北京大学普通化学第一次测验2010
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12010年《普通化学》第一次测验试题(卷) 10月20日
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一、简答:选择、判断或给出答案(可能多选;本题答案写在试卷上):
1.实际气体对理想气体方程产生偏差的原因是: ( )
A 、分子有能量
B 、分子有体积
C 、分子间发生相互作用
D 、分子有体积且分子间存在相互作用
2.0o C, 测定1mol 氢气的体积(V)随压力(p)变化,发现 pV~p 近似为直线且斜率为正。直线斜率为正,这是因为: ( )
A 、氢气可以当作理想气体
B 、氢气分子有一定体积、相互作用较强
C 、氢气分子有一定体积、相互作用较弱
D 、氢气分子容易扩散
3.在相同温度下,对于摩尔质量不同的气体分子,下述说法正确的是: ( )
A 、有相同的均方根速率
B 、有相同的扩散速率
C 、有相同的平均动能
D 、有相同的最可几速率
4.丙烷的临界点是370 K 和4.2 MPa ,在298 K 时的饱和蒸气压为1.1 MPa ,回答:
A 、在298 K 时,气液共存的丙烷储罐的压力为: ( )
B 、在298 K 时和0.10 MPa 下,丙烷的状态是: ( )
C 、在298 K 和4.1MPa, 丙烷的状态是: ( )
D 、380 K 和10 MPa, 丙烷的状态是: ( )
5.抽真空可以使容器中的水在室温下沸腾,这是由于 ( )
A 、水的蒸汽压增大
B 、水的蒸发热减小
C 、水的温度升高
D 、压力降低使水的沸点降低
6. 一定温度下液体沸腾变为气体的过程中,下列物理量增加的有: ( ) A 、熵 B 、蒸汽压 C 、蒸发焓 D 、Gibbs 自由能
7.一定量的理想气体(n )在恒温T 下向真空扩散,由状态I (p 1,V 1)变为状态II (p 2,V 2)
,其中V 2>V 1, 此过程中热、功效应及体系相应的热力学函数变化值为:(若不等于0, 用已知量的函数表示)
A 、 ΔU
B 、 ΔH
C 、 Q
D 、 W
E 、 ΔS
F 、 ΔG
8.测得一种萘的苯溶液的沸点升高0.531 o C ,该溶液的凝固点降低值:
(已知苯的 K f = 5.07 K kg -1 mol -1, K b = 2.64 K kg -1 mol -1 )
9. 下列反应的熵变如何?(用=0,>0,或<0表示)
A 、NaCl 从水中析出晶体 ΔS
B 、 碘升华 ΔS
C 、H 2和O 2反应生成水 ΔS
D 、 H 2和O 2等温等压混合 ΔS
10. 每摩尔理想气体分子的平均动能为: ( )
A 、RT 21
B 、RT 2
3 C 、kT 23 D 、kT 21 11.下列关于平衡移动的说法中,正确的是: ( )
A 、压力增大体系向气体分子物质的量减小的方向移动;
B 、若反应Δ H > 0,升温时平衡总是正向移动;
C 、在达平衡的体系中加入反应物的某一种,平衡总是正向移动;
D 、改变条件使平衡移动时,K Θ总是保持不变。
12.加入催化剂可使化学反应的下列物理量中哪一个发生改变?()
A、反应焓变
B、平衡常数
C、反应熵变
D、速率常数
13. 研究合成氨机理发现,反应按A-B-C-D-E-F(设均为基元反应)进行,B为决速步:
A、N2(g) → N2(吸附);
B、N2(吸附) → 2N(吸附) (决速步);
C、H2(g) → H2(吸附);
D、H2(吸附) → 2H(吸附);
E、N(吸附)+ 3H(吸附)→ NH3(吸附)
F、NH3(吸附) → NH3(g)
该反应的级数为多少?简述原因。
二、1. 在1000℃和 98.7 kPa下,硫蒸气的密度为0.597 g·dm3,给出硫的分子式(S原子量为32)。
2. 10.0 ml 某气态烃(C m H n)与40.0 ml氧气混合,完全燃烧后得到的干燥气体体积为30.0 ml。将
气体通过足量的KOH溶液处理并干燥,剩余气体体积为10.0 ml。通过计算,写出该烃的分子式。
3. 在 18.0℃和100.0 kPa 下,将 269.0 dm3含饱和水蒸气的空气通过CaCl2干燥管,得到干
燥空气263.4 dm3。求此温度下水的饱和水蒸气压。
三、水热反应已广泛应用于化学合成。该过程是将反应物的水溶液放入特制的密闭釜中在高于100o C
的条件下进行反应。若在100.0ml的反应釜中加入反应溶液50.0ml,其中溶质(非挥发性)的摩尔分数为1/10,反应温度为160o C。此条件下反应釜中的水的蒸气压多大?(已知水的标准摩尔蒸发焓为43.0 kJ mol-1, 设其不受溶质的影响。)
四、镍的提纯可以用羰基法。由粗镍生成羰基镍(沸点316 K),反应温度控制在320~350 K:
Ni(s) + 4 CO (g) = Ni (CO)4(g) (反应1)
羰基镍在温度稍高(450~470 K)时分解出纯镍:
Ni (CO)4 (g) = Ni(s) + 4 CO (g) (反应2)
试根据热力学数据进行必要的计算后,讨论上述工艺过程的合理性。
五、 硅是制造计算机芯片的核心半导体材料。通过焦炭还原制备硅单质(粗硅),制备反应如下:
SiO2 (s) + 2 C (s) = Si (s) + 2 CO (g)
通过计算回答: 1.标准状态下,298 K 时,反应能否自发进行?
2.温度升到1000 o C,反应的平衡常数多大?
3.标准状态下,反应自发进行的温度是多少?
4.如果在反应体系中加装排风装置导出CO, 使CO(g)的分压为0.010bar, 反应
温度可以降到多少?
热力学数据
(298K) Δf H mθ (kJ ⋅ mol-1) Δf G mθ (kJ ⋅ mol-1) Sθ (J ⋅ mol-1⋅ K-1) Ni (s) 0 0 30
CO (g) -110.5 -137.2 197.5
Ni (CO)4 -603 - 402
C(s) 0 0 5.7
Si(s) 0 0 18.8
SiO2(s) -910.7 -856.3 41.5
六、气态三聚乙醛的分解反应为:(CH3CHO)3 = 3 CH3CHO,519 K 时的速率常数为3.05×10-4 s-1。
1.求此反应的半衰期t1 /2 ;
2. 若三聚乙醛起始压力为p o,反应过程中其分压(p)与体系总压力(p t)及p o的关系如何?
3.若三聚乙醛的起始压力为46.5 kPa , 反应30.0 min 后,三聚乙醛分压多大?体系的压力多大?
4.当测得总压力为93.0kPa, 反应了多长时间?
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