电磁场与电磁波 ppt 第二章:静电场1

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q(
4
r
0
r' ) r r' 3
图1.1.2 点电荷的电场
q
4 0R2
eR
V/m
Slide 7
b) n个点电荷产生的电场强度 (注意:矢量叠加)
Slide 8
E (r) 4 1 0k N 1r q r k k '2r r r r k k '' 4 1 0k N 1R q k k 2 e k
图1.2.4 点电荷与接地导体的电场
图1.2.5 点电荷与不接地导体的电场
2) 已知电荷分布,求电位:
以点电荷为例推导电位:
E(r)4q0
rr' rr' 3
1
rr'
rr'
rr' 3
点电荷群
(r)410 iN 1
qi rri'
C
连续分布电荷
E (r) 40q rr' (r)
(r)410 v'
dqC rr'
(r)40qrr' C
d:qd,Vd,Sdl
Slide 20
3) E与的微分关系
E
在静电场中,任意一点的电场强度E的方向总是沿着电位减少的最快 方向,其大小等于电位的最大变化率。
在直角坐标系中:
E[ xex yey zez]
根据 E 与的微分关系,试问静电场中的某一点
• 0 E0 ?
(
)
• E0 0 ?
(
)
Slide 21
4) E与 的积分关系
Edl dl
Slide 14
Slide 15
u uv eR
Slide 15

电磁场与电磁波之静电场分析课件

电磁场与电磁波之静电场分析课件

静电场可以用于药物传 递和基因治疗,提高药 物靶向性和治疗效果。
静电场可以用于肿瘤热 疗和免疫治疗等领域, 为肿瘤治疗提供新的手 段。
静电场的安全防护
1.A 为了避免静电场对生物体的负面影响,需要采 取有效的安全防护措施。
1.B 安全防护措施包括控制电场强度、减少作
用时间和优化作用方式等。
1.C 在生物医学应用中,需要严格控制电场参数 ,确保安全性和有效性。
静电场的解法通常包括解析法和数值 法。
数值法适用于复杂形状和电荷分布的 情况,通过离散化电荷分布和电场, 使用数值计算方法求解微分方程和边 界条件,得到近似解。
解析法适用于简单的物理特性
电场线与电通量密度
电场线
表示电场分布的假想曲线,线上每一点的切线方向与该点的 电场方向一致。电场线的疏密程度表示电场强度的大小。
电磁场与电磁波之静 电场分析课件
目录
• 静电场的基本概念 • 静电场的数学描述 • 静电场的物理特性 • 静电场的工程应用 • 静电场的测量技术 • 静电场的生物效应
01 静电场的基本概念
电场与电场强度
电场
带电体周围存在的一种特殊物质 ,由正负电荷产生,其基本特性 是对其中运动的电荷施加力。
电场强度
02
高斯定理
在静电场中,穿过任意闭合曲面的电场强度通量等于该 曲面内包围的电荷量。
03
静电场的边界条件
在两种不同介质分界面上,电场强度和电位满足一定的 连续性条件。
02 静电场的数学描述
静电场的微分方程
静电场的基本微分方程是高斯定 理和泊松方程。
高斯定理描述了电场线在封闭曲 面内的电荷量总和,而泊松方程 则描述了电荷分布如何产生电场
静电除尘与静电喷涂

电磁场与电磁波第二章课件2

电磁场与电磁波第二章课件2

• 均匀与非均匀 • 线性与非线性 • 各向同性与各向异性
• 在外电场的作用下,介质中的正、负电荷 朝相反的方向发生微小的位移,从而产生 偶极矩的现象称为介质的极化。
– 介质的极化有三种不同的情形。 – 第一种是介质中的原子核和其周围的电子云在
外电场的作用下朝相反的方向位移,而使原子 核偏离电子云的中心,从而产生偶极矩,这称 为电子极化(或感生极化)。
束缚体电荷分布,其密度为
p P
dS'
- -

+ +



l'
上述公式也可以通过计算电偶极子所产生的场而得到, 从而验证了其正确性。
根据高斯E P
定义
D 0 E P 称作电位移矢量
则:
D 微分形式
积分形式为:
D dS Q
S
S D dS Q
E
ρ
φ
• 一、电偶极子的电场 • 二、均匀外电场对电偶极子的作用
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两个等值异号的电荷,其间距 l 远小于它们到场点的距离,
这样的电荷系统称为电偶极子,简称偶极子。设电偶极子的
中心到远处任一点 P 的距离为 r 则电偶极子的两异号电荷在点
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– 第二种是某些介质的分子具有固有偶极矩,由于它 们凌乱排列而使其宏观的电偶极矩为零。在外电场 的作用下,分子的偶极矩转向外电场方向,而分子 的无规则热运动则破坏偶极矩的这种取向,从而建 立一种极化的平衡,于是得到一个平均的净取向作 用,这称为取向极化。
– 第三种是介质的分子由带相反电荷的离子组成。在 外电场的作用下,正、负离子从其平衡位置发生位 移,这称为离子极化。

电磁场与电磁波静电场

电磁场与电磁波静电场

q
R0 dl
q
RP dR
A 4 0 R2
4 0 R R2
q
4
0
1 R
1 RP
q
4 0
R
C
若选取无穷远点为参考点,则 C 0 ,于是 (R) q 4 0 R
体电荷、面电荷和线电荷分布的电位函数表达式为:
(r)
1
4 0
r
(r
'
)
r
'
d
'
C
(r )
1
4 0
s
r
s
(r
'
r
) dS
流密度的值为
Js
lim I l0 l
dI dl
图2.1.5 面电流密度与面电流
穿过线段l 的电流为
I J s (r )dl l
3、线电流:
电荷在一根很细的导线中流过,或电荷通过的横截面 积很小时,可将电流视为在一根无限细的线上流动, 这样的电流称为线电流。用电流强度来描述:
线电流I与线电荷密度 l、电荷流动速度 v的关系为:
I lv
2.2 静电场的基本方程
2.2.1库仑定律、电场强度
电荷间的相互作用规律由库仑定
律描述。真空中 静止的电荷 q1 对 q2 的相互作用力F12 为
图2.2.1电荷与电荷的相互作用
F12
1
4 0
q1q2 R2
R0
1
4 0
q1q2 R3
R
若电在荷电q ,场则强度q受为到E的的静空电间力某为点qE 放置点
1
4 0 V
r
r
'
r
r
'

第二章电磁学PPT课件

第二章电磁学PPT课件

E10 (rR3)
-q
q
E24πq0r2 (R3rR2)
R3
E 30 (R 1rR 2)
E4 4π2q0r2
.
(R1r)
R2 R1
3U 8 O4π q0(R 1 3-R 1 2R 2 1)2.3 1 130 V
第二章 静电场中的导体和电介质
§2-1 静电场中的导体 §2-2 电容和电容器 §2-3 电介质 §2-4 电场的能量和能量密度
外表面所带的电量由电荷守恒定律决定。
.
31
三 静电屏蔽
1 屏蔽外电场
E
E
外电场
空腔导体屏蔽外电场
空腔导体可以屏蔽外电场, 使空腔内物体不受外电 场影响.这时,整个空腔导体和腔内的电势也必处处相等.
.
32
2 屏蔽腔内电场
接地空腔导体 将使外部空间不受 空腔内的电场影响.
接地导体电势为零
+
+
+
q
别带上电荷量q和Q.试求:
(1)小球的电势UR,球壳内、外表面的电势; (2)两球的电势差; (3)若球壳接地,再求小球与球壳的电势差。
解:小球在球壳内外表面感应出电荷-q、q
球壳外总电荷为q+Q。
Q
R2
q
R R1
.
35
(1)小球的电势UR,球壳内、外表面的电势
UR410(R q-R q1qR 2Q)

-+
R2

-
-
+-
R
1
+ +
-

+-*P-
R2 ,
C4π .
R 450 1
孤立导体球电容
例3 两半径为 R的平行长直导线中心间距为d ,

电磁场与电磁波-第四版-第二章-ppt教学文稿

电磁场与电磁波-第四版-第二章-ppt教学文稿
• 电荷是物质基本属性之一。 • 1897年英国科学家汤姆逊(J.J.Thomson)在实验中发现了电子。 • 1907-1913年间,美国科学家密立根(iken)通过油滴实验,精确测定电子电荷的量值为 e =1.602 177 33×10-19 (单位:C) 确认了电荷量的量子化概念。换句话说,e 是最小的电荷量,而任何带电粒子所带电荷都是e 的整数倍。
流过任意曲面S 的电流为
体电流密度矢量
正电荷运动的方向
2. 面电流
电荷在一个厚度可以忽略的薄层内定向运动所形成的电流称为面电流,用面电流密度矢量 来描述其分布
面电流密度矢量
0
单位:A/m。
通过薄导体层上任意有向曲线 的电流为
正电荷运动的方向
2.1.3. 电荷守恒定律(电流连续性方程)
磁通连续性原理(积分形式)
安培环路定理表明:恒定磁场是有旋场,是非保守场、电流是磁 场的旋涡源。
恒定磁场的旋度(微分形式)
2. 恒定磁场的旋度与安培环路定理
安培环路定理(积分形式)
解:分析场的分布,取安培环路如图
两边求旋度可得
可得
利用斯托克斯定理
得到环路定理
2.2.2 静电场的散度与旋度
高斯定理表明:静电场是有源场,电场线起始于正电荷,终止 于负电荷。
静电场的散度(微分形式)
1. 静电场散度与高斯定理
静电场的高斯定理(积分形式)
环路定理表明:静电场是无旋场,是保守场,电场力做功与路径 无关。
在圆环的中心点上,z = 0,磁感应强度最大,即
体电流磁场感应强度:
利用
得到
利用矢量恒等式
2.3.2 恒定磁场的散度和旋度
1. 恒定磁场的散度与磁通连续性原理

电磁场与电磁波(第二章)

电磁场与电磁波(第二章)

S
s
t
dS
v
Ñl JS
g(n)
v dl )
0
对时变面电流 对恒定面电流
第二节 库仑定律 电场强度
一、库仑定律
❖库仑定律描述了真空中两个点电荷间相互作用力的规律。
v
❖库仑定律内容:如图,电荷q1 对电荷q2的作用力为:
q1
R
v F12
q1 q2
4 0 R 2
evR
q1 q2
4 0 R3
v R
rv' vO
(
1
)
v ex
(
1
)
v ey
(
1
)
v ez
(1)
R x R y R z R
v ex
uv
x
x R3
' uur
v ey
y
y R3
'
v ez
zz' R3
R R3
eR R2
第二章
❖电荷、电流 2.4
❖电场强度、矢量积分公式 2.8 2.9
作业
t 0
讨论:1)
v J
vv
式中: 为空间中电荷体密度,vv 为
正电荷流动速度。
2) I Jv(rv)gdsv Jv(rv)gn)ds
S
S
S Jv(rv) cos ds
n)
S
Jv(rv)
2、面电流密度
❖当电荷只在一v个薄层内流动时,形成的电流为面电流。 ❖面电流密度 J s 定义:
电流在曲面S上流动,在垂直于
电流方向取一线元 l ,若通过
I l
v J
线元的电流为 I ,则定义
S

电磁场与电磁波第二章讲义

电磁场与电磁波第二章讲义

(r )
第二章 静 电 场
当r<a时,
Er 4r2

0 0
4
3
r3
所以
Er

0r 30
(r )
第二章 静 电 场
例 2 - 3 已知半径为a的球内、 外的电场强度为
E

er E0
a2 r2
(r a)
E

er E0 5

r 2a

3
r3 2a3

(r a)
们的连线, 同号电荷之间是斥力, 异号电荷之间是引力。点电
荷q′受到q的作用力为F′,且F′=-F,可见两点电荷之间的作用力 符合牛顿第三定律。
第二章 静 电 场
库仑定律只能直接用于点电荷。所谓点电荷,是指当带电体 的尺度远小于它们之间的距离时,将其电荷集中于一点的理想化 模型。 对于实际的带电体, 一般应该看成是分布在一定的区域 内,称其为分布电荷。用电荷密度来定量描述电荷的空间分布情 况。电荷体密度的含义是,在电荷分布区域内,取体积元ΔV, 若其中的电量为Δq,则电荷体密度为
(r)

P(r' )V '
4 0

r r' r r' 3
整个极化介质产生的电位是上式的积分:
(r) 1
4 0
V
P(r' ) (r r r' 3
4 0R2
R

q' q
4 0
R R3
式中:R=r-r′表示从r′到r的矢量;R是r′到r的距离;R°是R的单
位矢量;ε0是表征真空电性质的物理量,称为真空的介电常数,
其值为

电磁场与电磁波 第2章静电场

电磁场与电磁波 第2章静电场
如果电场由点电荷q单独产生
如果是一个闭合路径,则W=0 电场强度的环路线积分恒为零,即
应用斯托克斯定理
因此,静电场的电场强度 可以用一个标量函数 的梯度来表示,即定义
单位正实验电荷在电场中移动电场力做功
两点间的电位差定义为两点间的电压U,即
单位:V
电位函数不唯一确定,取
故可选空间某点Q作为电位参考点,空间任一点P的电位为 通常选取无限远作为电位参考点,则任一P点的电位为
在交界面上不存在 时,E、D满足折射定律。
D 1 n D 2 n 1 E 1 c1 o 2 E s 2 c2 os
E 1 t E 2 t E 1 si1 n E 2 si2n
图2.3.3 分界面上E线的折射
t电位函数 表示分界面上的衔接条件
Ax Ay Az
对应静电场的基本方程 E 0 ,矢量 A 可以表示一个静电场。
能否根据矢量场的散度来判断该矢量场是否是静电场?
2.3.2 分界面上的边界条件
1、 电位移矢量D的衔接条件 以分界面上点P作为观察点,作一
小扁圆柱高斯面( L 0)。
图2.3.1 在电介质分界面上应用高斯定律
根据 DdSq
V ' P d ' V S 'P e n d ' S 0
• 在均匀极化的电介质内,极化电荷体密度 p 0。
• 有电介质存在的场域中,任一点的电位及电场强度表示为
(r) 4 1 0 V '( r f r 'p )d' V S '( r f r 'p )d' S E (r ) 4 1 0 V '( f r p r )'3 r( r ')d' V S '( f r p r ) '3 r( r ')d' S

《电磁场与电磁波》课件

《电磁场与电磁波》课件

研究磁场的能量密度和能量传递,探 索电流元间的相互作用。
第三章 电磁感应
法拉第电磁感应定律
深入研究法拉第电磁感应定律,了解磁场变化 对电场和电流的影响。
感生电动势的应用
探索感生电动势在变压器和发电机等装置中的 应用。
变化磁场中的安培环路定理
自感和互感
理解变化磁场对闭合回路的感应电流产生的作用。 学习自感和互感的概念和特性,探索它们在电 路中的应用。
1 电磁场在物理学、化学、生物学等中的应用
探索电磁场在不同学科领域中的重要应用,如粒子加速器和磁共振成像。
2 电磁波在通信、雷达、医疗等中的应用
了解电磁波在现代通信、雷达和医疗技术中的关键作用。
3 总结与展望
回顾本课程的重点内容,并展望电磁场和电磁波在未来的应用前景。
第四章 电磁波
电磁波的基 本性质
介绍电磁波中的传播规 律,理解折射和反 射现象。
电磁波谱
探索不同频率的电 磁波,了解它们在 光谱中的位置和应 用。
天线和电磁 波的辐射
研究天线的原理和 电磁波的发射、接 收及调制技术。
第五章 电磁场与电磁波的应用
《电磁场与电磁波》PPT 课件
欢迎来到《电磁场与电磁波》的课程PPT!在本课程中,我们将深入探讨电 磁场和电磁波的概念和应用,帮助您理解这一重要的物理学领域。
第一章 电场
电荷与电场
电磁场的基础,探索电荷对周围空间产生的 影响。
电势与电势差
学习电势的概念和计算方法,探索电势差对 电荷运动的影响。
静电场基本定律
深入研究库仑定律和电场强度,理解静电场 的本质。
静电场的能量
了解静电场的能量密度和能量传递,探索电 荷间的相互作用。
第二章 磁场
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球面上面元对 球心 的立体角
另一种情况是P点在闭合面外,如图(b)所示,不难看出它所 张的立体角为零,这是因为闭合面的两部分表面的立体角等值 异号的原因。 现在证明高斯定律。先研究一个点电荷q(在闭合面内)的情况
上式中间部分积分号内是面元对点电荷q所张的立体角,积分是 闭合面对q所张的立体角。由于闭合面对面内一点的立体角为 4π,上式变为:
高斯定律应用举例
example 2.5
半径为a的导电球壳上均匀分布面密度为ρ的电荷,求球壳内外 的电场强度和电位。
解:
由于在导电球壳上,电荷是 均匀分布的,因此电场具有 球对称分布的特点,利用 高斯定律,使圆心与导电球 壳圆心重合,半径为r的球面, 称为高斯面,求电场对高 斯面的面积分,对于相同半 径的高斯面,电场的模相等, 方向与高斯面的方向相同, 因此,当r>a时,有
考虑到 即
值得注意的是,对合成场的积分是对源点的积分,而场点 则是常数。因而
对上面两式从θ1到θ2积分,有
当带电直线为无限长时,有
得到
example 2.2
计算一个均匀分布电荷的圆盘轴线上任一点的电场强度,圆盘 半径为a,电荷密度为ρs(C/m2)。
解: 将圆盘划分成半径为r,宽度为dr的细圆环,如下
即:(1)点电荷:
(2) 体电荷:
(3) 面电荷:
(4) 线电荷:
example 2.7
证明导体表面的电荷密度ρs与导体外的电位函数有如下关系
example 2.4
真空中半径为a的介质球内均匀充满了电荷,体电荷密度ρ=ρ0。试 计算球内、外的电场
解: 设想划分出一个半径为r‘,厚度为
dr’的微分球壳,如右图所示。球 壳内的电荷量为:
dq 4r2 0 dr
当dr’很小时可认为dq均匀分布在薄层球面上 等效的面电荷密度为
dq s 0 dr 2 4r
1、 点电荷的电场强度:
考虑到算符
点电荷的电场强度可表示为:
令场坐标(x,y,z)或r,源点的坐标为(x',y',z')或 r',则点电荷的场又可表示为:
2、 电荷分布于某一区域时的电场强度表达式
(1)离散电荷分布:
(2)体电荷分布: 体电荷密度ρ定义为
其中ρ(x’,y’,z’)为 体电荷密度。
注:D的面积分 s D ds 称为电通量
根据电场强度的性质,可很容易的得出真空中电位移的定义:
因而,点电荷周围的电位移为: D
用电位移矢量表示的高斯定理
D 0E
q aR 2 4r
D ds Q
s
其微分形式:
D v

v d Q E ds
s
0
0
于是得到高斯定律的微分形式
3、电位移矢量与高斯定律
电位移矢量(电通密度) 当我们研究物质空间内的电场时,仅用电场强度一个场变量不 能完全反映物质内发生的静电现象。
因为当物质内存在电场时,构成物质的带电粒子将在电场强度的 作用下出现运动或移动、这就需要另一个场变量夹描述这一现象 的本质。电介质内的束缚电荷在电场作用下会出现位移现象。一 般用单位面积上位移穿过的束缚电荷量来表示电场的另一 基本变量,称为电通[量]密度(或电位移),并用D表示.其单位 为C/m 2。 早期得出关于电位移的性质如下: 1、它与介质无关; 2、它的大小仅与产生它的源电荷有关; 3、如果一个点电荷被一个半径为R的球面所包围,则电通量 垂直且均匀通过该球面 4、电通密度(单位面积上所通过的电通量)反比于R2
不同条件下电场和电位的计算方法 ——矢量的微分与积分
本章具体内容:
2.1 静电场基本方程 2.3 泊松方程和拉普拉斯方程 2.5介质中的高斯定理.边界条件 2.7 导体系统的电容 2.2 电位的引入 2.4 唯一性定理 2.6 恒定电场的基本方程 2.8 电场能与静电力
§2.1 电场强度
一、库仑定律 (Coulomb’s Law)
解:
导体的电荷是分布于导体表面的。 孤立的带电导体球的电荷必定均 匀分布于球表面上,电荷面密度 为常量,有
Q s ( ) 4a 2
采用球坐标,令极轴通过场点P,P点 处的电场为
2
1 R 2 E (r ) d 0 s R3 a sin d 4 0 0
孤立带电导体球
因不同φ ’的面元点电荷在场点产生的合成场只沿极轴方向, 即z方向,故矢量求积分时仅取z分量积分
a 2 s E Ez 2 0
由于


0
a2 s cos sin d 2 R 2 0


0
cos d cos 2 R
所以
a s Ez 4 0 r r a 1 z R2 r s a2 Q 2 0r 4 0 r 2
2 rz 2
a s r a dR R 4 0 r 2 R
2
2
r a
r a
(r>a)
对于r<a的球内区域.积分的下限应改为(a-r)、这样积分结果
a s r a R Er 2 4 0 r R
2
2
0 a r
如图示,设真空中两点电荷q1和q2间的距离为R,则点电荷q2 所受到q1的作用力为:
其中: 真空中的介电常数
是从q1指向q2的单位矢量,
109 F m 36


由此说明,在带电体周围空间,确实 存在着一种特殊形式的物质.当电荷 或带电体进入这个空间时、将受到力 的作用。我们把电荷周围存在的特殊 物质称为电场。电场对电荷的作用力 称为电场力。
Chapter 2 静电场与恒定电场
本章基本内容:
(1)静电场与恒定电场的基本方程
(2)静电场与恒定电场的边界条件
(3)静电场与恒定电场基本解法
本章重、难点:
(1)基本定律和基本方程:
库仑定律与高斯定律,电流连续性定律,泊松方程与 拉普拉斯方程. 唯一性定理; 不同介质分界面的边界条件
(2)难 点:
当点电荷在闭合面外时,则由于闭合面对面外点的立体角为 零,故闭合面的电场的通量为零。 如果闭合面内有N个点电荷q1、q2、...qn时,则从闭合面穿出的 通量等于各点电荷产生的通量的代数和,即
当把上式的点电荷q用体电荷密度、面电荷密度或线电荷密度代 替,就可将上式推广应用与体电荷、面电荷和线电荷的情况。 对于体电荷,闭合面s包围的总电荷为 因此有
§2.2 高斯定律
1、高斯定律
电场E沿闭合面的通量恒等于闭合面所包围的电量,与真空中的 介电常数的比值,即
利用散度定理,
1 E ds Ed 0 v d s
得出高斯定理的微分形式:
(因积分区间是任意的)
2、高斯定律的证明
以o点为球心,o点到ds的距离R为半径作一个面.取 立体角 ds在球面上的投影 与R2的比值,即为面元对o点 所张立体角
a
0
0 2 0 a Q r dr 2 2 0r 3 0 r 4 0 r 2
ra
E (r )
r r
0
0 2 0 r r 2 0 r r dr r dr 2 2 0 0r 0r 3 0
ra
电场强度在球面处没有发生跃变。为什么?
当积分路径是闭合回路,即A、B两点重 合时、得到 计算电场的线积分
上式虽然是从点电荷的电场中得到的结论,但很容易推广至任 意电荷分布的电场中,所以上式表示了静电场的一个共同特性 一守恒持性。。 以电场力作功为例,当一试验电荷q在电场中沿闭合回路移动一周 时,电场力所作的功为
利用斯托克斯定理上式可以写成
D ds 4r 2 Dr s ds 4a 2 s Q
s s
当 r<a 时,有
D0
example 2.6
求无限长直线电荷的电场。
解:
设无限长直线电荷的线电荷密度为ρl,,与Z轴重合,如 图所示
做半径为r,长度为单位1的 圆柱封闭面,显然由于电 荷是轴对称分布的,因 此电场分布也是轴对称的, 显然,圆柱封闭面的顶面和 底面的电场的通量为0,侧 面的电场通量为
由于上式中回路c及其所限定的面积S是任意的,故有
E 0
D v
2、电位的定义
静电场的两个基本方程:
E 0
由于静电场是一个保守场,因此,可以用一个标量场的梯度来 表示(矢量恒等式),这个标量场我们称为电位,它定义为:
显然,由于电位是一个标量函数,其求解过程一般来说较之电场 来说要容易。因此,在许多静电场问题中,人们往往先求出电位函 数,再根据电场和电位的关系求出电场强度。在直角坐标系下,有
值得注意的是,库仑定律是一个实验定律。实验证明:对 可测定的R值,在1/109米的精度下证明库仑定律是满足平 方反比规律的,它仅在带电体尺度远小于它们之间的距离 时才严格成立。
二、电场强度(electric field intensity)
设在电场中某点处,一个试验电荷受力为F,则该点的电场为:
其中:F的单位为牛顿(N);q的单位为库仑(C);E的单位 为伏特/米(V/m) 指的是该电荷的引入不致影响场源电荷的状态 实验电荷: 所以,在E的定义式中,令q→0,由电场强度的定 义可以得出:
ar
(r<a)
对于球外区域的电场分布和点 电荷Q位于球心处的电场分布相 同。所以在计算球外电场时, 可直接套用集中在球心处的点 电荷Q所产生的电场公式。导体 球内电场为零,在r=a处电场由 零跃变为ρ s/ε 0,恰好球面上 有面电荷存在。由此推 论.电场不连续的面积处将出 现面电荷。
带电导体球的电场分布
图所示,显然细圆环,在圆盘轴线上产生的电场只有z 方向分量,即:
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