集成电路工艺流程

测条宽
NLDD Photo 显检 NLDD implantation 干法去胶 湿法去胶（中段） 湿法去胶（中段） 检查
AEI CD: 0.35±0.04 um ±
P, 60keV, 2.1E13,tilt 30 °
FOX
P-well
N-well P<100>15-25 OHM.CM
P-well（cell）
P, 350keV, 9E12 B, 180keV, 1.45E13
Sub P<100>15-25 OHM.CM 5
清洗 FOX/Drive in FOX: 5100±250 A 测产品片 ± SiN strip 检查 SDG残氧测量 remain oxide: 60~200 A 残氧测量 FOX残氧测量 FOX: 4800±260 A 残氧测量 ± 湿法腐蚀 清洗 SAC oxidation 200 ± 20 Å 测产品片
FOX
P<100>15-25 OHM.CM
6
BN+ Photo 套刻测量 测条宽 显检 UV curing KLA 监测 BN+ implantation 干法去胶 湿法去胶 清洗 BN+ anneal
Overlay ±0.06 um ADI CD 0.30±0.025um ±
As, 75keV, 2E15
NMOS
O O
PMOS
O
Flat Cell NMOS
O O O
O O O O O
O O O O O O O O
O O O
O
O O
O
O O O
3
0.4um 1P1M Flat Cell ROM Process Flow
Wafer Start P-type, 15~25 Ω / □, <100> Wafer marking 擦片 清洗 Pad oxidation 150±15 A 测产品片 ± Pad SiN deposition 1500±100A 测产品片 ± SDG Photo ADI CD: 0.62±0.06 um 0.62± 测条宽 显检 SIN ETCH 检查 残氧测量 干法去胶 干法去胶 湿法去胶 检查 测条宽 KLA 监测
As, 80keV, 4.5E15
干法去胶 湿法去胶（中段） 湿法去胶（中段） 检查 清洗 S/D anneal 进CODE-BANK
800C, 70min, N2
BF2, 55keV, 2.1E15
As, 80keV, 4.5E15 BF2, 55keV, 2.1E15
FOX
P-well
N-well P<100>15-25 OHM.CM
Contact Photo
P, 30keV, 2.5E14
P, 30keV, 2.5E14,tilt 0° °
FOX
P-well
N-well
P-well（cell） 16
P+ plug Photo 显检 P+ contact plug implantation 干法去胶 湿法去胶（中段） 湿法去胶（中段） 检查 RTA 送溅射-换片架 送溅射 换片架
B, 70keV, 1.3E13
THK(perephery):125±15 A ± THK(BN+):400±50 1.3E13 ± B, 70keV, A
FOX
P-well
N-well P<100>15-25 OHM.CM
P-well（cell） 9
LPPOLY 测产品片 P+ implant 清洗 WSi CVD 检查 擦片 AIT监测 监测
P-well（cell）
14
cell
ROM Implant
BANK OUT 清洗（中段） 清洗（中段） PROM Photo 套刻测量 测条宽 显检 UV curing PROM implantation PROM etch 残氧测量
Overlay: ±0.06 um ADI CD: 0.55±0.03 um ±
poly BN+
干法去胶 湿法去胶（中段） 湿法去胶（中段） RTA
B, 100keV, 1.4E14,tilt 0° ° FOX remain: 3000±500 A ±
743C，20S ，
B, 100keV, 1.4E14
FOX
P-well
N-well
P-well（celBaidu Nhomakorabea） 15
USG deposition THK: 2000±250 A 测产品片 ± BPTEOS deposition THK: 4000±500 A 测产品片 ± Reflow 850C TEOS deposition THK: 14000±1500 A 测产品片 ± 擦片 CMP THK: 11000±1200 A 测产品片 ±
BF2, 80keV, 1E13
Cell implant
BN+
FOX
P-well
N-well P<100>15-25 OHM.CM
P-well（cell）
13
NSD Photo 显检 N+ Implantation 干法去胶 湿法去胶（中段） 湿法去胶（中段） 检查 PSD Photo P+ Implantation
THK:1500±150 A ± P，20KEV，5E15 ， ， THK:1100A
P, 20keV, 5E15
FOX
P-well
N-well P<100>15-25 OHM.CM
P-well（cell）
10
POLY1 Photo Overlay: ±0.06 um 套刻测量 ADI CD: 0.36±0.035 um 测条宽 ± 显检 KLA监测 监测 WSI ETCH 检查 Remain Oxide: 100±50 A 残氧测量 ± 漂洗 干法去胶 P, 60keV, 2.1E13 湿法去胶（中段） 湿法去胶（中段）
0.4um Flat Cell Technology Introduction (ZX0001AA)
FAB2 / PID1
1
0.4um 1P1M Flat Cell ROM Process Flow
Process
Isolation Well Gate ILD Cont LOCOS Twin Well
remain oxide 60~140 A
AEI CD: 0.62±0.07 um ±
P<100>15-25 OHM.CM 4
N-well implantation P-well Photo 套刻测量 显检 P-well implantation 干法去胶 湿法去胶 检查
P, 350keV, 9E12 Overlay: ±0.20um B，180KEV，1.45E13 ， ，
Technology
Sigle Gate (5V Gate oxide 125A, BN Gate oxide 400A) polyside USG2K+BPSG2K+TEOS10K+CMP to 11K TI400+TIN600+W4K+TIN1K
M 1(last metal) AL1 8K+TIN350 PAD SRO 1K+HDP10K+SIN 7K
2
0.4um 1P1M Flat Cell ROM Process Flow
5V 备注
Nwell imp Pwell imp BN+ imp NField imp NField imp Vt blanket imp Cell Iso imp Poly imp NLDD imp PLDD imp SPACER imp NSD imp PSD imp PROM imp N plug imp N plug imp
18
SRO PECVD THK: 1000±100 A 测控片 ± HDP THK10k ±1k A 测控片 PA_SIN THK7000±700 A ±
FOX
P-well
N-well
P-well（cell）
19
涂胶 PAD Photo 显检 PAD Hardbake Pad etch 检查
干法去胶 SST 干法去胶 检查 Alloy 终检
B, 70keV, 1.7E12 B, 180keV, 8E12
BF2, B, 70keV, 1.7E12 B, 180keV, 8E12 60keV, 2.6E12
FOX
P-well
N-well P<100>15-25 OHM.CM
P-well（cell）
8
Cell ISO Photo 显检 Cell ISO Implantation 干法去胶 湿法去胶 检查 湿法腐蚀 清洗 Gate Oxidation 测产品片 测产品片
11
PLDD Photo 显检 PLDD implantation 干法去胶 湿法去胶（中段） 湿法去胶（中段） 检查 残氧测量
BF2,55KEV,2.8E13，tilt 0° ， °
FOX Remain : 4000±300 A ±
BF2, 55keV, 2.8E13
FOX
P-well
N-well P<100>15-25 OHM.CM
Overlay: ±0.12 um 套刻测量 ADI CD: 0.52±0.05 um 测条宽 ± 显检 Contact etch 检查 Remain oxide: <1000 A 残氧测量 干法去胶 湿法去胶（中段） 湿法去胶（中段） AEI CD: 0.5±0.05 um 测条宽 ± N+ contact plug implantation
BF2, 50keV, 1E15 , tilt 0° °
750C/20S
BF2, 50keV, 1E15
FOX
P-well
N-well
P-well（cell） 17
Pre-clean (EG/BHF) Ti/TiN sputter Ti 400A/TiN 600A RTA 840C/20S W CVD THK: 4000 A, 425C W-CMP 显检 AIT/KLA监测 监测 TIN sputter THK:TIN 1000A ALCU/TiN sputter THK:ALCU8K-TiN350 擦片
P-well（cell）
12
cell
Spacer Deposition LPTEOS THK: 1500±150 A, 700C 测控制片 ± Spacer etch FOX Remain: 3800±350 A 残氧测量 ± 闪氧 poly 湿法去胶（中段） 湿法去胶（中段） AIT监测 监测 RTA 990C/60S 检查 Cell isolation implantation BF2, 80keV, 1E13
AL1 Photo 套刻测量 测条宽 显检 UV Curing AL1 etch SST Clean 检查 测条宽 KLA 监测
Overlay: ±0.15 um ADI CD: 0.55±0.05 um ±
AEI CD: 0.59±0.06 um ±
FOX
P-well
N-well
P-well（cell）
As, 75keV, 2E15
FOX
P-well
N-well P<100>15-25 OHM.CM
P-well（cell） 7
VT implantation NF Photo 显检 NAPT implantation F-field implantation 干法去胶 湿法去胶
BF2, 60keV, 2.6E12
400C, N2/H2 ANN
SIN
SRO+HDP Ti/TiN+AL+TiN TEOS USG+BPSG POLY+WSI FOX SI Sub
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THANK YOU !
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