传感器与智能检测标准考试题库答案

练习一一、填空

1、传感器通常又称为变换器、转换器等，是一种能够感受规定的被测量，并按照一定规律转换

成可用输出信号的器件或装置。

2、最小二乘法作为一种数据处理手段，如用于求解一元线性回归方程的系数，应使各测量值与回归

直线上相应值的偏差的平方和最小。

3、电阻应变片的温度补偿方法，通常可采用自补偿法和电路测量补偿法。

4、差动变压器式传感器采用相敏检波电路正常工作，其参考信号U s与输入信号U2需要满足的两个

条件：Us»U2、同频同相或者反相。

5、压电材料石英晶体具有各向异性，使用时应注意沿Z轴方向不产生压电效应。若单片压电片的

等效电容为c；输出电荷为Q；输出电压为u；若将相同两片并接后，则其总参数C=zc, Q=2Q

6、电涡流传感器的整个测量系统由激励线圈和块状导体两部分组成，由电涡流贯穿深度与频率

的关系知，其透射式传感器采用低频激励。（填高频/低频激励）。

7、在光线作用下电子逸出物体表面向外发射电子的现象称外光电效应；相应的器件如光电管、光电倍

增管。

&光导纤维是一种利用光的全反射原理而传输光的器件,其纤芯的折射率应大于包层的折射率。

9、光敏二极管一般处于反向偏置工作状态，由其光谱特性如下图1可知，若用光敏二极管设计

可依据光线亮、暗情况自动开关的路灯控制电路，应选用硅材料的较好。

输入轴

10、同型号的热电偶可串联或并联使用，如上图2（a）、（b）两种线路中，测两点平均温度的是_b _____

测两点温度差的是_a ______ 。

11、霍尔传感器测量转速，如上图3,若转盘上粘帖磁极对数Z=4,测得霍尔传感器输出电压脉冲频

率 f=8Hz,则转速 n = 120 r/min 。F= （ n*Z）/60

12、某光栅传感器，栅线密度50线/mm,主光栅与指示光栅的夹角0.01rad,则形成的莫尔条纹宽度

B H= 2 mm/rad ，莫尔条纹具有位移放大的作用。Bh=1/（ W夹角）

13、编码型数字传感器测角位移，一个5位二进制码盘，其最小能分辨的角度是11.25—度。

二、选择

1、下列特性不是用来描述传感器静态特性的是（ C ）。

A、迟滞性 B 、重复性 C 、频率响应特性 D 、漂移

2、测量误差按其性质和产生原因分三大类，下列关于误差的说法错误的是（ D ）。

A 、 系统误差可以采用修正或补偿的方法处理。

B 、 随机误差不可能避免，总体服从统计的正态分布规律。

C 、 含有粗大误差的数据应剔除，不可采用。

D 含有粗大误差的数据，可通过多次测量，取平均值后采用。

3、 若差动变压器式电感传感器初、次级均由两个绕组构成，则其具体连接方式是（

A ）

A 、 两初级绕组同名端顺次串联，两次级绕组同名端反向串联

B 、 两初级绕组同名端反向串联，两次级绕组同名端顺次串联

C 、 两初、次级绕组同名端均顺次串联

D 、两初、次级绕组同名端均反向串联

4、 某压力仪表厂生产的压力表最大引用误差控制在

0.5%~0.7%，该压力表的精度等级应定为（

C ）

级。 A 、 0.2 B

、 0.5 C 、

1.0

D 、 1.5

5、 下列传感器中，不属于有源器件的是 （D ）

A 、压电式传感器

B 、热电偶传感器

C 、磁电感应式传感器

D 、差动变压器式传感器 6、 光敏电阻在给定工作电压下（ B ），说明其性能好、灵敏度高。

A 、暗电阻大

B 、暗电阻与亮电阻的差值大

C 亮电阻大

D

、暗电阻与亮电阻的差值小

7、 封装在光电耦合器件内部的是 （C ）

A 、一个发光二极管和一个发光三极管

B 、一个光敏二极管和一个光敏三极管

C 一个发光二极管和一个光敏三极管

D 、两个发光二极管或两个光敏三极管

&压电材料将超声波（机械振动波）转换成电信号是利用 （C ）;蜂鸣器压电片中发出“嘀……

嘀……”声的发声原理是利用压电材料的（

D ）。

A 应变效应

B 、电涡流效应

C 、正压电效应

D 、 逆压电效应

9、可以减小霍尔元件的输出不等位电势的办法是（ C ）。

A 、增加激励电流

B 、增强磁感应强度

C 、使用电桥调零电位器

10、半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描 述，不正确的

是（

D ）。

三、分析简答 1、压电式传感器前置放大器的作用是什么？有哪两种形式? 答：作用：（1）放大（2）阻抗变换

形式：（1）电流源（2）电压源

2、零点残余电压是评定差动变压器性能的主要指标之一，它的存在使传感器在零点附近灵敏度下降 和测量误差增大，试说明零点残余电压的产生原因及其消除方法。 答：原因：（1）次级绕组电气参数不对称（2）铁芯的非线性

A 、氧化性气体吸附到

N 型半导体

上， B 、 氧化性气体吸附到 P 型半导体

上,

C 、 还原性气体吸附到 P 型半导体上,

D 还原性气体吸附到 N 型半导体

上,

使半导体载流子减少，电阻值增

加。

使半导体载流子增多，电阻值减少。

使半导体载流子减少，电阻值增

加。

使半导体载流子减少，电阻值增

加。