硅晶片清洗工艺流程
半导体器件制造过程中的IC清洗技术
半导体器件制造过程中的IC清洗技术目录1.引言 (1)2.半导体制造的基本工艺流程 (2)3.污染物杂质的分类 (6)3.1.颗粒 (6)3.2.有机物 (6)3.3.金属污染物 (7)3. 4.原生氧化物及化学氧化物 (7)4.清洗方法分类 (7)4.1.湿法清洗 (7)4. 2. RCA清洗法 (7)4. 3.稀释化学法 (9)4. 4. IMEC清洗法 (9)4. 5.单晶片清洗 (11)4. 6.干法清洗 (11)5.总结 (12)1.引言在半导体器件的制造过程中，由于需要去除被称为硅晶片的硅衬底上纳米级的异物（颗粒），1/3的制造过程被称为清洗过程。
在半导体器件中，通常进行RCA清洁，其中半导体器件以一批25个环（盒）为单位，依次浸入氨水，过氧化氢溶液，盐酸等加热的化学品中。
然而，最近，为了降低环境负荷的目的和半导体器件的多品种化，需要片叶式的清洗方法，喷射纯水的清洗工序正在增加。
在单片式清洗中，超声波振动体型清洗装置是一种有效的清洗方法，目前已被许多工艺所使用。
通过超声波振动器的清洁是通过从超声波振动器向纯水施加超声波振动来加速水分子的清洁方法。
本方法的目的是利用频率在5MHz-10MHz的超声波振动体技术，达到下一代半导体器件清洗技术的目标。
我们使用样品基板，在硅晶片上涂覆直径为1μm的聚苯乙烯胶乳（PS1）颗粒，对超声波振动型清洗装置的清洗能力进行了验证。
半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺(离子注入、扩散、外延生长及光刻)为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。
因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。
干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。
氮化硅工艺流程
氮化硅工艺流程氮化硅工艺流程是制备氮化硅材料的一系列步骤，该材料具有高热稳定性、优良的绝缘性能和优异的机械性能，在电子器件、热管理和光学领域具有广泛的应用。
以下是一个常见的氮化硅工艺流程示例，包括主要步骤和相关参数。
第一步：硅基片的准备首先，选择适用的硅基片，常用的有硅晶片、SOI基片等。
然后，将硅基片进行表面清洗和处理，以去除表面的杂质和氧化层，常用的方法有溶液浸泡、超声波清洗等。
第二步：氨化硅层的生长将清洁的硅基片放置在反应腔室中，通过化学气相沉积（CVD）方法生长氨化硅层。
反应腔室中的氨气（NH3）和硅源（SiH4）被导入腔室，通过热解反应在硅基片表面生长氨化硅层。
控制反应温度和气体流量可以控制氨化硅层的厚度和质量。
第三步：氮化硅层的生长在氨化硅层的基础上，继续使用CVD方法生长氮化硅层。
氮气（N2）和硅源（SiH4）被导入到反应腔室中，在高温下发生化学反应生成氮化硅。
同样，调控反应温度和气体流量可以调节氮化硅层的厚度和质量。
第四步：氮化硅层薄化通过化学机械抛光（CMP）方法或干法薄化方法，将氮化硅层薄化到所需的厚度。
CMP方法利用一系列的研磨和化学溶解过程，使氮化硅层平坦且厚度均匀。
干法薄化方法则使用等离子体反应来剥离和去除氮化硅层的表面。
第五步：结构定义和制作在氮化硅层上使用光刻技术，将器件结构进行定义，并使用刻蚀技术将非结构部分的氮化硅层去除。
刻蚀方法可以选择湿法刻蚀、干法刻蚀等。
第六步：电极形成和器件封装根据器件设计要求，在氮化硅层上进行金属电极的沉积和形成。
常用的金属有铝、钨、铜等。
然后，对氮化硅器件进行封装，常用封装材料有环氧树脂、玻璃等，以保护器件并提高其耐热性能。
第七步：性能测试和优化制备完成后，对氮化硅器件进行性能测试，包括电学性能、热学性能等。
根据测试结果对工艺进行优化，以提高器件的性能和稳定性。
以上是一个简单的氮化硅工艺流程示例，实际工艺可能会因不同的应用需求和具体材料而略有变化。
光伏硅晶片清洗工艺
光伏硅晶片清洗工艺包括以下步骤：
1.超声波清洗：晶片浸在高功率声波的化学活性溶液中，声波引
起的振动能有效地去除硅片表面的有机颗粒污染物，同时缩短表面光电压衰减。
2.蒸馏水清洗：用蒸馏水清洗硅片表面，去除表面残留的化学杂
质。
3.热处理：通过热处理去除硅片表面的氧化层，同时使硅片表面
的金属杂质蒸发。
4.等离子清洗：用等离子清洗机处理硅片表面，去除有机污染物
和氧化物。
5.真空清洗：将硅片放入真空室中，去除表面残留的气体和污染
物。
6.高压水清洗：用高压水流清洗硅片表面，去除微小的污染物。
7.乙醇清洗：用乙醇清洗硅片表面，去除残留的水分和有机污染
物。
8.热风吹干：用热风吹干硅片表面，确保表面干燥。
氧化线工艺流程及药水配比
氧化线工艺流程及药水配比英文回答：Oxidation line process and solution ratio are important aspects in the manufacturing of electronic components. The oxidation line process involves the formation of a thin layer of oxide on the surface of silicon wafers. This oxide layer serves as an insulator and protects the underlying silicon material. The process typically consists of several steps, including cleaning, oxidation, and annealing.The first step in the oxidation line process is wafer cleaning. This is done to remove any contaminants or impurities from the surface of the silicon wafers. The cleaning process may involve the use of chemicals, such as sulfuric acid or piranha solution, followed by rinsing with deionized water.After cleaning, the wafers are ready for the oxidation step. In this step, the wafers are exposed to an oxygen-rich environment, typically in a furnace or a tube. The high temperature and oxygen react with the silicon surface, causing the formation of a thin layer of silicon dioxide (SiO2) on the wafer surface. The thickness of the oxide layer can be controlled by adjusting the temperature and duration of the oxidation process.Once the oxidation step is complete, the wafers are subjected to annealing. Annealing is a heat treatment process that helps to stabilize the oxide layer and remove any defects or stresses that may have formed during the oxidation process. The wafers are heated at a specific temperature for a certain period of time, followed by a controlled cooling process.In terms of solution ratio, the specific chemicals and their concentrations used in the oxidation line process can vary depending on the desired oxide thickness and other factors. However, a commonly used solution for wafer cleaning is a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide, known as piranha solution. The ratio of sulfuric acid to hydrogen peroxide in piranha solution is typically3:1.For the oxidation step, a common solution used is a mixture of dry oxygen and nitrogen. The ratio of oxygen to nitrogen can vary depending on the desired oxidation rate and oxide thickness. Typically, the oxygen concentration is higher than the nitrogen concentration.Overall, the oxidation line process and solution ratio play crucial roles in the manufacturing of electronic components. The process helps to create a protective oxide layer on silicon wafers, while the solution ratio ensuresthe desired results in terms of oxide thickness and quality.中文回答：氧化线工艺流程和药水配比是电子元件制造中的重要方面。
硅片抛光工艺流程特性
硅片抛光工艺流程特性下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor. I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!一、硅片抛光工艺流程。
硅片抛光是半导体制造过程中的一个重要环节，其目的是去除硅片表面的损伤层和粗糙度，提高硅片的平整度和光洁度，为后续的光刻、蚀刻等工艺提供良好的表面条件。
硅片抛光工作总结
硅片抛光工作总结
硅片抛光是半导体制造过程中非常重要的一环，它直接影响着芯片的质量和性能。
在这个过程中，工作人员需要精益求精，精心操作，以确保最终产品的质量。
在这篇文章中，我们将对硅片抛光工作进行总结，探讨其中的关键步骤和注意事项。
首先，硅片抛光的关键步骤包括，准备、抛光和清洗。
在准备阶段，工作人员
需要检查设备和工具的完好性，准备好所需的抛光液和抛光垫。
在抛光阶段，工作人员需要根据具体要求进行抛光操作，确保硅片表面平整光滑。
最后，在清洗阶段，工作人员需要用清洁剂和超纯水对硅片进行彻底清洗，以去除表面的污垢和残留物。
除了以上的关键步骤，硅片抛光工作中还有一些需要特别注意的事项。
首先，
工作人员需要严格按照操作规程进行操作，确保每个步骤都符合标准要求。
其次，工作人员需要随时监控设备的运行状态，及时发现并处理异常情况。
最后，工作人员需要在抛光过程中保持专注和耐心，以确保每块硅片都能得到良好的抛光效果。
总的来说，硅片抛光工作是一项需要高度专业技能和细致耐心的工作。
只有在
严格遵守操作规程和注意事项的前提下，才能保证硅片抛光的质量和稳定性。
希望通过本文的总结，能够帮助更多的工作人员更好地理解和掌握硅片抛光工作的关键要点，从而提高工作效率和产品质量。
简述硅片生产过程中三种典型的清洗工艺流程
简述硅片生产过程中三种典型的清洗工艺流程下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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硅晶片清洗工艺流程课件
可持续发展
通过采用可持续发展的工艺和设备，实现资源的高效 利用和能源的循环利用，降低能源消耗和碳排放，实 现可持续发展。
感谢您的观看
THANKS
根据不同的应用场景和要求，酸洗 剂的种类和浓度也会有所不同，如 盐酸硝酸、氢氟酸等。
活化处理
表面活化
活化处理可以激活硅晶片表面， 提高表面的化学反应活性，有利 于后续的沉积和刻蚀等加工处理
。
增强附着性
活化处理还可以增强硅晶片表面 的附着性，提高薄膜与基底的结
合力。
活化方法
常用的活化方法包括干法活化和 湿法活化等，其中干法活化包括 等离子体活化和激光活化等，湿 法活化包括酸液活化和碱液活化
高效率和高质量
高效清洗
通过优化清洗工艺和设备，实现高效清洗，减少清洗 时间和能耗，降低生产成本。
高质量清洗
通过采用先进的清洗技术和设备，实现高质量的清洗 ，提高硅晶片的表面质量和性能，满足高精度、高可 靠性、高性能等要求。
环保和可持续发展
环保清洗
随着环保意识的提高，越来越多的企业开始关注环保 问题，采用环保型的清洗剂和工艺，减少对环境的影 响。
等。
超纯水清洗
去除离子残留
超纯水清洗可以去除硅晶片表面附着的离子残留，如金属离子、 有机物等，提高晶片的纯度和表面质量。
清洗效果检测
为了确保清洗效果符合要求，需要对清洗后的硅晶片进行检测，如 观察表面形貌、测量表面粗糙度等。
超纯水制备
为了获得超纯水，需要使用高效的水处理设备和高质量的过滤材料 ，确保水的纯度和清洁度。
04
后处理工序
去离子水冲洗
去除表面残留物
使用去离子水的高压喷头，将硅晶片表面的残留物冲洗干净。
硅片生产工艺流程与注意要点说明
硅片生产工艺流程及注意要点简介硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。
期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。
除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。
硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。
工艺过程综述硅片加工过程包括许多步骤。
所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。
硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。
工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。
在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。
表1.1 硅片加工过程步骤1.切片2.激光标识3.倒角4.磨片5.腐蚀6.背损伤7.边缘镜面抛光8.预热清洗9.抵抗稳定——退火10.背封11.粘片12.抛光13.检查前清洗14.外观检查15.金属清洗16.擦片17.激光检查18.包装/货运切片（class 500k）硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。
这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。
为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。
切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。
切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。
这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。
切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。
硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。
在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。
激光标识(Class 500k)在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。
硅片生产工艺技术流程1说课讲解
顺大半导体发展有限公司太阳能用硅单晶片生产技术目录一、硅片生产工艺中使用的主要原辅材料1、拉制单晶用的原辅材料，设备和部件：2、供硅片生产用的原辅材料，设备和部件：二、硅片生产工艺技术1、硅单晶生产部（1）、腐蚀清洗工序生产工艺技术对处理后原材料质量要求（2）、腐蚀清洗生产工艺流程①多晶硅块料，复拉料和头，尾料处理工艺流程②边皮料酸碱清洗处理工艺流程③埚底料酸清洗处理工艺流程④废片的清洗处理工艺流程（3）、硅单晶生长工艺技术（4）、单晶生长中的必备条件和要求①单晶炉②配料与掺杂（5），单晶生长工艺参数选择（6）、质量目标：（7）、硅单晶生长工艺流程2、硅片生产部（1）、硅片加工生产工艺技术（2）、硅片加工工艺中的必备条件和要求①切割机②切割浆液（3）、质量目标（4）、硅片加工工艺技术流程①开方锭生产工艺流程②切片生产工艺流程（5）、硅片尺寸和性能参数检测前言江苏顺大半导体发展有限公司座落于美丽的高邮湖畔。
公司始创生产太阳能电池用各种尺寸的单晶和多晶硅片。
拥有国内先进的拉制单晶设备104台，全自动单晶炉112台。
年产量可达到××××吨。
拥有大型先进的线切割设备×××台。
并且和无锡尚德形成了合作联盟（伙伴），每×可以向尚德提供×××硅单晶片。
同时河北晶于2004年，占地面积××××。
公司现在有×××名员工，从事澳、南京等光伏组件公司都和顺大形成了长年的合作关系。
为了公司的进一步发展，扩大产业链，解决硅单晶的上下游产品的供需关系，2006年在扬州投资多晶硅项目，投资规模达到××亿。
工程分两期建设，总规模年产多晶硅6000吨。
2008年底首期工程已经正式投入批量生产，年产多晶硅×××吨。
硅片超声波清洗机清洗工艺流程
硅片超声波清洗机结构特点：采用三套独立的电脑控制机械臂自动化作业采用第三代最新技术，全面完善的防酸防腐措施，保护到机器每一个角落最新全自动补液技术独特的硅片干燥前处理技术，保证硅片干燥不留任何水痕成熟的硅片干燥工艺，多种先进技术集于一身彩色大屏幕人机界面操作，方便参数设置及多工艺方式转换清洗工艺：上料→碱腐蚀→纯水漂洗→酸碱腐蚀→纯水漂洗→喷淋漂洗→酸中和→纯水漂洗→碱中和→纯水漂洗→烘干→下料?适用范围：各种规格的单晶硅、多晶硅太阳能电池硅片的制绒清洗XT-1300SG太阳能硅片制绒超声波清洗机■ 采用三套独立的电脑控制机械臂自动化作业■ 采用第三代最新技术，全面完善的防酸防腐措施，保护到机器每一个角落■ 最新全自动补液技术■ 独特的硅片干燥前处理技术，保证硅片干燥不留任何水痕■ 成熟的硅片干燥工艺，多种先进技术集于一身■ 彩色大屏幕人机界面操作，方便参数设置及多工艺方式转换清洗工艺：上料→碱腐蚀→纯水漂洗→酸碱腐蚀→纯水漂洗→喷淋漂洗→酸中和→纯水漂洗→碱中和→纯水漂洗→烘干→下料清洗工件：各种规格的单晶硅、多晶硅太阳能电池硅片的制绒清洗清洗溶剂：水基清洗剂产品特点：单机械手或多机械手组合，实现工位工艺要求。
PLC全程序控制与触摸屏操作界面，操作便利。
自动上下料台，准确上卸工件。
净化烘干槽，独特的烘干前处理技术，工作干燥无水渍。
全封闭外壳与抽风系统，确保良好工作环境。
具备抛动清洗功能，保证清洗均匀。
全封闭外壳与抽风系统，确保良好工作环境。
1）适合单晶硅片研磨、切割后的批量清洗，多晶硅片线剧切片后的大批量清洗。
清洗工艺流程：自动上料→去离子水→超声波清洗→碱液超声波清洗→去离子水超声波清洗→碱液超声波清洗→去离子水超声波清洗→去离子水超声波清洗→去离子水超声波清洗→自动下料标准工艺下产量：硅片1000片/小时。
（2）清洗工艺流程自动上料→去离子水＋超声波清洗＋振动筛抛动→碱液＋超声波清洗＋抛动→去离子水＋超声波清洗＋抛动→碱液＋超声波清洗＋抛动→碱液＋超声波清洗＋抛动→去离子水＋超声波清洗＋抛动＋溢流→去离子水＋超声波清洗＋抛动＋溢流→自动下料【摘要】半导体/ LED/ LD硅片清洗加工设备，可广泛用于IC生产及半导体元器件生产中晶片的湿法化学工艺。
单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片工艺流程
加工流程：单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片倒角→研磨腐蚀--抛光→清洗→包装切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。
切断的设备：内园切割机或外园切割机切断用主要进口材料：刀片外径磨削：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。
外径滚磨的设备：磨床平边或V型槽处理：指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或V型。
处理的设备：磨床及X－RAY绕射仪。
切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。
切片的设备：内园切割机或线切割机倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。
倒角的主要设备：倒角机研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。
研磨的设备：研磨机（双面研磨）主要原料：研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水），滑浮液。
腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。
腐蚀的方式：（A）酸性腐蚀，是最普遍被采用的。
酸性腐蚀液由硝酸（HNO3），氢氟酸（HF），及一些缓冲酸（CH3COCH，H3PO4）组成。
（B）碱性腐蚀，碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。
抛光：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。
抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。
抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在10－20um；精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下主要原料：抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH（或KOH或NH4OH）组成，分为粗抛浆和精抛浆。
清洗：在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。
硅片制造工艺流程(一)
硅片制造工艺流程(一)硅片制造工艺简介硅片是集成电路制造过程中的关键组成部分，其制造工艺经历了多个流程。
本文将详细介绍硅片制造过程中的各个流程，包括晶圆准备、光刻、扩散与腐蚀、电镀与薄膜沉积、封装等。
晶圆准备1.硅材料准备：选择高纯度的单晶硅材料，并进行化学处理，以去除杂质。
2.晶圆切割：将单晶硅材料切割成具有一定厚度的圆片，即晶圆。
光刻1.光刻胶涂布：将光刻胶涂布在晶圆表面，形成一层均匀的薄膜。
2.掩膜制作：使用掩膜板，通过光刻曝光技术，在光刻胶上形成所需图案。
3.光刻曝光：使用紫外光或电子束辐射光刻胶，通过掩膜上的图案，将图案影射至光刻胶上。
扩散与腐蚀1.扩散：将晶圆置于高温炉中，控制温度和时间，使掺杂物在晶圆表面扩散，形成所需的电子特性。
2.腐蚀：使用化学腐蚀剂，将晶圆表面的不需要的杂质或层进行腐蚀，以便得到所需的器件结构。
电镀与薄膜沉积1.电镀：使用电解质溶液和电流作用，使金属沉积到晶圆表面，形成电极或导线等结构。
2.薄膜沉积：利用物理或化学方法，在晶圆表面沉积一层薄膜，用于改变电子器件的性能或保护晶圆。
封装1.引脚制作：将金属线或引脚与晶圆上的电子器件连接，形成导线或引脚结构。
2.盖片封装：使用封装材料将晶圆和连接线或引脚进行封装，以保护电子器件。
结论硅片制造工艺是现代集成电路制造的重要环节。
通过晶圆准备、光刻、扩散与腐蚀、电镀与薄膜沉积、封装等流程，能够制造出高质量的硅片，支撑着现代电子设备的发展。
不同的制造工艺流程在整个过程中起到了协同作用，确保了硅片的性能和质量。
晶圆准备•硅材料准备：选择高纯度的单晶硅材料，并进行化学处理，以去除杂质。
•晶圆切割：将单晶硅材料切割成具有一定厚度的圆片，即晶圆。
光刻•光刻胶涂布：将光刻胶涂布在晶圆表面，形成一层均匀的薄膜。
•掩膜制作：使用掩膜板，通过光刻曝光技术，在光刻胶上形成所需图案。
•光刻曝光：使用紫外光或电子束辐射光刻胶，通过掩膜上的图案，将图案影射至光刻胶上。
单晶硅一次清洗工艺单晶硅一次清洗工艺
一次清洗的目的
1.去除切片时硅片表面产生的损伤层；
2.在硅片表面制备金字塔型绒面结构；
3.清除硅片表面的油类分子及金属杂质。
一次清洗的工艺流程：见图1所示
图1一次清洗的工艺流程图
1、硅片经过切片、倒角、双面研磨、抛光等不同的工序加工后，其表面已受到严重的损伤，去除损伤层对于制作良好的绒面，提高电流有很大的帮助。去除损伤层有很多方法，本文采用热的NaOH溶液去除表面切割损伤层。其浓度为20%，温度控制在85oC,腐蚀5分钟，反应如下：
3、绒面的制作，在流动的去离子水中彻底清洗之后，再放入质量浓度为2%的氢氧化钠（NaOH）溶液中进行腐蚀，按预先设定好的浓度比例，用固体氢氧化钠（NaOH）和去离子水按比例配好，温度控制在85oC。然后把花篮放入碱中腐蚀一段时间进行制绒，时间一般为30分钟左右。制绒期间，视附在硅片表面气泡的多少和大小，还要加入一些异丙醇（IPA）。如果绒面还没有做好，还可能要延长时间继续做。做好取出后，先在流动的去离子水中清洗干净，然后再放入沸腾的酸液中进行清洗，酸液的配比为体积比HCl：H2O2：H2O = 1：1：6，腐蚀时间大约是20分钟左右，这主要是为了去除制绒时在硅片表面产生的金属离子杂质。然后再用流动的去离子水冲洗干净，并用氮气吹3+2H2
两面加起来共减薄了20~40μm左右的损伤层如图2所示。从减薄损失的厚度就可以计算出腐蚀速率，从而对得到的硅片的厚度进行控制。
2、绒面减少反射的作用：减少光的反射率，提高短路电流（Isc），最终提高电池的光电转换效率。如图3所示
图3绒面减少反射的原理图
制备绒面，硅片在热碱和IPA以及添加剂混合溶液中发生如下主要反应：
Si+2NaOH+H2O =Na2SiO3+2H2
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Si
磷原子
空穴
Si
Si
Si B–
Si
在 P 型半导体 中空穴是多数载 流子，自由电子 是少数载流子。
硼原子
PN结及其单向导电性
空间电荷区也称 PN 结
少子的漂移运动 P 型半导体
－ － － － － － － － － － － － － － － － － －
动画
内电场越强，漂移运 动越强，而漂移使空间 电荷区变薄。
太阳能电池的产业链
单晶硅棒 物理化学 单晶硅片 处理 工业硅
6N以上高纯
高温熔融 多晶硅 多晶硅锭 多晶硅片
系统 组件
组件
硅片生产流程
硅锭粘结
开方机 开方后的 硅块 硅块检测
硅块截断
硅块平磨倒角
硅块玻璃板和 工件板粘结
切割后硅片
预清洗脱胶
机器检片
清洗好的硅片
硅片包装
排片清洗机
人工检片
硅棒粘胶
硅片切割
工作原理：当太阳光照射到太阳电池上并被吸收时，其中能量大
于禁带宽度的光子能把价带中电子激发到导带上去，形成自由电子，价 带中留下带正电的自由空穴，即电子一空穴对；自由电子和空穴在不停
的运动中扩散到P-N结的空间电荷区，被该区的内建电场分离，电子被 扫到电池的N型一侧，空穴被扫到电池的P型一侧，从而在电池上下两面 (两极)分别形成了正负电荷积累，产生“光生电压”，即“光伏效应”， 若在电池两侧引出电极并接上负载，负载中就有“光生电流”通过。
氧化
M
还原
Mz+ + z e-
3、自然氧化层及大颗粒
A、带来的问题： 接触电阻增大 难实现选择性的CVD或外延 成为金属杂质源 难以生长金属硅化物
OH－ OH－ OH－ OH－ OH－ OH－
B、无机碱对硅有腐蚀作用，缓慢溶解原始
氧化层，并再氧化去除颗粒
辅助清洗方法
超声波清洗原理
超声波在清洗液中疏密相间的向前辐射，使液体流动而产生数以万计的直径 为50-500μm 的微小气泡，这些气泡在超声波纵向传播的负压区形成、生长，而 在正压区，当声压达到一定值时，气泡迅速增大，然后突然闭合，并在气泡闭合 时产生冲击波，在其周围产生上千个大气压，振荡污物而使他们分散于清洗液中， 从而达到清洗件净化的目的。 超声波清洗机如图：
切好后的硅片
硅片的清洗
硅片分检
硅片上污垢的组成
晶片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏而成为 悬空键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质表面 ，可能沾污的杂质可归纳为三类： ①油脂、松香、蜡、环氧树脂、聚乙二醇等有机物； ②金属、金属离子及一些无机化合物； ③自然氧化层及尘埃及其他颗粒（硅，碳化硅）等。
二、花斑片 大多数是由于硅片在清洗前表面被氧化造成的，产生原因： ⑴ 脱胶温度太高 ⑵ 预清洗到清洗间隔时间过长 ⑶ 切片后到预清洗时间过长 ⑷ 清洗前硅片表面在空气中自然干燥 解决方案： ⑴ 调整脱胶温度 ⑵ 预清洗后尽快清洗，时间间隔不得超过4小时 ⑶ 切片后尽快预清洗，时间间隔不得超过6小时 ⑷ 硅片在清洗前保持湿润
1、结构通常清晰，不透明 2、转化率略低于单晶硅太阳电 池，约10-12% 3、稳定性不如单晶硅 4、不能弱光发电 5、成本低于单晶硅，多晶硅太阳 电池正在逐步取代单晶硅太阳电 池。
非晶硅太阳电池
1、具有透光性，透光度可从5%到75% , 运用到建筑上的最理想的透光度为5% 2、转化率较低（6%-10%） 3、具备弱光发电的性能，日发电时间可 以从早上6点延续到晚上7点 4、材料和制造工艺成本低，易于形成大 规模生产 5、承受的工作温度比晶体硅要高
同时在硅片表面形成致密的吸附层，防止二次污染，从而保证了硅片表
面的清洁度。
2、金属杂质：
A、由于金属离子和硅表面终端的氢原子之间的电荷交换和硅结合，难以 去除。 B、去除方法：使金属原子氧化变成可溶性离子可以将碱金属离子及Al3＋、 Fe3＋和Mg2＋形成的不溶的氢氧化物反应成溶于水的络合物 C、进一步去除残留的重金属污染（如Au）
清洗流程
3、清洗：
① 循环水清洗
② 循环水清洗 ③ 清洗剂清洗 ④ 清洗剂清洗 ⑤ 循环水漂洗 ⑥ 循环水漂洗 ⑦ 慢拉 ⑧ 烘干或甩干
典型的清洗工艺
1、清洗操作规程： A、清洗剂配比方案： 第三槽：3%复配 第四槽：3%复配 B、各清洗槽温度控制： 第三槽：温度设定50~55℃ 第四槽：温度设定50~55℃ 第五槽：温度设定40~50℃ 第六槽：温度设定40~50℃ 2、各清洗槽清洗时间：不低于3分钟；4~6分钟为宜。 3、清洗剂更换周期：清洗片数8000~1000片后更换三、四槽清洗剂。
三、白斑片 产生原因： ⑴ 硅棒在切片后，预清洗前与水有接触 ⑵ 切割液中有水进入 ⑶ 清洗前硅片表面在空气中自然干燥 解决方案： ⑴ 硅片在预清洗前不要与水接触 ⑵ 切割液中不能有水进入 ⑶ 硅片在清洗前保持湿润 ⑷更换辅料
谢 谢！
内电场 N 型半导体
+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +
－ － － － － －
扩散和漂移 这一对相反的 运动最终达到 动态平衡，空 间电荷区的厚 度固定不变。
浓度差 形成空间电荷区
多子的扩散运动
扩散的结果使空 间电荷区变宽。
太阳能电池的工作原理
22
一、污垢附着力：
静害：
造成硅片易发生变花、发蓝、发黑、影响制绒等现象，使硅 片不合格。
三、清洗剂的主要成分：
1、碱（氢氧化钠、氢氧化钾）
2、表面活性剂
3、螯合剂 4、有机溶剂
5、其他原料
清洗机理
1、有机物污垢：
利用表面活性剂的渗透、润湿、乳化作用，解吸、包裹油脂、环氧 树脂、聚乙二醇等有机物颗粒离开硅片表面，并成为悬浮的自由粒子。
上可以产生光电流和
光电压的现象，从而 实现太阳能光电转换 的目的。
PN结及原理
完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征 半导体。
价电子 Si Si
Si 共价健 晶体中原子的排列方式
Si
硅单晶中的共价健结构
Si
Si
在N 型半导体 中自由电子是多 数载流子，空穴 是少数载流子。 多 余 电 子
p+ Si
太阳能电池的结构
太阳能电池分为单晶电池和多晶电池，但是它 们的结构基本一样，都有以下部分组成 表面细栅线 表面主栅线 绒面 蓝色氮化硅 扩散层 硅基体 铝硅形成背面 单晶电池
多晶电池
太阳能电池的工作原理
光伏发电的本质是“光--电转换”。
简单讲，主要
是以半导体材料为基
础，利用光照产生电 子-空穴对，在PN结
清洗流程
1、预清洗
为保证硅片清洗 的洁净度，在脱胶前 的喷淋冲洗时间最好 控制在30分钟以上。
清洗流程
二、脱胶
A、目前各生产厂家脱胶工艺不同， 主要使用机器有两种：手动脱胶机和 全自动脱胶机。 B、目前主要的脱胶工艺为： ① 55~70℃清水脱胶 ② 55~70℃ 加乳酸脱胶 ③ 55~70℃ 加柠檬酸脱胶 C、脱胶过程中的注意事项 ① 脱胶过程保证硅片表面不能干 燥，防止砂浆干在硅片表面，影响硅 片表面的清洗。 ② 脱胶温度不能过高，防止硅片 表面氧化。
常见的问题及对策
一、脏污片 产生原因： ⑴ 清洗剂质量异常 ⑵ 设备异常 ⑶ 预清洗 时间不够 ⑷ 清洗剂清洗能力不足 解决方案： ⑴ 查看清洗剂批次所对应的质保书，检测清洗剂指标是否正常 ⑵ 检查超声波清洗机超声频率、清洗槽温度、溢流是否正常 ⑶ 增加预清洗时间，一般正常预清洗时间20-30分钟 ⑷ 喷淋和脱胶过程是否有问题 ⑸ 切片后是否长时间没有进行喷淋和脱胶
硅片清洗剂
陆由东
2012-12-10
太阳能电池的应用
太阳能电池的应用
太阳能电池分类
单晶硅太阳电池：
1、表面规则稳定，通常呈黑色 2、光电转换率最高，可达14-17% 左右,而且其发电效率稳定可靠。 3、不能弱光发电。
4、因单晶硅衬底造价高，成本较
贵。 5、光电单元间的空隙可透部分光。
多晶硅太阳电池