详解光耦EL817的重要参数
EL817(C)-F中文资料(EVERLIGHT)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
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数据表
4PIN DIP光电晶体管光耦合器 EL817系列
绝对最大额定值（TA = 25℃）
Input
参数 正向电流
峰值正向电流（1微秒,脉冲）
反向电压
功耗
符号
IF IFP VR
PD
击穿电压
PC
产量
总功耗
隔离电压*
工作温度 储存温度
焊接温度*
集电极电流
和outpu（u维t 索= 50 V R0M0S0）
• 爬电距离7e
7.62 mm
• 操作TEMPgERATUR高达re+110
0°C
• 紧凑小外形封装
e
• 无铅并符合RoHS标准.
• UL认证（编号E214129）
• VDE认证（132249号）
• SEMKO一批个准
• NEMKO一批个准
• DEMKO一批个准
Min.
Typ. Max.
-
1.2
1.4
-
-
10
-
30
250
产量
参数
集电极 - 发射极暗
当前
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
符号
Min
ICEO
-
BV CEO
35
BV ECO
6
Typ. Max.
-
100
-
-
-
-
传输特性
参数
符号
Min
Typ. Max.
EL817
50
-
600
EL817A
V
IF = 20mA时,IC = 1mA
el817光耦工作原理
el817光耦工作原理EL817光耦是一种常见的光电器件，它由发光二极管（LED）和光敏三极管（光控晶体管）组成。
它的工作原理是利用光敏器件对光信号的感应和转换。
在EL817光耦中，LED作为光源，当施加正向电压时，LED会发出光线。
光线经过透明封装后，照射到光敏三极管的基区，使之光电导起来。
光敏三极管的发射极和基极之间的电流变化取决于LED发出的光强度。
EL817光耦的工作原理可以通过以下几个步骤来解释：1. 发光二极管(LED)发出光信号：EL817光耦中的LED是一个二极管，它在正向电压的作用下发出光信号。
LED的电流和光强度之间存在正比关系，当电流增加时，光强度也随之增加。
2. 光线照射到光敏三极管的基区：发出的光线经过透明封装后，照射到光敏三极管的基区。
光敏三极管的基区是一个光敏材料，当光线照射到基区时，光子能量会激发基区的电子，使之跃迁到导带中。
3. 光敏三极管的电流变化：光敏三极管的发射极和基极之间的电流会随着光敏三极管基区的光电导起变化。
当光敏三极管的基区受到光线照射时，基区的电导率增加，从而导致发射极和基极之间的电流增加。
4. 光敏三极管的输出信号：光敏三极管的输出信号可以通过检测发射极和基极之间的电流变化来获取。
这个输出信号可以用来控制其他电路或器件，实现光电隔离、信号传输等功能。
总结来说，EL817光耦的工作原理是通过LED发出光信号，光线照射到光敏三极管的基区，使之光电导起来，进而影响光敏三极管的输出信号。
这种工作原理使得EL817光耦在电气隔离和信号传输方面有广泛的应用。
它可以用于电路的隔离、电压的检测、电流的测量等领域。
EL817光耦的工作原理为我们提供了一种新的光电转换技术，使得光信号和电信号之间可以进行有效的转换和传输。
在实际应用中，我们可以根据需要选择不同的光敏三极管和LED，以满足不同的光电转换要求。
同时，我们还可以根据实际情况设计合适的电路，以实现更加精确和可靠的光电转换效果。
光耦817参数
光耦817参数
光耦817是一种包含发光二极管和光敏三极管的光电耦合器件。
其主要参数包括：
输入电流：光耦817的输入电流范围一般在5mA到20mA之间。
输入电流越大，输出电流也会相应增加。
输出电流：光耦817的输出电流范围一般在1mA到50mA之间。
输出电流越大，代表其传输能力越强。
耐压：光耦817的耐压一般在250V到500V之间。
耐压越高，代表其能够承受的电压越大。
绝缘电阻：光耦817的绝缘电阻一般在10^11Ω到10^12Ω之间。
绝缘电阻越大，代表其隔离效果越好。
响应时间：光耦817的响应时间一般在1μs到10μs之间。
响应时间越短，代表其传输速度越快。
电流传输比：最小值为50%，具体数值根据输入电流和电压的不同而有所差异。
此外，光耦817的常见应用场景包括：电力电子领域、工业自动化领域、通信设备领域、家用电器领域等。
由于其特性和参数的优势，光耦817在各个领域都有广泛的应用。
光耦手册EL817
LifecyclePhase:
4 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
Electrical Characteristics (Ta=25°C unless specified otherwise)
Input
Parameter Forward voltage Reverse current Input capacitance Symbol VF Min. Typ.* 1.2 30 Max. 1.4 10 250 Unit V µA pF
Schematic
Pin Configuration 1. Anode 2. Cathode 3. Emitter 4. Collector
Everlight Electronics Co., Ltd. Document No DPC-0000046
1 Rev.10
April, 21 2010
Wide lead bend (0.4 inch spacing) Surface mount lead form + TA tape & reel option Surface mount lead form + TB tape & reel option Surface mount lead form (low profile) + TA tape & reel option Surface mount lead form (low profile) + TB tape & reel option Surface mount lead form (Gull-wing) + TA tape & reel option Surface mount lead form (Gull-wing) + TB tape & reel option Surface mount lead form + TU tape & reel option Surface mount lead form + TD tape & reel option Surface mount lead form (low profile) + TU tape & reel option Surface mount lead form (low profile) + TD tape & reel option
光耦817应用电路图汇总（PC817光电耦合器开关电源TL431）
光耦817应用电路图汇总（PC817光电耦合器开关电源TL431）PC817光电耦合器广泛用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，简化电路设计。
PC817是常用的线性光藕，在各种要求比较精密的功能电路中常常被当作耦合器件，具有上下级电路完全隔离的作用，相互不产生影响。
pc817主要特点：1、电流传输比（CTR： MIN. 50% at IF=5mA ，VCE=5V）2、高隔离电压：5000V有效值3、紧凑型双列直插封装，PC817为单通道光耦，PC827为双通道光耦，PC837为三通道，PC847为四通道光耦。
4、线性光耦元件。
光耦817应用电路图（一）pc817是常用的线性光藕，在各种要求比较精密的功能电路中常常被当作耦合器件，具有上下级电路完全隔离的作用，相互不产生影响。
光耦pc817引脚图和内部电路图光耦pc817应用电路图当输入端加电信号时，发光器发出光线，照射在受光器上，受光器接受光线后导通，产生光电流从输出端输出，从而实现了“电-光-电”的转换。
普通光电耦合器只能传输数字信号（开关信号），不适合传输模拟信号。
线性光电耦合器是一种新型的光电隔离器件，能够传输连续变化的模拟电压或电流信号，这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号，从而使光敏晶体管的导通程度也不同，输出的电压或电流也随之不同。
光耦817应用电路图（二）开关电源的稳压反馈通常都使用TL431 和PC817，如输出电压要求不高，也可以使用稳压二极管和PC817，下面我来通过以下典型应用电路来说明TL431，PC817 的配合问题。
电路图如下：R13 的取值，R13 的值不是任意取的，要考虑两个因素：1）TL431 参考输入端的电流，一般此电流为2uA 左右，为了避免此端电流影响分压比和避免噪音的影响，一般取流过电阻R13 的电流为参考段电流的100 倍以上，所以此电阻要小于2.5V/200uA=12.5K.2）待机功耗的要求，如有此要求，在满足《12.5K的情况下尽量取大值。
GYJ-0052 EL817光耦隔离 光电隔离 电平转换 带驱动PNP信号输出 高电平有效
【简要说明】
序
号
Type ♦产品型号GYJ-0052
1.Appearance♦产品外形图参考图在下面
2.Outline ♦外形尺寸长x宽x高72mmX 54mmX 12mm
3.power voltage ♦供电电压 5 to 24V 可选
4.Features♦主要特征
每一路都具有输入输出指示灯
输入支持高低电平
输出PNP信号（高电平有效）
自带驱动能力可以驱动1W以内负载
输入1.5V to 36V电压可选
输出 5V to 24V电压可选
相应频率0 to 1000HZ
支持72mm DIN导轨壳
5.08mm端子
提供原理图、尺寸图
5.Insulation Resistance♦绝缘电阻100MΩ 500VDC
6.Dielectric Strength ♦介质耐压1000VAC 1min
7.Between Contacts ♦触点间400VAC 1min
8.Ambient Temperature ♦环境温度-30℃ to +70℃
9.Ambient humidity♦环境湿度20% to 80%RH
【接线说明】
【原理图】
【PCB图】
【应用举例高电平为有效信号时接线】
【应用举例低电平为有效信号时】
【应用举例多种信号电压输入时及负载接线】
【输入输出信号对照表】
【实物图片展示】
【模块加装壳体效果图】。
详解光耦EL817的重要参数
详解光耦EL817的重要参数详解光耦EL817的重要参数——CTR值 CTR:发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
隔离电压:发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。
光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
集电极-发射极电压:集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。
线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。
因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。
这是其重要特性。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%,300%(如4N35)，而pc817则为80%,160%，台湾亿光(如EL817)可达50%,600%。
这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由台湾亿光生成生产的EL817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。
鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号(高、低电平)，可以用于单片机的输出隔离;所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。
el817用法
el817用法EL817是一种光电耦合器，也被称为光耦，是一种将输入电信号转换为光信号，再将光信号转换回电信号的器件。
它由一个发射机和一个接收机组成，通过光传输实现输入和输出的电隔离。
EL817具有广泛的应用领域，包括工控、通信、电力电子、汽车等多个领域。
EL817的基本结构由一颗发光二极管和一颗光探测器组成。
发光二极管通常使用红外LED作为发射源，而光探测器常用的是光敏三极管、光电二极管或光敏晶体管。
发射机和接收机之间通过一个透明的隔离壳相互隔离，使输入和输出之间不会相互影响。
EL817的工作原理基于光的传导。
当输入信号施加在发光二极管上时，发光二极管会产生相应的光信号，光信号经过隔离壳传输到光探测器上。
光探测器接收到光信号后，会产生相应的电信号输出，完成信号的光电转换。
EL817的优点之一是具有电隔离功能。
电隔离是指将高电压电路与低电压电路有效地隔离开，以防止高电压干扰低电压电路，提高整体系统的安全性和稳定性。
EL817通过光信号进行电隔离，使输入和输出之间不存在直接电流或电压连接，从而实现了电隔离的效果。
EL817的另一个优点是具有高速度和快速响应的特点。
它能够在微秒级的时间内完成发射和接收的过程，适用于需要高速信号传输的场合。
并且EL817还具有低功耗、小尺寸、抗干扰等特点，使其成为一种理想的电隔离解决方案。
在工业自动化领域，EL817常用于数字输入输出模块、变频器和PLC等设备中。
它能够将电机驱动回路与PLC控制回路进行电隔离，确保高压电源不会对PLC 控制回路产生干扰，提高设备的稳定性和可靠性。
此外，EL817还可以用于高压开关电源、电液伺服系统、通信设备等。
在电力电子领域，EL817可以用于电力开关设备中的电隔离过程。
在大功率电网中，为了保护低压控制回路和高压电路之间的可靠隔离，常使用EL817光耦来实现电隔离的效果。
光耦能够将高压电路信号转换为光信号，再将光信号转换为低压电路信号，从而避免高压电路对低压电路的干扰。
光耦EL817pdf
Photocoupler-RoHS CompliantEL817 SeriesFeatures: • Current transfer ratio (CTR:MIN.50% at IF =5mA ,VCE =5V) • High isolation voltage between input and output (Viso=5000 V rms )• Compact dual-in-line package EL817*:1-channel type • Pb free• UL approved (No. E214129)• VDE approved (No. 132249)• SEMKO approved (No. 300858,300859,304855, 304827,2022251,0143133/01-03,0101083/01, 303345,303349)• NEMKO approved (No. P0*******, P0*******,P0*******)• DEMKO approved (No. 311822-01/02/03,310352-01, 311822-03A)• CSA approved (No. 1143601) • BSI approved (No. 8592, 8593) • Options available:- Leads with 0.4”(10.16mm) spacing (M Type)- Leads bends for surface mounting (S and S1 Type) - Tape and Reel of Type for SMD(Add”Ⅰ-TA” Suffix) - Tape and Reel of Type Ⅱfor SMD(Add”-TB” Suffix) - The tape is 16mm and is wound on a 33cm reel• The product itself will remain within RoHS compliant version.DescriptionThe EL817 series contains a infrared emitting diode optically coupled to a phototransistor. It is packaged in a 4-pin DIP package and available in wide-lead spacing and SMD option.Applications• Computer terminals• System appliances, measuring instruments• Registers, copiers, automatic vending machines • Electric home appliances, such as fan heaters, etc.• Signal transmission between circuits of different potentialsand impedancesEL817EL817S EL817MPhotocoupler-RoHS CompliantPhotocoupler-RoHS CompliantPhotocoupler-RoHS CompliantEL817 Series S1 TypeNotes:1.Rank shall be or shall not be marked2.Factory code shall be marked (T: Taiwan / C: China)3.Year date code4.2-digit work week5.All dimensions are in millimeters6.Specifications are subject to change without noticePhotocoupler-RoHS CompliantEL817 SeriesAbsolute Maximum Ratings ( Ta=25°C )UnitRatingParameter SymbolmACurrent I F 50ForwardVVoltage V R 6Input ReversemWPowerDissipation P 70mWCollector Power Dissipation P C 150mACurrent I C 50Output CollectorVV CEO 35VoltageCollector-EmitterVEmitter-CollectorV ECO 6VoltageTotal Power Dissipation Ptot 200 mW＊1 Isolation Voltage Viso 5000rmsVOperating Temperature Topr -55~+110 °CStorage Temperature Tstg -55~+125 °C＊2 Soldering Temperature Tsol 260°C*1 AC for 1 minute, R.H= 40~ 60%RH-Isolation voltage shall be measured using the following method.(1) Short between anode and cathode on the primary side andbetween collector, emitter and base on the secondary side.(2) The isolation voltage tester with zero-cross circuit shall be used.(3) The waveform of applied voltage shall be a sine wave*2 For 10 secondsPhotocoupler-RoHS CompliantEL817 SeriesElectro-Optical Characteristics (Ta=25°C)Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit ConditionForwardV F - 1.21.4 V I F =20mA ReverseCurrent I R - - 10 uAV R =4VInputTerminal Ct - 30 250 pF V=0,f=1kHz Collector Dark currentI CEO - - 100 nAV CE =20VOutputCollector- Emitter breakdown voltage BV CEO 35 - - V Ic=0.1mACurrent Transfer ratio CTR 50-600 % I F =5mA ,V CE =5VCollector- Emitter saturation voltageV CE(sat) - 0.1 0.2 V I F =20mA ,Ic=1 mAIsolation resistance R ISO 5×1010 1011 - ΩDC500V,40~60%R.HFlotation capacitance Cf - 0.6 1.0 pF V=0, f=1MHz Cut-off frequency fc - 80 - kHz V CE =5V, I C =2 mAR L =100Ω, -3dBRise time t r - 4 18 us Transfer CharacteristicsFall timet f - 3 18 usV CE =2VI C =2mA,R L =100ΩPhotocoupler-RoHS CompliantEL817 Series SupplementPhotocoupler-RoHS CompliantEL817 Series RELIABILITY PLANz The reliability of products shall be satisfied with items listed below.Confidence level : 90 % , LTPD : 10 %Classification Test Item Description & Condition (Acc.)Sample FailureCriteriaReferenceStandardOperation Life * Ta = 25±3°CIR: If = 50 mAPt: Pc = 130 mW ( Vf=1.4v) , 1000 hrs 0 / 22 MIL-S-750 : 1026MIL-S-883 : 1005JIS C 7021 : B-1High Temperature / High Humidity Reverse Bias (H3TRB) Ta = 85 ±3°C , Humi. = 85 % rhPt: 80% * Vce (max rating) , 1000 hrs0 / 22 JIS C 7021 : B-11High Temperature Reverse Bias (HTRB) Ta = 105 ±3°CPt: 100% * Vce (Max rating) ,1000 hrs0 / 22 JIS C 7021 : B-8Low Temperature Storage Ta = -50 ±3°C , 1000 hrs 0 / 22 JIS C 7021 : B-12High Temperature Storage Ta = 125 ±3°C , 1000 hrs 0 / 22 JIS C 7021 : B-10MIL-S-883 : 1008 Endurance testAuto clave P = 15 PSIG , Ta = 121 °C ,Humi. = 100 % rh , 48 hrs0 / 22 JESD 22-A102-BTemperature Cycling (Air to Air) 125°C ~ - 55 °C30 ~ 30 min , 100 cycles0 / 22 MIL-S-883 :1010JIS C 7021 : A-4Thermal Shock (Liquid to Liquid) 125 ~ - 55°Ct (dwell) = 5 mint (trans.) = 10 sec , 100 cycles0 / 22 MIL-S-202 : 107DMIL-S-750 : 1051MIL-S-883 :1011Solder Resistance Ta = 260 ±3°Ct (dwell) = 10 ±1 sec 0 / 22 MIL-S-750 : 2031JIS C 7021 : A-1Environmental TestSolder Ability Ta = 230 ±3 °Ct (dwell) = 5 ±1 sec 0 / 22CTR shift > 1.2Vf > U* 1.0Ir > U * 1.0Vce(sat) >U*1.0Bvceo < L*1.0Bveco < L*1.0L :LowSpec.LimitU : Up Spec.LimitMIL-S-883 : 2003JIS C 7021 : A-2Photocoupler-RoHS CompliantEL817 Series2.25 Tubes / Inner Carton3.12 Inner Cartons / Outside CartonPhotocoupler-RoHS CompliantEL817 SeriesPhotocoupler-RoHS CompliantEL817 Series3. 10 Inner Cartons / Outside Carton。
详解PC817光耦的重要参数——CTR值
详解PC817光耦的重要参数——CTR值PC817是一种经典的光电耦合器，它是由一个发光二极管（LED）和一个光敏转换器（光敏三极管或光敏二极管）组成的。
CTR，即Current Transfer Ratio（电流传输比），是光耦器的重要参数之一、CTR表示输入光的强度和输出电流之间的比例关系，下面将详细解释PC817光耦的CTR值，并介绍其在电路设计中的影响因素和应用。
CTR值是光耦器的核心参数之一，定义为输出电流与输入光功率之比。
它表征了光电耦合器的敏感度和增益，即多少输入光能转换为输出电流。
通常，CTR值用百分比或以A/W（安培/瓦特）为单位表示。
CTR值受到多种因素影响，包括LED的发光强度、光电转换器的灵敏度和耦合效率等。
其中，LED发光强度与CTR值有较为直接的关系。
LED的发光强度取决于驱动电流和温度等因素，一般情况下，驱动电流越大，LED的发光强度越大，CTR值也会相应增大。
而温度的升高则会使LED的发光强度下降，从而降低CTR值。
另外，光电转换器的灵敏度和耦合效率也会影响CTR值。
CTR值的选择在电路设计中起到至关重要的作用。
首先，CTR值决定了光电转换器（如光敏三极管或光敏二极管）的输出电流大小。
在进行电路设计之前，我们需要确定所需的输出电流，然后根据CTR值来选择合适的光电转换器。
如果CTR值过低，需要更高的输入光功率才能得到所需的输出电流，这可能会导致其他问题，如功耗过高、噪声增加等。
因此，CTR值应选择适当的范围，既要满足输出电流要求，也要考虑功耗和噪声等因素。
其次，CTR值还影响光耦器的信号传输速度。
光电转换器的输出电流能够快速响应输入光的变化，而CTR值越大，输出电流变化就越快。
因此，在需要高速响应的应用中，通常选择CTR值较大的光耦器，以确保信号传输的速度和准确性。
此外，CTR值还与光隔离的效果有关。
光电转换器的输入光越强，输出电流越大，从而达到更好的光隔离效果。
详解光耦的重要参数—CTR值
详解光耦的重要参数——CTR值CTR电流传输比（currenttransferratio）：描述光耦控制特性的参数，即副边的输出电流（IO）与原边输入电流（IF）的百分比，传输比CTR=IO÷IF×100%。
CTR：发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
隔离电压：发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。
光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
集电极-发射极电压：集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。
线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。
因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。
这是其重要特性。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%(如4N35)，而pc817则为80%～160%，台湾亿光(如EL817)可达50%～600%。
这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由台湾亿光生成生产的EL817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。
EL817(M)(Y)(TA)-FVG中文资料(everlight)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
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4引脚 DIP PHOTOTRANSISTOR
光耦合器
绝对最大额定值（ T
a=25°C)
EL817-G系列
参数 正向电流 峰值正向电流（1微秒,脉冲）
符号
等级
Unit mA A V mW mW/°C mW mW/°C mA V V mW V有效值 °C °C °C
Max. 600 160 260 400 600 200 300 0.2 1.0 18 18
Unit
条件
EL817 EL817A EL817B
经常转移
ratio
EL817C EL817D EL817X EL817Y
CTR
200 300 100 150
%
I F =5毫安,V
CE
= 5V
集电极 - 发射极 饱和电压 绝缘电阻 浮动电容 截止频率 上升时间 下降时间
Notes * 1交流电进行1分钟,RH = 40〜60％RH在本试验中,销1和2被短接在一起,针3＆4
被短接在一起.
* 2为10秒.
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4引脚 DIP PHOTOTRANSISTOR
光耦合器
电气特性（ T Input
参数 正向电压 反向电流 输入电容 符号
EL817-G系列
a= 25°C除非另有规定）
Min. -
Typ.* 1.2 30
Max. 1.4 10 250
Unit V µA pF
条件
VF
I F = 20mA V R = 4V V = 0, f = 1kHz
IR
C in
输出
参数 集电极 - 发射极暗 当前 集电极 - 发射极 击穿电压 发射极 - 集电极 击穿电压 符号
亿光的光耦el817的工作寿命评估方式
亿光的光耦el817的工作寿命评估方式光耦是一种将输入光信号和输出电信号进行电光转换的器件，广泛应用于各种电子设备中。
其中，亿光的光耦型号el817是一种常用的光耦产品。
在评估el817的工作寿命时，可以考虑以下几个方面：光电转换性能、环境因素、温度、电器荷电量、加电击波和终端压力。
首先，光电转换性能是评估el817工作寿命的重要指标之一。
光电转换性能包括光耦的转换速度、滞后时间和线性度等方面。
在实际应用中，光耦的转换速度要求越高，生命周期就越短。
因此，使用el817作为光耦时，需要根据具体需求选择合适的型号，并根据其提供的转换速度等参数进行评估。
其次，环境因素也会对el817的工作寿命产生影响。
环境因素主要包括湿度、光照强度和尘埃等。
湿度过高会导致光耦内部元件的腐蚀，从而降低工作寿命；光照强度过高会导致光耦内部元件的老化，同样会缩短工作寿命；而尘埃对光耦的外部结构形成阻隔，影响光信号的输入和输出，进而影响光耦的转换性能和工作寿命。
此外，温度对el817的工作寿命也有重要影响。
温度过高会使光耦内部元件的粘结材料老化，导致光电转换性能下降，从而缩短工作寿命。
因此，在设计电路时，需要根据实际环境温度，选择合适的散热措施，以保证el817在合适的温度范围内工作。
同时，电器荷电量也是评估el817工作寿命的重要因素之一。
电器荷电量是指光耦元器件上积累的电荷量，过高的电器荷电量会导致静电放电现象，进而对光电转换性能和工作寿命造成不可逆的损害。
此外，加电击波也是一个重要的评估因素。
在实际应用中，电路开关和继电器的加电冲击会影响光耦的工作寿命。
因此，在电路设计中，需要考虑合适的保护电路来减小电路开关对光耦产生的冲击，从而提高工作寿命。
最后，终端压力也是影响el817工作寿命的因素之一。
终端压力过大，会使光耦内部元件的结构变形，进而影响光电转换性能和工作寿命。
因此，在应用中需要注意处理好终端压力，避免对光耦造成不可逆的损害。
亿光EL817C光耦
Technical Data Sheet PhotocouplerEL817 Series Features:• Current transfer ratio(CTR:MIN.50% at IF =5mA ,VCE =5V) • High isolation voltage between input and output (Viso=5000 V rms ) • Compact dual-in-line package EL817*:1-channel type • Pb free• UL approved (No. E214129) • VDE approved (No. 132249)• SEMKO approved (No. 0143133/01-03) • NEMKO approved (No. P0*******) • DEMKO approved (No. 310352-04) • FIMKO approved (No. FI 16763A2) • CSA approved (No. 1143601) • BSI approved (No. 8592 / 8593)• Options available:- Leads with 0.4”(10.16mm) spacing (M Type) - Leads bends for surface mounting (S Type)- Tape and Reel of Type Ⅰ for SMD(Add”-TA” Suffix) - Tape and Reel of Type Ⅱ for SMD(Add”-TB” Suffix) - The tape is 16mm and is wound on a 33cm reelDescriptionThe EL817 series contains a infrared emitting diode optically coupled to a phototransistor. It is packaged in a 4-pin DIP package and available in wide-lead spacing and SMD option.Applications• Computer terminals• System appliances, measuring instruments• Registers, copiers, automatic vending machines • Cassette type recorder• Electric home appliances, such as fan heaters, etc.• Signal transmission between circuits of different potentialsandimpedancesPhotocouplerEL817 Series Device Selection GuideChip MaterialPart. No.IR PTEL817* GaAs SiliconPhotocouplerEL817 Series2. Factory code shall be marked (T: Taiwan / C: China)3. Year date code4. 2-digit work week5. All dimensions are in millimeters6. Specifications are subject to change without noticeTechnical Data Sheet PhotocouplerEL817 SeriesAbsolute Maximum Ratings ( Ta=25°C )Parameter Symbol Rating UnitForward CurrentI F 50 mA Input Reverse Voltage V R 6 V Power Dissipation P 70mWCollector Power DissipationP C 150 mW Output Collector CurrentI C 50mA Collector-Emitter Voltage V CEO 35 V Emitter-Collector Voltage V ECO 6V Total Power DissipationPtot 200 mW＊1Isolation VoltageViso 5000 V rmsOperating Temperature Topr -55~+110 °CStorage TemperatureTstg -55~+125 °C＊2Soldering TemperatureTsol 260 °C*1 AC for 1 minute, R.H= 40~ 60%RH-Isolation voltage shall be measured using the following method.) (1) Short between anode and cathode on the primary side and ) between collector, emitter and base on the secondary side. ) (2) The isolation voltage tester with zero-cross circuit shall be used. ) (3) The waveform of applied voltage shall be a sine wave *2 For 10 secondsTechnical Data Sheet PhotocouplerEL817 SeriesElectro-Optical Characteristics (Ta=25°C)Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit ConditionForwardV F - 1.2 1.4 V I F =20mA ReverseCurrent IR - - 10 uAV R =4VInputTerminal Ct - 30 250 pF V=0,f=1kHz Collector Dark currentI CEO - - 100 nAV CE =20VOutputCollector- Emitter breakdown voltage BV CEO 35 - - V Ic=0.1mACurrent Transfer ratio CTR 50-600 % I F =5mA ,V CE =5VCollector- Emitter saturation voltageV CE(sat) - 0.1 0.2 V I F =20mA ,Ic=1 mAIsolationresistanceR ISO5×10101011 - ΩDC500V,40~60%R.HFloation capacitance Cf - 0.6 1.0 pF V=0, f=1MHz Cut-off frequency fc - 80 - kHz V CE =5V, I C =2 mA R L =100Ω, -3dBRise time t r - 4 18 us TransferCharacteristicsFall timet f - 3 18 usV CE =2VI C =2mA,R L =100ΩPhotocouplerEL817 Series SupplementTechnical Data Sheet PhotocouplerEL817 SeriesRELIABILITY PLANThe reliability of products shall be satisfied with items listed below.Confidence level : 90 % , LTPD : 10 %ClassificationTest ItemDescription & Condition(Acc.) SampleFailure CriteriaReference StandardOperation Life * Ta = 25 ± 3°C IR: If = 50 mAPt: Pc = 130 mW ( Vf=1.4v) , 1000 hrs0 / 22MIL-S-750 : 1026 MIL-S-883 : 1005JIS C 7021 : B-1High Temperature / High Humidity Reverse Bias (H3TRB)Ta = 85 ± 3°C , Humi. = 85 % rh Pt: 80% * Vce (max rating) , 1000 hrs0 / 22 JIS C 7021 : B-11High TemperatureReverse Bias (HTRB) Ta = 105 ± 3°CPt: 100% * Vce (Max rating) ,1000 hrs0 / 22JIS C 7021 : B-8Low Temperature Storage Ta = -50 ± 3°C, 1000 hrs 0 / 22JIS C 7021 : B-12High Temperature Storage Ta = 125 ± 3°C , 1000 hrs0 / 22 JIS C 7021 : B-10 MIL-S-883 : 1008Endurance testAuto claveP = 15 PSIG , Ta = 121 °C , Humi. = 100 % rh , 48 hrs0 / 22JESD 22-A102-BTemperature Cycling (Air to Air) 125°C ~ - 55 °C30 ~ 30 min , 100 cycles 0 / 22 MIL-S-883 :1010 JIS C 7021 : A-4Thermal Shock (Liquid to Liquid)125 ~ - 55°C t (dwell) = 5 mint (trans.) = 10 sec , 100 cycles0 / 22 MIL-S-202 : 107D MIL-S-750 : 1051 MIL-S-883 :1011Solder ResistanceTa = 260 ± 3°C t (dwell) = 10 ± 1 sec0 / 22 MIL-S-750 : 2031 JIS C 7021 : A-1Environmental TestSolder AbilityTa = 230 ± 3 °C t (dwell) = 5 ± 1 sec0 / 22CTR shift > 1.2Vf > U* 1.0 Ir > U * 1.0 Vce(sat) >U*1.0Bvceo < L*1.0 Bveco < L*1.0L :Low Spec.LimitU : Up Spec. LimitMIL-S-883 : 2003 JIS C 7021 : A-2Technical Data SheetPhotocouplerEL817 Series2. 25 Tubes / Inner Carton3. 12 Inner Cartons / Outside CartonTechnical Data Sheet Photocoupler-11-。
详解光耦EL817的重要参数
详解光耦EL817 的重要参数详解光耦EL817的重要参数一一CTR fi CTR:发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
隔离电压: 发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。
光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V（BR）CEO 集电极-发射极饱和压降VCE（sat）。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
集电极-发射极电压: 集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通? 什么时候截至?普通光耦合器的CTR-IF 特性曲线呈非线性，在IF 较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。
线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比（△ CTR衣IC/ △ IF）很接近于直流电流传输比CTR fi。
因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。
这是其重要特性。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC 与直流输入电流IF 的百分比。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%,300%如4N35），而pc817则为80%,160%台湾亿光（如EL817）可达50%,600%这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准；由台湾亿光生成生产的EL817系列（如EL817B-F EL817C-F）光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。
鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号（高、低电平），可以用于单片机的输出隔离；所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。
EL817参数
正向压降VF：二极正向电流IF：在被反向电流IR：在被反向击穿电压结电容CJ：在规反向击穿电压输出饱和压降反向截止电流电流传输比CTR：脉冲上升时间tr、传输延迟时间tPHL 入出间隔离电容入出间隔离电阻入出间隔离电压最大额定值参数名称符号最大额定值单位V反向电压5 VRI50mAFMV集-发击穿电压100V （BR）CEOI集电极电流30 mACMT贮存温度-55～150℃stgT工作温度-55～125℃ambV隔离电压1000 VIOP总耗散功率80 mWtot推荐工作条件特性符号最小值典型值最大值单位I输入电流1050 mAFV电源电压1560 V主要光电特性测试条件(T特性符号11 A=25℃±3℃)最小典型最大单位隔离特性隔离电阻RIOVIO=500 V1010Ω上升时间tr10μsV开关特性下降时间tfCC=5V，IFP=10m10μsIV反向电流RR=5V0.011μALED输入特性VI正向电压FF=10mA1.21.4VCTR电流传输比VCC=5V ，60180%集-发饱和电压VCE （sat）VCC=5V ，0.10.4V晶体管输出特性IV集-发截止电流CEOCE=5V，IF=00.011μA。
光耦手册EL817
Revision
: 10
Release Date:2010-05-29 16:39:31.0 Expired Period: Forever
LifecyclePhase:
4 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)
Everlight Electronics Co., Ltd. Document No DPC-0000046
2 Rev.10
April, 21 2010
Revision
: 10
Release Date:2010-05-29 16:39:31.0 Expired Period: Forever
EL817 Series
Condition IF = 20mA VR = 4V V = 0, f = 1kHz
IR
Cin
Output
Parameter Collector-Emitter dark current Collector-Emitter breakdown voltage Emitter-Collector breakdown voltage Symbol ICEO BVCEO BVECO Min. 35 6 Typ.* Max. 100 Unit nA V V Condition VCE = 20V, IF = 0mA IC = 0.1mA IE = 0.1mA
4 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
Features:
• Current transfer ratio (CTR: 50~600% at IF =5mA, VCE =5V) • High isolation voltage between input and output (Viso=5000 V rms ) • Creepage distance >7.62 mm • Operating temperature up to +110°C • Compact small outline package • Pb free and RoHS compliant. • UL approved (No. E214129) • VDE approved (No. 132249) • SEMKO approved (No. 716108) • NEMKO approved (No. P08209467) • DEMKO approved (No. 314683) • FIMKO approved (No. FI 224433) • CSA approved (No. 1143601)
EL817
EVERLIGHT ELETCRONICS CO., LTDTechnical Data Sheet Photocoupler-RoHS Compliant深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ ＥＬ８１７是台湾亿光（ＥＶＥＲＬＩＧＨＴ）生产的线性光耦，用在电源的反馈回路，用来稳定电压和隔离。
亿光电子的光耦合器可提供各式封装型式 （４－Ｐｉｎ ＳＳＯＰ， ４－Ｐｉｎ ＳＯＰ， ４－Ｐｉｎ ＤＩＰ， ６－Ｐｉｎ ＤＩＰ， ８－Ｐｉｎ ＳＯＰ 与 ８－Ｐｉｎ ＤＩＰ） 且客户可依据产品输出功能，选用适合的产品。
ＥＬ８１７ 亿光光耦合器主要使用在电源设备上，隔离高低 电压的用途。
相关的终端产品应用包括家电、温控、冷气空调（ＨＶＡＣ）、贩卖机、照明控制装置、充电器与交换式的电源供应器。
E -Mail:1091944079@Photocoupler-RoHS Compliant深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍEL817 Series S1 TypeNotes:1.Rank shall be or shall not be marked2.Factory code shall be marked (T: Taiwan / C: China)3.Year date code4.2-digit work week5.All dimensions are in millimeters6.Specifications are subject to change without noticePhotocoupler-RoHS Compliant深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍEL817 SeriesAbsolute Maximum Ratings ( Ta=25°C )UnitRatingParameter SymbolmACurrent I F 50ForwardVVoltage V R 6Input ReversemWDissipation P 70PowermWCollector Power Dissipation P C 150mAOutput CollectorCurrent I C 50VVoltageV CEO 35Collector-EmitterVVoltageEmitter-CollectorV ECO 6Total Power Dissipation Ptot 200 mW＊1 Isolation Voltage Viso 5000rmsVOperating Temperature Topr -55~+110 °CStorage Temperature Tstg -55~+125 °C＊2 Soldering Temperature Tsol 260°C*1 AC for 1 minute, R.H= 40~ 60%RH-Isolation voltage shall be measured using the following method.(1) Short between anode and cathode on the primary side andbetween collector, emitter and base on the secondary side.(2) The isolation voltage tester with zero-cross circuit shall be used.(3) The waveform of applied voltage shall be a sine wave*2 For 10 secondsPhotocoupler-RoHS CompliantEL817 SeriesElectro-Optical Characteristics (Ta=25°C)Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit ConditionForwardV F - 1.2 1.4 V I F =20mA ReverseCurrent I R - - 10 uAV R =4VInputTerminal Ct - 30 250 pF V=0,f=1kHz Collector Dark currentI CEO - - 100 nAV CE =20VOutputCollector- Emitter breakdown voltage BV CEO 35 - - V Ic=0.1mACurrent Transfer ratio CTR 50-600 % I F =5mA ,V CE =5VCollector- Emitter saturation voltageV CE(sat) - 0.1 0.2 V I F =20mA ,Ic=1 mAIsolation resistance R ISO 5×1010 1011 - ΩDC500V,40~60%R.HFlotation capacitance Cf - 0.6 1.0 pF V=0, f=1MHz Cut-off frequency fc - 80 - kHz V CE =5V, I C =2 mA R L =100Ω, -3dBRise time t r - 4 18 us Transfer CharacteristicsFall timet f - 3 18 usV CE =2VI C =2mA,R L =100Ω深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍEL817 Series SupplementEL817 Series RELIABILITY PLANz The reliability of products shall be satisfied with items listed below.Confidence level : 90 % , LTPD : 10 %Classification Test Item Description & Condition (Acc.)Sample FailureCriteriaReferenceStandardOperation Life * Ta = 25±3°CIR: If = 50 mAPt: Pc = 130 mW ( Vf=1.4v) , 1000 hrs 0 / 22 MIL-S-750 : 1026MIL-S-883 : 1005JIS C 7021 : B-1High Temperature / High Humidity Reverse Bias (H3TRB) Ta = 85 ±3°C , Humi. = 85 % rhPt: 80% * Vce (max rating) , 1000 hrs0 / 22 JIS C 7021 : B-11High Temperature Reverse Bias (HTRB) Ta = 105 ±3°CPt: 100% * Vce (Max rating) ,1000 hrs0 / 22 JIS C 7021 : B-8Low Temperature Storage Ta = -50 ±3°C , 1000 hrs 0 / 22 JIS C 7021 : B-12High Temperature Storage Ta = 125 ±3°C , 1000 hrs 0 / 22 JIS C 7021 : B-10MIL-S-883 : 1008 Endurance testAuto clave P = 15 PSIG , Ta = 121 °C ,Humi. = 100 % rh , 48 hrs0 / 22 JESD 22-A102-BTemperature Cycling (Air to Air) 125°C ~ - 55 °C30 ~ 30 min , 100 cycles0 / 22 MIL-S-883 :1010JIS C 7021 : A-4Thermal Shock (Liquid to Liquid) 125 ~ - 55°Ct (dwell) = 5 mint (trans.) = 10 sec , 100 cycles0 / 22 MIL-S-202 : 107DMIL-S-750 : 1051MIL-S-883 :1011Solder Resistance Ta = 260 ±3°Ct (dwell) = 10 ±1 sec 0 / 22 MIL-S-750 : 2031JIS C 7021 : A-1Environmental TestSolder Ability Ta = 230 ±3 °Ct (dwell) = 5 ±1 sec 0 / 22CTR shift > 1.2Vf > U* 1.0Ir > U * 1.0Vce(sat) >U*1.0Bvceo < L*1.0Bveco < L*1.0L :LowSpec.LimitU : Up Spec.LimitMIL-S-883 : 2003JIS C 7021 : A-2深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍEL817 Series2.25 Tubes / Inner Carton3.12 Inner Cartons / Outside Carton深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍEL817 SeriesEL817 Series3. 10 Inner Cartons / Outside CartonTEL:755-36627339集成电路，光电藕合器，三端稳压管，二三极管，电阻电容深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ。
详解光耦的重要参数—CTR值
详解光耦的重要参数——CTR值CTR电流传输比（curren ttran sferr atio）：描述光耦控制特性的参数，即副边的输出电流（IO）与原边输入电流（IF）的百分比，传输比CTR=IO÷IF×100%。
CTR：发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
隔离电压：发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。
光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比C TR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
集电极-发射极电压：集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。
线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。
因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。
这是其重要特性。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%(如4N35)，而pc817则为80%～160%，台湾亿光(如EL817)可达50%～600%。
这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
因此，CTR参数与晶体管的h FE有某种相似之处。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由台湾亿光生成生产的E L817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。
关于开关电源上光耦817的电流传输比CTR档位选择问题
请教你关于开关电源上用的光耦电流传输比的选择问题。
我以前一直以为，光耦的CTR越高越好。
当然了，CTR档位越高，同个型号的光耦价格也会越高。
开关电源上用的光耦，一般会选择什么档位？我在网上搜到如下这句话：
“在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，选取原则如
下：光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%～200%。
这是因为当CTR＜50%时，光耦中的LED就需要较大的工作电流(IF＞5.0mA)，才能正常控制单片开关电源IC的占空比，这会增大光耦的功耗。
若CTR＞200%，在启动电路或者当负载发生突变时，有可能将单片开关电源误触发，影响正常输出。
”
针对这句话，附件中的亿光光耦EL817选择什么档位最好，请帮我参考。
谢谢
具体选那个，看你的参数设计，满足在温度下控制器所需电流即可。
终合稳定性，驱动能力，价格，供货周期等因素考虑，
目前开关电源用得最多的档位是EL817B（CTR：130--260%）和EL817C（200--400%），EL817B会更多一些
联系QQ：158913063
从本人的经验来看，ABC都用过，也的确都工作正常。
但可能不是你说的这样！
其实隔离式的开关电源，主要利用光藕在1~5mA这段较为线性的区域，但是负反馈对非线性是不太敏感的，所以即使CTR是50%~200% ，负反馈的调节，在输出上也不过就是一点点的波纹振荡而已，几乎看不出来的。
所以即使用TLP521，60%~600%的CTR，也完全可能工作正常。
无须担心什么！。
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详解光耦EL817的重要参数
详解光耦EL817的重要参数——CTR值 CTR:发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
隔离电压:发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。
光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
集电极-发射极电压:集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。
线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。
因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。
这是其重要特性。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%,300%(如4N35)，而pc817则为80%,160%，台湾亿光(如EL817)可达50%,600%。
这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由台湾亿光生成生产的EL817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。
鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传
输数字信号(高、低电平)，可以用于单片机的输出隔离;所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。
在开关电源的隔离中，以及设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，除了必须遵循普通光耦的选取原则外，还必须遵循下列原则:
1、推荐采用线性光耦合器，其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整
2、光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%,200%。
这是因为当
CTR<50%时，光耦中的LED就需要较大的工作电流(IF>5.0mA)，才能正常控制
单片开关电源IC的占空比，这会增大光耦的功耗。
若CTR>200%，在启动电路或者当负载发生突变时，有可能将单片开关电源误触发，影响正常输出。
3、若用放大器电路去驱动光电耦合器，必须精心设计，保证它能够补偿耦合
器的温度不稳定性和漂移。
以下是亿光光电耦合器EL817的一些参数:。