还原再氧化工艺烧结温度对PTCR热敏材料性能的影响
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（ ． ｅ ａｔ ｎ ｆ ｌ ｔｏ ｉ ｃ ｎ ｅａ ｄＴ ｃ ｎ ｌｇ ， ａｈ ｎ ｎｖ ｒｉ ｆ ｃ ｎ ｅａ ｄ １ Ｄ ｐｒｍｅｔ ｅ ｒｎｃ Ｓ ｉ ｃ ｎ ｅｈ ｏ ｙ Ｈｕ ｚ ｏ ｇＵ ｉｅｓｙｏ ｉ ｃ ｎ ｏＥ ｃ ｓ ｅ ｏ ｔ Ｓｅ
Ｔｅ ｈ ｏ ｏ ｙ， ｕ ａ ３ ０ ４， ｉ ａ； ． ｔ ｔ ｙ Ｌａ ｏ ａ ｏ ｙ ｏ ａ ｅ ｉ ｌＰ ｏ ｅ ｓｎ ｄ Ｄｉ ｏ ｌ ｃ ｎ ｌ ｇ Ｗ ｈ ｎ ４ ０ ７ Ｃｈ ｎ ２ Ｓ ａ ｅ Ｋｅ ｂ ｒ ｔ ｒ ｆＭ ｔｒ ａ ｒ ｃ ｓ ｉ ｇ ａ ｅ Ｍ ｕ ｄ ｎ
２ １ ０１
仪
表 技
术
与
２ ０１１ Ｎｏ ３ ．
第 ３期
Ｉ ｓ ｕ ｎ Ｔ ｃ ｎ ｑ ｅ ｎ ｔ ｍｅ ｔ ｅ ｈ ｉｕ ｒ
还 原 再 氧化 工 艺烧 结温 度对 Ｐ Ｃ 热敏 材 料性 能 的 影 响 Ｔ Ｒ
傅 邱 云 张 ， 波 赵程 程 龚树 萍 周 东祥 ， ， ，
５
邑 ≤
２３
岫 扑
鲫 ２ ２
廿 卜 辐 ２ ｌ
ｇ
籁 嚣 越 醺 澄
蓍２ Biblioteka Baidu
囊 裰 １ ９
１ ８
平行环 电压／ ｍＶ
图 ５ 磁场 强度 随电压变化 曲线
１ ７
明： 该传感器 的设计方案切 实可行 ， 能够 取得较好 的稳定 性和
２０ ０ ３０ ０ ４０ ０ ５０ ０
０
测量次数
．
线性度 。对 于文中设计 方案可以进一 步开展工作 ， 主要是 通过
采用可编程增 益放大器 进行 量程 调整或 更高 位数 的转换 器提
图４ 磁 场 强 度 变 化 曲线
高分辨率 ， 这样可 以进一步提高传感器测量精度 。
参考文献 ：
［ ］ 刘大明． １ 舰船磁场测 量． 武汉 ： 海军工程大学 出版社 ， ０ ． ２ ５ ０
ｉ ｃ ｅ ｓ ｆｓｎ ｅ ｉ ｇ ｔ ｍｐ ｒ ｔ ｒ ． Ｉ ｄ ｉ ｏ ｔ ｅ ｈｇ ｅ ｅ ｘｄ ｔ ｎ ｔｍｐ ｒ ｔ ｒ ｅ ｕ ｔｄ ｉ ａ ｇ ｒ ｒ ｓｓｉｉ ｅ ｎ ｉｈ ｒ Ｐ Ｃ ｎ ｒａ ｅ ｏ ｉｔ ｒ ｅ ｅ ａｕ ｅ ｎ ａ ｄｔ ｎ，ｈ ｉｈ ｒ ｒ ｏ ｉ ａｉ ｅ ｅ ａｕ ｅ ｒ ｓ ｌ ｎ ｌ ｒ ｅ ｅ ｉｔ ｔ ｓ ａ ｄ ｈ ｇ ｅ Ｔ ｎ ｉ ｏ ｅ ｖｉ
４０７ ； ３ ０４ （ ． 中科 技 大 学 电子 科 学 与 技 术 系 ， 北 武 汉 １华 湖
２ 华中科技大学材料成形与模具技术 国家重点 实验室， ． 湖北武汉
４０７ ） ３０ ４
摘 要 ： 对 片 式 正 温 度 系数 热 敏 电 阻 （ Ｔ Ｒ 传 感 器 的还 原 再 氧 化 制备 工 艺 ， 究 了还 原 性 气氛 下烧 结 温 度 对 热敏 材 针 ＰＣ ） 研
中图分类号 ： Ｎ ７ Ｔ ３３
文献标识码 ： Ａ
文章编 号 ：０ ２—１４ （０ １ ０ ０ ０ ０ １０ ８ １ ２ １ ）３— ０ １— ２
Ｅｆｅ ｔ ｆＳ ｎｔｒｎｇ Ｔｅ ｐｅ ａ ｕｒ ｎ Ｐｒ ｐ ｒ ｉｓｏ ｆ ｃｓｏ ｉ ｅ ｉ ｍ ｒ ｔ ｅ ｏ ｏ ｅ ｔｅ ｆＰＴＣＲ
由图 ４可知 ： ２ｈ内测量 结果最 大变化 为 ７个 数字量 大小 （０ｎ ２ Ｔ左右 ） 稳定性基本达到设计要求 。 ，
４ ２ 线 性 度 ． 闭 环 反 馈 磁 通 门 的 主 要 问 题 是 Ｄ Ａ 转 换 器 的 非 线 性 ， ／
它会直接影 响整个传感器 的非 线性 ， 以设计 的传 感器采 用 了 所 非线性误差较小 的 １ 数模 转换 器 Ａ ６ ０ ６位 Ｄ ６。 该实验把三端式 探头 置于平 行环 中。首 先在 平行 环没 有 通 电情况下 ， 量背景磁场。然后 再 由通 电情况下 所测磁 场减 测 去背景磁 场 可 得平 行 环 电流 产生 的磁 场 。通 电 电压 分 别 取
去除残余气泡， 然后利用流延成型制膜器进行流延， 最终通过
烘干和切片得到实验所需的生坯样品 。
化工艺制备叠层片式 Ｐ Ｃ Ｔ Ｒ元 件 的方法 ， 采用传 统 的固相法制 备 Ｂ ＴＯ 粉体 ， ａ ｉ 在还原性 气 氛 中进行 烧结 和在 空气 中进 行再 氧化处 理 ， 重点研究 了还原性气氛下 不同 的烧 结温度对瓷 体性
ｔｆ ｇ ｔｍｐ ｒｔ ｒ ｒ ｍ １ ℃ ｔ ９ ℃ ． ｈ ｌ ｈ ｉ ｒ ｉ ｉｅ ｎ ｒａ ｅ ｍｕ ｈ ｆ ｓ ｒ ｗ ｔ ｈ ｎ ｒ ａ ｅ ｏ ｉ ｔｒｎ ｅ ｅ ａ ｅ ｎ ｅ ｅａ ｕ ｅ ｆ ｉ ｏ １２ ５ ｏ１２ ５ ｗ ｉ ｔ ｅ ｒｇ ａｎ ｓｚ ｓ ｉ ｃｅ ｓ ｃ ａ ｔ ｉ ｔ ｅ ｉ ｃ ｅ ｓ ｆｓｎｅ ｉ ｇ ｔ ｍｐ ｒ — ｅ ｅ ｈ
降低了电阻率 。郝永德 等采 用双施 主掺 杂 的传 统 固相法 制 备出了高性能 的 Ｐ Ｃ Ｔ Ｒ元 件 。陈 勇等通 过 高施 主掺杂 获得
了细晶高性能 Ｐ Ｃ Ｔ Ｒ的 固相法 制备 方法 。 。为研究 还原 再 氧 。
体 中加入一定 比例 的溶剂 、 散剂 、 分 黏合剂和增 塑剂 ， 并进行混 合球 磨制备流延浆料 。流延浆 料被静 置 １ 进行 过筛处理 ０ｈ后
ｔｒ．Ａ ｅ ｏｉ ｔ ｎ ｔｅｒ ｉｉ ｔ ｓ ｎ Ｔ ｍ ｓｏ ｃｒｍｉ ｅ ｎ ａｃｄ ａｄｔｅｉｃ ａｉ ｍ ｌｕｅ ｅｒ ｓ ｉ ｅ ｕｅ ｆ ｒ ｅｘ ａｉ ， ｓ ｔ ｉｅ ｄＰ Ｃｊ ｐ ｆ ｅａ ｃ ｗ ｒ ｅｈ ｎｅ ，ｎ ｒ ｓ ｇａ ｐｉ ｄ ｓ ｃｅ ｅ ｔ ｔ ｔ ｒ ｄ ｏ ｈ ｅ ｓｖ ｉ ａ ｕ ｓ ｅ ｈ ｎｅ ｎ ｔ ｄ ａ ｗｈｈ
Ｔ ｃ ｎ ｌｇ ， ｕ ｚｏ ｇＵ ｖｒｉ ｆＳｉｎｅａ ｄＴ ｃｎ ｌｇ ， ｈ ｎ４ ０ ７ ， ｈｎ ） ｅｈ ｏｏ Ｈ ａｈ ｎ ｎ ｅｓｙｏ ｃ ｃ ｎ ｅｈ ｏｏ ｙ Ｗｕ ａ ３ ０ ４ Ｃ ａ ｙ ｉ ｔ ｅ ｉ
Ａｂ ｔ ａ ｔ Ｔ ｅ ｅ ｅ ｔ ｏ ｅ ｓｎ ｅ ｉ ｇｔ ｍｐ ｒ ｔ ｒ ｎ ｐ ｏ ｅｔ ｓ ｏ Ｔ Ｒ ｅｍｉｔｒｐ ｅ ａ ｅ ｙ ｒｄ ｃ ｉｎ ｒ ｏ ｉ ａｉｎ ｐ ｏ ｅ ｓ ｓｒ ｃ ： ｈ ｆ ｃｓ ｆｔ ｉｔ ｒ ｅ ｅａ ｕ ｅ ｏ ｒ ｐ ｒｉ ｆＰ Ｃ ｔ ｒ ｓｏ ｒ ｐ ｒ ｄ ｂ ｅ ｕ ｔ —ｅ ｘｄ ｔ ｒ ｃ ｓ ｈ ｎ ｅ ｈ ｏ ｏ ｗ ｒ ｎ ｅ ｔ ａｅ ．Ｔ ｅｒ ｓ ｌ ｅ ｅ ｌ ｈ ｔ ｈ ｅ ｉ ｉｉ ｅ ｆｃ ｒ ｍｉｓｂ ｆ ｒ ｅ ｘｄ ｔ ｎ ａ ｅ ｌｓ ｈ ｎ ｉ ・ｃ ｉ ｅｒ ｎ ｅ ｏ ｉ — ｅ ｅ ｉ ｖ ｓ ｇ ｔｄ ｈ ｅ ｕ ｔ ｒ ｖ ａ ａ ｅｒ ｓｓ ｖｔ ｓｏ ｅａ ｃ ｅ ｏ ｅｒ ｏ ｉａ ｉ ｒ ｅ ｓｔ ａ ０ ｎ ｉ ｓ ｔ ｔ ｔ ｉ ｏ ｍ ｎ ｔ ａ ｇ ｆ ｎ ｈ ｓ
实验样 品组成按 Ｂ
Ｙ Ｔ１００ ０００３ ｎ Ｎ ３ ２ ０ ｉ０ ３＋ ．０ Ｍ （ Ｏ ） ＋ ５
ＳＯ （ 量 分 数 为 ２ ） 行 称 量 ， 料 Ｂ Ｃ ３ ＴＯ 、 ｉ： ｉ 质 ％ 进 原 ａＯ 、ｉ： Ｓ 、 Ｏ Ｍｎ Ｎ ３ ２Ｙ Ｏ 的纯度分别为 ９ ． ％ ，９ ６ ，９ ７ ，．５ （ Ｏ ）、２ ３ ９７ ９．％ ９． ％ ０２％ 和 ９ ．９ ９ ９ ％。按照粉料 、 玛瑙球 、 去离子水 比例为 １０ ２０ １５的 ． ：． ：． 方式在行星式球磨机上混合球磨 ３ｈ 转 速设定 为 ３０ｒｍｎ 然 ， ５ ｉ， ／ 后对浆料进行烘干处理 ， 并在 空气 炉中 １１０℃保温 ２ｈ预烧 。 ５ 将预烧后样品再次行星球磨 ３ ｈ 同样 进行烘 干处理后 采用 ８ ， ０ 目的筛子进行过 筛得 到样 品的预烧 后粉体 。通过 向预烧 后粉
１ 实验
Ｂ ＴＯ 基正温度系数 热敏 电阻（ Ｔ Ｒ） ａ ｉ Ｐ Ｃ 传感器 已被广 泛运
用于 电流控制 、 度传感 控制 等 领域 －］ 温 ２６近 年来 ， 敏 电阻 ． 热 温度传感器越来越多地被应用到低 阻限流保护 、 低压 加热控 制
等领域 Ｊ 。另一 方 面 ， 随着 表面 贴装 技 术 （ Ｍ 的进 一 步 发 Ｓ Ｔ） 展 ，Ｔ Ｒ元件也 开始 向着微 型化 、 ＰＣ 集成 化方 向发 展 。因此 ， 如 何使得传统的 Ｐ Ｃ Ｔ Ｒ元件 在更 小的尺寸下实现优越的性能成为 当前热敏功能 陶瓷领域 的研究重点 。Ｐ Ｃ Ｔ Ｒ元件 的微型化要 求 Ｂ ＴＯ ａ ｉ 陶瓷必须具备小 的平均 晶粒尺 寸 、 的电阻率和高 的升 低 阻 比。Ｋｙｍ ａａ ｉ ｉ ｉ ｓｋ 等提 出了叠层 片式 Ｐ Ｃ ｏ Ｓ Ｔ Ｒ的制备方法从 而
Ｔｈｅ ｍ ｉ ｔ ｒ Ｐｒ ｏ ｒ ｄ ｂ ｄ ｔｏ ｒ ｏ ｉ ｔｏ ｏ ｅ ｓ ｒ ｓ ｏ ｅ ａ ｅ ｙ Ｒｅ ｕｃ ｉ ｎ。 ｅ ｘ ｄａ ｉ ｎ Ｐｒ ｃ ｓ
Ｆ ｉ—ｕ Ｚ Ａ Ｇ Ｂ Ｚ Ａ ｈｎ—ｈｎ Ｇ Ｎ ｈ —ｉｇ ，Ｈ Ｕ Ｄ ｎ—ｉ ｇ’ Ｕ Ｑｕｙｎ ， Ｈ Ｎ ｏ ， Ｈ Ｏ Ｃ ｅｇｃｅ ｇ ， Ｏ ＧＳ ｕｐ ‘Ｚ Ｏ ｏｇｘａ ｎ ｎ
生坯样 品放置于管式气氛烧结炉 中进 行气氛烧 结处理 ， 气 氛组成 为氮氢混 合气 体 （７ ：３ Ｈ ） 烧结 曲线 如 图１ａ ９％Ｎ ，％ ： ， （）
所示 ， 高烧结 温度 分别设 定为 １２ ５ｏ １ ３ １２５ ｏ 最 １ Ｃ、 ２ ５ｏ ５ Ｃ、 Ｃ、 １ ７ ５ｏ １ ９ Ｃ， ２ Ｃ及 ５ｏ 所有还原烧结的样品在空气中进行再氧化 ２ 工艺处理 ， 再氧化处理曲线如 图 １ ｂ 所示。 （）
阻率 和 升 阻 比都 呈 现 出 了不 同程 度 的 增 长 ， 长 幅度 随烧 结 温 度 的 升 高 而 降低 。 此 外 ， 高 再 氧 化 温 度 可提 高 升 阻 比 同 增 提
时会 使 瓷体 电 阻 率增 大 。
关键词 ： 热敏 电阻 ；Ｔ Ｒ； Ｐ Ｃ 还原再氧化 ； 结温度 烧
基金项 目： 国家“ ６ ” ８３ 计划资助项 目（ Ｑ ０ ８ Ａ ３ ４ ７ ９ ０ Ｓ ２ ０ Ａ ０ Ｚ ４ １６ ） 收稿 日期 ：０ ０—１ ０ 收修改稿 日期 ：０ ０—１ ２ ２１ ２—１ ２１ ２— ４
第 ３期
２ ４
姚振宁等 ： 于 Ａ Ｍ的三端式磁通 门传感器 基 Ｒ
料性 能的影响。结果表 明烧 结温度在 １ １ ９ ５～１ ５℃ 范围内的还原 气氛下烧 结 ， ２ ２ 瓷体均可半 导化 ， 瓷体的平均 晶粒尺寸
随烧 结温度升 高而增大 ， 大趋势 由缓慢到逐 步加 快。再氧 化处理前 瓷体 电阻率均小 于 １ ・ ｍ． 氧化后 ， 增 ０１ ｃ 再 ２ 瓷体 的 电
［ ］ ＡＵ Ｔ Ｒ Ｃ ｎｅ ｔ ｎ ｒｔ ｅｕｔ ｏ ｉ Ｍ ｆ ｘａｅｍａｎ — ２ Ｓ Ｅ ＴＨ Ｕ． ｏｃｐ ａｄｆｓ ｒｓｌ ｆａｄ￣ｔ ｕｇｔ ｇｅ ｉ ｓ ｌ
ｔｍｅ ｒ． ａｕｅ ｎ ｃｅｃ ｎ ｅｈ ｏｏｙ １９ （ ）４ ７—４ １ ｏ ｔ Ｍｅｓｒｍｅｔ ｉｎｅａ ｄＴ ｃｎ ｌ ，９ ５ ６ ：７ ｅ Ｓ ｇ ８．
ｊｍ ｓ ｕ ｐ．
Ｋｅ ｒ ｓ ｔｅ ｉ ｏ ；ＦＦ Ｒ ；ｒｄ ｃ ｉｎ ｒｏ ｉ ａｉ ｎ ｉ ｔｒ ｇ ｔｍｐ ｒ ｔｒ ｙ ｗｏ ｄ ： ｒ ｓ ｒ ｈｍ ｔ Ｃ ｅ ｕ ｔ — ｘ ｄ ｔ ；ｓ ｅ ｉ ｏ ｅ ｏ ｎ ｎ ｅ ｅ ａｕ ｅ
０ ５ 言 ｌ
能的影响 。
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２ １ ０１
仪
表 技
术
与
２ ０１１ Ｎｏ ３ ．
第 ３期
Ｉ ｓ ｕ ｎ Ｔ ｃ ｎ ｑ ｅ ｎ ｔ ｍｅ ｔ ｅ ｈ ｉｕ ｒ
还 原 再 氧化 工 艺烧 结温 度对 Ｐ Ｃ 热敏 材 料性 能 的 影 响 Ｔ Ｒ
傅 邱 云 张 ， 波 赵程 程 龚树 萍 周 东祥 ， ， ，
５
邑 ≤
２３
岫 扑
鲫 ２ ２
廿 卜 辐 ２ ｌ
ｇ
籁 嚣 越 醺 澄
蓍２ Biblioteka Baidu
囊 裰 １ ９
１ ８
平行环 电压／ ｍＶ
图 ５ 磁场 强度 随电压变化 曲线
１ ７
明： 该传感器 的设计方案切 实可行 ， 能够 取得较好 的稳定 性和
２０ ０ ３０ ０ ４０ ０ ５０ ０
０
测量次数
．
线性度 。对 于文中设计 方案可以进一 步开展工作 ， 主要是 通过
采用可编程增 益放大器 进行 量程 调整或 更高 位数 的转换 器提
图４ 磁 场 强 度 变 化 曲线
高分辨率 ， 这样可 以进一步提高传感器测量精度 。
参考文献 ：
［ ］ 刘大明． １ 舰船磁场测 量． 武汉 ： 海军工程大学 出版社 ， ０ ． ２ ５ ０
ｉ ｃ ｅ ｓ ｆｓｎ ｅ ｉ ｇ ｔ ｍｐ ｒ ｔ ｒ ． Ｉ ｄ ｉ ｏ ｔ ｅ ｈｇ ｅ ｅ ｘｄ ｔ ｎ ｔｍｐ ｒ ｔ ｒ ｅ ｕ ｔｄ ｉ ａ ｇ ｒ ｒ ｓｓｉｉ ｅ ｎ ｉｈ ｒ Ｐ Ｃ ｎ ｒａ ｅ ｏ ｉｔ ｒ ｅ ｅ ａｕ ｅ ｎ ａ ｄｔ ｎ，ｈ ｉｈ ｒ ｒ ｏ ｉ ａｉ ｅ ｅ ａｕ ｅ ｒ ｓ ｌ ｎ ｌ ｒ ｅ ｅ ｉｔ ｔ ｓ ａ ｄ ｈ ｇ ｅ Ｔ ｎ ｉ ｏ ｅ ｖｉ
４０７ ； ３ ０４ （ ． 中科 技 大 学 电子 科 学 与 技 术 系 ， 北 武 汉 １华 湖
２ 华中科技大学材料成形与模具技术 国家重点 实验室， ． 湖北武汉
４０７ ） ３０ ４
摘 要 ： 对 片 式 正 温 度 系数 热 敏 电 阻 （ Ｔ Ｒ 传 感 器 的还 原 再 氧 化 制备 工 艺 ， 究 了还 原 性 气氛 下烧 结 温 度 对 热敏 材 针 ＰＣ ） 研
中图分类号 ： Ｎ ７ Ｔ ３３
文献标识码 ： Ａ
文章编 号 ：０ ２—１４ （０ １ ０ ０ ０ ０ １０ ８ １ ２ １ ）３— ０ １— ２
Ｅｆｅ ｔ ｆＳ ｎｔｒｎｇ Ｔｅ ｐｅ ａ ｕｒ ｎ Ｐｒ ｐ ｒ ｉｓｏ ｆ ｃｓｏ ｉ ｅ ｉ ｍ ｒ ｔ ｅ ｏ ｏ ｅ ｔｅ ｆＰＴＣＲ
由图 ４可知 ： ２ｈ内测量 结果最 大变化 为 ７个 数字量 大小 （０ｎ ２ Ｔ左右 ） 稳定性基本达到设计要求 。 ，
４ ２ 线 性 度 ． 闭 环 反 馈 磁 通 门 的 主 要 问 题 是 Ｄ Ａ 转 换 器 的 非 线 性 ， ／
它会直接影 响整个传感器 的非 线性 ， 以设计 的传 感器采 用 了 所 非线性误差较小 的 １ 数模 转换 器 Ａ ６ ０ ６位 Ｄ ６。 该实验把三端式 探头 置于平 行环 中。首 先在 平行 环没 有 通 电情况下 ， 量背景磁场。然后 再 由通 电情况下 所测磁 场减 测 去背景磁 场 可 得平 行 环 电流 产生 的磁 场 。通 电 电压 分 别 取
去除残余气泡， 然后利用流延成型制膜器进行流延， 最终通过
烘干和切片得到实验所需的生坯样品 。
化工艺制备叠层片式 Ｐ Ｃ Ｔ Ｒ元 件 的方法 ， 采用传 统 的固相法制 备 Ｂ ＴＯ 粉体 ， ａ ｉ 在还原性 气 氛 中进行 烧结 和在 空气 中进 行再 氧化处 理 ， 重点研究 了还原性气氛下 不同 的烧 结温度对瓷 体性
ｔｆ ｇ ｔｍｐ ｒｔ ｒ ｒ ｍ １ ℃ ｔ ９ ℃ ． ｈ ｌ ｈ ｉ ｒ ｉ ｉｅ ｎ ｒａ ｅ ｍｕ ｈ ｆ ｓ ｒ ｗ ｔ ｈ ｎ ｒ ａ ｅ ｏ ｉ ｔｒｎ ｅ ｅ ａ ｅ ｎ ｅ ｅａ ｕ ｅ ｆ ｉ ｏ １２ ５ ｏ１２ ５ ｗ ｉ ｔ ｅ ｒｇ ａｎ ｓｚ ｓ ｉ ｃｅ ｓ ｃ ａ ｔ ｉ ｔ ｅ ｉ ｃ ｅ ｓ ｆｓｎｅ ｉ ｇ ｔ ｍｐ ｒ — ｅ ｅ ｈ
降低了电阻率 。郝永德 等采 用双施 主掺 杂 的传 统 固相法 制 备出了高性能 的 Ｐ Ｃ Ｔ Ｒ元 件 。陈 勇等通 过 高施 主掺杂 获得
了细晶高性能 Ｐ Ｃ Ｔ Ｒ的 固相法 制备 方法 。 。为研究 还原 再 氧 。
体 中加入一定 比例 的溶剂 、 散剂 、 分 黏合剂和增 塑剂 ， 并进行混 合球 磨制备流延浆料 。流延浆 料被静 置 １ 进行 过筛处理 ０ｈ后
ｔｒ．Ａ ｅ ｏｉ ｔ ｎ ｔｅｒ ｉｉ ｔ ｓ ｎ Ｔ ｍ ｓｏ ｃｒｍｉ ｅ ｎ ａｃｄ ａｄｔｅｉｃ ａｉ ｍ ｌｕｅ ｅｒ ｓ ｉ ｅ ｕｅ ｆ ｒ ｅｘ ａｉ ， ｓ ｔ ｉｅ ｄＰ Ｃｊ ｐ ｆ ｅａ ｃ ｗ ｒ ｅｈ ｎｅ ，ｎ ｒ ｓ ｇａ ｐｉ ｄ ｓ ｃｅ ｅ ｔ ｔ ｔ ｒ ｄ ｏ ｈ ｅ ｓｖ ｉ ａ ｕ ｓ ｅ ｈ ｎｅ ｎ ｔ ｄ ａ ｗｈｈ
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实验样 品组成按 Ｂ
Ｙ Ｔ１００ ０００３ ｎ Ｎ ３ ２ ０ ｉ０ ３＋ ．０ Ｍ （ Ｏ ） ＋ ５
ＳＯ （ 量 分 数 为 ２ ） 行 称 量 ， 料 Ｂ Ｃ ３ ＴＯ 、 ｉ： ｉ 质 ％ 进 原 ａＯ 、ｉ： Ｓ 、 Ｏ Ｍｎ Ｎ ３ ２Ｙ Ｏ 的纯度分别为 ９ ． ％ ，９ ６ ，９ ７ ，．５ （ Ｏ ）、２ ３ ９７ ９．％ ９． ％ ０２％ 和 ９ ．９ ９ ９ ％。按照粉料 、 玛瑙球 、 去离子水 比例为 １０ ２０ １５的 ． ：． ：． 方式在行星式球磨机上混合球磨 ３ｈ 转 速设定 为 ３０ｒｍｎ 然 ， ５ ｉ， ／ 后对浆料进行烘干处理 ， 并在 空气 炉中 １１０℃保温 ２ｈ预烧 。 ５ 将预烧后样品再次行星球磨 ３ ｈ 同样 进行烘 干处理后 采用 ８ ， ０ 目的筛子进行过 筛得 到样 品的预烧 后粉体 。通过 向预烧 后粉
１ 实验
Ｂ ＴＯ 基正温度系数 热敏 电阻（ Ｔ Ｒ） ａ ｉ Ｐ Ｃ 传感器 已被广 泛运
用于 电流控制 、 度传感 控制 等 领域 －］ 温 ２６近 年来 ， 敏 电阻 ． 热 温度传感器越来越多地被应用到低 阻限流保护 、 低压 加热控 制
等领域 Ｊ 。另一 方 面 ， 随着 表面 贴装 技 术 （ Ｍ 的进 一 步 发 Ｓ Ｔ） 展 ，Ｔ Ｒ元件也 开始 向着微 型化 、 ＰＣ 集成 化方 向发 展 。因此 ， 如 何使得传统的 Ｐ Ｃ Ｔ Ｒ元件 在更 小的尺寸下实现优越的性能成为 当前热敏功能 陶瓷领域 的研究重点 。Ｐ Ｃ Ｔ Ｒ元件 的微型化要 求 Ｂ ＴＯ ａ ｉ 陶瓷必须具备小 的平均 晶粒尺 寸 、 的电阻率和高 的升 低 阻 比。Ｋｙｍ ａａ ｉ ｉ ｉ ｓｋ 等提 出了叠层 片式 Ｐ Ｃ ｏ Ｓ Ｔ Ｒ的制备方法从 而
Ｔｈｅ ｍ ｉ ｔ ｒ Ｐｒ ｏ ｒ ｄ ｂ ｄ ｔｏ ｒ ｏ ｉ ｔｏ ｏ ｅ ｓ ｒ ｓ ｏ ｅ ａ ｅ ｙ Ｒｅ ｕｃ ｉ ｎ。 ｅ ｘ ｄａ ｉ ｎ Ｐｒ ｃ ｓ
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生坯样 品放置于管式气氛烧结炉 中进 行气氛烧 结处理 ， 气 氛组成 为氮氢混 合气 体 （７ ：３ Ｈ ） 烧结 曲线 如 图１ａ ９％Ｎ ，％ ： ， （）
所示 ， 高烧结 温度 分别设 定为 １２ ５ｏ １ ３ １２５ ｏ 最 １ Ｃ、 ２ ５ｏ ５ Ｃ、 Ｃ、 １ ７ ５ｏ １ ９ Ｃ， ２ Ｃ及 ５ｏ 所有还原烧结的样品在空气中进行再氧化 ２ 工艺处理 ， 再氧化处理曲线如 图 １ ｂ 所示。 （）
阻率 和 升 阻 比都 呈 现 出 了不 同程 度 的 增 长 ， 长 幅度 随烧 结 温 度 的 升 高 而 降低 。 此 外 ， 高 再 氧 化 温 度 可提 高 升 阻 比 同 增 提
时会 使 瓷体 电 阻 率增 大 。
关键词 ： 热敏 电阻 ；Ｔ Ｒ； Ｐ Ｃ 还原再氧化 ； 结温度 烧
基金项 目： 国家“ ６ ” ８３ 计划资助项 目（ Ｑ ０ ８ Ａ ３ ４ ７ ９ ０ Ｓ ２ ０ Ａ ０ Ｚ ４ １６ ） 收稿 日期 ：０ ０—１ ０ 收修改稿 日期 ：０ ０—１ ２ ２１ ２—１ ２１ ２— ４
第 ３期
２ ４
姚振宁等 ： 于 Ａ Ｍ的三端式磁通 门传感器 基 Ｒ
料性 能的影响。结果表 明烧 结温度在 １ １ ９ ５～１ ５℃ 范围内的还原 气氛下烧 结 ， ２ ２ 瓷体均可半 导化 ， 瓷体的平均 晶粒尺寸
随烧 结温度升 高而增大 ， 大趋势 由缓慢到逐 步加 快。再氧 化处理前 瓷体 电阻率均小 于 １ ・ ｍ． 氧化后 ， 增 ０１ ｃ 再 ２ 瓷体 的 电
［ ］ ＡＵ Ｔ Ｒ Ｃ ｎｅ ｔ ｎ ｒｔ ｅｕｔ ｏ ｉ Ｍ ｆ ｘａｅｍａｎ — ２ Ｓ Ｅ ＴＨ Ｕ． ｏｃｐ ａｄｆｓ ｒｓｌ ｆａｄ￣ｔ ｕｇｔ ｇｅ ｉ ｓ ｌ
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