单管低频放大电路 实验报告

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专业班次组别

题目单管低频放大电路姓名(学号)日期 2018.10.21

一、实验目的

1.熟悉掌握电子仪器的一般使用发法。

2.了解半导体基本放大电路各元件的作用及电路的调试方法。

3.研究静态工作点对放大电路的影响,测算共射极交流放大电路的放大倍数。

二、实验设备

三、注意事项

1.NPN管U

be <0.5V,晶体管处于截止,V

ce

<0。3V,晶体管处于饱和;

2.使用PNP型管时,饱和失真与截止失真在示波器显示的波形被削部分,跟NPN型的相反。

3.试验所有仪表的指针不要超过满标值,以防损坏。

四、实验原理及计算

1.如图所示,为单管低频放大电路。在Vcc和Rc确定之后,改变I

B

(调RB)就可以给变放大电路的静态工作点。若工作点Q偏高,在信号的正半周期时放大器进入“饱和”状态,造成饱和失真;

若功罪点Q过低,在信号的负半周时,放大器进入“截止”状态,造成截止失真。调节R

B1

,可获得

适当I

B ,使放大器输出的电压波形失真得到改善。

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题目单管低频放大电路姓名(学号)日期 2018.10.21

若输入信号相度过大,也会引起失真,输出的波形上下都可能有一部分被削掉。此外,Vc及Rc 的变化,会引起负载线的位置或斜率变化,会引起静态工作点变化。也会对输出电压波形有影响。

放大电路的电压放大倍数Au=V

o /V

i

,它只有在不失真情况下才有意义。而且,是否带有负载以及

有没有引入交该负反馈,A

u

值都是不同的。

五、实验仿真

1、静态工作点测量

1)截止

2)20微安

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题目单管低频放大电路姓名(学号)日期 2018.10.21

3)30微安

4)饱和

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2、交流电压放大倍数

1)空载

2)有载

3)除去CE,接上RL

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题目单管低频放大电路姓名(学号)日期 2018.10.21

3、1)饱和失真

2)截止失真

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题目单管低频放大电路姓名(学号)日期 2018.10.21 3)增大信号输入

4)增大Rc

5)去除CE

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题目单管低频放大电路姓名(学号)日期 2018.10.21 六、实验关键

1.测量静态工作点,在实验底板电路接入测量I

B 和I

C

的微安表和毫安表,接上直流稳压电源(12V)。

用万用表直流档测量V

CE 、V

BE

,对于I

C

可从窜入的毫安表读出,取不同的I

B

分别测四次。

2.将信号源接入实验底板输入端,用示波器观察放大器输入和输出信号电压的波形并观察其相位。

3.调节RB1,是BJT进入截止区,放大区,观察输出波形。

七、实验记录

表一静态工作点测量

表二交流电压放大倍数测量

专业班次组别题目

表三工作点变化和输入信号变化对输出波形的影响

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题目单管低频放大电路姓名(学号)日期 2018.10.21

八、实验数据分析

1、表一表明:进入放大区和饱和时Ic约等于Ie;在误差允许范围内,一个运放电路的放大倍数β

是一个定值。

2、表二表明:有无射极电阻,有无负载,运放放大器的放大倍数都不一样,从实验结果看,保持射

极电阻不变,接上负载时放大倍数明显变小;保持负载不变,接上射极电阻时,放大倍数明显变小。

3、静态工作点过高,I BQ和V BE过大,会引起i c、v cE的波形饱和失真;如果静态工作点过低,I BQ和V BE

过小,则会截止失真。还有,如果输入信号的幅度过大,即使静态工作点设置合适,也会产生失真,这时时饱和失真和截止失真同时出现。增大集电极电阻时,Ic的最大值变小,又Ic=βIB会比这个最大的值大,故而会饱和失真。

九、实验课后题

1、加负载后A V为什么会变小?串联上R E后为什么A V会变小?

解答:1)加上负载后,负载与Rc并联,使得电阻变小,孤儿Vo也会变小,则Av变小;

2)因为,有了负反馈。当基极有一个高电压,经三极管放大后,发射极与集电极电流都增大,发射极连接的电阻上压降U=I*R也增加,抬高了发射极的电压,使基极与发射极之间的电压差降低,随之导致发射极与集电极之间的电流下降,与之前上升的电流形成了反作用。

2、分析表三各种失真及其他现象原因。

解答:①饱和失真,静态工作点过高,I BQ和V BE过大,会引起i c、v cE的波形饱和失真;②截止失真,静态工作点过低,I BQ和V BE过小,则会截止失真。③输入信号的幅度过大,即使静态工作点设置合适,也会产生失真,这时时饱和失真和截止失真同时出现,这是由于三极管非线性特性引起的。④增大集电极电阻时,Ic的最大值变小,又Ic=βIB会比这个最大的值大,故而会饱和失真。

十、实验小结

通过本实验,了解半导体基本放大电路各元件的作用及电路的调试方法。研究静态工作点对放大电路的影响,测算共射极交流放大电路的放大倍数通过实际操作,证明了实践值与理论值的误差,也深刻的了解了三极管的各类特性。最重要的时体验了实践的艰难。

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