LiNbO3薄膜光学特性
铌酸锂透光范围
铌酸锂透光范围
铌酸锂(LiNbO3)是一种具有优异光学性能的晶体材料,广泛应用于光电器件、非线性光学和电光调制等领域。
它因具有较大的电光系数、非线性光学系数、高损伤阈值以及良好的机械和化学稳定性而受到重视。
铌酸锂的透光范围较宽,大约从紫外区的350nm延伸到中红外区的5200nm。
这意味着铌酸锂可以透过从紫外到可见光再到近红外和部分中红外区域的光线。
这个宽广的透光范围使得铌酸锂成为非常适合用于多种光学应用的材料,包括频率倍增、光学参量振荡、电光调制和各种类型的激光器件等。
值得注意的是,尽管铌酸锂在上述提到的波长范围内具有较好的透光性,但其透光率会受到晶体厚度、晶体质量、加工工艺以及特定波长下的吸收峰等因素的影响。
例如,在接近其透光范围边缘的波长处,透光率可能会有所下降。
此外,铌酸锂晶体在某些特定波长(如约2800nm附近)会有吸收带,这会进一步影响其在这些波长处的透光性能。
因此,在设计和选择铌酸锂光学元件时,需要考虑具体应用中的波长要求,并结合铌酸锂的透光特性来进行优化,以确保最佳的光学性能。
基于铌酸锂薄膜材料移相控制的光学相控阵及制备方法
基于铌酸锂薄膜材料移相控制的光学相控阵及制备方法1. 引言1.1 概述铌酸锂薄膜材料具有在外界电场作用下实现相位控制的特性,这使得它成为光学相控阵中的重要组成部分。
光学相控阵是一种通过调节每个像素单元的相位来实现光波前调控的器件,广泛应用于光通信、自适应光学、全息成像等领域。
本文将介绍基于铌酸锂薄膜材料移相控制的光学相控阵及其制备方法。
1.2 文章结构本文首先对文章进行了简单概述,然后分为正文和结论部分。
正文包括对移相控制的光学相控阵、铌酸锂薄膜材料及其制备方法进行了详细介绍。
1.3 目的本文旨在深入研究基于铌酸锂薄膜材料移相控制的光学相控阵,并介绍该技术所涉及的原理和机制。
此外,我们还将讨论不同的铌酸锂薄膜材料制备方法,并比较它们在工艺上的优缺点。
通过本文的研究,我们希望能够为光学相控阵的设计和制备提供一定的参考和指导。
2. 正文在本研究中,我们探索了基于铌酸锂薄膜材料移相控制的光学相控阵及其制备方法。
光学相控阵是一种能够实现光波前调制和相位调制的关键技术,在信息处理、成像系统和通信领域具有广泛的应用前景。
2.1 光学相控阵概述光学相控阵是一种由多个可编程电极组成的器件,通过对电极施加不同的电场控制信号,可以改变材料的折射率,从而实现对入射光波前的调制。
它具有快速响应时间、高分辨率和广泛的工作频率范围等优点,在液晶显示器、自适应光学和光子集成电路等领域得到广泛应用。
2.2 铌酸锂薄膜材料介绍铌酸锂(LiNbO3)薄膜是一种重要的功能性晶体材料,具有优异的非线性光学特性和高稳定性。
它在构建光学器件和相控阵方面具有重要意义。
LiNbO3薄膜以其较高的折射率差、良好的光学透明性和稳定的化学性质而备受关注。
2.3 移相控制原理及作用机制铌酸锂薄膜材料在光学相控阵中起着重要的作用。
通过在铌酸锂薄膜上施加不同的电场调控信号,可以实现光学相位的调制。
这种移相控制机制基于电-光耦合效应,在外加电场的作用下改变铌酸锂晶格中的离子位置,从而改变其折射率。
铌酸锂波导折射率
铌酸锂波导折射率铌酸锂(LiNbO3)是一种广泛应用于光学器件和光电子领域中的无机晶体材料。
它具有许多优异的物理和光学性质,如热稳定性、高光学非线性、高光束质量等,尤其是其在可见光和红外光范围内的光学性能优越,成为制备光波导的理想材料之一。
铌酸锂波导是一种利用铌酸锂晶体制作的光波导结构,具有高折射率、低损耗和优异的电光效应等特点。
其波导结构可以通过刻蚀、离子交换等方法制备。
铌酸锂波导的折射率是该波导的重要性能指标之一。
铌酸锂波导的折射率在可见光和红外光范围内具有较高的值,通常在1.5到2.2之间。
这个范围内的折射率使得铌酸锂波导可以用于大多数光学器件和器件集成中。
同时,铌酸锂波导的折射率与光的波长和光束的偏振状态有关,可以通过调节波导尺寸和结构来实现对折射率的精确控制。
铌酸锂波导的折射率也可以通过掺杂其他元素或化合物来进行调节,在一定的范围内实现对折射率的调控。
铌酸锂波导的高折射率使得它能够实现高曲率半径的弯曲效果,对于制备紧凑型光学器件和光电子集成器件具有重要意义。
此外,铌酸锂还可以实现电光效应,即在外加电场的作用下,其折射率发生改变,从而实现光的调制和开关功能。
这一特性使得铌酸锂波导在光通信和光纤传输系统中得到了广泛的应用。
铌酸锂波导的折射率在光学器件设计和制备过程中起着重要的作用。
在设计阶段,准确了解铌酸锂波导的折射率是非常重要的,可以帮助优化器件的结构和性能。
在制备阶段,控制铌酸锂波导的折射率对于实现期望的器件性能具有重要意义。
因此,研究铌酸锂波导的折射率是理论和实验研究的重要课题之一。
总之,铌酸锂波导的折射率是该波导的重要性能指标之一。
它的高折射率使得铌酸锂波导成为制备光学器件和光电子集成器件的理想材料之一。
通过调节波导尺寸、结构和掺杂等方式,可以对铌酸锂波导的折射率进行精确的控制,以满足不同光学应用的需求。
铌酸锂波导的折射率研究对光学器件的设计和制备具有重要意义,对于推动光学器件和光电子技术的发展具有重要作用。
铌的光学应用原理图讲解
铌的光学应用原理图讲解1. 简介铌(Nb)是一种重要的过渡金属元素,具有广泛的光学应用。
其原理图能够清晰地展示铌在光学领域的应用原理。
在本文中,将对铌的光学应用原理图进行详细讲解。
2. 反射率增强膜原理铌的光学应用之一是反射率增强膜。
其原理如下:•首先,在光学器件表面蒸镀一层铌薄膜;•铌薄膜能够增强光的反射率,提高光学器件的效果;•铌薄膜能够通过调节厚度和结构来实现不同波长的反射率增强;•反射率增强膜广泛应用于光学镜片、光纤通信设备等领域。
3. 铌酸锂光学器件原理铌酸锂(LiNbO3)是铌的一种化合物,具有良好的光学特性。
其应用原理图如下:•铌酸锂晶体具有非线性光学特性,能够用于频率倍频、调制和激光器等领域;•铌酸锂晶体能够通过外加电场来改变折射率,用于光学调制器;•铌酸锂晶体能够通过光的干涉效应来实现光学调制,用于光学开关;•铌酸锂晶体广泛应用于无线通信、光纤通信、激光加工等光学器件中。
4. 铌酸锂波导光栅原理铌酸锂波导光栅是铌在光学领域的又一重要应用,其原理图如下:•铌酸锂波导光栅是通过再铌酸锂晶体表面形成周期性的折射率变化;•折射率变化能够实现光的衍射效应,使得特定波长的光在波导中传播;•铌酸锂波导光栅可用于滤波器、光栅耦合器、分光器等光学器件;•铌酸锂波导光栅在光纤通信、光学传感器等领域发挥重要作用。
5. 铌酸锂体积光栅原理除了波导光栅,铌酸锂还可以通过体积光栅来实现光学调制,其原理图如下:•铌酸锂体积光栅是通过把光束调制成体积周期性折射率分布;•折射率分布能够实现光的衍射效应,使得特定波长的光在晶体中传播;•铌酸锂体积光栅可通过变化外加电场调制折射率,用于光学调制;•铌酸锂体积光栅广泛应用于激光器、光纤通信设备等光学器件。
6. 结论通过以上的讲解,我们了解到铌在光学领域的重要应用原理图。
铌的光学应用不仅能够提高光学器件的性能,还能够实现光的调制和传输,广泛应用于光纤通信、无线通信和激光器等领域。
硅基LiNbO3薄膜的工艺研究及其性能分析
结 构 ,从 而 可 以 获 得 更 大 折 射 率 差 的 波 导 结 构 。
具备更大的能量传输密度和更小 的传输损耗系数。
收 稿 日期 :2 0 . 1 1 08 0 .5
b l r td e .Hih q ai i O3f msh v e n d p std wh nt etmp rt r ft etre s6 0 ℃ O3f m aesu id is u lt L Nb i a eb e e o i e h e eau eo h ag ti 0 g y l e
Ab t a t RF s utr e oie c o e td i O3 fl n i u srt s r h b ss fr fb iai g sr c -p t d p std -r n e L Nb ims o S s b tae ae t e ai o a rc tn e i wa e ud sa d itgae e ie . T e rlt n hp b t e n t ec n i o fe p rme ta d t u l y o i v g i e n n e rtd d vc s h eai s i ew e h o dt n o x e i n n o i he q ai fL N— t
控溅射 法;硅衬底
T3 N1 M 文献标 识码 A 文章编号 10 7 2 (0 8 1 0 5— 4 0 7— 8 0 2 0 )0- 0 0
中图分类号
Te h i u sa d P r o m a c fLi o3 l so iS b t ae c n q e n e r n e o Nb m n S u sr ts f Fi
薄膜铌酸锂光子学-概述说明以及解释
薄膜铌酸锂光子学-概述说明以及解释1.引言概述部分的内容可以如下所示:1.1 概述薄膜铌酸锂(Lithium niobate, LN)是一种具有优异光学性质的晶体材料,其在光子学领域中具有广泛的应用前景。
它由锂离子(Li+)和铌离子(Nb5+)组成的晶体结构构成,具有高非线性光学效应、光电效应和压电效应等特点。
近年来,随着光通信、光存储、光计算等光子学技术的快速发展,薄膜铌酸锂在光子学中的研究逐渐受到了广泛关注。
薄膜铌酸锂可以通过多种方法制备,包括离子交换法、溶液法、激光沉积等技术。
通过控制制备工艺参数,可以获得具有不同光学性质和结构特点的薄膜铌酸锂材料。
薄膜铌酸锂的光学性质使其具有很高的折射率、非线性折射率和非线性光学系数等特点,这使得它在光调制、光调控、光耦合和光调谐等方面表现出优异的性能。
此外,薄膜铌酸锂还可以制作成波导器件、调制器件、谐振器件等光子学器件,用于实现光通信、光传感和光计算等应用。
本文将详细介绍薄膜铌酸锂的制备方法、光学性质及其在光子学中的应用。
通过深入研究和分析,可以更好地理解薄膜铌酸锂的优势和潜力,并展望其在光子学领域的发展前景。
同时,本文还将总结已有研究成果,探讨未来薄膜铌酸锂在光子学中的应用前景,为相关研究提供一定的参考和指导。
1.2文章结构文章结构部分的内容可以是对整篇文章的章节安排进行简要介绍和概括。
以下是一个例子:1.2 文章结构本文将以以下方式组织和呈现内容:第一部分是引言部分,主要包括概述、文章结构和目的。
在概述部分,对薄膜铌酸锂光子学的背景和重要性进行了介绍。
文章结构部分则提供了本文各个章节的整体框架和组织方式。
最后,在目的部分明确了本文的目标和意义。
第二部分是正文部分,主要分为三个小节。
首先,介绍了薄膜铌酸锂的制备方法,包括常见的物理和化学制备工艺。
然后,讨论了薄膜铌酸锂的光学性质,包括折射率、透过率和能带结构等。
最后,探讨了薄膜铌酸锂在光子学中的广泛应用,如光波导器件、光调制器件和光传感器等方面。
铌酸锂概念
铌酸锂概念
铌酸锂(Lithium Niobate,缩写为LiNbO3)是一种具有重要应用价值的无机晶体材料。
下面是关于铌酸锂的一些概念:
1. 化学成分:铌酸锂是由铌(Niobium)和锂(Lithium)元素组成的化合物。
其化学式为LiNbO3。
2. 晶体结构:铌酸锂属于三斜晶系,晶体结构呈现三斜晶体结构。
晶格常数和晶体结构的稳定性使其具有一些特殊的光学和电学性质。
3. 光学性质:铌酸锂具有良好的非线性光学特性,例如二次谐波产生、光参量振荡和光电效应等。
这使得铌酸锂广泛应用于光学器件和光纤通信等领域。
4. 声学性质:铌酸锂还具有优异的声学特性,可以用于声表面波(Surface Acoustic Wave,SAW)器件、声光调制器等应用。
5. 高温稳定性:铌酸锂在高温条件下仍能保持稳定,因此可用于高温环境下的传感器、谐振器和滤波器等器件。
6. 电学性质:铌酸锂也具有优良的电学性能,包括高介电常数、压电效应和非线性电光效应等。
这些特性使其在电声器件、电光调制器和电光开关等方面具有广泛应用。
由于铌酸锂具有上述特殊的光学、声学和电学性质,因此在光电子学、通信技术、传感器、光学器件和声学器件等领域得到了广泛应用。
低损耗铌酸锂薄膜光波导声光调制器的研究
低损耗铌酸锂薄膜光波导声光调制器的研究一、材料选择铌酸锂(LiNbO3)是一种具有优异光学和声学性能的晶体材料,因其具有较高的非线性光学系数和较高的声光系数而被广泛研究和应用。
由于铌酸锂具有良好的透明性和稳定性,以及易于制备薄膜的特点,使得铌酸锂成为声光调制器的理想材料。
二、工作原理铌酸锂薄膜光波导声光调制器的工作原理基于光声效应和电光效应。
当光信号从光波导传输到声波传感器时,由于光声效应的作用,光信号会与声波相互作用,进而改变光信号的相位、振幅或频率。
通过施加外加电场,利用电光效应可以调节声波的产生和传播,从而实现对光信号的调制。
三、性能优势1. 低损耗:铌酸锂薄膜具有较低的传输损耗,可实现高效的光波导传输。
2. 高速调制:铌酸锂薄膜具有较高的声光系数,可实现快速的光信号调制。
3. 宽带宽:铌酸锂薄膜具有较宽的工作频率范围,可适应多种光信号调制需求。
4. 高稳定性:铌酸锂薄膜具有良好的光学和电学稳定性,可保证长时间稳定的调制性能。
四、应用前景由于铌酸锂薄膜光波导声光调制器具备低损耗、高速调制、宽带宽和高稳定性等优势,因此在光通信、光传感、光学计算和光学信号处理等领域具有广泛的应用前景。
1. 光通信:铌酸锂薄膜光波导声光调制器可用于光纤通信系统中的光信号调制,实现高速、高效率的光通信传输。
2. 光传感:铌酸锂薄膜光波导声光调制器可用于光纤传感系统中的光信号调制,实现高灵敏度的光传感探测。
3. 光学计算:铌酸锂薄膜光波导声光调制器可用于光学计算系统中的光信号处理,实现高速、低能耗的光学计算功能。
4. 光学信号处理:铌酸锂薄膜光波导声光调制器可用于光学信号处理系统中的光信号调制和处理,实现高速、高精度的光学信号处理。
低损耗铌酸锂薄膜光波导声光调制器具有在光通信、光传感、光学计算和光学信号处理等领域广泛应用的潜力。
随着材料制备技术的不断发展和研究的深入推进,铌酸锂薄膜光波导声光调制器的性能将进一步提升,其应用前景也将更加广阔。
沉积速率对硅基LiNbO_3光波导薄膜特性的影响
沉积速率对硅基LiNbO3光波导薄膜特性的影响**王新昌1**,叶志镇2,赵炳辉2(1.郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,河南郑州,450052;2.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州,310027)摘要:利用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅衬底上生长高c轴取向LiNbO3晶体薄膜,研究了激光脉冲频率即薄膜沉积速率对薄膜结晶质量及取向性的影响,发现激光脉冲频率对薄膜的c轴取向性基本没有影响,但对薄膜的结晶质量影响较大,激光脉冲频率为3Hz时获得了高结晶质量的c轴取向LiNbO3晶体薄膜。
XPS测试表明制得薄膜的组分符合等化学计量比,AFM测试显示制备的薄膜表面光滑,表面粗糙度为4.3nm。
棱镜耦合法测试表明制备的LiNbO3薄膜具有优异的光波导性能,光传输损耗为1.14dB/cm。
关键词:脉冲激光沉积法(PLD);LiNbO3薄膜;光波导;沉积速率;Si O2/Si衬底中图分类号:O484.4 文献标识码:A 文章编号:1005 0086(2008)11 1486 04Effect of growth rate on the ch aracteristics of LiN bO3w aveguid e thin film s on S iO2/S i su bstrate by PLDW ANG Xin chang1**,YE Zhi zhen2,ZHAO Bing hui2(1.Key L abo ratory of M aterial Physics,and Department of Physics,Zhengzhou U niveristy,Zhengzhou450052,Chi na; 2.State Key Laborato ry of Silicon Materials,Zhejiang U niversity,Hangzhou,310027,China)A bs tra ct:Highly c axis ori ented Li NbO3thin films are grown on SiO2/Si substrates by the pulsed laser deposition.T he effects of deposti on rate on the growth of the film texture and crystallinity are systematically investi gated.T he deposition rate of LiNbO3thin films is controlled with freq uency of pulsed laser.T he results show that the laser frequency can strongly influenced the crystallographic quality of LiNbO3films,but can not influenced c axis orientation of LiNbO3fi lms.T he XPS measurement shows that the achieved film is stoichiometry.The AFM measurement shows that the fi lm has smooth surface. The RMS roughness of the film surface was4.3n m.Good optical vaveguid e properti es of LiNbO3films are observed by u si ng of the pri sm coupled method.The optical propagation loss of LiNbO3films at3Hz is1.14dB/cm.Key words:pulsed laser deposition;Li NbO3thi n film;opti cal waveguide;growth rate;Si O2/Si substrate1 引 言20世纪80年代以来,随着光纤技术和集成光学的发展, LiNbO3在光波导领域的应用得到了足够的重视。
LiNbO3薄膜的研究进展
LiNbO3薄膜的研究进展
王新昌;叶志镇
【期刊名称】《材料导报》
【年(卷),期】2002(016)009
【摘要】LiNbO3薄膜具有优良的压电、热释电、声光及非线性光学特性,在光电子学及集成光学等领域有许多重要应用.着重介绍LiNbO3的结构、性质与薄膜制备技术,以及在光通信领域中的应用.
【总页数】4页(P26-28,59)
【作者】王新昌;叶志镇
【作者单位】浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
【正文语种】中文
【中图分类】TN3
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新型晶体光学材料LiNbO3中的光带隙研究
新型晶体光学材料LiNbO3中的光带隙研究光学材料是一类具有光学性质的材料。
它们可以通过吸收、反射、透射、放射等多种方式来与光互动。
LiNbO3(锂钽酸铌)是一种新型晶体光学材料,具有极好的光学和电学性质。
在这篇文章中,我们将会讨论LiNbO3的特性和研究进展,特别关注其光带隙的研究。
一、锂钽酸铌的基本特性LiNbO3是一种经常被使用的晶体材料,它具有较高的光学信噪比,高的非线性光学系数和电光学系数,以及优异的热稳定性。
这使得它在光学通信、光存储、光学换能器等领域得到了广泛的应用。
二、光带隙的概念为了理解锂钽酸铌的光学性质,我们需要从光带隙开始。
光带隙是材料带隙中对于光电子传导和电子波动有限的贡献。
它是指材料带隙范围内的能量范围,在此范围内,材料不能吸收或发射光子。
因此,这被称为“禁带”。
三、锂钽酸铌的光带隙特性锂钽酸铌的光带隙与其结构密切相关。
它是一种难以近似铁电的晶体,具有非线性光学性质,还可以被用于制作非线性光学设备。
此外,锂钽酸铌的光信号和电信号的响应速度也非常快。
近年来,随着纳米技术的发展,大量的锂钽酸铌纳米材料也被制备出来。
这些纳米材料具有更好的光学和电学性质,更适合用于光学器件的制造。
四、锂钽酸铌在光电技术中的应用通过对锂钽酸铌的研究,科学家们已经发现这种材料在光电技术中有多种应用。
例如,在光通信领域,锂钽酸铌被用于制造可调谐微波光源。
这种光源的频率可以通过调整波导长度来调整,而不需要使用频率合成器。
另外,锂钽酸铌还被用于制造光学插入器和可调谐滤波器。
光学插入器可以实现光纤通信网络中的光电转换,而可调谐滤波器可以调整特定波长的光线,以进行光谱分析和光子设备。
五、结论总之,锂钽酸铌是一种重要的晶体光学材料,具有良好的光学和电学性质。
通过对其光带隙的研究,可以更好地理解其光学性质,并应用于光电技术中。
未来,我们相信锂钽酸铌的研究将继续取得新的突破,为光电技术的发展贡献力量。
薄膜铌酸锂铌奥光电
薄膜铌酸锂铌奥光电铌酸锂铌奥光电(LNO)是一种具有特殊光学性质的薄膜材料。
它由铌酸锂(LiNbO3)和铌酸锂(LiNbO3)复合而成,具有独特的光学和电学性能,被广泛应用于光学通信、光学传感、光学计算和光学储存等领域。
铌酸锂铌奥光电具有优良的光学性能,其中最重要的特性之一是其非线性光学效应。
这种效应使得铌酸锂铌奥光电在光学调制器、光学开关和光学调频器等光学器件中具有重要的应用。
铌酸锂铌奥光电的非线性光学效应主要包括二次非线性光学效应和电光效应。
二次非线性光学效应使得铌酸锂铌奥光电能够实现频率倍增、频率混频和光学参量放大等功能,而电光效应使得铌酸锂铌奥光电能够实现光学调制、光学开关和光学调频等功能。
除了非线性光学效应,铌酸锂铌奥光电还具有优异的光电性能。
它具有较高的光学吸收系数、较低的光学损耗和较高的光电响应速度,使得它在光电探测器、光电开关和光电调制器等光电器件中具有广泛的应用。
此外,铌酸锂铌奥光电还具有优异的光学稳定性和热稳定性,能够在高温和高功率的工作环境下稳定工作。
薄膜铌酸锂铌奥光电是一种将铌酸锂铌奥光电制备成薄膜形式的技术。
通过薄膜制备技术,可以将铌酸锂铌奥光电制备成薄膜材料,从而实现对其光学和电学性能的优化和控制。
薄膜铌酸锂铌奥光电具有较高的薄膜质量和较大的薄膜面积,能够实现更高的光学和电学性能。
因此,薄膜铌酸锂铌奥光电在光学器件中具有更广泛的应用。
薄膜铌酸锂铌奥光电的制备方法主要包括物理气相沉积、化学气相沉积和溶液法沉积等。
物理气相沉积是将铌酸锂铌奥光电制备成薄膜的常用方法,它通过蒸发源蒸发铌酸锂铌奥光电材料,使其在基底上沉积成薄膜。
化学气相沉积是一种将铌酸锂铌奥光电制备成薄膜的新方法,它通过在气相中使铌酸锂铌奥光电材料发生化学反应,从而使其在基底上沉积成薄膜。
溶液法沉积是一种将铌酸锂铌奥光电制备成薄膜的简便方法,它通过将铌酸锂铌奥光电材料溶解在溶液中,然后将溶液倒在基底上,使其在基底上沉积成薄膜。
linbo3光学性质与热力学性质的第一性原理计算
linbo3光学性质与热力学性质的
第一性原理计算
Linbo3光学性质的第一性原理计算包括:电子结构、密度和全反射率的计算;热力学性质的第一性原理计算包括:能带结构、电子-热层析图以及热力学性质的分析和预测。
电子结构计算采用 DFT (Density Functional Theory) 方法,主要是计算出材料的电子态密度分布,从而获得复杂材料的电子结构信息,进而提供全反射率的计算。
密度计算是根据电子结构计算得出的电子态密度分布,通过求解 Poisson 方程,来计算出材料的总体电荷密度和电子密度。
全反射率的计算是根据经由电子结构计算得出的电子态密度分布和密度计算得出的总体电荷密度和电子密度,来求解 Maxwell 方程,得出材料在不同波长和不同入射角下的全反射率。
能带结构计算是根据电子结构计算得出的电子态密度分布,通过求解 Schrodinger 方程,来计算出材料的能带结构。
电子-热层析图计算是根据能带结构计算得出的能带结构,来求解 Boltzmann 方程,来得出材料的电子-热层析图,即材料的电子导热率随温度的变化情况。
热力学性质的分析和预测是根据电子结构计算得出的电子态密度分布和电子-热层析图计算得出的电子导热率,通过求解 Debye-Grüneisen 方程,来计算出材料的热力学性质,如声速、热容以及热扩散率等。
射频磁控溅射制备c轴取向LiNbO3薄膜研究
射频磁控溅射制备c轴取向LiNbO3薄膜研究安玉凯;左长云;刘技文【摘要】采用射频磁控溅射技术,用富Li的LiNbO3靶材在Si(100)和Si(111)基底上制备了LiNbO3薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对LiNbO3薄膜的结晶程度、晶体取向和表面形貌及薄膜与基底结合处的界面结构进行了研究.结果表明:样品在空气中经1 000℃退火1h处理后,薄膜与Si基底界面处有SiO2生成,得到的LiNbO3薄膜结晶性好,具有高c轴取向,晶粒排列致密且粒径尺寸均匀.%LiNbO3 thin films were grown on Si substrates by radio-frequency ( RF) magnetron sputtering technique with a LiNbO3 with Li-riched target. The crystallization, crystalline orientation and surface morphology of the films were character-ized with X-ray diffraction( XRD) , scanning electron microscopy( SEM ) . The interface between IiNbO3 film and Si substrate was investigated by X-ray photoelectron spectroscopy( XPS). The results show that the films have highly c-axis oriented tex-ture , uniform grain size and a smooth, crack - free surface. There was a SiO2 layer at the interface between IiNbO3 thin film and Si substrate after annealed at 1 000 ℃ for 1 hour in the air.【期刊名称】《天津理工大学学报》【年(卷),期】2011(027)004【总页数】4页(P1-4)【关键词】LiNbO3薄膜;c轴取向;射频磁控溅射【作者】安玉凯;左长云;刘技文【作者单位】天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室,天津300191;天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室,天津300191;天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室,天津300191【正文语种】中文【中图分类】TG17LiNbO3薄膜具有优良的压电、热释电、声光、及非线性光学特性,在光电子学及集成光学等领域有很多重要应用[1-2],已成为制作电光、声光器件的关键材料.已经报道的LiNbO3薄膜的制备方法有多种,如激光脉冲沉积(PLD)[3-5],金属有机物化学气相沉积(MOCVD)[6-8],溶胶-凝胶(Sol-gel)[9-10]和磁控溅射(sputtering)[11-12]等.其中射频磁控溅射(rf-sputtering)制备的薄膜由于择优溅射常常导致薄膜化学计量比不易控制,薄膜的显微结构及组分的均匀性不好,且不易获得高c轴取向.我们采用射频磁控溅射方法制备了LiNbO3薄膜,并在空气中进行退火处理,得到了结晶性好,具有高c轴取向且表面平整的LiNbO3薄膜.1 试验方法采用射频磁控溅射方法在JGP450A6型超高真空磁控溅射装置上制备LiNbO3薄膜.以富锂LiNbO3为靶材,单面抛光的p-Si(100)(电阻率3~10Ω·cm,厚度为0.4 mm)和n-Si(111)(电阻率2~5Ω·cm,厚度为0.49 mm)的Si片为基底.溅射气体为Ar(纯度为99.999%)和 O2(纯度为 99.99%).溅射前Si基底分别用丙酮,乙醇和去离子水各超声清洗15 min,以去除Si片表面的杂质,样品制备实验参数见表1.表1 样品制备实验参数Tab.1 The conditions of sam ple preparation本底真空/Pa基底温度/℃溅射功率/W溅射气压/Pa溅射气体(O2、Ar总流量15sccm)比例溅射时间/h靶与基片距离/mm 3×10-4575 100 1.2 1 ∶1 2.5 80使用日本理学Rigaku Dmax 2500PC型X射线衍射仪(XRD)(Cu靶Kα 辐射,λ=0.154 056 nm)研究了LiNbO3薄膜的结晶状况和取向,并结合Kratos Axis Ultra DLD型多功能电子能谱仪(XPS)分析了LiNbO3薄膜与Si基底界面处的结构,通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM,JOEL6700F,Japan)观察了薄膜的表面形貌.2 实验结果分析为了便于研究,选取了未加SiO2过渡层的Si(100)和Si(111)为基底,直接在其上溅射生长LiN-bO3薄膜,之后再在空气中做不同温度的退火处理.图1为Si(100)基底上溅射LiNbO3后分别在900℃、1 000℃、1 100℃空气中退火1 h的XRD谱图.从图1(a)中可以看到900℃退火时,样品只有LiNbO3(012)、(104)、(006)、(024)、(116)取向峰.但峰的强度并不高,说明薄膜的结晶程度不高.当退火温度升至1 000℃时,如图1(b)所示,样品中LiNbO3取向峰均变强,说明LiNbO3薄膜的结晶程度提高,并出现了SiO2的(220)、(004)取向的峰.样品的退火温度升至1 100℃时,见图1(c),我们可看到LiN-bO3的(012)峰明显增强,c轴取向的(006)峰却变弱.同时出现了缺Li相LiNb3O8.图1 空气中不同温度下退火1 h的LiNbO3/Si(100)薄膜的XRD谱图:(a)900℃;(b)1 000℃;(c)1 100℃Fig.1 The XRD pattern ofLiNbO3/Si(100)thin film at different annealed temperature for 1 h inair:(a)900℃;(b)1 000℃;(c)1 100℃随着退火温度的从900℃升至1 100℃,薄膜的取向和结晶程度发生了规律性的变化.900℃退火后薄膜已出现了LiNbO3的主要峰(012)、(104)、(006)、(116),在1 100 ℃退火 1 h后我们发现薄膜的(012)峰变得很强,而且出现了缺Li相LiNb3O8.根据经典的成核理论,我们知道薄膜取向是在成核阶段被决定的.由于薄膜的不同晶面的界面能是各向异性的,LiNbO3薄膜中(012)面的界面能最低[13],所以当外界提供的能量增加时,LiNbO3就会形成高的(012)取向.对于缺Li相LiNb3 O8的形成,我们认为这是由于Li+离子在高温或缺氧的情况下较易挥发扩散,使得薄膜偏离化学计量比而导致的.对比了不同退火温度下LiNbO3薄膜c轴取向的(006)峰和最强的(012)峰的强度,其强度比分别为 0.695、0.761、0.460,说明1 000 ℃退的 LiN-bO3薄膜c轴取向的(006)峰相对较强.对于在Si(111)基底上制备的LiNbO3薄膜经退火后,呈现出类似的变化规律.但在图2(b)中的LiNbO3薄膜c轴取向的(006)峰强度远超过LiNbO3的(012)峰,说明在Si(111)基底上生长的LiNbO3薄膜经退火后较在Si(100)基底上生长的LiNbO3薄膜的c轴取向更好.我们认为这是由于Si(111)与LiNbO3二者同属三轴对称结构,较易引起c轴方向上的成核和生长,而LiNbO3与四轴对称结构的Si(100)则由于对称失配而不能像在Si(111)基底上那样容易地成核和生长.关于这一点,我们也可以从对比图1(b)和图2(b)中的LiNbO3的晶格常数中得到印证.经计算,图1(b)中LiNbO3的晶格常数为a=b=0.516 547 nm,c=1.390 216 nm,而图2(b)LiNbO3的晶格常数为 a=b=0.514 624 nm,c=1.384 309 nm,显然后者的晶格常数更接近文献值(a=b=(0.514 829 ± 0.00 002)nm,c=(1.386 31±0.000 4)nm).LiNbO3的 c轴取向始于初期的LiNbO3薄膜和Si(111)界面,由于二者沿密堆方向有共同的对称轴,在后期退火过程中LiNbO3的晶格结构趋向于沿着基底Si(111)中的对称结构生长,从而导致形成具有c轴取向[14].图2 空气中不同温度下退火1 h的LiNbO3/Si(111)薄膜的XRD谱图:(a)900℃;(b)1 000℃;(c)1 100℃Fig.2 The XRD pattern ofLiNbO3/Si(111)thin film at different annealed tem perature for 1h inair:(a)900℃;(b)1 000℃;(c)1 100℃在图1和图2中,我们看到当退火温度大于1 000℃时,有SiO2相出现,这是Si 基底中临近界面处的Si被氧化所致,为了证实这一点,我们做了进一步的研究.取未溅射 LiNbO3的 Si基底在空气中1 000℃温度下退火1 h,经XPS测试证明确有SiO2生成.图3(a)、(b)分别对应 SiO2中 Si2 p(103.6 eV[15])及 O 1s(532.8 eV[16])电子的 XPS 特征谱.关于SiO2层的厚度对LiNbO3薄膜的结晶性及取向性的影响还需进一步研究.从应用角度讲,在Si基底上制备LiNbO3薄膜的表面形貌是一个重要的参数.由于LiNbO3属于三角晶系,而Si属于立方晶系,它们之间存在较大的晶格失配和热膨胀差异,LiNbO3薄膜通常会出现裂纹.然而在 Si(111)基底上生长的 LiNbO3薄膜经1 000℃退火1 h后没有裂纹产生,薄膜表面平整、晶粒尺寸细小、均匀致密,如图4所示,这更适用于波导器件[17].3 结论图3 Si基底在1 000℃下空气中退火1 h的Si2p(a)及O 1s(b)电子的XPS特征谱Fig.3 XPS spectra for Si2p and O 1s of Si substrate annealed at 1 000℃for 1 h in the air图4 沉积在Si(111)基底上的LiNbO3薄膜经1 000℃退火1 h后的SEM图Fig.4 SEM images of LiNbO3 thin film deposited on Si(111)annealed at 1000℃for 1 h采用射频磁控溅射方法以富Li的LiNbO3为靶材,在Si(111)基底上生长LiNbO3薄膜,随后在空气中经过1 000℃退火处理1 h,得到了高结晶度、表面平整,晶粒排列致密、尺寸均匀的c轴取向LiNbO3薄膜.参考文献:[1]Tien PK,Riva-Sanseverino S,Ballman A A.Light beam scanning and deflection in epitaxial LiNbO3 electro-optic waveguides[J].Applied Physics Letters,1974,25:563-565.[2]Fukunishi S,Uchida N,Miyazawa S,etal.Electro‐opticmodulation of optical guided wave in LiNbO3 thin film fabricated by EGMmethod[J].Applied Physics Letters,1974,24:424-426.[3]Hu W S ,Lin ZG,Guo XL ,et al.Pulsed laser deposition of(001)texture LiNbO3 films on Al2 O3/SiO2/Sisubstrate[J]. 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铌酸锂集成光量子器件-概述说明以及解释
铌酸锂集成光量子器件-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容应该是对整篇文章进行一个简要的介绍,引起读者的兴趣并让读者对文章的内容有初步的了解。
下面是一种可能的概述部分的内容:铌酸锂(LiNbO3)是一种广泛应用于光学领域的材料,具有优良的光学和电学性能。
在当前光量子领域的研究中,铌酸锂被广泛应用于集成光量子器件的制造中。
本文将深入探讨铌酸锂集成光量子器件的特性、原理以及其在光量子领域中的优势与应用前景。
在正文部分,我们将首先介绍铌酸锂的特性,包括其晶体结构、光学和电学性质。
接着,我们将详细解释集成光量子器件的原理,包括铌酸锂作为中心材料在光量子器件中的作用。
随后,我们将重点讨论铌酸锂集成光量子器件相比其他材料的优势,包括其高光学非线性、稳定性和调制速度等特点。
通过对这些优势的深入探讨,我们将展示铌酸锂集成光量子器件在光通信、光计算和量子信息处理等领域的潜在应用前景。
最后,结论部分将对铌酸锂集成光量子器件的应用前景进行总结,并展望未来的研究方向。
通过本文的介绍,读者将对铌酸锂集成光量子器件有一个全面的了解,以及对其在未来的应用和发展方向有进一步的认识。
相信本文对光量子领域的研究人员和光学器件开发者,以及对光子学感兴趣的读者将具有较大的参考价值。
1.2文章结构文章结构的设计是为了使读者能够更好地理解和掌握铌酸锂集成光量子器件的相关知识。
本文将按照以下方式组织内容:第一部分是引言,主要包括以下三个方面:1.1 概述: 在这一部分,我们将介绍铌酸锂集成光量子器件的基本概念和背景。
我们将介绍铌酸锂作为一种重要的晶体材料在光学和量子领域的应用,并简要介绍光量子器件的概念及其在信息科学和通信中的重要性。
1.2 文章结构: 在这一部分,我们将详细介绍本文的结构和各个部分的内容安排。
我们将说明正文分为三个主要部分:铌酸锂的特性、集成光量子器件的原理以及铌酸锂集成光量子器件的优势。
我们还会阐述结论部分,总结铌酸锂集成光量子器件的应用前景,并对未来的研究进行展望。
铌酸锂折射率
铌酸锂折射率铌酸锂(LithiumNiobate,LiNbO3)是一种常用的可晶体,它具有优异的电光特性,可以用于重要的光电应用,如激光器、光纤放大器以及光纤传感器等。
当光波的波长与铌酸锂晶体表面的平面错切时,光会发生折射,通常将这种现象称为平面错切折射(P-polarized Refraction)。
本文将着重讨论铌酸锂折射率的优点,特性以及相关的研究进展。
首先,铌酸锂折射率具有一些优点。
首先,它的折射率是极高的,约为2.2,可以比其他材料的折射率高出2-4倍,可以使光弯曲度增加到更大的程度。
其次,它的折射率是可变的,可以通过改变晶体结构来调整折射率。
最后,它具有良好的抗衰减能力,可以大大提高光在晶体中的传输距离。
此外,铌酸锂还具有独特的特性。
首先,它具有极强的非线性光学效应,可以很好地控制和改变光的极化态,并使得通信技术得到进一步发展。
其次,它还具有熔融处理的特点,可以将不同的晶体结构熔合在一起,改善晶体的性能和抑制光的损失。
此外,铌酸锂还具有抗激光损伤能力,在高能脉冲激光下,其表现出的抗激光损伤性能十分优异。
最后,三维贴装式微光学结构(3DMPs)是一项重要的微光学研究,铌酸锂作为3DMPs的主要材料得到了广泛的应用。
目前,一些研究表明,通过精确定位和控制3DMPs的参数,可以大大提高它们的折射率。
同时,一些研究者也在利用熔融处理技术,进一步提高3DMPs的折射率,以及降低它们的衰减率。
此外,不同的电场以及晶体温度等参数也可以改变铌酸锂表面的折射率。
综上所述,铌酸锂折射率具有优异的优点和特性,可以大大提高光电应用的性能。
在未来,研究人员将继续探索铌酸锂折射率的机理,以及采取何种措施来有效控制它的折射率,从而为光电子学的发展提供更多的可能性。
y波导与铌酸锂集成光学芯片
y波导与铌酸锂集成光学芯片
铌酸锂(LiNbO3)是一种重要的无机晶体材料,具有优异的光学性能和电光效应。
它在光通信、光学传感、光学调制等领域有着广泛的应用。
而与之集成的y波导,则是一种在铌酸锂晶体中形成的光导波结构,能够实现光的传输和控制。
集成了y波导和铌酸锂晶体的光学芯片,不仅可以实现高效的光学信号传输,还可以实现光学器件的集成和微型化。
y波导与铌酸锂集成的光学芯片具有多个优势。
首先,铌酸锂晶体具有较大的电光系数和优异的非线性光学性能,可以实现高效的光电转换和光学调制。
其次,y波导结构可以有效地限制光的传输路径,减小光的损耗,提高光的传输效率。
此外,y波导结构还可以实现光的分束、耦合和分合,实现光的灵活控制和调制。
最重要的是,y波导与铌酸锂晶体的集成可以实现光学芯片的微型化和集成化,使得光学器件更加紧凑和高效。
利用y波导与铌酸锂集成的光学芯片可以实现多种功能。
例如,在光通信领域,可以利用y波导实现光的分路和耦合,实现光信号的传输和调制。
在光学传感领域,可以利用y波导实现光的分束和耦合,实现对光信号的探测和分析。
在光学调制领域,可以利用y波导结构实现光的调制和调控,实现光信号的调制和调制速度的提高。
此外,还可以利用y波导与其他光学器件集成,实现更复杂的光学功能和应用。
y波导与铌酸锂集成的光学芯片具有广泛的应用前景和发展潜力。
它不仅可以实现高效的光学信号传输和控制,还可以实现光学器件的微型化和集成化。
随着光通信、光学传感和光学调制等领域的不断发展,y波导与铌酸锂集成的光学芯片将会发挥越来越重要的作用,为我们的生活和工作带来更多便利和可能性。
射频磁控溅射制备c轴取向LiNbO3薄膜研究
射 频 磁 控 溅 射 制 备 C轴 取 向 LN O3薄膜 研 究 ib
安玉 凯,左长云 ,刘技文
( 天津 理工大学 天津市光 电显示材料 与器 件重点实验室 , 天津 3 09 ) 0 1 1
摘
要 : 用射 频磁 控溅射技术 , 采 用富 L 的 LN O i ib 靶材在 s(0 ) s( 1 ) i 10 和 i 11 基底上制备 了 LN O ib 薄膜. 通过 x射
i dwt X— ydfatn XR , cn ig lc o irsoy S M) T eit fc e enLN O l n i u sa z i r irc o ( D) sann et nm cocp ( E . h e ae t e ib 3i adS sbt t e h a f i e r nr b w fm re
Abtat LN O i fm eego n o isbt tsb ai-e uny R s c : ib 3t n i sw r rw nS u s a yrdo ̄ q ec ( F)m ger p t r gt h iu i r h l re ant n su e n c n ewt a o ti e q h
a d S u sr t at ra n a e t1 0 0 o o o ri h i. n is b tae f n e d a 0 C f r1 h u n t e ar e l Ke r s i O3t i l ;c—a i o in ain;r s u tr g y wo d :L Nb hn f m i xs r t t e o fpt i — en
w si et ae y X r h te c o p c o cp ( P ) h eut so a tefm a ehg l ca i oi tdt — a v s gtdb — yp ool t n se t s o y X S .T ersl h w t t h l sh v ih —x r ne x n i a er r s h i y s e e
铌酸锂薄膜热光效应和电光效应的区别
铌酸锂薄膜热光效应和电光效应的区别铌酸锂(LiNbO3)作为一种重要的无机非线性光学晶体材料,具有独特的光学性能,被广泛应用于光通信、光电子、光存储等领域。
在铌酸锂薄膜中,存在着两种重要的效应,即热光效应和电光效应。
本文将重点介绍和比较这两种效应的原理和特点。
热光效应是指在铌酸锂薄膜中,当光束通过时,由于光的能量被吸收,导致薄膜产生热量,进而引起薄膜的温度变化。
这种温度变化会导致薄膜的折射率发生变化,从而改变光束的传播方向和相位。
热光效应的原理可以通过热扰动方程和折射率的温度相关性来描述。
具体来说,当光束通过铌酸锂薄膜时,薄膜会吸收光的能量,并且由于光的能量转化为热能,导致薄膜的温度升高。
由于铌酸锂的热膨胀系数较大,当温度升高时,薄膜会发生膨胀,从而使得薄膜的折射率发生变化。
这种折射率的变化会导致光束的传播方向发生偏转,并且在传播过程中产生相位差。
因此,通过控制光束的强度和薄膜的温度,可以实现对光束的调控和控制。
电光效应是指在铌酸锂薄膜中,当施加电场时,会导致薄膜的折射率发生变化,从而实现光的调控。
电光效应的原理可以通过铌酸锂的晶格结构和电场的作用机制来解释。
具体来说,当施加电场时,电场会改变铌酸锂晶格中的离子的位置和分布,从而改变晶格的对称性。
由于铌酸锂的晶格结构具有非中心对称性,当对称性发生改变时,会导致晶格的折射率发生变化。
这种折射率的变化会影响光束在薄膜中的传播速度和相位,从而实现对光束的调控和控制。
热光效应和电光效应在原理和特点上存在一些明显的区别。
首先,热光效应是通过光的能量被吸收并转化为热能来实现的,而电光效应是通过施加电场来改变晶格结构和折射率的。
其次,热光效应的响应速度较慢,一般在微秒到毫秒的时间尺度上,而电光效应的响应速度非常快,可以达到纳秒甚至更快的时间尺度。
此外,热光效应的调控范围较小,一般在几微米到几毫米的范围内,而电光效应的调控范围较大,可以达到数十微米到数厘米的范围。
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C轴取向的LiNbO3薄膜的光学特性Swati Shandilya a, Anjali Sharma a, Monika Tomar b, Vinay Gupta a,*a 物理和天铁物理系,德里大学,德里-110007,印度b米兰达女子学院,德里大学,德里 110007,印度摘要C-轴取向铌酸锂(LiNbO3晶体)薄膜被沉积到外延匹配(001)蓝宝石基板采用脉冲激光沉积技术。
的薄膜的结构和光学特性已分别使用的X-射线衍(XRD)和紫外 - 可见光谱研究。
拉曼光谱已被用来研究的c轴取向LiNbO3薄膜的光学声子模和缺陷电影。
XRD分析表明在所生长的LiNbO3薄膜,这是由于压力的存在铌酸锂晶体和蓝宝石之间的晶格失配小。
折射率(n =2.13在640 nm处)(006)铌酸锂晶体薄膜的要稍低一些相应的体积值(N =2.28)。
各个负责在从相应的(006)LiNbO3薄膜的折射率的偏差的因素散装讨论和值的偏差的主要原因是,由于存在晶格收缩沉积膜中的应力。
关键词光学特性脉冲激光沉积薄膜铌酸锂1.引言铌酸锂(LiNbO3)铌酸锂(LiNbO3晶体)是一个巨大的技术材料光学器件的利息。
大量的文献可在铌酸锂单晶等领域的基础研究和应用研究,其优异的光学性能的晶体沿观察c轴[1-3]。
铌酸锂单晶的已知表现出通用的非线性光学性质,因此它继续是一个极好的材料,各种光子的应用,如频率转换器,光开关,光调制器,多路复用器等人[4-7]。
在他们的薄膜是有利的批量对应不同的设备应用程序。
了解是众所周知的发挥了重要的作用的薄膜的折射率实现的光学设备,并且即使一个小的变化在其值会影响其应用。
铌酸锂晶体薄膜的折射率通过各种工人使用紫外可见光谱进行了测量和光导波技术。
对于声光和电光器件的制造,这是非常重要的研究的光学与c轴取向的LiNbO3薄膜的性能的。
几个报告的c轴取向LiNbO3薄膜的生长电影使用各种沉积技术[8,9],正在努力连续主要集中向增长的各种基板上包括,外延匹配蓝宝石,硅,熔融石英等蓝宝石衬底上已用于LiNbO3薄膜的沉积影片由不同的工人光学器件的应用,因为其低折射率和相似的晶体结构,尽管小晶格失配和较低的热膨胀系数差在比较的LiNbO3 [2]。
Shibata等。
成长外延铌酸锂晶体薄膜的(001)和(110)蓝宝石晶体脉冲激光沉积法[10]。
他们报告说,化学计量从李丰富的铌酸锂薄膜只能存放中得到的目标(与Li / Nb的= 2),和李缺陷相asdeposited陶瓷靶,铌酸锂薄膜的制备Li/Nbb2。
高频(460-810 MHz)的表面声波(SAW)器件,已经实现了利用LiNbO3/sapphire层状结构[10]。
笕等。
[11]已经报道了外延生长的铌酸锂晶体薄膜的α-Al2O3衬底上用脉冲激光沉积技术。
氧自由基的量的控制由改变激光能量密度的源,其影响Li浓度的沉积铌酸锂晶体薄膜。
光学财产的脉冲激光沉积(0012)织构铌酸锂晶体薄膜(001),研究了SiO2基板使用光导波技术和一个较小的值的折射率(ηTE= 2.144和ηTM= 2.036)散装铌酸锂相比已被报道[12]。
schwyn等。
[1]沉积铌酸锂晶体薄膜的外延匹配的蓝宝石衬底上射频溅射技术和效果的射频功率(50到100 W)上的折射率(= 2.302至2.260和ne = 2.100到2.200)进行了研究。
折射率脉冲激光沉积铌酸锂晶体薄膜也被认为是大大受加工参数,并从2.43下降到2.21增加氧气压力从1×10-5〜5×10-2毫巴和从2.07增加至2.28,增加激光能量密度为0.5〜2.5 J/cm2的[13]。
据悉,拉曼光谱法是一种灵敏的工具识别的膜质量和膜中存在的缺陷,并因此光学声子模式的研究是非常重要的[14,15]。
在我们较早的工作拉曼光谱已用于研究缺陷存在于c轴取向LiNbO3薄膜沉积在在硅衬底[16]。
然而,很少关注向(006)的铌酸锂的拉曼光谱分析中给出薄膜沉积在蓝宝石衬底外延匹配。
在目前的工作中c轴取向LiNbO3晶体薄膜的生长外延匹配(001)的蓝宝石基板上。
结构和LiNbO3薄膜的光学性质的研究已被使用X-射线衍射,紫外 - 可见分光光度计和拉曼光谱。
分散在c轴取向LiNbO3薄膜的折射率膜已经研究了随波长的光的单个振荡器模型2.详细实验步骤LiNbO3薄膜(001)蓝宝石衬底上沉积脉冲激光沉积(PLD)技术。
薄膜生长在(001)13.3Pa的蓝宝石单晶在700℃的衬底温度下氧压采用Nd:YAG激光(III 10 Surelite;品牌:连续流,USA)的波长266纳米(第4次谐波)。
高致密的陶瓷光盘(1英寸直径。
)的铌酸锂晶体含有过量5%对Li2O已准备使用常规的固态反应途径,并用作靶铌酸锂薄膜沉积。
目标的细节准备报道[16]。
聚焦的激光束短脉冲具有的脉冲宽度为10 ns的形式和重复速率为10 Hz的时间是在45°的角度入射在靶表面上。
使用3 J cm-2时的能量密度的激光脉冲。
薄膜沉积在100%氧气氛中,在压力为13.3宾夕法尼亚州将基板保持在距离25 mmfrom靶表面。
所沉积的晶体结构和晶格参数膜进行了研究,使用X-射线衍射(XRD)技术,使用布拉格布伦塔诺(θ-2θ)扫描的X-射线衍射仪(Bruker 公司D8发现),Cu靶辐射(λ= 1.54056Å)。
膜厚度为采用DEKTAK150表面轮廓仪(品牌:Veeco公司)。
紫外 - 可见光谱(品牌:Perkin Elmer公司,型号:LAMDA35)已被用来研究LiNbO3薄膜的光学性能的膜。
LiNbO3薄膜的结晶质量和相的纯度沉积在蓝宝石衬底上一直使用拉曼光谱研究在后向散射几何一致的INNOVA氩离子激光偏振光源(λ=514.5nm的)和分析使用一个Jobin Yvon公司T64000光谱仪配备了电荷耦合设备。
3.结果与讨论3.1。
c轴取向LiNbO3薄膜的X射线衍射(XRD)和拉曼光谱研究C轴取向LiNbO3薄膜沉积厚度约0.6微米的外延匹配(001)使用的蓝宝石基板上脉冲激光沉积技术。
生长LiNbO3薄膜被认为是透明的,均匀且牢固地粘附到基板上。
图1 沉积在(001)蓝宝石晶体上的(006)LiNbO3薄膜的XRD图图1示出了沉积LiNbO3薄膜的XRD图谱蓝宝石水晶玻璃。
两个尖锐和激烈的衍射峰对应的(006)和(0012)面的铌酸锂,在2θ=39.18°和83.86°,分别观察到(图1),表示生长的影响纹理LiNbO3薄膜具有晶粒沿优选取向生长方向与c轴蓝宝石表面法线。
X射线衍射峰(001)面的蓝宝石水晶也观察到在图。
1,在2θ=41.88°。
的偏差中的地(006)衍射峰的铌酸锂薄膜,观察到相应的单晶值(38.94°),并主要与在淀积的薄膜中的应变的存在。
生长的LiNbO3薄膜的角峰的位置(39.18°)稍微高于相应的散值,这表明淀积薄膜在一个均匀的状态的应力与压缩组件平行于c轴。
存在的尖锐和激烈的XRD相对应的(006)峰和(0012)面,显示了重要的为成核作用的底层的晶格匹配蓝宝石衬底铌酸锂的晶体沿优选生长(c-轴)的方向发展。
晶格参数'C'的沉积LiNbO3薄膜膜计算所观察到的(006)衍射峰,发现在1.37纳米。
将得到的值的晶格常数是略少比相应的值(1.38 nm)的铌酸锂晶体单结晶和相媲美的值(1.375 nm)的观察其他工人的铌酸锂晶体薄膜的[2]。
所观察到的较小值如生长的LiNbO3薄膜比较的晶格常数到相应的单个晶体的值表示的单元电池沿c-轴,被压缩的压缩力作用在所淀积的薄膜的平面的。
在压力的估计值LiNbO3薄膜生长在蓝宝石水晶大约是4.1×1010dyne/cm2。
类似的结果(006)取向铌酸锂晶体的生长压力的薄膜的表面上外延匹配蓝宝石基板已报告了其他工人[2,17-19],并可能归因于小的晶格失配之间的蓝宝石单晶体和LiNbO3薄膜。
图2 沉积在(001)蓝宝石基体上的C轴取向的LiNbO3薄膜的室温拉曼光谱S对应基板相关的声子模式图2示出了室温下的拉曼光谱的c轴取向的铌酸锂薄膜沉积在(001)蓝宝石水晶玻璃。
“谱录得的后向散射几何Z(X + Y,X + Y),其中,Z是入射的方向的Z配置光沿着c轴垂直于膜表面,且X和Y的方向上沿a和b晶轴的平面中的偏振铌酸锂晶体薄膜。
根据选择规则4 A(LO)+9根据本E(TO)允许在铌酸锂基频配置。
所有观察到的声子模的拉曼光谱(图2)Z切铌酸锂单晶的模式是一致的其他工人根据选择规则[20,21]。
贝尔纳韦等。
[21]表明,声子模式[E“(1TO),E(8直接)和A1(4LO)]是非常敏感的化学计量和存在的在任何类型的内在缺陷沉积LiNbO3薄膜。
在目前的情况下,所有的声子模式(13基波频率)可以清楚地看到,在生长的LiNbO3薄膜的拉曼光谱膜(图2)。
这些模式被认为是尖锐,存在于位置报道了近化学计量比铌酸锂单晶,表明增长的质感和(006)取向LiNbO3薄膜膜的蓝宝石衬底上。
c轴取LiNbO3薄膜的光学性质的一直使用紫外 - 可见分光光度计研究。
图3 沉积在(001)蓝宝石晶体上的(006)LiNbO3薄膜的光学透射谱图3示出的光沉积在生长的LiNbO3薄膜的透射光谱透明的(001)的蓝宝石晶体作为波长的函数。
“透射光谱显示出高传输(N80%),在可见光区域和示出了尖锐的基本吸收边在约285 nm处。
在场的定义的干涉条纹图案,在的透射光谱(图3)表示的生长良好的光学质量LiNbO3薄膜。
情节广场(αhν)与光子能量,(hν的)示于图。
4,其中,α是吸收系数。
的吸收系数(α)计算出的透射率的值在附近的基本吸收边和膜厚度。
铌酸锂的厚度的薄膜的带隙的值0.6微米的线性部分从外推估计Tauc图(图4),以(αhν)2 = 0被发现为约4.43电子伏特。
“c轴取向LiNbO3晶体薄膜的带隙得到的值本研究是高于相应的值(在范围为3.8eV到4.0电子伏特)的铌酸锂单晶[22]报道。
带隙的值更高的压力的存在,可能与在生长的LiNbO3薄膜所观察到的X射线衍射图案(图1)。
相似的结果,较高的光学带隙的值(例如:= 4.22 eV和4.55 eV的)和较低的晶格参数值'C'(006)铌酸锂晶体薄膜的外延匹配的蓝宝石晶报告了其他人[2,16]。
的折射率中,n(λ)时的c轴取向的LiNbO3薄膜从观测到的波长的函数的计算的透射光谱中的干涉条纹图案(图3)使用的关系[23]这里的最大值(Tmax)的和N的值,可以计算出从最小值(Tmin的)值的传输,在相同的波长从信封上的干涉条纹。