反激变换器(Flyback)的设计和计算步骤

反激变换器(Flyback)的设计和计算步骤
反激变换器(Flyback)的设计和计算步骤

反激变换器(Flyback)的设计和计算步骤

齐纳管吸收漏感能量的反激变换器:

0. 设计前需要确定的参数

A 开关管Q的耐压值:Vmq

B 输入电压围:Vinmin ~ Vinmax

C 输出电压Vo

D 电源额定输出功率:Po(或负载电流Io)

E 电源效率:X

F 电流/磁通密度纹波率:r(取0.5,见注释C)

G 工作频率:f

H 最大输出电压纹波:Vopp

1. 齐纳管DZ的稳压值Vz

Vz <= Vmq × 95% - Vinmax,开关管Q承受的电压是Vin + Vz,在Vinmax处还应为Vmq 保留5%裕量,因此有Vinmax + Vz < Vmq × 95% 。

2. 一次侧等效输出电压Vor

Vor = Vz / 1.4(见注释A)

3. 匝比n(Np/Ns)

n = Vor / (Vo + Vd),其中Vd是输出二极管D的正向压降,一般取0.5~1V 。

4. 最大占空比的理论值Dmax

Dmax = Vor / (Vor + Vinmin),此值是转换器效率为100%时的理论值,用于粗略估计占空比是否合适,后面用更精确的算法计算。

一般控制器的占空比限制Dlim的典型值为70%。

----------------------------------------------------------------------------- 上面是先试着确定Vz,也可以先试着确定n,原则是 n = Vin / Vo,Vin可以取希望的工作输入电压,然后计算出Vor,Vz,Dmax等,总之这是计算的“起步”过程,根据后面计算考虑实际情况对n进行调整,反复计算,可以得到比较合理的选择。

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5. 负载电流Io

Io = Po / Vo,如果有多个二次绕组,可以用单一输出等效。

6. 一次侧有效负载电流Ior

Ior = Io / n ,由Ior × Np = Io × Ns得来。

7. 占空比D

D = Iin / (Iin + Ior),其中Iin = Pin / Vin,而Pin = Po / X。这里Vin取Vinmin。(见注释B)

8. 二次电流斜坡中心值Il

Il = Io / (1 - D)

9. 一次电流斜坡中心值Ilr

Ilr = Il / n

10. 峰值开关电流Ipk

Ipk = (1 + 0.5 × r) × Ilr

11. 伏秒数Et

Et = Vinmin × D / f ,(Et = Von × Ton = Vinmin × D/f)

12. 一次电感Lp

Lp = Et / (Ilr × r)

13. 磁芯选择

(1)Ve = 0.7 × (((2 + r)^2) / r) × (Pin / f),Ve单位cm^3;f单位KHz,根据此式确定磁芯有效体积Ve,寻找符合此要求的磁芯。(见注释D)

(2)最适合反激变压器的磁芯是“E Cores”和“U Cores”,“ETD"、”ER"、“RM"这三种用于反激性能一般,而“Planar E”、“EFD"、”EP"、“P"、”Ring"型不适合反激变压器。

(3)材质选锰锌铁氧体,PC40比较常用且经济。

14. 一次匝数Np

Np = (1 + 2/r) × (Von × D)/(2 × Bpk × Ae × f),其中Von = Vinmin - Vq, Vq 是开关管Q的导通压降;Bpk不能超过0.3T,一般反激变压器取0.3T;Ae是磁芯的有效截面积,从所选磁芯的参数中查的。(公式推导见注释E,说明见注释F)

15. 二次匝数Ns

Ns = Np / n,此值小数不可忽略时向上取整,如1.62T取2T,然后重新计算Np = Ns × n 。

16. 匝数调整后实际磁通密度变化围验证

Bpk = Bpk0 × Np0 / Np,Bpk0、Np0是调整前的磁通密度峰值和一次匝数。(根据:Bpk 与匝数成反比)

dB = (2r/(r + 2)) × Bpk

17. 气隙系数z

z = (1 / Lp) × (u × u0 × Ae / le) × Np^2,其中u是磁芯材料的相对磁导率,Ae、le分别是磁芯的有效截面积和有效长度,这些参数由磁芯手册提供,u0是真空磁导率,值为4 × PI × 10^(-7) 。(见注释G)

18. 气隙长度lg

lg = le × (z - 1) / u,其中u是磁芯材料的相对磁导率。(见注释G)

19. 绕组导线的集肤深度h

h = 66.1 × (1 + 0.0042 × (T - 20)) / f^0.5,所得单位为mm,其中T是工作温度,可取80,即最高环境温度40摄氏度时可以有40度的温升。

20. 绕组导线的线径d

d = 2h,若选用铜皮,则铜皮厚度同样按此计算,即 2h 。

21. 绕组导线的电流承载能力Im

Im = PI × (d/2)^2 × J,其中J是电流密度,反激变压器一般取典型值 493 A/cm^2(400 cmil/A)。

22. 一次绕组导线的股数Mp

Mp = Ilr / Im

23. 二次绕组导线的股数Ms

Ms = Il / Im

24. 确定变压器组装结构

根据上面计算的变压器各项参数,合理安排绕组排列、绝缘安排等,绕组安排(从磁芯由近及远)可参考如下:

(1)一般排列是,一次,二次,反馈。

(2)二次,反馈,一次,这种排法有利于一次绕组对磁芯的绝缘安排。

(3)一半一次,二次/反馈,一半一次,这种排法有利于减少漏感。

25. 输出二极管的额定电流Idm

Idm = 2 × Io(见注释H)

26. 输出二极管的额定电压Vdm

Vdm = (1 + 20%) × (Vo + Vinmax / n) (见注释I)

27. 开关管的额定电流Iqm

Iqm = 2 × Ilr × (D × (1 + r^2/12))^0.5 (见注释J)

28. 开关管的额定耐压Vqm

Vqm = (1 + 20%) × (Vor + Vinmax) (见注释K)

29. 输入电容值Cin

Cin = Kcp × Po / X,系数 Kcp 取经验值 3uF/W 。

30. 输入电容额定电流纹波Icind

Icind = Ilr × (D × (1 - D + r^2/12))^0.5 (见注释L)

31. 输入电容的耐压Vcin

Vcin = (1 + 30%) × Vinmax ,30%为保留裕量。

32. 输出电容值Co

Co = Io × D / (f × Vopp) ,(见注释M)

33. 输出电容额定电流纹波Icod

Icod = Io × ((D + r^2/12) / (1 - D))^0.5 (见注释N)

34. 输出电容的耐压Vco

Vco = (1 + 30%) × Vo ,30%为保留裕量。

35. 反向二极管D1的耐压Vd1

Vd1 = (1 + 20%) × Vinmax , 20%为保留的裕量。

36. 反向二极管的电流Id1

Id1 = 0.2 × Ilr (见注释O)

37. 漏感Llk

Llk = Lp × 0.05,根据经验取一次电感的5%,一般反激变压器为2%~20%。

38. 齐纳管功率Pz

Pz = Llk × Ipk^2 × (Vz / (Vz - Vor)) × f,此处为2倍计算的功率值以留足够裕量。(见注释A)

----------------------------------------------------------------------------- 齐纳管损耗可能会比较大,以致无法找到合适器件,所以需要对尖峰吸收电路进行更改,实际应用中一般较多采用RCD电路对漏感尖峰进行吸收,下面的计算针对此RCD电路。

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RCD吸收漏感能量的反激变换器:

39. RCD电路电容最大电压Vcmax(见注释P)

Vcmax = Vor / D

40. RCD电路电容值Crcd(见注释P)

Crcd = Ipk^2 × Llk / (Vcmax^2 × (1 - e^(2 × ln(D) / (1 - D)))

41. RCD电路电阻值Rrcd(见注释P)

Rrcd = (D - 1) / (C × f × ln(D))

42. RCD电路电阻功率Pr(见注释P)

Pr = Llk × Ipk^2 × f,此值为2倍的电阻实际消耗功率,以留出足够裕量。

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如果漏感损耗较大,或考虑进一步提高效率,齐纳管钳位和RCD吸收都无法满足要求,可以考虑LCD无损吸收网络,它可以把漏感能量重新返回输入电容,下面的计算针对此部分。--------------------------------------------------------------------------------------------

LCD无损吸收的反激变换器:

43. 缓冲电容低压Vcr0(见注释Q)

Vcr0 = Vor (根据情况可选择略高于此值)

44. 缓冲电容高压Vcr1(见注释Q)

Vcr1 = k × Vcr0,k是系数,可根据情况选1.5~3,也可以更高,但需注意Q的耐压。

45. 缓冲电容值Cr(见注释Q)

Cr = Llk × Ipk^2 / (Vcr1^2 - Vcr0^2)

46. 储能电感值Lr(见注释Q)

Lr = Lr = D^2 / (Cr × f^2 × (arccos(Vcr0 / Vcr1))^2)

47. 储能电感额定电流Ilrm(见注释Q)

Ilrm = 1.5 × (Cr / Lr)^0.5 × Vcr1 × sin(D / (f × (Lr × Cr)^0.5)),此值为最大电流值的1.5倍,考虑了留出裕量。

至此电路中所有元件的主要参数计算完毕。

注释

A齐纳管钳位损耗Pz = 0.5 × Llk × Ipk^2 × (Vz / (Vz - Vor)) × f,其中Llk是所有漏感 -- 不只是一次漏感Llkp,Ipk是一次电流的峰值。通过此式可看出若Vz接近Vor,则损耗巨大;若以Vz/Vor为变量画出钳位损耗的曲线,则所有情况下,Vz/Vor = 1.4 均为曲线上的明显下降点。

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