CSP(芯片级封装) 肖特基势垒二极管 产 品 手 册

TJ=25℃
VR=额定VR
TJ=125℃
VR=5VDC（测试信号范围
100kHz～1MHz)25℃
额定VR
数值 Value Min. Max.
-
0.40
-
0.44
-
0.33
-
0.39
-
50
-
15
-
90
- 10000
单位 Units
V
µA mA pF V/µs
TW
天水天光半导体有限责任公司

IFSM(A) 10 10 10 10 21 21 21 21 21 21

VFM@ IF(V)
0.40@0.5A 0.44@1A 0.45@0.5A 0.52@1A 0.45@0.75A 0.50@1.5A 0.50@0.75A 0.58@1.5A 0.37@1A 0.42@2A 0.40@1A 0.46@2A 0.43@1A 0.49@2A 0.42@1.5A 0.48@3A 0.45@1.5A 0.50@3A 0.48@1.5A 0.54@3A
The TW140CSP is flipchip CSP schottky barrier diode, It’s 4 ball devices ,dimension is 1.5mmx1.5mm .The features: small package, ultra low VF, Lead-Free, lower thermal resistance and inductance. Applications include hand-held, portable equipment such as cell phones, PDAs, MP3 players and portable hard disk drives.
TW140CSP 型芯片级封装肖特基势垒二极管
TW140CSP Schottky Barrier Diode
TW140CSP 是倒装芯片级肖特基势垒二极管，为 4 焊球器件， 尺寸为 1.5mmx1.5mm。特点：封装尺寸小、超低VF、无引线、低 热阻及低电感等。应用于手持、便携设备，如手机、PDA 掌上电 脑、MP3 播放器及便携式硬盘驱动器等。
The TW0530CSP is flipchip CSP schottky barrier diode, It’s 3 bump devices ,dimension is 0.9mmx1.2mm .The features: small package, ultra low VF, Lead-Free, lower thermal resistance and inductance. Applications include hand-held, portable equipment such as cell phones, PDAs, MP3 players and portable hard disk drives.
客户服务
为每一位客户提供满意的产品和增值的服务。 客户的需求就是我们的目标，客户的成功也是我们的成功。 客户在每位天光人的心中，诚信在每位天光人的行动中。 客户满意是我们永恒的主题
EBX2000 型金属蒸发台
TMX9000 型悬臂氢氧合成炉
NV-10-160 型离子注入机
TW
天水天光半导体有限责任公司
产品主要特性 z 平均正向整流电流: IF =0.5A z 工作峰值反向电压：VRWM=30V z 最大非重复性浪涌电流（TA=25℃）：IFSM=190A z 最高工作结温: Tj =125℃ z 贮存温度范围: -55℃～125℃ Main Product Characterstics z Average forward current: IF =0.5A z working peak reverse voltage: VRWM=30V z Max. Non-Repetitive Surge Current @ 25°C: IFSM=190A z Maximum operating junction temperature: Tj =125℃ z Storage temperature range:-55℃～125℃ 电参数 Electrical Parameter
企业运营核心
企业精神：拼搏、竞争、求实、创新 企业理念：求真务实、拼搏创新、合作共进、价值共享 质量方针：产品质量国内先进、满足超越顾客需求
创新培育核心技术、持续改进经营业绩
TW
天水天光半导体有限责任公司
产品介绍

天光半导体有限责任公司开发生产的倒扣封装肖特基势垒整流二极管系列产品是一种新型的肖特基整流二极管， 集肖特基整流管和 p-n 结势垒的优点于一身，可制成开关速度快、抗浪涌电流强的功率整流管。该产品把现有的硅技 术和芯片级封装技术结合起来，采用先进的磷穿透外延层工艺，将正、负电极置于芯片同一侧，实现肖特基势垒二极 管的倒扣封装,省去原有的二极管封装工艺。产品具有较低的正向开启电压、较低的反向饱和电流、更快的开关速度、 较小的芯片面积和体积、与其它封装形式相比较好的电性能等特点。广泛应用于手持式及便携式电子设备，如蜂窝电 话、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑、手持式计算机、MP3 播放机及硬盘驱动器等消费类产品。
TW0530CSP Schottky Barrier Diode
TW0530CSP 是倒装芯片级肖特基势垒二极管，为 3 凸点器件， 尺寸为 0.9mmx1.2mm。特点：封装尺寸小、超低VF、无引线、低 热阻及低电感等。应用于手持、便携设备，如手机、PDA 掌上电 脑、MP3 播放器及便携式硬盘驱动器等。
160
-
10000
单位 Units
V
µA
mA pF V/µs
TW
天水天光半导体有限责任公司

TW130CSP 型芯片级封装肖特基势垒二极管
TW130CSP Schottky Barrier Diode
TW130CSP 是倒装芯片级肖特基势垒二极管，为 4 焊球器件， 尺寸为 1.5mmx1.5mm。特点：封装尺寸小、超低VF、无引线、低 热阻及低电感等。应用于手持、便携设备，如手机、PDA 掌上电 脑、MP3 播放器及便携式硬盘驱动器等。
The TW130CSP is flipchip CSP schottky barrier diode, It’s 4 ball devices ,dimension is 1.5mmx1.5mm .The features: small package, ultra low VF, Lead-Free, lower thermal resistance and inductance. Applications include hand-held, portable equipment such as cell phones, PDAs, MP3 players and portable hard disk drives.
参数 Parameter
符号 Symbol
测试条件 Test Conditions
最大正向压降
V a） FM
最大反向漏电流
I a) RM
最大结电容
CT
最大电压变化率
dv/dt
a）脉冲宽度< 300µs, 占空周期< 2%
IF=1A IF=2A
TJ=25℃
IF=1A IF=2A
TJ=125℃
VR=额定VR
产品主要特性 z 平均正向整流电流: IF =1.0A z 工作峰值反向电压：VRWM=40V z 最大非重复性浪涌电流（TA=25℃）：IFSM=190A z 最高工作结温: Tj =125℃ z 贮存温度范围: -55℃～125℃
Main Product Characterstics z Average forward current: IF =1.0A z working peak reverse voltage: VRWM=40V z Max. Non-Repetitive Surge Current @ 25°C: IFSM=190A z Maximum operating junction temperature: Tj =125℃ z Storage temperature range:-55℃～125℃ 电参数 Electrical Parameter
参数 Parameter
符号 Symbol
测试条件 Test Conditions
最大正向压降
V a） FM
最大反向漏电流
I a) RM
最大结电容
CT
最大电压变化率
dv/dt
a）脉冲宽度< 300µs, 占空周期< 2%
IF=0.5A IF=1A
TJ=25℃
IF=0.5A IF=1A
TJ=125℃
VR=额定VR
倒扣封装肖特基势垒整流二极管目录
NO。
产品类型 Wafer Type
封装类型 Package Type
IF(A)
01
TW0530CSP 3bump 凸点
0.5
VRRM(V) 30
02
TW05H40CSP 3bump 凸点
0.5
40
03
TW0730CSP
3bump 凸点
0.75
30
04
TW07H40CSP 3bump 凸点
0.75
40
05
TW130CSP
4ball 焊球
1.0
30
06
TW140CSP
4ball 焊球
1.0
40
07
TW1H40CSP
4ball 焊球
1.0
40
08
TW230CSP
4ball 焊球
1.5