APD高压电路的设计
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不同输入光强下，APD的光电流 随偏压的变化
4. APD的温度特性
如图，环境温度的变化对APD 的特性影响很大，当温度升高时， APD的击穿电压VBR也随着上升， 如果APD的工作电压（即高压）不 变，APD的光电检测性能会变弱， 灵敏度降低。
APD VBR的温度 系数一般约为：
0.1V/℃
温度对APD的增益-电压特性的影响
二、 APD高压电路
目前光模块的工作电压一般为3.3V或5V，而APD所需的工作电压高达几十伏。 为保证APD的正常工作，需要引入高压电路及相应的温度补偿措施。APD高压电 路主要包括升压电路、倍压电路 和温度补偿 三个部分。
升压电路
倍压电路
温度补偿
热敏电阻
APD
光电流Ig
1. 升压电路
光模块内部采用的升压电路一般都是非常成熟了的能够实现DC/DC转换功能的 专用升压芯片，如Linear的LT1930、Maxim的MAX1771等。通过DC/DC Converter 能将输入的电源电压（3.3V或5V）转换成20、30几伏的高压输出。
这里提到的Converter是指Boost Converter（升压变换器）。Boost Converter 主要由开关晶体管VT、二极管VD、储能电感L和输出滤波电容C所组成。其电路拓 扑结构及波形如图所示。
toff ton
电路拓扑
升压过程：
VT的工作周期Ts = ton+toff，VT在ton期间导通，在
toff期间截止。
①在ton期间，电源Uin的能量存储于L中，VT导通，
VD反偏，由C向负载供给能量。
iL1
U in L
t
I L min
I L max
U in L
t on
I L min
②在toff期间，VT截止，L中的电流不能突变，产
生感应电势阻止电流减小，感应电势的极性为右
正左负，VD导通，L中存储的能量经VD、流入C，
并供给负载。
iL2
U in
U0 L
(Ts 百度文库on )
I L max
(b)工作波形
2. 倍压电路
虽然DC/DC Converter能输出20、30几伏的电压，但APD的工作电压高达50、 60几伏，这就需要将Converter的输出电压进行倍压，以满足APD的工作需要。倍压 电路一般由整流二极管和电容构成，对前面介绍的Boost Converter进行倍压，典型 的倍压电路如图所示。
3. 温度补偿
APD的温度补偿一般是通过负温度系数的热敏电阻来实现的。热敏电阻 （APD内部集成或者外围提供）将环境温度的变化反映到DC/DC Converter的输 入反馈电压处，从而控制APD的高压随工作温度的变化而变化。
下面给出一个实际的高压电路，说明高压电路的工作过程。
环境温度升高 环境温度降低
1. APD总体介绍
APD—Avalanche Photon Diode
APD光电检测器能对器件内部的光生载流子电流进行放大，即所谓内部倍增作 用。这种倍增作用的大小与器件的工作偏置有关，其响应度随偏置电压的增加而增加， 当其偏置接近击穿电压时，响应度急剧增加，这就是所谓的“雪崩”效应。正因为 “雪崩”效应，在一定的输入光功率Pin条件下，APD能够产生数倍于PIN光电流的光 生电流，使其光电灵敏度更高，故APD常用于长程传输或DWDM等需要高接收灵敏 度的光纤通信系统。
2. APD内部主要结构
3. APD主要参数
偏置电压— APD的偏置电压（即通常所说的高压）一般约为常温60V；最近市场上 也有低偏压APD推出，其高压只需20、30几伏。 响应度— 典型的APD响应度为0.8A/W （M=1），其中M为倍增因子， M=倍增后的电流Ig/无倍增的光生电流Ip。 饱和光功率— 如图，当输入APD的 光功率Pin达到一定值后，光电流将 趋于饱和，只有在Pin低于一定值的 情况下，其输出光电流与偏压有较 大的线性范围，APD的内阻R越小， 线性范围越大。
倍压过程： ① VT截止时，L放电，D1导通，D2截止，电流经过D1对C1充电，C1两端电压达到VC1（ L产生的 反向感应电势）。 ② VT导通时， L储能，VC1> Va ， D1截止，D2 导通。此时，C1的电荷经过D2对C2充电，直至C2 两端电压VC2 =VC1 。 ③ VT再次截止时，L放电，L产生的反向感应电势和C2上的电压联合作用VC2 +VC1 ，通过D3对C3 充电，此时C3上的电压就近似为2 VC1 ，实现了二倍压。
R6 R6
VFB VFB
APD高压 APD高压
APD高压电路介绍
May 2006
一、APD光电检测器的工作特性 二、APD工作的高压电路及温度补偿
一、 APD的工作特性
在光纤通信系统中应用的光电检测器的作用是把接收到的光信号转换成电流信 号。最常用的光电检测器是半导体PIN光电二极管和雪崩光电二极管APD。
WTD自制APD
JDSU Mini-DIL APD
4. APD的温度特性
如图，环境温度的变化对APD 的特性影响很大，当温度升高时， APD的击穿电压VBR也随着上升， 如果APD的工作电压（即高压）不 变，APD的光电检测性能会变弱， 灵敏度降低。
APD VBR的温度 系数一般约为：
0.1V/℃
温度对APD的增益-电压特性的影响
二、 APD高压电路
目前光模块的工作电压一般为3.3V或5V，而APD所需的工作电压高达几十伏。 为保证APD的正常工作，需要引入高压电路及相应的温度补偿措施。APD高压电 路主要包括升压电路、倍压电路 和温度补偿 三个部分。
升压电路
倍压电路
温度补偿
热敏电阻
APD
光电流Ig
1. 升压电路
光模块内部采用的升压电路一般都是非常成熟了的能够实现DC/DC转换功能的 专用升压芯片，如Linear的LT1930、Maxim的MAX1771等。通过DC/DC Converter 能将输入的电源电压（3.3V或5V）转换成20、30几伏的高压输出。
这里提到的Converter是指Boost Converter（升压变换器）。Boost Converter 主要由开关晶体管VT、二极管VD、储能电感L和输出滤波电容C所组成。其电路拓 扑结构及波形如图所示。
toff ton
电路拓扑
升压过程：
VT的工作周期Ts = ton+toff，VT在ton期间导通，在
toff期间截止。
①在ton期间，电源Uin的能量存储于L中，VT导通，
VD反偏，由C向负载供给能量。
iL1
U in L
t
I L min
I L max
U in L
t on
I L min
②在toff期间，VT截止，L中的电流不能突变，产
生感应电势阻止电流减小，感应电势的极性为右
正左负，VD导通，L中存储的能量经VD、流入C，
并供给负载。
iL2
U in
U0 L
(Ts 百度文库on )
I L max
(b)工作波形
2. 倍压电路
虽然DC/DC Converter能输出20、30几伏的电压，但APD的工作电压高达50、 60几伏，这就需要将Converter的输出电压进行倍压，以满足APD的工作需要。倍压 电路一般由整流二极管和电容构成，对前面介绍的Boost Converter进行倍压，典型 的倍压电路如图所示。
3. 温度补偿
APD的温度补偿一般是通过负温度系数的热敏电阻来实现的。热敏电阻 （APD内部集成或者外围提供）将环境温度的变化反映到DC/DC Converter的输 入反馈电压处，从而控制APD的高压随工作温度的变化而变化。
下面给出一个实际的高压电路，说明高压电路的工作过程。
环境温度升高 环境温度降低
1. APD总体介绍
APD—Avalanche Photon Diode
APD光电检测器能对器件内部的光生载流子电流进行放大，即所谓内部倍增作 用。这种倍增作用的大小与器件的工作偏置有关，其响应度随偏置电压的增加而增加， 当其偏置接近击穿电压时，响应度急剧增加，这就是所谓的“雪崩”效应。正因为 “雪崩”效应，在一定的输入光功率Pin条件下，APD能够产生数倍于PIN光电流的光 生电流，使其光电灵敏度更高，故APD常用于长程传输或DWDM等需要高接收灵敏 度的光纤通信系统。
2. APD内部主要结构
3. APD主要参数
偏置电压— APD的偏置电压（即通常所说的高压）一般约为常温60V；最近市场上 也有低偏压APD推出，其高压只需20、30几伏。 响应度— 典型的APD响应度为0.8A/W （M=1），其中M为倍增因子， M=倍增后的电流Ig/无倍增的光生电流Ip。 饱和光功率— 如图，当输入APD的 光功率Pin达到一定值后，光电流将 趋于饱和，只有在Pin低于一定值的 情况下，其输出光电流与偏压有较 大的线性范围，APD的内阻R越小， 线性范围越大。
倍压过程： ① VT截止时，L放电，D1导通，D2截止，电流经过D1对C1充电，C1两端电压达到VC1（ L产生的 反向感应电势）。 ② VT导通时， L储能，VC1> Va ， D1截止，D2 导通。此时，C1的电荷经过D2对C2充电，直至C2 两端电压VC2 =VC1 。 ③ VT再次截止时，L放电，L产生的反向感应电势和C2上的电压联合作用VC2 +VC1 ，通过D3对C3 充电，此时C3上的电压就近似为2 VC1 ，实现了二倍压。
R6 R6
VFB VFB
APD高压 APD高压
APD高压电路介绍
May 2006
一、APD光电检测器的工作特性 二、APD工作的高压电路及温度补偿
一、 APD的工作特性
在光纤通信系统中应用的光电检测器的作用是把接收到的光信号转换成电流信 号。最常用的光电检测器是半导体PIN光电二极管和雪崩光电二极管APD。
WTD自制APD
JDSU Mini-DIL APD