半导体物理学(刘恩科)第七版-完整课后题答案

第一章习题

1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带

极大值附近能量E V (k)分别为：

E c =0

2

20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -

=-+ 0m 。试求：

为电子惯性质量，nm a a

k 314.0,1==

π

（1）禁带宽度;

（2） 导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量;

（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：（1）

eV m k E k E E E k m dk E d k m k

dk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43

(0,060064

3

382324

3

0)(2320

2121022

20

202

02022210

1202==

-==<-===-==>=+===-+ 因此：取极大值处，所以又因为得价带：

取极小值处，所以：在又因为：得：由导带：

04

32

2

2*8

3)2(1

m dk E d m

k k C nC

=== s

N k k k p k p m dk E d m

k k k k V nV

/1095.704

3

)()

()4(6

)3(25104

3002

2

2*1

1

-===⨯=-=-=∆=-

== 所以：准动量的定义：

2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场

时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据：t

k

h

qE f ∆∆== 得qE k t -∆=∆

s

a

t s

a

t 137

19282

1911027.810106.1)

0(1027.810106.1)

0(----⨯=⨯⨯--

=

∆⨯=⨯⨯--

=

∆π

π

补充题1

分别计算Si （100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即

原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图） Si 在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：

（a ）(100)晶面 （b ）(110)晶面

（c ）(111)晶面

补充题2

一维晶体的电子能带可写为)2cos 81

cos 8

7()22ka ka ma k E +-= （，

式中a 为 晶格常数，试求

（1）布里渊区边界； （2）能带宽度；

（3）电子在波矢k 状态时的速度；

（4）能带底部电子的有效质量*

n m ；

（5）能带顶部空穴的有效质量*p m 解：（1）由

0)(=dk k dE 得 a

n k π

=

（n=0，±1，±2…）

进一步分析a

n k π

)12(+= ，E （k ）有极大值，

2

2

2)ma

k E MAX

=（ a

n

k π

2=时，E （k ）有极小值

2142

2

142

2142

822/1083.73422

32

21

2414111/1059.92422124142110/1078.6)1043.5(224141100cm

atom a a a cm atom a a a cm atom a a ⨯==⨯+⨯+⨯⨯==⨯⨯+⨯+⨯=⨯==⨯

+-）：（）：

（）：（

所以布里渊区边界为a

n k π

)12(+=

(2)能带宽度为2

22)()ma

k E k E MIN

MAX =-（ (3）电子在波矢k 状态的速度)2sin 4

1

(sin 1ka ka ma dk dE v -== （4）电子的有效质量

)2cos 21(cos 2

22*

ka ka m

dk

E

d m n

-==

能带底部 a

n k π2=

所以m m n

2*

= (5)能带顶部 a

n k π

)12(+=

， 且*

*n p m m -=，

所以能带顶部空穴的有效质量3

2*m

m p =

半导体物理第2章习题

1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？

答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。

（2）理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。

（3）理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。

2. 以As 掺入Ge 中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程