IC＝βIBIE=(1+β)IB有一个基极电流就有一个对应的集电极电流和发射极电流，基极电流能有效地控制集电极电流和发射极电流饱和状态集电极与发射之间内阻很小各电极电流均很大，基极电流已无法控制集电极电流和发射极电流电流放大倍数β已很小，甚至小于1（用直流电控制信号的一种方式）五、三极管的作用：放大、调制、谐振、开关1、电流放大：三极管是一个电流控制器件，它用基极电流IB来控制集电极电流IC和发射极电流IE，没有IB就没有IC和IE，只要有一个很小的IB，就有一个很大的IC。
三极管的识别与检测只是分享
贴片三极管有三个电极的，也有四个电极的。 一般三个电极的贴片三极管从顶端往下看有 两边，上边只有一脚的为集电极，下边的两 脚分别是基极和发射极。在四个电极的贴片 三极管中，比较大的一个引脚是三极管的集 电极，另有两个引脚相通是发射极，余下的 一个是基极。
5.2.4 三极管的主要技术指标
1.电流放大系数β
三极管的识别与检测
5.1.1几种常见三极管的外形及特点 1.小功率三极管
通常情况下，把集电极最大允许耗散功率 PCM在1W以下的三极管称为小功率三极管。
中功率三极管
中功率三极管主要用在驱动和激励电路，为 大功率放大器提供驱动信号。通常情况下， 集电极最大允许耗散功率PCM在1～10W的 三极管称为中功率三极管。
2. 美国晶体管型号命名法的特点： (1) 型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对
于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N开 头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。因此，仍有一些厂家按 自己规定的型号命名法命名。 (2) 组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号 的基本部分。 (3) 除去前缀以外，凡型号以1N、2N或3N 开头的晶体管分立器件， 大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。 (4) 第四部分数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的 两器件可能特性相差很大。例如，2N3464为硅NPN，高频大功率管，而 2N3465为N沟道场效应管。 (5) 不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。同一型 号中某些参数的差异常用后缀字母表示。因此，型号相同的器件可以通 用。 (6) 登记序号数大的通常是近期产品。
三极管引脚的排列方式具有一定的规律。对于国产 小功率金属封装三极管，底视图位置放置，使三个 引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e、 b 、c；有管键的管子，从管键处按顺时针方向依次 为e、 b 、c，其管脚识别图如图（a）所示。对于国 产中小功率塑封三极管使其平面朝向外，半圆形朝 内，三个引脚朝上放置，则从左到右依次为e b c，
贴片三极管
贴片三极管1. 引言贴片三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
本文将介绍贴片三极管的基本概念、结构和工作原理，并探讨其在电路设计和应用中的重要性。
2. 贴片三极管的基本概念贴片三极管，也称为表面贴装三极管，是一种体积小、重量轻、功耗低且可靠性高的电子器件。
它通常由三个区域组成，分别是基区、发射区和集电区，其中基区负责控制电流流经发射区和集电区的程度。
3. 贴片三极管的结构贴片三极管通常由硅(Si)或砷化镓(GaAs)材料制成。
其结构主要包括P型和N型半导体材料的层状叠加。
发射区是N型材料，集电区是P型材料，而基区则是夹在两者之间的N型材料。
4. 贴片三极管的工作原理贴片三极管的工作原理基于PN结的导电性。
当正向偏置施加到发射区-基区结上时，使得发射区中的电子被注入到基区中，同时在基区和集电区之间形成一个电流。
这一过程又被称为“开路”，因为此时三极管可以导通电流。
5. 贴片三极管的应用由于贴片三极管体积小、重量轻且功耗低，因此在电子领域中得到广泛应用。
它常用于放大、开关和稳压等电路中。
在放大电路中，贴片三极管可以作为放大器的关键部件，将微弱的输入信号放大到所需的输出水平。
在开关电路中，贴片三极管通过开启或关闭电路，控制电流的流动。
而在稳压电路中，贴片三极管可以稳定电压，使其保持在一定的范围内。
6. 质量和可靠性质量和可靠性是评估贴片三极管的重要指标。
由于贴片三极管通常直接焊接在PCB板上，因此其质量对整个电子设备的稳定运行至关重要。
制造商通常采用高温老化测试和可靠性验证来确保贴片三极管的质量和可靠性。
7. 结论贴片三极管是一种重要的电子元件，对现代电子技术的发展和应用起到了重要作用。
通过了解贴片三极管的基本概念、结构和工作原理，我们能更好地理解其在电路设计和应用中的重要性。
同时，对贴片三极管的质量和可靠性有一定的了解，可以帮助我们选择合适的贴片三极管并确保其在电子设备中的正常运行。
三极管-知识大全,原理、运用、分类、检测、参数13页word文档
三极管-知识大全，原理、运用、分类、检测、参数三极管三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管,晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关。
什么是三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是如图所示的几种器件，可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里[1]面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇电子三极管Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。
其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨的说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！！！电子三极管Triode （俗称电子管的一种）双极型晶体管BJT （Bipolar Junction Transistor）J型场效应管Junction gate FET（Field Effect Transistor）金属氧化物半导体场效应晶体管MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称V型槽场效应管VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）注：这三者看上去都是场效应管，其实结构千差万别J型场效应管金属氧化物半导体场效应晶体管V沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS 管的一种大功率改经型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。
三极管知识及测量方法
三极管知识及测量方法三极管（transistor）是一种常用的电子器件，广泛应用于电子电路中。
本文将介绍三极管的基本知识和测量方法。
一、三极管基础知识1.三极管的基本结构三极管由两个PN结组成，有三个引脚：基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。
三极管主要分为NPN型和PNP型两种。
2.三极管的工作原理三极管在不同的工作状态下有不同的功能，主要有以下三个状态：-放大状态：在放大状态下，基极电流较小，只有微弱的信号，但输出在集电极上得到放大。
-关断状态：在关断状态下，基极电流为零，三极管完全截断，没有任何输出。
-饱和状态：在饱和状态下，集电极电流最大，基极电流较大，信号被完全放大。
3.三极管参数表达-电流放大倍数（β）：指的是输入电流变化到输出电流的变化比例。
- 输入电阻（Rin）：指的是输入电阻与基极之间的电阻。
- 输出电阻（Rout）：指的是输出电阻与集电极之间的电阻。
- 横向导通电压（Vbe）：指的是基极与发射极之间的电压。
二、三极管的测量方法1. 测量三极管灵敏度（hfe）-步骤一：将万用表（电流档）的电位器旋钮完全逆时针旋转为最低电流档。
-步骤二：将测试引脚与三极管的E（发射极）和B（基极）相连，并测量电流。
-步骤三：将测试引脚与三极管的C（集电极）和B（基极）相连，并测量电流。
- 步骤四：计算hfe值，hfe = Ic / Ib，其中Ic为集电极电流，Ib 为基极电流。
2.测量三极管的共射输入电阻-步骤一：将测试引脚与三极管的E（发射极）相连，并测量电阻。
-步骤二：将测试引脚与三极管的B（基极）相连，并测量电阻。
- 步骤三：计算输入电阻，输入电阻 = Ube / Ib，其中Ube为基极与发射极之间的电压，Ib为基极电流。
3.测量三极管的共射输出电阻-步骤一：将测试引脚与三极管的E（发射极）和C（集电极）相连，并测量电阻。
-步骤二：将测试引脚与三极管的E（发射极）相连，并测量电阻。
- 步骤三：计算输出电阻，输出电阻 = Uce / Ic，其中Uce为集电极与发射极之间的电压，Ic为集电极电流。
如何区分贴片三极管NPN与PNP
（3）否则，重复步骤，直到测得的两个阻 值都很小或者测试三次以上为止。
（4）若以红表笔为基准，把三极管的三个
管脚都试了一遍，但它们都不满足步骤的条件，
则说明这个三极管是 NPN 型的三极管，对它的进
一步判断步骤如下：把红、黑表笔位置对调一下， 即以黑表笔为基准，红表笔分别接另外两个管
斜垮着那红得发黑的单肩包，一个人悠然的享受。知道那个他的存在
表笔相接触的那个管脚是它的基极 b.对它的进
一步判断是:将红、黑表笔对调一下，即将黑表
笔接触基极 b，红表笔先后接另外两个管脚，重 复测量一次，若测得的两个阻值均很大，则说明
此三极管就是 PNP 型的三极管，且红、黑表笔对
调后，与黑表笔相接触的那个管脚就是它的基极
b,这就是证明原来判断是正确的。
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贴片三极管分为 PNP 与 NPN 型，一般说来，
PNP 型三极管的外壳比 NPN 型高得多。另外，NPN
型三极管外壳上有一个突出标志，我们可根据这 些不同就可以把它们区分开来.。
可以用万用电表的欧姆挡来判断根据等效
电路的不同,就可以用万用表的欧姆挡来区分它
们.方法如下：将万用电表拨至适当的欧姆挡(实 际上,在测量的过程中,要根据需要适当调节欧
脚。若某一次测得的这两个阻值都很小（即阻值
小于几百欧姆），则说明这个三极管是 NPN 型的
三极管，与黑表笔相接触的那个管脚是它的基极 b。
由以上可知，用万用电表测阻值法不仅可以
区分 PNP 和 NPN 型三极管，而且还可以把三极管
的基极 b 判断出来。
三极管基础知及测量方法
三极管基础知识及测量方法三极管基础知识及测量方法一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN结。
正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。
在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。
绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。
由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 kΩ = 0.1mA 。
如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC=β*IB=10mA。
在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。
当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。
当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。
当VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS流过。
使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。
当 VGS>VT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。
二、晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。
三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。
按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。
按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。
贴片三极管引脚_三极管的识别分类及测量[1]
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贴片三极管引脚三极管的识别分类及测量符号：“Q、VT”三极管有三个电极，即b、c、e，其中c为集电极（输入极）、b为基极（控制极）、e为发射极（输出极）三极管实物图：贴片三极管功率三极管普通三极管金属壳三极管二、三级管的分类：按极性划分为两种：一种是NPN型三极管，是目前最常用的一种，另一种是PNP型三极管。
按材料分为两种：一种是硅三极管，目前是最常用的一种，另一种是锗三极管，以前这种三极管用的多。
三极按工作频率划分为两种：一种是低频三极管，主要用于工作频率比较低的地方；另一种是高频三极管，主要用于工作频率比较高的地方。
按功率分为三种：一种是小功率三极管，它的输出功率小些；一种是中功率三极管，它的输出功率大些；另一种是大功率三极管，它的输出功率可以很大，主要用于大功率输出场合。
按用途分为：放大管和开关管。
三、三极管的组成：三极管由三块半导体构成，对于ＮＰＮ型三极管由两块Ｎ型和一块Ｐ型半导体构成，如图Ａ所示，Ｐ型半导体在中间，两块Ｎ型半导体在两侧，各半导体所引出的电极见图中所示。
在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面形成两个ＰＮ结，在基极与集电极之间的ＰＮ结称为集电结，在基极与发射极之间的ＰＮ结称为发射结。
图Ｂ是ＰＮＰ型三极管结构示意图，它用两块Ｐ型半导体和一块Ｎ型半导体构成。
ＡＢ四、三极管在电路中的工作状态：三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。
当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的。
1、截止状态：当三极管的工作电流为零或很小时，即IB=0时，IC和IE也为零或很小，三极管处于截止状态。
2、放大状态：在放大状态下，IC=βIB，其中β(放大倍数)的大小是基本不变的（放大区的特征）。
有一个基极电流就有一个与之相对应的集电极电流。
3、饮和状态：在饮和状态下，当基极电流增大时，集电极电流不再增大许多，当基极电流进一步增大时，集电极电流几乎不再增大。
工作状态定义电流特征解流截止状态集电极与发射极之间电阻很大IB=0或很小，IC或IE为零或很小因为IC＝βIB利用电流为零或很小特征，可以判断三极管已处于截止状态放大状态集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制，基极电流大，其内阻小IC＝βIBIE=(1+β)IB有一个基极电流就有一个对应的集电极电流和发射极电流，基极电流能有效地控制集电极电流和发射极电流饱和状态集电极与发射之间内阻很小各电极电流均很大，基极电流已无法控制集电极电流和发射极电流电流放大倍数β已很小，甚至小于1（用直流电控制信号的一种方式）五、三极管的作用：放大、调制、谐振、开关1、电流放大：三极管是一个电流控制器件，它用基极电流IB来控制集电极电流IC和发射极电流IE，没有IB就没有IC和IE，只要有一个很小的IB，就有一个很大的IC。
如何辩别贴片三极管和场效应管
如何辩别贴片三极管和场效应管1、中、小功率三极管的检测A 已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏(a) 测量极间电阻。
将万用表置于R×100或R×1K挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。
其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。
但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。
(b) 三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。
ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。
而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。
通过用万用表电阻直接测量三极管e-c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下:万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。
要求测得的电阻越大越好。
e-c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小;反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。
一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。
(c) 测量放大能力(β)。
目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE 的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。
先将万用表功能开关拨至挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。
另外:有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值，其颜色和β值的对应关系如表所示，但要注意，各厂家所用色标并不一定完全相同。
贴片三极管引脚 三极管的识别分类及测量
贴片三极管引脚三极管的识别分类及测量符号：“Q、VT”三极管有三个电极，即b、c、e，其中c为集电极（输入极）、b为基极（控制极）、e为发射极（输出极）三极管实物图：贴片三极管功率三极管普通三极管金属壳三极管二、三级管的分类：按极性划分为两种：一种是NPN型三极管，是目前最常用的一种，另一种是PNP型三极管。
按材料分为两种：一种是硅三极管，目前是最常用的一种，另一种是锗三极管，以前这种三极管用的多。
三极按工作频率划分为两种：一种是低频三极管，主要用于工作频率比较低的地方；另一种是高频三极管，主要用于工作频率比较高的地方。
按功率分为三种：一种是小功率三极管，它的输出功率小些；一种是中功率三极管，它的输出功率大些；另一种是大功率三极管，它的输出功率可以很大，主要用于大功率输出场合。
按用途分为：放大管和开关管。
三、三极管的组成：三极管由三块半导体构成，对于ＮＰＮ型三极管由两块Ｎ型和一块Ｐ型半导体构成，如图Ａ所示，Ｐ型半导体在中间，两块Ｎ型半导体在两侧，各半导体所引出的电极见图中所示。
在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面形成两个ＰＮ结，在基极与集电极之间的ＰＮ结称为集电结，在基极与发射极之间的ＰＮ结称为发射结。
图Ｂ是ＰＮＰ型三极管结构示意图，它用两块Ｐ型半导体和一块Ｎ型半导体构成。
ＡＢ四、三极管在电路中的工作状态：三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。
当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的。
1、截止状态：当三极管的工作电流为零或很小时，即IB=0时，IC和IE也为零或很小，三极管处于截止状态。
2、放大状态：在放大状态下，IC=βIB，其中β(放大倍数)的大小是基本不变的（放大区的特征）。
有一个基极电流就有一个与之相对应的集电极电流。
3、饮和状态：在饮和状态下，当基极电流增大时，集电极电流不再增大许多，当基极电流进一步增大时，集电极电流几乎不再增大。
工作状态定义电流特征解流截止状态集电极与发射极之间电阻很大IB=0或很小，IC或IE为零或很小因为IC＝βIB利用电流为零或很小特征，可以判断三极管已处于截止状态放大状态集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制，基极电流大，其内阻小IC＝βIBIE=(1+β)IB有一个基极电流就有一个对应的集电极电流和发射极电流，基极电流能有效地控制集电极电流和发射极电流饱和状态集电极与发射之间内阻很小各电极电流均很大，基极电流已无法控制集电极电流和发射极电流电流放大倍数β已很小，甚至小于1（用直流电控制信号的一种方式）五、三极管的作用：放大、调制、谐振、开关1、电流放大：三极管是一个电流控制器件，它用基极电流IB来控制集电极电流IC和发射极电流IE，没有IB就没有IC和IE，只要有一个很小的IB，就有一个很大的IC。
贴片式三极管
贴片式三极管摘要：1.贴片式三极管的定义与结构2.贴片式三极管的分类3.贴片式三极管的主要参数4.贴片式三极管的应用领域5.贴片式三极管的发展趋势正文：一、贴片式三极管的定义与结构贴片式三极管，又称表面贴装三极管，是一种常见的半导体器件。
它是由三个区域（发射区、基区、集电区）构成的，具有放大和开关等功能。
贴片式三极管采用表面贴装技术，具有体积小、重量轻、性能稳定等特点。
二、贴片式三极管的分类根据结构和材料不同，贴片式三极管可分为两类：1.硅材料贴片式三极管：以硅为基材，发射区与集电区掺杂不同杂质，实现NPN 和PNP 两种结构。
2.锗材料贴片式三极管：以锗为基材，具有较高的工作频率和较低的噪声系数。
三、贴片式三极管的主要参数贴片式三极管的主要参数包括：1.型号：表示三极管的类别和规格，如2N3904、MBR2045 等。
2.功耗：表示三极管能承受的最大功率，单位为瓦特（W）。
3.电流放大系数：表示三极管的电流放大能力，单位为倍数。
4.集电极- 基极反向击穿电压：表示三极管集电极与基极之间的最大反向电压，单位为伏特（V）。
5.工作温度范围：表示三极管能正常工作的环境温度范围。
四、贴片式三极管的应用领域贴片式三极管广泛应用于各种电子设备和电路中，如：1.信号放大：在放大器、振荡器等电路中实现信号放大功能。
2.电流控制：在开关电路、稳压器等电路中实现电流控制功能。
3.调制：在调制器、解调器等电路中实现信号调制和解调功能。
4.信号处理：在滤波器、振荡器等电路中实现信号处理功能。
五、贴片式三极管的发展趋势随着电子技术的发展，贴片式三极管在体积、性能、可靠性等方面将得到进一步提高。
最新三极管的识别与检测ppt课件
基极确定后，用红表笔接基极，黑表笔依次接触另外两个引 脚，如果显示屏上的数值都显示为0.600～0.800V，则所测三 极管属于硅NPN型中、小功率管。其中，显示数值较大的一 次，黑表笔所接引脚为发射极。如果显示屏上的数值都显示 为0.400～0.600V，则所测三极管属于硅NPN型大功率管。其 中，显示数值大的一次，黑表笔所接的引脚为发射极。
1．带阻尼三极管
带阻尼三极管是将三极管与阻尼二极管、保护 电阻封装为一体构成的特殊三极管，常用于彩 色电视机和计算机显示器的行扫描电路中。
2．差分对管
差分对管是将两只性能参数相同的三极管封 装在一起构成的电子器件，一般用在音频放 大器或仪器、仪表的输入电路做差分放大管。
3．达林顿管
达林顿管是复合管的一种连接形式。它是将两只三极管或更 多只三极管集电极连在一起，而将第一只三极管的发射极直 接耦合到第二只三极管的基极，依次级联而成。
E、C极之间正反向电阻都接近无穷大。 检测结果与上述不相时，可判断为达林顿三极管损坏。
5.3.2 数字式万用表检测三极管
利用数字万用表不仅可以判别三极管管脚极性、 测量管子的共发射极电流放大系数hFE，还可以鉴 别硅管与锗管。由于数字万用表电阻挡的测试电流 很小，所以不适用于检测三极管，应使用二极管挡 或hFE挡进行测试。
例如：
1) 三极管3AD50C：锗材料PNP型低频大功率 三极管，如图（a）所示；
2) 三极管3DG201B: 硅材料NPN型高频小功 率三极管如图（b）所示。
5.2.2 国外三极管的命名方法 1. 日本半导体器件型号命名法有如下特点： （1）型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，
B、E极之间正反向电阻都比较小（具体测量值与内接电阻有关），但B、 E极之间的正向电阻（黑笔接B，红笔接E）会略小一点，因为测正向电 阻时发射结会导通。
三极管检验标准
3、引脚电镀良好，无氧化、锈迹、污物等；
C
4、批量一致性好，无混料等。
A
目视 目视
目视
尺寸
符合规格书要求。
B 用游标卡尺测量、用印制板进行试装（对照样品）
电性能
放大倍数--Hfe：符合规格书要求
集电极－基极截止电流Icbo：ICBO应符合产品规格书要求
饱和电压
饱和电压--Vces：符合规格书要求
A 输入条件Vce,Ic后，用晶体管测试仪测出hFE， A 输入测试条件Vcb,Ic=0后，用晶体管测试仪测出截止电流Icbo A 输入条件Ie,Ic后，用晶体管测试仪测出Vces
A
焊锡槽温度调定于235±5℃（无铅为260±5℃），先将被测样品 引线浸入助焊剂中，然后将引线沿轴线方向浸入熔化焊锡内，时 间2～3S，浸入长度应离器件本体1.5~2.0mm，取出后用放大镜观
有铅调温焊锡槽 （或无铅调温焊锡槽）
放大镜
察。
★
附着力 (贴片三极管)
贴片三极管不允许从印制板上脱落
A
将贴片三极管焊在印制板相应焊盘上，沿贴片三极管轴线垂直方 向施加5N拉力10±1S
普通三极管
项目类别
检测项目及技术要求
质量 特性
检验方法
包装 外观
1、产品包材完好，包装应防潮，包装袋上应标明物料编码、数 量、名称、规格型号、生产日期、状态及生产厂家．
C
环保产品，必需在包装上标有 标识或“RoHS” 或认可的环保标识 。
A
1、器件无明显损伤，表面无油污，批峰等现象；
C
2、器件标识清晰，完整，型号规格符合样品或规格书要求； C
A 实验恢复后，按要求检查外观，测试电性能
电热鼓风干燥箱
常见的贴片三极管丝印及参数介绍浅谈贴片三极管的识别方法
常见的贴片三极管丝印及参数介绍浅谈贴片三极管的识别方法贴片三极管丝印贴片三极管参数贴片三极管的识别方法贴片三极管是由传统引线式三极管发展过来的，管芯相同、仅封装不同，并且大部分沿用引线式的原型号，伴随电子行业的发展，很多新型贴片三极管也纷纷诞生。
例如，过去采用TO-220封装的功率MOSFET，由于减小了导通电阻（几毫欧～几十毫欧），并采用新型散热良好的结构，现在可用D-PAK封装、SOT-89封装或SO-8封装。
例如为增加安装密度，进一步减小印制板尺寸，开发出了带阻三极管、组合三极管等等。
近年来，通信系统的频率越来越高，又开发出不少通信专用三极管，如砷化镓微波三极管及功放管等。
本文主要介绍如何进行贴片三极管的基本识别知识，关于贴片三极管其他方面知识将陆续更新，下面我们将简单介绍一下如何识别区分贴片三极管。
识别方法一：型号识别国内三极管型号是“3A～3E”开头、美国是“2N”开头、日本是“2S”开头。
目前市场上以2S开头的型号占多数。
欧洲对三极管的命名方法是用A或B开头（A表示锗管，B表示硅管），第二部分用C、D或F、L（C——低频小功率管，F——高频小功率管、D——低频大功率管、L——高频大功率管）；用S和U分别表示小功率开关管和大功率开关管；第三部分用三位数表示登记序号。
例如，BC817表示硅低频小功率三极管（fT=200MHz），通用小信号放大三极管。
还有一些三极管型号是由生产工厂自己命名的（厂标），是不标准的。
例如，摩托罗拉公司生产的三极管是以M开头的。
如在一个封装内带有两个偏置电阻的NPN三极管，其型号为MUN2211T1，相应的PNP三极管为MUN2111T1（型号中T1也是该公司的后缀）。
一些塑封封装尺寸较大的管子，如D-PAK封装，由于顶面面积小，往往将日本型号中的2S省略。
如2SC2712，打印为C2712；2SA562打印为A562，等等。
识别方法二：型号代码贴片三极管封装尺寸较大的可以打印简化型号，而尺寸小的封装，如SOT-23、SC-70等只能打印型号代码。
三极管基础知识及测量方法
三极管基础知识及测量方法三极管基础知识及测量方法一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN 结。
正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。
在共发射极晶体管电路中 ,发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。
绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。
由于 VBE 很小，所以基极电流约为IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC=β*IB=10mA。
在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。
当栅 G 电压 VG 增大时，p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。
当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。
当VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。
使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。
当 VGS>VT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压VGS 对源漏电流 IDS 的控制。
二、晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。
三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。
按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。
按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。
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贴片三极管引脚三极管的识别分类及测量
符号：“Q、VT”
三极管有三个电极，即b、c、e，其中c为集电极（输入极）、b 为基极（控制极）、e为发射极（输出极）
三极管实物图：
贴片三极管功率三极管普通三极管金属壳三极管
二、三级管的分类：
按极性划分为两种：一种是NPN型三极管，是目前最常用的一种，另一种是PNP型三极管。
按材料分为两种：一种是硅三极管，目前是最常用的一种，另一种是锗三极管，以前这种三极管用的多。
三极按工作频率划分为两种：一种是低频三极管，主要用于工作频率比较低的地方；另一种是高频三极管，主要用于工作频率比较高的地
方。
按功率分为三种：一种是小功率三极管，它的输出功率小些；一种是中功率三极管，它的输出功率大些；另一种是大功率三极管，它的输出功率可以很大，主要用于大功率输出场合。
按用途分为：放大管和开关管。
三、三极管的组成：
三极管由三块半导体构成，对于ＮＰＮ型三极管由两块Ｎ型和一块Ｐ型半导体构成，如图Ａ所示，Ｐ型半导体在中间，两块Ｎ型半导体在两侧，各半导体所引出的电极见图中所示。
在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面形成两个ＰＮ结，在基极与集电极之间的ＰＮ结称为集电结，在基极与发射极之间的ＰＮ结称为发射结。
图Ｂ是ＰＮＰ型三极管结构示意图，它用两块Ｐ型半导体和一块Ｎ型半导体构成。
ＡＢ
四、三极管在电路中的工作状态：
三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。
当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的。
1、截止状态：当三极管的工作电流为零或很小时，即IB=0时，IC和IE也为零或很小，三极管处于截止状态。
2、放大状态：在放大状态下，IC=βIB，其中β(放大倍数)的大小是基本不变的（放大区的特征）。
有一个基极电流就有一个与之相对应的集电极电流。
3、饮和状态：在饮和状态下，当基极电流增大时，集电极电流不再增大许多，当基极电流进一步增大时，集电极电流几乎不再增大。
工作状态
定义
电流特征
解流
截止状态
集电极与发射极之间电阻很大IB=0或很小，IC或IE为零或很
小因为IC＝βIB
利用电流为零或很小特征，可以判断三极管已处于截止状态放大状态
集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制，基极电流大，其内阻小IC＝βIB
IE=(1+β)IB
有一个基极电流就有一个对应的集电极电流和发射极电流，基极电流能有效地控制集电极电流和发射极电流
饱和状态
集电极与发射之间内阻很小各电极电流均很大，基极电流已无法控制集电极电流和发射极电流电流放大倍数β已很小，甚至小于1 （用直流电控制信号的一种方式）
五、三极管的作用：
放大、调制、谐振、开关
1、电流放大：
三极管是一个电流控制器件，它用基极电流IB来控制集电极电流IC和发射极电流IE，没有IB就没有IC和IE，只要有一个很小的IB，就有一个很大的IC。
在放大电路中，就是利用三极管的这一特性来放大信号的。
2、开关作用：
当三极管做开关时，工作在截止、饱和两个状态。
在三极管开关电路中，三极管的集电极和发射极之间相当于一个开关，当三极管截止时它的集电极和发射之间的内阻很大，相当于开关的断开状态；当三极管饱和时它的集电极和发射极之间内阻很小，相当于开关的接通状态。
导通状态的工作条件：UB>UE，且UBE≥0.7V，CE结内阻很小，此时电流可以从集电极经CE结流向发射极。
截止状态的工作条件：UBE<0.7V，时，也就是基极没有电流时，CE结内阻很大，此时CE结没有电流流过。
硅三极管和锗三极管的导通、截止电压也是不同的：
硅三极管：导通电压UBE>0.7V ，截止电压UBE<0.7V。
锗三极管：导通电压UBE>0.3V ，截止电压UBE<0.3V。
六、三极管的测量及好坏判断
1、三极管的测量
三极管的极性及管型判断
把万用表打到蜂鸣二极管档，首先用红笔假定三极管的一只引脚为b极，再用黑笔分别角碰其余两只引脚，如果测得两次讲习数相差不大，且都在600左右，则表明假定是对的，红笔接的就是b极，而且此管为ＮＰＮ型管。
c、e极的判断，在两次测量中黑笔接触的引脚，读数较小的是c极，读数较大的是e极。
红笔接b极，当测得的两级数值都不在范围内，则按ＰＮＰ型管测。
ＰＮＰ型管的判断只须把红黑表笔调换即可，测量方法同上。
贴片三极管测量：
正视，两脚左下脚为b极（基极），测量方法同上
2、好坏判断
按以上方法测量时两组读数在300--800为正常，如果有一组数值不正常三极管为坏，如果两组数值相差不大说明三极管性变劣。
测量ce两脚，如果读数为0，说明三极管ce之间短路或击穿，如果读数为1，说明三极管ce之间开路。
七、三极管的代换原则（只适舍主板）
1、ＮＰＮ型和ＰＮＰ型三极管之间不能代换，硅管和锗管之间不能代换。
2、原则上要原型号代换，介在实际维修中很做到同型号代换，主板一般采用的三极管大多是硅管，所以代换时，只须做到硅管代换硅管，ＮＰＮ型代换ＮＰＮ型，ＰＮＰ型代换ＰＮＰ型即可。
3、三极管的三个引脚不能弄错，拆下坏三极管时要记住线路板上各引脚孔的位置。
八、主板上常见的三极管型号
NPN型：
1AM、R1P、1A、P04、N04、ZS89、ZS03、ZS07、G12、1PF1、CR50、K1N
F833、F832、F947、F937、F941、D044、D024、D882、D1760、D1802
3902<=>2222 D882<=>3279，9658<=>965R
PNP型：
2A、2F、P06、DS93、K3N 1202
2907、3906 8550、B772<=>1300。