发光二极管测试方法
发光二极管的测试方法
发光二极管的测试方法发光二极管（LED）是一种能够将电能直接转化为光能的半导体元件。
从市场上常见的LED的类型来看，有红、绿、蓝、黄等不同颜色的LED。
为了确保LED的质量和性能，需要对其进行测试。
下面将介绍一些常用的LED测试方法。
首先是对LED光电参数的测试，主要包括：1. 测试光通量（Luminous Flux）: 光通量是LED的发光亮度的量度，单位为流明(lm)。
可以使用一台光度计来测量LED的光通量值。
2. 测试光强度（Luminous Intensity）: 光强度是LED光线在特定方向上发射的明亮程度，单位为坎德拉（cd）。
光强度的测试可以通过使用一个集成球、透镜和接口装置结合光度计来完成。
3. 测试色度坐标（Chromaticity Coordinates）: 色度坐标是用来描述LED的颜色特性的参数。
可以使用色度仪来测量LED的色度坐标。
此外，还需要对LED的电性能进行测试，主要包括：1. 测试正向电压（Forward Voltage）: 当LED处于导通状态时，正向电压是LED正向电流通过后产生的电压降。
可以使用数字式万用表或特定的LED测试仪进行测量。
2. 测试正向电流（Forward Current）: 正向电流是指在正向电压下流过LED的电流。
可以通过直流电源和电流表进行测试。
3. 测试反向电流（Reverse Current）: 当LED处于反向偏置状态时，如果流过LED的电流过高，则可能导致LED短路。
可以使用数字式万用表或特定的LED测试仪进行测试。
4. 测试开启电压（Breakdown Voltage）: LED在反向偏置状态下的电压，即开启电压。
可以使用数字式万用表或特定的LED测试仪进行测试。
最后，还需要对LED的可靠性进行测试，主要包括：1.高温寿命测试:将LED置于恒定高温环境中，通电并持续观察其工作性能的变化情况，以判断其在高温环境下的寿命和稳定性。
半导体发光二极管测试国标(精)
基于LED各个应用领域的实际需求，LED的测试需要包含多方面的内容，包括：电特性、光特性、开关特性、颜色特性、热学特性、可靠性等。
1、电特性LED是一个由半导体无机材料构成的单极性PN结二极管，它是半导体PN结二极管中的一种，其电压-电流之间的关系称为伏安特性。
由图1可知，LED电特性参数包括正向电流、正向电压、反向电流和反向电压，LED必须在合适的电流电压驱动下才能正常工作。
通过LED电特性的测试可以获得LED的最大允许正向电压、正向电流及反向电压、电流，此外也可以测定LED的最佳工作电功率。
图 1 LED伏安特性曲线LED电特性的测试一般利用相应的恒流恒压源供电下利用电压电流表进行测试。
2、光特性类似于其它光源，LED光特性的测试主要包括光通量和发光效率、辐射通量和辐射效率、光强和光强分布特性和光谱参数等。
（1）光通量和光效有两种方法可以用于光通量的测试，积分球法和变角光度计法。
变角光度计法是测试光通量的最精确的方法，但是由于其耗时较长，所以一般采用积分球法测试光通量。
如图2所示，现有的积分球法测LED光通量中有两种测试结构，一种是将被测LED放置在球心，另外一种是放在球壁。
_h:^E8(_ d图 2 积分球法测LED光通量此外，由于积分球法测试光通量时光源对光的自吸收会对测试结果造成影响，因此，往往引入辅助灯，如图3所示。
图3 辅助灯法消除自吸收影响在测得光通量之后，配合电参数测试仪可以测得LED的发光效率。
而辐射通量和辐射效率的测试方法类似于光通量和发光效率的测试。
（2）光强和光强分布特性图4 LED光强测试中的问题如图4所示，点光源光强在空间各方向均匀分布，在不同距离处用不同接收孔径的探测器接收得到的测试结果都不会改变，但是LED由于其光强分布的不一致使得测试结果随测试距离和探测器孔径变化。
因此，CIE-127提出了两种推荐测试条件使得各个LED在同一条件下进行光强测试与评价，目前CIE-127条件已经被各LED制造商和检测机构引用。
发光二极管的测试方法
电特性测试方法： 1．正向电压：目的：测量器件在规定正向工作电流下，两电极间产生的电压降。
测试原理：D ——被测器件； G ——恒流源； A ——电流表； V ——电压表。
正向电压测量原理图测量步骤：正向电压的测量按下列步骤进行： a) 按图连接测试系统，并使仪器预热；b) 调节恒流源，使电流表读数为规定值，这时在直流电压表上的读数即为被测器件的正向电压。
规定条件：——环境或管壳温度； ——正向偏置电流。
2．反向电压：目的：测量通过器件的反向电流为规定值时，在两电极之间产生的反向电压。
G测量原理：D ——被测器件； G ——稳压源； A ——电流表； V ——电压表。
反向电压测量原理图测量步骤：反向电压的测量按下列步骤进行： c) 按图连接测试系统，并使仪器预热；d) 调节稳压电源，使电流表读数为规定值，这时在直流电压表上的读数即为被测器件的正向电压。
规定条件：——环境或管壳温度； ——反向电流。
3．反向电流：目的：测量在被测器件施加规定的反向电压时产生的反向电流。
测量原理：V A+-GV +-GD——被测器件；G——稳压源；A——电流表；V——电压表。
反向电流测量原理图测量步骤：反向电压的测量按下列步骤进行：e)按图连接测试系统，并使仪器预热；f)调节稳压电源，使电流表读数为规定值，这时在直流电压表上的读数即为被测器件的正向电压。
规定条件：——环境或管壳温度；——反向电压。
4．总电容：目的：在被测器件施加规定的正向偏压和规定频率的信号时，测量被测器件两端的电容值。
测量原理：D——被测器件；——隔离电容；CA——电流表；V——电压表L——电感。
总电容测量原理图测量步骤：总电容的测量按下列步骤进行： g) 按图连接测试系统，并使仪器预热；h) 调节电压源和调节电容仪，分别给被测器件施加规定的正向偏压和规定频率的信号，将电容仪刻度盘上读数扣去电容C 0等效值即为被测器件总电容值。
规定条件：——环境或管壳温度； ——正向偏置电压；——电容仪提供规定频率的信号。
用万用表测量二极管
怎么用万用表测二极管、发光二极管和三极管的好坏普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。
通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。
1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。
两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。
在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。
硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。
正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。
若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。
3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。
其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。
如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。
1 中、小功率三极管的检测A 已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏(a) 测量极间电阻。
发光二极管亮度 检测方法
发光二极管亮度检测方法下载温馨提示：该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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万用表测量LED灯好坏的方法
万用表测量LED灯好坏的方法今天我们来说一声怎样用万用表测量LED灯珠的好坏——更换一盏灯需要几十甚至几百元，但是更换一个灯珠只需要几分钱。
如果LED灯出现不亮或亮度降低的情况，别急着更换整个灯，试着测试一下LED灯珠是不是坏了。
万用表晶体管档LED的中文名字叫做“发光二极管”，具体到灯具上，指的是灯具的发光体，又被叫做“灯珠”。
LED 属于二极管的一种，而二极管又属于晶体管的一种，因此想要测量发光二极管是否损坏，需要使用到万用表的晶体管档。
（万用表测量发光二极管的方法有很多，这里只介绍最简单、最适用于家用的方法。
）首先旋转万用表的档位，将其选择到晶体管档.测试时，在万用表的显示屏上会显示一组数据，该数据显示的是二极管PN结的偏置情况。
当然，当我们在测量LED时，不需要看什么数据，只需要观察在测量过程中，LED 灯是否能够亮起即可。
在使用万用表测量LED时，要注意两点：1.二极管只能通过单一方向的电流，因此在测量时需要区分正负极；2.也有人提到可以用Rx10K等电阻档对LED进行测量，但是这种测量方式有风险，一旦选择档位过小，便有可能造成二极管烧毁，因此不建议使用——有专业的晶体管档，为什么偏要用电阻档呢？关于LED灯的具体测量方法如下。
万用表测LED首先区分LED灯珠的正负极，方法是观察灯珠的两个插脚——共有三种家庭常见的LED灯珠：1.指示灯里用的这种LED灯珠，下面有两个长长的插脚。
插脚长的那个，就是正极，短的就是负极。
如果两个插脚被剪的一样长，可以拿着灯珠对着光看里面的金属极，小金属极下面对应的插脚就是正极，大的就是负极。
2.照明灯使用的多是插脚型LED或贴片型LED，插脚型LED可以通过查看插脚长度，长的就是正极；也可以通过观察插脚的样子，插脚上带小孔的，就是负极。
3.贴片型LED由于插脚被挡住了，可以俯视LED灯珠，带彩色线或有缺角的一端，就是负极。
（不区分正负极也没关系，测量时如果LED不亮，就把两支表笔调换方向，再测一次。
半导体发光二极管LED的测试方法
34技术应用T echnology and application半导体发光二极管（LED,light emitting diode ）是一种新型的发光体，具有电光转换效率高、体积小、寿命长、电压低，节能、环保等优点，是下一代理想的照明器件。
LED 光电测试是检验LED 光电性能的重要手段，相应的测试结果是评价和反映当前我国LED 产业发展水平的依据。
文章结合有关LED 测试方法的国家的相关标准，介绍了LED 光电性能测试的几个主要方面。
半导体发光二极管LED 的测试方法沈光地 北京光电子技术实验室主任半导体发光二极管（L E D）已经被广泛应用于指示灯、信号灯、仪表显示、车载光源、大屏幕显示、背光源等场合，白光L E D技术也不断地发展，L E D在照明领域的应用越来越广泛。
过去，对于L E D的测试没有较全面的国家标准和行业标准，在生产实践中只能以相对参数为依据，不同的厂家、用户、研究机构对此争议很大，导致国内L E D 产业的发展受到很大影响。
结合国内外关于L E D测试方法的各种标准，基于L E D各个应用领域的实际需求，本文从电特性、光特性、开关特性、颜色特性、热学特性、可靠性等方面进行了介绍。
LED 的发光原理1955年，美国无线电公司（R a d i o Corpor of America Rubin Braunstein）发现了砷化鎵G a A s与及其他半导体合金的红外线放射作用。
而 1962年美国通用电气公司（GE Nick Holonyak Jr）则开发出可见光的L E D。
不过，L E D真正的起飞是 1990 年代白光 LED出现后，才开始渐渐被重视，而应用面越来越广。
L E D具备二极管的特性，是一种可以将电能转化为光能的电子零件，也就是具备一正极一负极，L E D最特别的地方在于只有从正极通电才是会发光，故一般给予直流电时，L E D会稳定地发光，但如果接上交流电，L E D会呈现闪烁的型态，闪亮的频率依据输入交流电的频率而定。
发光二极管测试
绿蓝色LED抗静电能力较弱
• 这一类LED的衬底是用高阻值的蓝宝石 （Al2O3）或碳化硅（SiC）制成的，其导电 性和导热性都很差。 如Al2O3衬底的蓝光 LED的PN结电极是V型电极（俗称双电极 型），电极之间的距离<300μm，一旦积累 了感应的静电电荷，很容易在该处发生自激 放电。又由于AlGaNlGaN的发光启动层较薄， 因此静电放电中该层更容易被击穿。
发光二极管测试
热学参数、静电耐受性 覃皓宇
发光二极管的热学参数
目录
CONTENT
热学参数的测定 Led静电耐受性
1. 发光二极管的热学参数
结温
热阻
结温定义为： TJ=TJ0+△TJ 式子中TJ0代表待测器 件未施加加热功率前 的初始结温； △TJ是因施加加热功 率引起的结温变化量
半导体器件主要以热 阻来描述自身的热传 导性能,热阻的物理 定义是沿热传导路径 上的温差与该热传导 路径上的耗散的功率 的比值。
2. 1 LED热阻的测量
ห้องสมุดไป่ตู้
显微光谱拉曼法:该方法利用拉曼散射谱中的谱线STOKES和ANTISTOKES在不同温度 下的移动量，来测量温升。
优点
由于显微镜头的最小光斑
半径是1um，空间移动的 最小精度是0.1um，这样 通过二者的结合，可测量
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缺点
That’s all
2. 热学参数的测定
• 目前用于led性能（结温热阻）测试是参照EIA/JESD51标准的要求进行设计的。典 型的设备有：micred公司的t3ster；antech公司的phase11 thermal analyer等。由 于led热性能测试的设备价格昂贵，使用复杂，目前国内只有很少的单位配备了进 口设备。
发光二极管热阻抗测试方法
发光二极管热阻抗测试方法
发光二极管（LED）热阻抗测试方法包括以下步骤：
1. 样品选择：选择需要测试的LED样品，确保样品的质量和可靠性。
2. 测试系统搭建：搭建测试系统，包括LED驱动电路、温度测量电路、数
据采集和处理电路等。
3. 测试环境设置：设置测试环境温度，保持测试环境稳定，避免外界干扰。
4. 电流注入：通过LED驱动电路向LED注入恒定电流，记录电流值。
5. 温度测量：通过温度测量电路测量LED结温，记录结温值。
可以采用红
外测温仪、热敏电阻等方法测量结温。
6. 数据采集和处理：采集测试数据，包括电流值和结温值，进行处理和分析。
可以计算出LED的热阻抗值，并进行统计分析。
7. 重复测试：重复以上步骤，对不同型号、不同批次、不同工作条件下的LED进行测试，得出测试结果。
8. 结果分析和报告：对测试结果进行分析和比较，得出结论，编写测试报告。
测试报告应包括测试条件、测试数据、结果分析等内容。
需要注意的是，测试时应遵循安全规范和操作规程，确保人员安全和设备安全。
同时，应保证测试的准确性和可靠性，对测试数据进行统计分析，避免误差和异常值对测试结果的影响。
实验二 发光二极管P-I特性测试实验含数据)
实验二 发光二极管P-I 特性测试实验一、实验目的1、学习发光二极管的发光原理2、了解发光二极管平均输出光功率与注入电流的关系3、掌握发光二极管P （平均发送光功率）-I （注入电流）曲线的测试二、实验内容1、测量发光二极管平均输出光功率和注入电流，并画出P-I 关系曲线2、根据P －I 特性曲线，计算发光二极管斜率效率三、预备知识1、了解发光二极管与半导体激光器的异同点四、实验仪器1、ZY12OFCom13BG3型光纤通信原理实验箱 1台2、FC 接口光功率计 1台3、850nm 光发端机（HFBR-1414T ） 1个4、ST/PC-FC/PC 多模光跳线 1根5、万用表 1台6、连接导线20根五、实验原理半导体光源主要有半导体发光二极管（LED ）和半导体激光器（LD ）两种。
LD 已经在上一个实验介绍过，本实验主要是介绍LED 。
发光二极管（LED ）结构简单，是一个正向偏置的PN 同质节，电子-空穴对在耗尽区辐射复合发光，称为电致发光。
发光二极管（LED ）发射的不是激光，输出功率较小、具有较宽的谱宽（30～60nm ）、发射角较大（≈100°）、与光纤的耦合效率较低。
其优点是：寿命很长，理论推算可达108至1010小时，其次是受温度影响较小，输出光功率与注入电流的线性关系较好，价格也比较便宜，驱动电路简单，不存在模式噪声等问题。
半导体发光二极管（LED ）可以做为中短距离、中小容量的光纤通信系统的光源。
对于发光二极管（LED ）而言，自发辐射产生的功率是由正向偏置电压产生的注入电流提供的，当注入电流为I ，工作在稳态时，电子-空穴对通过辐射和非辐射复合，其复合率等于载流子注入率I q ，其中发射电子的复合率决定于内量子效率int η，光子产生率为)/(int q I η，因此LED 内产生的光功率为Iq P )/(int int ωη =（2-1）式中，ω 为光量子能量。
假定所有发射的光子能量近似相等，并设从LED 逸出的功率内部产生功率的份额为ext η，则LED 的发射功率为Iq P P ext ext e )/(int int ωηηη ==（2-2）ηext 亦称为外量子效率。
发光二极管LED最新测试方法
发光二极管LED最新测试方法1.电压测试：测试LED在额定电流下的电压降，通常使用数字万用表进行测量。
测试时需要将LED连接到稳流电源上，并在额定电流下测量其电压降。
2.亮度测试：测试LED的亮度是其最常见的测试方法之一、可以使用光度计或光度计系统对LED的辐射光通量进行测量。
测试时需要将LED置于测试装置中，并将测量结果与标准亮度进行比较。
3.色度测试：测试LED的颜色特性是测试LED的另一个重要指标。
常用的测试方法是使用光谱分析仪测量LED的光谱分布，并根据光谱数据计算出色坐标和相关色度指标，如色温、色容差等。
4.色品测试：测试LED的色品是测试其色彩性能的重要方法之一、可以使用色差仪进行测量，通过比较样品光源和标准光源的颜色差异来评估LED的色品效果。
5.效率测试：测试LED的光电转换效率是衡量其能量利用率的重要指标。
可以使用光度计和功率计对LED的光输出和电功率进行测量，并计算出光电转换效率。
6.可靠性测试：测试LED的可靠性是评估其寿命和稳定性的关键。
常用的可靠性测试方法包括温度循环测试、湿热循环测试、阻尼振动测试等。
7.稳定性测试：测试LED的稳定性是评估其长期性能保持能力的重要方法。
可以通过长时间连续使用LED，并检测其亮度、电流和电压等参数的变化来评估其稳定性。
8.一致性测试：测试LED的一致性是确保生产的LED具有相似的电气和光学性能的重要方法。
可以使用测试电路对一批LED进行批量测试，并对测试结果进行统计和分析。
综上所述，LED的测试涉及多个方面的指标，包括电气特性、光电特性、可靠性和一致性等。
在测试过程中，需要使用专业的测试设备和仪器，并严格按照测试标准和规程进行操作，以确保测试结果的准确性和可靠性。
发光二极管测试方法
發光二極體測詴方法摘要系統地介紹了與發光二極體測詴有關的術語和定義,在此基礎上,詳細介紹了測詴方法和測詴裝置的要求。
1 前言半導體發光二極體是一種重要的光電子器件,它在科學研究和工農業生産中均有非常廣泛的應用.發光二極體雖小,但要準確測量它的各項光和輻射參數並非一件易事.目前在世界範圍內的測詴比對還有較大的差異.鑒於此,CIE(國際照明委員會)TC2-34小組對此進行了研究,所提出的技術報告形成了CIE127-1997文件.中國光學光電子行業協會光電器件專業分會根據國內及行業內部的實際情況,初步制定了行業標準"發光二極體測詴方法",2002年起在行業內部詴行.本文敍述了與發光二極體測詴有關的術語和定義,在此基礎上,詳細介紹了測詴方法和測詴裝置的要求,以期收到抛磚引玉之效果.本文涉及的測詴方法適用於紫外/可見光/紅外發光二極體及其元件,其晶片測詴可以參照進行。
2 術語和定義2.1發光二極體LED除半導體雷射器外，當電流激勵時能發射光學輻射的半導體二極體。
嚴格地講，術語LED應該僅應用於發射可見光的二極體；發射近紅外輻射的二極體叫紅外發光二極體（IRED,Infrared Emitting Diode）；發射峰值波長在可見光短波限附近，由部份紫外輻射的二極體稱爲紫外發光二極體；但是習慣上把上述三種半導體二極體統稱爲發光二極體。
2.2光軸Optical axis最大發光（或輻射）強度方向中心線。
2.3正向電壓V F Forward voltage通過發光二極體的正向電流爲確定值時，在兩極間産生的電壓降。
2.4反向電流I R Reverse current加在發光二極體兩端的反向電壓爲確定值時，流過發光二極體的電流。
2.5反向電壓V R Reverse voltage被測LED器件通過的反向電流爲確定值時，在兩極間所産生的電壓降。
2.6總電容C Capacitance在規定正向偏壓和規定頻率下，發光二極體兩端的電容。
光信息专业实验说明：发光二极管特性测量实验
光信息专业实验说明：发光二极管特性测量实验一、实验目的和内容1、了解发光二极管的发光机理、光学特性与电学特性，并掌握其测试方法。
2、设计简单的测试装置，并对发光二极管进行V－I特性曲线、P－I特性曲线的测量。
二、实验基本内容1、概述50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，第一个商用二极管产生于1960年。
LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它属于固态光源，其基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。
LED结构图如下面图1所示：发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的芯片。
常规的发光二极管芯片的结构如图二所示，主要分为衬底，外延层（图2中的N型氮化镓，铝镓铟磷有源区和P型氮化镓），透明接触层，P型与N型电极、钝化层几部分。
钝化层的作用是保护透明接触层。
N型电极P型电极图2、常规InGaN / 蓝宝石LED芯片剖面图图3、InGaN LED芯片俯视图在 p 型半导体和 n 型半导体之间存在一个过渡层，称为p －n 结。
跨过此p －n 结，电子从n 型材料扩散到p 区，而空穴则从p 型材料扩散到 n 区，如右面的图4（a ）所示。
作为这一相互扩散的结果，在p －n 结处形成了一个高度的e ΔV 的势垒，阻止电子和空穴的进一步扩散，达到平衡状态（见图4（b ））。
当外加一足够高的直流电压V ，且 p 型材料接正极， n型材料接负极时，电子和空穴将克服在p －n 结处的势垒，分别流向 p 区和 n 区。
在p －n 结处，电子与空穴相遇，复合，电子由高能级跃迁到低能级，电子将多余的能量将以发射光子的形式释放出来，产生电致发光现象。
这就是发光二极管的发光原理。
（见图2.1.2（c ））。
通过材料的 选择可以改变半导体的能带带 隙，从而就可以发出从紫外到红外不同波长的光线，且发光的强弱与注入电流有关。
二极管如何测量_各种二极管测量方法
二极管如何测量_各种二极管测量方法一. 二极管测量方法_普通二极管的检测（检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个pn结构成的半导体器件，具有单向导电特性。
通过用万用表检测其正、反向电阻值，判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。
1．极性的判别将万用表置于r×100档或r×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。
两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。
在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1k左右，反向电阻值为300左右。
硅材料二极管的电阻值为5 k左右，反向电阻值为∞（无穷大）。
正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。
若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。
3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）用晶体管直流参数测试表测量。
其方法是：测量二极管时，应将测试表的“npn/pnp”选择键设置为npn，再将被测二极管的正极接测试表的“c”插孔内，负极测试表的“e”插孔，按下“v（br）”键，测试表指示出二极管的反向击穿电压值。
也兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极，用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。
如图4-71，摇动兆欧表手柄（应由慢加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。
二. 二极管测量方法_稳压二极管的检测1．正、负电极的判别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。
发光二极管的测试方法
发光二极管的测试方法发光二极管（LED）是一种半导体器件，广泛应用于照明、显示、通信等领域。
测试LED的特性和性能是确保其质量和可靠性的关键步骤。
下面是发光二极管的测试方法，可分为外观检查、静态电参数测试和光电参数测试三部分。
一、外观检查1.外观检查是发光二极管最基本的一个测试。
用肉眼或显微镜检查LED是否有裂纹、杂质、污染等缺陷。
2.外观检查还包括引线的焊接是否齐全、导电是否可靠。
二、静态电参数测试1.正向电压-电流特性测试*在限制电流下，应用逐步增大的正向电压，记录电流的变化。
绘制LED的电流-电压曲线，可以得到正向击穿电压、正向导通电阻、正向压降等参数。
*正向电压一般范围是0.2V到5V，根据不同的LED型号和应用需求可能有所差异。
2.反向电压测试*在限制电流下，应用逐步增大的反向电压，记录电流的变化。
根据电流的大小和反向电压的极限，可以判断LED对反向电压的抗性。
3.反向漏电流测试*测量未加正向电压时，LED器件上的反向漏电流。
使用特定的测试电路和仪器，精确测量反向电流的大小，一般单位是微安（μA）级别。
4.导通压降测试*测量在给定的正向电流条件下，LED两端的电压降。
通常用万用表或电源仪表进行测量。
三、光电参数测试1.亮度测试* 使用亮度计，将LED表面与亮度计接触，测量出LED的亮度。
常用的亮度单位是流明（lm）或坎德拉（cd）。
2.发光效率测试* 测量LED发出的光功率和输入的电功率，通过光电功率比可以计算出发光效率。
常见的单位是lm/W。
3.光谱测试*使用光谱仪测量LED发光的光谱分布。
通过测量不同波长下的辐射功率，可以得到LED的光谱特性。
4.色度坐标测试*使用色差仪或分光光度仪来测量LED发光的色度坐标，通常使用CIE1931色度坐标系或CIE1976色度坐标系。
5.显色性测试*使用光谱仪配合专用测试软件，测量LED发光的光谱以及色容差等参数，评估其显色性能。
6.角度测试*使用专用光度计或光强计，测量LED的发光角度。
二极管及应用—二极管的简易测试(电子技术课件)
四、光电二极管的检测
1.直观识别发光管的极性 光电二极管的正、负极可以通过管脚的长短来判断，管脚长的是正极，管 脚短的是负极。也可以观察光电二极管内部的金属片，小的一块连接的是正极， 大的一块连接的是负极，这与发光管类似。
2.万用表判断光电二极管的好坏
用万用表R×1k挡，测量光电二极管正向电阻约10M左右。在无光照情况 下，反向电阻趋于∞；有光照时，反向电阻随光照强度增加而减小，阻值可到几 k甚至更小，说明光电二极管是好的；若反向电阻都是∞（不随光照强度变化） 或为时零，则说明光电二极管是坏的。
机械调零旋钮 调零旋钮
（2）将万用表的红黑表笔搭接在二极管的两个管脚上，读出电阻值。 注意：人体不能同时与二极管的两个引脚相接，以免影响测量结果。 （3）交换万用表两表棒再测一次，读出电阻值。 电阻值小的一次，黑表笔对应的为二极管的正极，另一个脚为负极。 注意：模拟指针式万用表，内部电池的正极接于黑色表笔；电池负极接于红色 表笔；数字万用表则相反。
负极
正极 负极
2.万用表判断发光管的极性与好坏
一样，但发光管的正向电阻约为 15 k左右，反向电阻趋于无穷大。当测量其 正向电阻时，会观察到发光二极管微微发光。
三、稳压二极管的检测
先按普通二极管的检测方法，判断出稳压二极管的正、负极。然后将万用表 的量程置R×10k挡，测量二极管的反向电阻值，若此时的电阻变小，说明该二极 管是稳压二极管。
二极管的识别与检测
1.3.3 二极管的识别与检测
一、普通二极管的检测 1.直观识别二极管的极性 二极管正、负极一般会标在外壳上。第一种是在管壳上直接标出二极管的符
号，第二是在管壳一端标色环或色点，标注色环或色点一端是二极管的负极，另 一端是正极。
钙钛矿发光二极管的测试流程
钙钛矿发光二极管的测试流程1.装备准备：首先，需要准备一间无尘室或无尘工作台，以确保测试过程不受外界粉尘的干扰。
然后，准备一台光谱仪，用于测量钙钛矿发光二极管的光谱特性。
另外，还需准备一台电流源和一台电压源，用于给钙钛矿发光二极管供电和控制其工作状态。
2.制备测试样品：从已合成的钙钛矿发光材料中切割出适合测试的样品。
对样品进行清洗和处理，以确保测试的准确性和可重复性。
3.测试光电特性：将测试样品放置在无尘工作台上，连接也分别连接电流源和电压源。
通过调节电流源和电压源的参数，控制钙钛矿发光二极管的工作状态和电流电压值。
使用光谱仪测量钙钛矿发光二极管的发光光谱，包括光谱峰值、发光强度等；并记录这些数据。
4.测试电气特性：在合适的电流值下，使用示波器测量钙钛矿发光二极管的电压-电流特性曲线。
分析测试结果，计算钙钛矿发光二极管的电阻、电流效应等重要电气参数。
记录这些参数，并进行后续的数据处理和分析。
5.长时间稳定性测试：对钙钛矿发光二极管进行长时间工作稳定性测试，通常可以设置一个恒定的工作条件（如恒定电流），观察并记录其发光强度的变化。
在测试过程中，可以通过适当的时间间隔重复测量发光强度，并计算出衰减曲线。
这能够为钙钛矿发光二极管的应用和性能评估提供重要数据。
6.温度特性测试：测量钙钛矿发光二极管在不同温度下的光电特性和电气特性。
通过在几个不同温度下的测试结果，分析钙钛矿发光二极管的温度稳定性和性能。
7.结果分析：对测试得到的数据进行分析，包括对光电特性、电气特性、长时间稳定性和温度特性等方面的分析。
利用这些分析结果，进一步优化钙钛矿发光二极管的设计和工艺，并评估其在实际应用中的可行性和潜在局限性。
8.结论和总结：根据测试结果和数据分析，得出关于钙钛矿发光二极管性能和应用的结论，总结测试过程和方法的可靠性和有效性。
在总结中可以提出改进方法和未来研究方向，为钙钛矿发光二极管技术的进一步研究提供参考和指导。
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发光二极管测试方法摘要系统地介绍了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求。
1 前言半导体发光二极管是一种重要的光电子器件,它在科学研究和工农业生产中均有非常广泛的应用.发光二极管虽小,但要准确测量它的各项光和辐射参数并非一件易事.目前在世界范围内的测试比对还有较大的差异.鉴于此,CIE(国际照明委员会)TC2-34小组对此进行了研究,所提出的技术报告形成了CIE127-1997文件. 中国光学光电子行业协会光电器件专业分会根据国内及行业内部的实际情况,初步制定了行业标准"发光二极管测试方法",2002年起在行业内部试行.本文叙述了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求,以期收到抛砖引玉之效果.本文涉及的测试方法适用于紫外/可见光/红外发光二极管及其组件,其芯片测试可以参照进行。
2 术语和定义2.1发光二极管LED除半导体激光器外，当电流激励时能发射光学辐射的半导体二极管。
严格地讲，术语LED应该仅用于发射可见光的二极管；发射近红外辐射的二极管叫红外发光二极管（IRED,Infrared Emitting Diode）；发射峰值波长在可见光短波限附近，由部份紫外辐射的二极管称为紫外发光二极管；但是习惯上把上述三种半导体二极管统称为发光二极管。
2.2光轴Optical axis最大发光（或辐射）强度方向中心线。
2.3正向电压V F Forward voltage通过发光二极管的正向电流为确定值时，在两极间产生的电压降。
2.4反向电流I R Reverse current加在发光二极管两端的反向电压为确定值时，流过发光二极管的电流。
2.5反向电压V R Reverse voltage被测LED器件通过的反向电流为确定值时，在两极间所产生的电压降。
2.6总电容C Capacitance在规定正向偏压和规定频率下，发光二极管两端的电容。
2.7开关时间Switching time涉及以下概念的最低和最高规定值是10％和90％，除非特别注明。
2.7.1开启延迟时间t d(on)Turn-on delay time输入脉冲前沿最低规定值到输出脉冲前沿最低规定值之间的时间间隔。
2.7.2上升时间t r Rise time输出脉冲前沿最低规定值到最高规定值之间的时间间隔。
2.7.3开启时间t on Turn-on time器件所加输入脉冲前沿的最低规定值到输出脉冲前沿最高规定值之间的时间间隔。
t on= t d(on)+t r2.7.4关闭延迟时间t d(off)Turn-off delay time器件所加输入脉冲后沿的最高规定值到输出脉冲后沿最高规定值之间的时间间隔。
2.7.5下降时间t f Fall time输出脉冲后沿最高规定值到最低规定值之间的时间间隔（见图1）。
图1 开关时间延迟时间2.7.6关闭时间t off Turn-off time器件所加输入脉冲后沿的最低规定值到输出脉冲后沿最低规定值之间的时间间隔。
t off =t d(off)+t f2.8光通量Φv Luminous flux通过发光二极管的正向电流为规定值时，器件光学窗口发射的光通量。
2.9辐射功率Φe Radiant power通过发光二极管的正向电流为规定值时，器件光学窗口发射的辐射功率。
2.10辐射功率效率ηe Radiant power efficiency器件发射的辐射功率与器件的电功率（正向电流乘以正向电压）的比值：ηe=Φe/(I F·V F)注：在与其它术语不会混淆时，可简称为辐射效率(Radiant efficiency)。
2.11光通量效率ηv Luminous flux efficiency器件发射的光通量Φv与器件的电功率（正向电流I F乘以正向电压V F）的比值：ηv=Φv/(I F·V F)注：在与其它术语不会混淆时，可简称为发光效率（Luminous efficiency）。
2.12发光（或辐射）空间分布图及相关特性2.12.1发光（或辐射）强度I v Luminous（or Radiant）intensity光源在单位立体角内发射的光（或辐射）通量，可表示为I v=dΦ/dΩ。
发光（或辐射）强度的概念要求假定辐射源是一个点辐射源，或者它的尺寸和光探测器的面积与离光探测器的距离相比是足够小，在这种情形，光探测器表面的光（或辐射）照度遵循距离平方反比定理，即E=I/d2。
这里I是辐射源的强度，d是辐射源中心到探测器中心的距离。
把这种情况称为远场条件。
然而在许多应用中，测量LED时所用的距离相对较短，源的相对尺寸太大，或者探测器表面构成的角度太大，这就是所谓的近场条件。
此时，光探测器测量的光（或辐射）照度取决于正确的测量条件。
2.12.2平均LED强度Averaged LED intensity照射在离LED一定距离处的光探测器上的通量Φ与由探测器构成的立体角Ω的比值，立体角可将探测器的面积S除以测量距离d的平方计算得到。
I=Φ/Ω=Φ/(S/d2)CIE推荐标准条件A和B(见7.2.1.2)来测量近场条件下的平均LED强度,可以分别用符号I LED A和I LED B来表示,用符号I LED Ae和I LED Av分别表示标准条件A 测量的平均LED辐射强度和平均LED发光强度。
2.12.3发光（或辐射）强度空间分布图Luminous（or Radiant）diagram反映器件的发光（或辐射）强度空间分布特性（见图2）：I v(或I e)=f(θ)图2 辐射图和有关特性注1：除非另外规定，发光（或辐射）强度分布应该规定在包括机械轴Z的平面内。
注2：如果发光（或辐射）强度分布图形有以Z轴为旋转对称特性，发光（或辐射）强度空间分布图仅规定一个平面。
注3：如果没有以Z轴为旋转对称特性，各种角度θ的发光（或辐射）强度分布应有要求，X、Y、Z方向要求可有详细规范定义。
2.12.4半强度角θ1/2Half-intensity angle在发光（或辐射）强度分布图形中，发光（或辐射）强度大于最大强度一半构成的角度（见图2）。
2.12.5偏差角Δθ Misalignment angle在发光（或辐射）强度分布图形中，最大发光（或辐射）强度方向（光轴）与机械轴Z之间的夹角（见图2）。
2.13光谱特性2.13.1峰值发射波长λp Peak-emission wavelength光谱辐射功率最大的波长。
2.13.2光谱辐射带宽Δλ Spectral radiation bandwith光谱辐射功率大于等于最大值一半的波长间隔。
2.13.3光谱功率（能量）分布P(λ) Spectral power distribution在光辐射波长范围内，各个波长的辐射功率分布情况。
3 最大额定值3.1 最低和最高储存温度（T stg）3.2 最低和最高工作环境温度或管基温度（T amb或T case）3.3 最大反向电压（V R ）注：不可用于相互首尾相接的双管器件。
3.4 在25℃环境或管基温度时的最大连续正向电流（I F）和减额定值曲线或减额定值系数。
3.5 在适当地方，在规定脉冲条件下，在25℃环境或管基温度时的最大峰值正向电流（I）FM4 主要光电特性（见表1）5 一般要求5.1 试验条件除非另有规定，器件的光电参数测试应按本标准规定试验条件进行。
5.1.1 标准大气条件温度：15℃～35℃相对湿度：20％～80％气压：86kPa～106kPa5.1.2 仲裁试验的标准大气条件温度：25℃±1℃；相对湿度：48％～52％；气压：86kPa～106kPa5.1.3 环境条件a）测试环境应无影响测试准确度的机械振动和电磁干扰；.b）除非另有规定，器件全部光电参数均应在热平衡下进行；c）测试系统应接地良好。
5.2 参数要求除非另有规定，器件测试应采取预防措施和保持下述公差。
虽然在有关文件中规定的测试条件严于下述公差，但在一般情况下，应遵循下述规定的条件。
a）偏置条件应在规定值的±3％以内；b）输入脉冲特性，重复频率和频率等的误差应在±10％以内；c）测量开关参数的误差应在±5％以内；d）测量直流电参数误差不大于±2％；e）测量辐射功率的误差不大于5％；f）测量峰值辐射波长的误差不大于±2nm；g）测量半强度角误差不大于10％；h）测量发光强度误差不大于25％。
6 测试方法测试方法分为：a）1000类电特性测试方法--方法1001 正向电压--方法1002 反向电压--方法1003 反向电流--方法1004 总电容b）2000类光特性测试方法--方法2001 平均LED强度--方法2002 半强度角和偏差角--方法2003 光通量和发光效率--方法2004 辐射通量和辐射效率--方法2005 峰值发射波长，光谱辐射带宽和光谱功率分布c）3000类光电特性测试方法--方法3001 开关时间6.1 1000类电特性测试方法6.1.1 方法1001：正向电压6.1.1.1 目的测量LED器件在规定正向工作电流下，两电极间产生的电压降。
6.1.1.2 测试框图（见图3）图3 方法1001测试框图D--被测LED器件；G--恒流源；A--电流表；V--电压表。
6.1.1.3 测试步骤a）按图3原理连接测试系统，并使仪器预热；b）调节恒流源，使电流表读数为规定值，这时在直流电压表上的读数即为被测器件的正向电压。
6.1.1.4 规定条件环境或管基温度；电源电压；正向偏置电流。
6.1.2 方法1002：反向电压6.1.2.1 目的测量通过LED器件的反向电流为规定值时，在两电极之间产生的反向电压。
6.1.2.2 测试框图（见图4）图4 方法1002测试框图D--被测LED器件；G--稳压源；A--电流表；V--电压表。
6.1.2.3 测试步骤a）按图4原理连接测试系统，并使仪器预热。
b）调节稳压电源，使电流表读数为规定值，这时在直流电压表上的读数即为被测器件的反向电压。
6.1.2.4 规定条件环境或管基温度；电源电压；反向电流。
6.1.3 方法1003：反向电流6.1.3.1 目的测量在被测LED器件施加规定的反向电压时产生的反向电流。
6.1.3.2 测试框图（见图5）图5 方法1003测试框图D--被测LED器件；G--稳压源；A--电流表；V--电压表。
6.1.3.3 测试步骤a）按图5原理连接测试系统，并使仪器预热。
b）调节稳压电源，使电压表读数为规定值，这时在直流电流表上的读数即为被测器件的反向电流。
6.1.3.4 规定条件环境或管基温度；电源电压；反向电流。