量子阱半导体激光器
半导体激光器发光原理及工作原理
半导体激光器发光原理及工作原理引言概述：半导体激光器是一种利用半导体材料产生激光的器件。
它具有体积小、功耗低、效率高等优点，广泛应用于通信、医疗、工业等领域。
本文将详细介绍半导体激光器的发光原理及工作原理。
一、发光原理1.1 材料特性半导体激光器主要采用具有直接能隙的半导体材料，如GaAs、InP等。
这些材料具有较高的折射率和较小的能隙，能够实现电子和空穴的复合发光。
1.2 电子复合在半导体材料中，当电子从导带跃迁到价带时，会释放出能量，产生光子。
这种电子和空穴的复合过程是半导体激光器发光的基本原理。
1.3 量子阱结构为了提高发光效率，半导体激光器通常采用量子阱结构。
量子阱是由不同能带的材料层交替堆叠而成，能够限制电子和空穴在空间上的运动，从而增加复合发光的几率。
二、工作原理2.1 注入电流半导体激光器通过注入电流来激发电子和空穴的复合发光。
当外加正向偏压时，电子从N型区域注入到P型区域，与空穴复合产生光子。
2.2 泵浦机制半导体激光器的泵浦机制主要有电泵浦和光泵浦两种方式。
电泵浦是通过注入电流来激发发光，而光泵浦则是利用外界光源来激发发光。
2.3 光放大在半导体激光器中，光子在材料中的传播会受到吸收和散射的影响。
为了保持激光的强度，需要在激光器内部设置光放大区域，使光子得到增强。
三、半导体激光器的类型3.1 可见光激光器可见光激光器主要用于显示、照明等领域。
常见的可见光激光器有红光激光器、绿光激光器和蓝光激光器等。
3.2 红外激光器红外激光器主要用于通信、医疗和工业等领域。
常见的红外激光器有半导体激光二极管和半导体激光放大器等。
3.3 高功率激光器高功率激光器主要用于激光切割、激光焊接等工业应用。
它具有较高的输出功率和较高的光束质量。
四、半导体激光器的应用4.1 光通信半导体激光器在光通信中起着重要的作用，可以实现高速、远距离的数据传输。
4.2 医疗应用半导体激光器在医疗领域中用于激光手术、激光治疗等，具有精确控制和无创的特点。
半导体材料中的量子阱技术研究
半导体材料中的量子阱技术研究量子阱技术是一项重要的半导体研究领域，它在电子学和光电学方面的应用十分广泛。
量子阱技术的主要思想是利用半导体材料的电子能级结构，在一个二维的空间中形成一个量子阱，从而利用量子效应来改善半导体元件的电学和光学性能。
本文将介绍半导体材料中的量子阱技术研究的基本原理，以及在不同领域中的应用。
一、量子阱技术的基本原理量子阱技术最关键的部分是量子阱的形成。
它通常利用两种不同能带的半导体材料，比如硒化镉和锌硒化镉，或者砷化镓和铝砷化镓等。
这些材料之间存在着很大的晶格不匹配，使得它们在堆叠时形成一个二维空间。
在这个空间中，电子的运动将受到强烈的限制，因此它们的能级结构将与体材料不同。
具体来说，如果将体材料所对应的三维空间称作量子阱的壳层，那么在这个壳层中的电子将被限制在两个维度上，每个维度的运动将采取离散的能量取值。
这些能量被称作量子态。
量子阱内能够产生的电子和空穴的量子态是离散的，带有能量的阶梯状能态分布，近似于连续的谱带。
这些态之间的距离十分接近，因此使它们之间的电子跃迁变得容易。
由于电子简并态数目有限，因此电子在这样的结构中具有良好的约束性和选通性，因此能够得到改进的电学和光学性能。
二、应用领域1、光电子设备量子阱技术在光电子设备中应用最广，被广泛应用于半导体激光器、探测器、太赫兹器件、等离子体激光和LED等领域。
在半导体激光器中，量子阱允许电子和空穴发生更多的跃迁，并且跃迁的能量比体材料更稳定。
这样可以在激光发射时获得更窄的频率谱。
在探测器中，量子阱通过增加信噪比和响应速度来提高灵敏度。
在等离子体激光器中，量子阱材料具有更高的吸收能力和低于平均窄的峰值发射能量。
在美国飞机和导弹的被动红外检测器和定位系统中，量子阱探测器被广泛应用。
2、电子学器件量子阱技术在电子学器件中也有许多应用。
在场效应晶体管中，量子阱具有高的晶格一致性和低的摩擦电阻，因此可以用作管道而不断地去做成细的亚微米尺寸的器件。
量子阱激光器的工作原理
量子阱激光器的工作原理量子阱激光器的工作原理量子阱激光器(Quantum well lasers, QWLs)是一种高效率的激光光源，能够产生高功率、高稳定性、高峰值功率的激光脉冲，是光纤通信、光学测量、非线性光学等领域中广泛应用的重要激光器。
在它的发射原理上，有两种形式，一种是通过量子阱层的重卡尔曼激发来实现发射，另一种是基于量子阱阱层的重卡尔曼放大效应。
它们的工作原理各有不同，本文主要对量子阱激光器的工作原理及其应用进行详细的介绍。
1.量子阱激发发射原理量子阱激发发射是基于量子阱层的重卡尔曼激发特性实现的。
当一个量子阱材料的厚度与对称轴的平行，其特性和一个单独的量子系统相似，被看做由一组量子级由低能到高能依次排列的阶梯结构，即量子阱体系。
因此，如果激光输入至量子阱结构，会发生重卡尔曼激发，量子阱结构的准自由电子，从低能的量子级转移到高能的量子级，从而释放出能量并产生激光辐射。
2.量子阱放大发射原理量子阱放大是量子阱激发的一种改进形式。
它是指在量子阱结构中把一个或多个低阱量子级称作“放大”量子级，当重卡尔曼激发后，准自由电子从低能的阱内量子级跃迁至放大量子级时，将激发功率增强很多倍，从而产生的激光辐射功率也更大。
3.量子阱激光器的应用量子阱激光器可以用来实现高功率、高稳定性和高峰值功率的激光脉冲，在光纤通信、非线性光学、光学测量及分析领域都有广泛应用。
量子阱激光器可用于高速光纤通信、激光打印及数字影像系统中，也可用于光纤激光器及光频率多工系统中。
此外，量子阱激光器可用于激光投影显示、投影打印及激光雷达系统等多种高效率激光系统和应用中。
总之，量子阱激光器具有高功率、高稳定性、高峰值功率、小尺寸、低成本等优势，常用于多种高效率光源的应用，预计将会在新技术领域中发挥更大的作用。
量子阱激光器的特点
量子阱激光器的特点概述量子阱激光器是一种基于量子力学原理的半导体激光器，具有许多优良的特性和应用前景。
本文将介绍量子阱激光器的结构、工作原理和特点，以及其在通信、雷达和生命科学等领域的应用。
结构量子阱激光器的结构由多个“量子阱”层构成，每一层都是由几个纳米级别的半导体材料交替排列而成。
这些材料的能隙被设计在激光器的工作波长处，使得只有在这个波长下才能发生吸收和辐射等光学过程，从而实现激光输出。
工作原理当一个电子进入量子阱层时，它被限制在非常小的空间中，这使得其自由度受到限制，并且其能量分裂为高能级和低能级。
当外加电压或光子刺激时，电子会跃迁到高能级态，随后在低能级态与辐射场相互作用而发射光子，从而实现激光辐射。
特点高效率量子阱激光器的外部效率非常高，能够将电子的能量转化为光的能量。
在实际的应用中，量子阱激光器的效率比传统的激光器高出几倍甚至几十倍。
窄线宽量子阱激光器能够产生非常窄的激光线宽，这意味着它可以通过光纤传输更多的信息。
同时，在激光通信和激光雷达等领域，其高精度定位和测量作用也得到广泛应用。
快速调制量子阱激光器响应时间比传统的激光器要短很多，能够在纳秒级别内实现快速开关和调制。
这使得其在高速通信和数据处理领域具有广泛的应用前景。
温度稳定性量子阱激光器比传统的激光器更加稳定，在宽范围的温度和电压条件下工作。
这使得其在大气物理、天文学和生命科学等领域中得到广泛应用。
应用通信量子阱激光器已经成为光通信系统中的重要组成部分，其窄线宽和高效率也使得其在光纤通信和无线光通信等领域具有重要应用前景。
雷达量子阱激光器在激光雷达测距、测速和遥感等应用中也具有广泛的应用前景。
尤其是在领域气象、地球科学和环境监测等领域，其高精度测量和定位作用十分重要。
生命科学量子阱激光器在生命科学领域中也有广泛的应用，例如生物诊断、分子光谱学、荧光成像等等。
由于其快速开关和高精度测量的特性，已经成为研究细胞和分子行为中不可或缺的工具。
量子阱的原理及应用
量子阱的原理及应用1. 什么是量子阱？量子阱是一种半导体结构，它能够在三维空间中限制电子和空穴的运动。
具体来说，它通过在两个高能障垒中夹杂一个较低能障垒，形成一个能级阱，用于限制电子和空穴的运动。
量子阱通常是由不同禁带宽度的半导体材料组成的。
这种结构使得电子在一个维度上受限，从而限制了它们的能量和动量。
2. 量子阱的原理量子阱的原理可以通过量子力学的基本原理来解释。
根据量子力学的波粒二象性，电子和空穴在量子阱中被限制在一个较小的空间范围内，并且它们的能级是量子化的，也就是离散的。
这个空间范围由高能障垒和低能障垒的宽度决定。
当电子或空穴尺寸接近量子阱的尺寸时，它们只能处于量子态，而无法处于经典的连续态。
3. 量子阱的应用量子阱的限制特性使得它在许多领域有着广泛的应用。
3.1 光电子学量子阱在光电子学中有着重要的应用。
由于电子在量子阱中的能级是量子化的，因此可以通过控制量子阱的结构来调整电子能级的间距。
这样就可以实现电子在不同能级间的跃迁，从而实现光的发射和吸收。
这种特性使得量子阱被应用于激光器、光电探测器等光学器件中。
3.2 量子计算量子阱也在量子计算领域发挥重要作用。
量子计算是一种基于量子力学原理的计算方法，可以在某些任务上比传统计算机更高效。
量子阱的量子特性使得它成为构建量子比特的理想平台之一。
通过在量子阱中控制电子的能级和自旋，可以实现量子比特的初始化、操作和读取，从而构建量子计算机的基本元件。
3.3 光子晶体量子阱还被应用于光子晶体的制备中。
光子晶体是一种具有周期性结构的材料，可以对光的传播进行控制。
量子阱的精确控制能使光子晶体具有特定的光学特性，例如禁带、光子带隙等。
这种特性使得光子晶体在光学通信、光学传感等领域具有广泛的应用前景。
4. 总结量子阱是一种通过限制电子和空穴运动的半导体结构。
它的原理基于量子力学的波粒二象性，通过在空间中形成垒障来限制能量和动量。
量子阱在光电子学、量子计算和光子晶体等领域都有着重要的应用。
实验一半导体激光器pi特性曲线测量
实验四半导体激光器光谱测量与模式分析一、实验目的：1.了解半导体激光器的工作原理和相关特性；2.掌握半导体激光器模式参数的测量方法；二、实验原理：半导体激光器的模式分为空间模和纵模(轴模)。
空间模描述围绕输出光束轴线某处的光强分布，或者是空间几何位置上的光强(或光功率)的分布，也称远场分布；纵模则表示一种频谱，它反映所发射的光束其功率在不同频率(或波长)分量上的分布。
二者都可能是单模或者出现多个模式(多模)。
边发射半导体激光器具有非圆对称的波导结构，而且在垂直于异质结平面方向(称横向)和平行于结平面方向(称侧向)有不同的波导结构和光场限制情况。
横向上都是异质结构成的折射率波导，而在侧向目前多是折射率波导，但也可采取增益波导，因此半导体激光器的空间模式又有横模与侧模之分。
图1表示这两种空间模式。
图1 半导体激光器横模与侧模由于有源层厚度很薄(约为0.15μm)，都能保证在单横模工作；而在侧向，则其宽度相对较宽，因而视其宽度可能出现多侧模。
如果在这两个方向都能以单模(或称基模)工作，则为理想的TEM00模，此时出现光强峰值在光束中心且呈“单瓣”。
这种光束的光束发散角最小、亮度最高，能与光纤有效地耦合，也能通过简单的光学系统聚焦到较小的斑点，这对激光器的应用是非常有利的。
相反，若有源区宽度较宽，则发光面上的光场(称近场)在侧向表现出多光丝，好似一些并行的发光丝，在远场的侧向则有对应的光强分布，如图2所示。
这种多侧模的出现以及它的不稳定性，易使激光器的P-I特性曲线发生“扭折”(kink)，使P-I线性变坏，这对信号的模拟调制不利；同时多侧模也影响与光纤高效率的耦合，侧模的不稳定性也影响出纤功率的稳定性；不能将这种多侧模的激光束聚焦成小的光斑。
图2 有多侧模的半导体激光器的近场和远场由于半导体激光器发光区几何尺寸的不对称，其远场呈椭圆状，其长、短轴分别对应于横向与侧向。
在许多应用中需用光学系统对这种非圆对称的远场光斑进行圆化处理。
半导体量子阱激光器
半导体量子阱激光器什么是量子阱量子阱（quantum well）是一种半导体结构，是指将两个能带较窄的半导体材料之间夹入一个能带较宽的材料而形成的材料结构。
量子阱激光器的工作原理量子阱激光器是利用半导体异质结构储能的原理，将电能转化为光能的半导体光电器件。
量子阱激光器的主要部分是由一系列宽度为数个纳米量级的“量子阱”和宽度大约为1微米的背域构成。
当外加电压作用整个器件时，电子和空穴在“量子阱”内发生复合，从而发射出相干性很好的激光光子，光强度迅速地增强。
量子阱激光器的特点量子阱激光器采用的是半导体亚微米制造工艺，由于这种工艺存在一些优点，因此它也具有独特的性能。
输出效率高量子阱激光器具有输出效率高，输出功率大，并且发光波长锁定精度高等优点。
目前，半导体量子阱激光器已逐渐取代气体激光器、半导体激光器和半导体激光二极管，成为现在的主流激光器。
寿命长量子阱激光器寿命较长，保持持续较高的电光转换效率，使用寿命优于其他半导体激光器器件。
量子阱激光器的加工制造和更可靠的工程设计为半导体激光器的发展奠定了坚实的基础。
小型化量子阱激光器具有小型化的优点，因为它们由亚微米制造工艺制造而成，可以被集成到其他芯片中，这一点也可以使得芯片的体积变得更小。
波长可调节量子阱激光器波长可调节，可以进行多波长发射。
这种波长可变暴露了它在目标检测和应急救援系统中的应用。
量子阱激光器的应用量子阱激光器已经成为现代科技领域的重要组成部分。
它的应用范围非常广泛，如光通信系统、制造加工、医学检测等领域。
光通信系统量子阱激光器是进行光通信的关键设备之一，被广泛应用于通信、信息处理和数据存储。
随着物联网的发展，量子阱激光器在物联网应用领域也越来越广泛。
制造加工量子阱激光器的高功率和小型化特点，使得它可以激发大功率的光束，加热加工材料，成为高精度的工业生产设备。
医学检测量子阱激光器在医学检测领域也有着广泛的应用。
例如，用于检测医疗的光谱分析，这也为临床疾病医治提供了帮助。
量子阱半导体激光器
量子阱半导体激光器简介量子阱半导体激光器是一种基于半导体材料的激光器，其核心结构是量子阱。
量子阱是一种在半导体材料中形成的人工结构，通过限制电子和空穴在垂直方向上的运动，可以实现能带的调控和载流子的局域化。
这样的结构使得量子阱半导体激光器具有优异的光学性能和应用前景。
工作原理量子阱半导体激光器利用电子和空穴复合放射出光子的原理来产生激光。
其工作原理可以简单描述为以下几个步骤：1.注入载流子：通过外加电压或注入电流，将电子和空穴注入到量子阱结构中。
这些载流子会在量子阱中进行运动并最终发生复合过程。
2.载流子局域化：由于量子阱结构的限制，载流子会在垂直方向上被局域化。
这种局域化效应使得载流子在水平方向上进行多次碰撞，并增加了载流子之间相互复合的机会。
3.载流子复合：在量子阱中，电子和空穴会通过自发辐射的方式发生复合。
这个过程中释放出的能量将以光子的形式辐射出来。
4.光放大：释放出的光子会在量子阱结构中来回反射，并被不断放大。
由于在激光器结构中引入了光反馈环境，使得其中一部分光子经过受激辐射过程而进一步增强，形成相干和定向性很好的激光输出。
结构设计量子阱半导体激光器的结构设计是实现其优异性能的关键。
一般情况下，其主要包括以下几个部分：1.量子阱层：量子阱层是激光器结构中最重要的组成部分。
通过选择不同材料、控制厚度和形状，可以实现对能带结构和载流子局域化效应的调控。
常用的材料包括GaN、InGaAs等。
2.波导层：波导层用于引导和限制激光波长在有效范围内传播。
通常采用高折射率材料与低折射率材料的结构，形成光波在其中传播的通道。
3.反射镜：反射镜用于增强激光的放大效果。
一般情况下，激光器结构中会包含两个反射镜，其中一个是高反射镜，用于将光子反射回波导层；另一个是输出镜，用于从激光器中输出部分光子。
4.电极：电极用于注入电流并控制载流子的注入和分布。
通过调节电极的设计和布局，可以实现对激光器性能的进一步优化。
半导体激光器的发展及在光纤通信中的应用
半导体激光器的发展及在光纤通信中的应用半导体激光器是一种使用半导体材料作为激光产生介质的激光器。
随着科技的不断发展，半导体激光器在各个领域得到了广泛应用，尤其在光纤通信中具有重要作用。
本文将从半导体激光器的发展历程和其在光纤通信中的应用两个方面进行论述。
首先，我们来看半导体激光器的发展历程。
半导体激光器最早是在1962年由美国贝尔实验室的电子学家罗伯特·诺尔表示的。
他利用PN结构的半导体晶体制作出了最早的半导体激光器，此后半导体激光器的研究逐渐成熟。
1970年代，G·奈普舍等人发明了自发辐射增益(MQW)结构，进一步提高了半导体激光器的效率。
1980年代初，人们通过引入量子阱结构，使半导体激光器的发射波长范围得到了拓宽。
1994年，研究者成功实现了垂直腔表面发射激光器（VCSEL），该激光器具有小尺寸、低功耗、易集成等优点，成为半导体激光器研究的重要方向。
其次，半导体激光器在光纤通信领域中有着广泛的应用。
在光纤通信中，半导体激光器主要用于光源和放大器。
作为光源，半导体激光器能够产生高功率、窄谱宽、稳定的激光信号，能够满足光纤通信系统对光源的要求。
除了常用的连续激光器外，脉冲激光器也逐渐得到应用。
脉冲激光器能够产生高峰值功率和短脉冲宽度的激光，用于高速光纤通信系统中的光时钟信号生成和数据调制。
再者，半导体激光器在光纤通信中还广泛应用于放大器。
光纤放大器利用半导体激光器作为光源，将入射的光信号进行放大，提高光纤通信系统的传输距离和传输容量。
其中，掺铒光纤放大器和掺铒光纤激光器以及掺镱光纤激光器是典型的半导体激光器应用于光纤通信放大器的例子。
综上所述，半导体激光器在光纤通信领域中发挥着重要的作用。
随着其发展不断进步，半导体激光器在功率、波长范围、脉冲性能以及功率放大器等方面的性能都得到了极大的提升。
相信在未来的光纤通信中，半导体激光器将继续发挥着重要的作用，推动光纤通信技术的不断进步。
关于量子阱器件的发展及其应用
关于量子阱器件的发展及其应用
量子阱是一种人造的半导体结构，由多个不同材料的层叠组成。
量子阱可以在三维空间中限制电子和空穴的运动，使它们只能在两
维平面范围内运动。
相对于传统的三维空间中的半导体材料，量子
阱器件具有更高的载流子密度和更低的电阻。
量子阱技术是近代半导体电子学中最重要的发展之一。
在20世
纪80年代初，人们开始使用量子阱技术来制造半导体激光器。
量子
阱激光器是目前应用最广泛的量子阱器件之一，被广泛应用于通信、医疗等领域。
此外，由于量子阱具有优异的电子传输性能，因此还
被应用于电子器件和光电器件等领域。
量子阱技术在半导体集成电路领域也有广泛的应用。
与传统的
半导体器件相比，量子阱器件具有更高的速度和更小的功耗。
它们
还可以作为高速电路中的开关，例如高速计算机和计算机存储器等。
在未来，量子阱技术仍将持续发展。
目前，越来越多的研究人
员将其应用于新的领域，如量子计算、量子通讯和量子密码学等。
量子阱技术也可以与其他量子技术结合使用，产生新的应用，如量
子点-量子阱结构等。
量子阱器件是半导体电子学中最重要的发展之一。
它们已经被
广泛应用于通信、医疗、电子器件和光电器件等领域。
随着技术的
不断发展，在未来，量子阱技术将会进一步推动半导体器件的发展
和应用。
1。
量子阱
西南交通大学固体物理课程技术报告量子阱半导体激光器的介绍及应用年级: 2009级学号: 09041124姓名: 李慧专业: 通信与信息系统老师: 潘炜教授摘要：本文从光子技术的发展入手，首先了介绍了半导体激光器的研究现状及前景，并阐述什么是半导体激光器和量子阱。
讲述了半导体激光器的工作原理及优缺点，以及量子阱在半导体中应用——量子阱半导体激光器。
关键词：半导体激光器，量子阱，InGaAs一、引言随着光子技术的发展,光子器件及其集成技术的应用领域及前景越来越广阔。
在要求极高数据处理速率的一些应用领域,光子器件正逐步取代电子器件得到有效的应用。
可以预见,不久的将来光子器件及光子集成线路的重要性不亚于集成电路在当今的地位及作用。
近几年来, 半导体激光器, 特别是量子阱激光器和量子点激光器发展迅猛，为了得到阈值电流低、量子效率高、室温工作、短波长、长寿命和光束质量好等高性能的半导体激光器, 研究人员致力于寻找新工作原理、新材料、新结构以及各种新的技术[1]。
半导体激光器(LD) 特别是量子阱半导体激光器(QWLD) 是光通信和光互连中重要的光源[3]。
为了获得更高的功率，方法之一就是使用宽波导结构，与传统的窄波导结构相比，宽波导结构有很多优势。
宽波导结构可以增加横摸宽度，从而导致在一个大的范围内光强有效分布，减少了端面强度，因此输出功率更大[2]。
半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器，由于物质结构上的差异，产生激光的具体过程比较特殊。
常用材料有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。
激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。
半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。
同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。
超宽带激光器可在6-8微米红外波长范围产生1.3瓦的峰值能量。
未来，我们可以根据诸如光纤应用等具体应用的特定需求量身定制激光器。
高功率GaAlAs_GaAs量子阱SCH半导体激光器
Ξ光 电 子²激 光 第10 卷 第 6 期 1999 年 12 月 JOU RNAL O F O PTO EL ECTRON ICS ²LA SER V o l. 10 N o. 6 D ec. 1999高功率 G aA l A s ƒGaA s 量子阱 SCH 半导体激光器宋晓伟 张宝顺 李 梅 薄报学(长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022)摘要 利用分子束外延生长装置生长出了 GaA l A s ƒGaA s 梯度折射率分别限制 (GR I N 2SCH ) 单量子阱 结构材料。
样品的测量结果表明, 样品质量达到了设计要求。
利用该材料制作的激光二极管, 室温连续工作, 功率为 1 W , 斜率效率达到 1. 04 W ƒA 。
关键词 半导体激光器; 分别限制结构; 量子阱H i gh Power GaA lA s ƒGaA s S CH La sersSong X iaow ei Zhang Bao shun L iM ei Bo Bao xue(State Key L abo rato ry of H igh Pow er Sem iconducto r L asers , Chan gch un In stitu te of Op t ics and F ine M echan ics , Chan gch un 130022)Abstra ct T h e GaA l A s ƒGaA s m ater ial w ith grad ien t ref ract i o n in dex sep arate co n f in em en t sin gle quan 2 tu m w e ll st ructu re h as been grow n by M BE m etho d . T h e exp er i m en tal resu lt s show th at sam p le ’s qual 2 ity h as reach ed requ irem en t o f design . T h e o u t p u t pow er o f laser d i o de s w ith th e m ater ial is up to 1 W an d th e slop e eff icien cy is as h igh as 1. 04 W ƒA . Key words sem iconducto r laser ; SCH ; quan tum w ell掺杂的 GaA l A s 下波导层, 厚度 d 3 = 0. 15 Λm ; 4) 未1 引言掺杂的 GaA l A s 有源层, 厚度 d 4 = 0. 008 Λm ; 5) 未掺半导体激光器的应用覆盖了整个光电子学领域, 已成为当今光电子科学的核心技术。
(课内实践论文)量子阱激光器的工作机理和特性
量子阱激光器的工作特性姓名：李强学号：1108141211 量子阱的工作机理1.1 什么是量子阱量子阱是指由2种不同的半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。
量子阱的最基本特征是，由于量子阱宽度(只有当阱宽尺度足够小时才能形成量子阱)的限制，导致载流子波函数在一维方向上的局域化。
在由2种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构中，如果势垒层足够厚，以致相邻势阱之间载流子渡函数之间耦合很小，则多层结构将形成许多分离的量子阱，称为多量子阱。
如果势垒层很薄，相邻阱之间的耦合很强，原来在各量子阱中分立的能级将扩展成能带(微带)，能带的宽度和位置与势阱的深度、宽度及势垒的厚度有关，这样的多层结构称为超晶格。
具有超晶格特点的结构有时称为耦合的多量子阱。
量子肼中的电子态、声子态和其他元激发过程以及它们之间的相互作用，与三维体状材料中的情况有很大差别。
在具有二维自由度的量子阱中，电子和空穴的态密度与能量的关系为台阶形状。
而不是象三维体材料那样的抛物线形状。
1.2 量子阱基本原理半导体超晶格是指由交替生长两种半导体材料薄层组成的一维周期性结构，图1为超晶格结构的示意图。
以GaAs／AlAs半导体超晶格的结构为例:在半绝缘GaAs衬底上沿[001]方向外延生长500nm左右的GaAs薄层，而交替生长厚度为几埃至几百埃的AlAs薄层。
这两者共同构成了一个多层薄膜结构。
GaAs的晶格常数为0.56351nm，AlAs的晶格常0.56622nm。
由于AlAs的禁带宽度比GaAs的大，AlAs层中的电子和空穴将进入两边的GaAs 层，“落入”GaAs材料的导带底，只要GaAs层不是太薄，电子将被约束在导带底部，且被阱壁不断反射。
换句话说，由于GaAs的禁带宽度小于AlAs的禁带宽度，只要GaAs层厚度小到量子尺度，那么就如同一口阱在“吸引“着载流子，无论处在其中的载流子的运动路径怎样，都必须越过一个势垒，由于GaAs层厚度为量子尺度，我们将这种势阱称为量子阱(见图1、2)。
量子阱差分增益
量子阱差分增益（Quantum Well Differential Gain）是半导体激光器中的一个重要参数，用于描述激光器的性能。
它通常指的是在激光器中应用外部电场（电流）变化时，激光器的增益变化率。
以下是一些关于量子阱差分增益的关键概念：
量子阱结构：量子阱是一种半导体器件结构，通常由几个薄层的半导体材料构成，这些薄层被夹在两个能带较宽的材料层之间。
这种结构限制了电子和空穴在垂直方向上的运动，导致能级量子化，从而增加了光子的产生概率。
差分增益：差分增益是指激光器中外部电场或电流变化对光子产生的影响。
在量子阱激光器中，差分增益是指激光器中的电子与空穴之间的能级差异，以及外部电场如何改变这些能级。
当电场增大时，能级差异也会增大，从而增加光子产生的概率，进而增加激光器的增益。
调制和调制深度：量子阱差分增益的变化可用于激光器的调制，这是光通信和光纤通信中的关键应用之一。
通过改变外部电场的强度或频率，可以调制光信号。
调制深度表示调制信号的幅度变化，通常以百分比或分贝（dB）为单位。
应用：量子阱差分增益是激光器设计和性能优化的关键因素之一。
它影响激光器的调制带宽、调制速度和能量效率等性能参数。
因此，研究和优化量子阱差分增益对于开发高性能的激光器至关重要。
总之，量子阱差分增益是激光器中的重要概念，用于描述外部电场变化对激光器性能的影响，特别是在调制和光通信应用中具有
重要作用。
量子阱激光器的结构
量子阱半导体激光器的结构物理与电子工程学院物理学（师范）专业 2008级摘要：本文介绍了量子阱的基本概念，分别讨论了方势阱量子阱、阶梯型量子阱、渐变量子阱、多量子阱及应变量子阱等几种常用的量子阱的结构及其特点，并在此基础之上，分析讨论了量子阱半导体激光器的结构及特点。
关键词：半导体激光器；量子阱；结构；特点Abstract:This paper introduces the basic concept of quantum well .Discussed party potential trap quantum well, ladder type quantum well, gradual change quantum well, many quantum well and strain quantum well some commonly used such as quantum well structure and characteristics. Based on this, it analysises about the quantum well semiconductor laser structure and the characteristic.Key words: semiconductor lasers; quantum well; structure; characteristics1引言1962年后期，美国研制成功GaA s同质结半导体激光器。
1967年人们使用液相外延的方法制成了单异质结激光器，实现了在室温下脉冲工作。
1970年，贝尔实验室有一举实现了双异质结构的在室温下连续工作的半导体激光器。
80年代，量子阱结构的出现使半导体激光器出现了大的飞跃。
量子阱结构源于60年代末期贝尔实验室的江崎(Esaki)和朱肇祥提出超薄层晶体的量子尺寸效应。
当超薄有源层材料后小于电子的德布罗意波长时，有源区就变成了势阱区，两侧的宽带系材料成为势垒区，电子和空穴沿垂直阱壁方向的运动出现量子化特点。
第七章半导体量子阱激光器
∆Ec
∆Ev
多量子阱能带图
超2）掺杂调制超晶格 （3）应变超晶格 （4）多维超晶格
超晶格能带结构来源于两种材料禁带的变化，存在内界面。
（1）组分调制超晶格
在超晶格结构中，如果超晶格的重复单元是由不同半导 体材料的薄膜堆垛而成，则称为组分超晶格。在组分超晶格 中，由于构成超晶格的材料具有不同的禁带宽度，在异质界 面处将发生能带的不连续。
这意味着GaAs/AlGaAs异质结已将杂质、缺陷等对二维 电子系统的“干扰”降低到最低限度，这才使电子间的多 体相互作用显得更为重要起来。 因此，从某种意义上说，性质优异的异质结结构为整数量 子Hall效应和分数量子Hall效应的发现提供了必要条件。
迄今为止, GaAs/AlGaAs调制掺杂异质结能获得的电子 迁移率已高达1×107cm2/ V· s 。
超晶格多量子阱能带结构示意图
多量子阱和超晶格的本质差别在于势垒的宽度：当势垒 很宽时电子不能从一个量子阱隧穿到相邻的量子阱，即 量子阱之间没有相互耦合，此为多量子阱的情况；当势 垒足够薄使得电子能从一个量子阱隧穿到相邻的量子阱， 即量子阱相互耦合，此为超晶格的情况。
EcA EgA EcB EvB EvA E2 E1 EgB E2 E1
7.5.1 新型的量子阱激光器
（1）低维超晶格——量子线、量子点激光器： 量子阱结构中，电子只受到一维的限制，在结平面内仍 维持二维的自由运动。如果对电子进行二维或三维的限制， 就得到一维量子线和零维量子点结构。 （2）量子级联激光器（Quantum Cascade Laser）： 由数组量子阱结构串联在一起构成的新型量子阱激光器。
（1）低维超晶格——量子线、量子点激光器 这种更窄的态密度分布带来更高的微分增益，将使得 半导体激光器的特性进一步提高，如阈值电流降低， 光谱线宽、调制速率、温度特性等可以进一步改善。
量子阱激光器
量子阱激光器的特点
同常规的激光器相比，量子阱激光器具有以下特点： 1.在量子阱中，态密度呈阶梯状分布，量子阱中首先是E1c和E1v之 间电子和空穴参与的复合，所产生的光子能量h v＝E1c－E1v＞ E g，即光子能量大于材料的禁带宽度。相应地，其发射波长凡小于 几所对应的波长九，即出现了波长蓝移。 2.在量子阱激光器中，辐射复合主要发生在E1c和E1v之间。这是两 个能级之间的电子和空穴参与的复合，不同于导带底附近的电子和 价带顶附近的空穴参与的辐射复合，因而量子阱激光器光谱的线宽 明显地变窄了。 3.在量子阱激光器中，由于势阱宽度Lx通常小于电子和空穴的扩散 长度Le和 L n，电子和空穴还未来得及扩散就被势垒限制在势阱之 中，产生很高的注入效率，易于实现粒子数反转，其增益大大提高， 甚至可高达两个数量级。 4.量子阱使激光器的温度稳定条件大为改善，A l G a I n A s量子阱激 光器的特征温度马可达150K，甚至更高。因而，这在光纤通信等应 用中至关重要。
量子阱激光器 简介及工作原理
量子阱激光器概述
一般半导体激光器有源层厚度约为0.1～0.3μm，当有源层 厚度减薄到玻尔半径或德布罗意波长数量级时，就出现量 子尺寸效应，这时载流子被限制在有源层构成的势阱内， 该势阱称为量子阱，这导致了自由载流子特性发生重大变 化。量子阱是窄带隙超薄层被夹在两个宽带隙势垒薄层之 间。由一个势阱构成的量子阱结构为单量子阱，简称为 SQW（Single Quantum Well）；由多个势阱构成的量子阱 结构为多量子阱，简称为MQW（Multiple Quantum Well）。 量子阱激光器比起其他半导体激光器具有更低的阈值，更 高的量子效率，极好的温度特性和极窄的线宽。量子阱激 光器的研制始于1978年，已制出了从可见光到中红外的各 种量子阱激光器。
852nm半导体激光器量子阱设计与外延生长
摘要 ： 设 计 并 外 延 生 长 了具 有 高 温 度 稳 定 性 的 Ｉ ｎ Ａ１ Ｇａ Ａ ｓ ／ Ａ１ Ｇ ａ Ａｓ 应变量子阱激光器 ， 用于解决 ８ ５ ２ ｎ ｍ 半 导 体 激 光 器 在 高 温 环 境 下 工 作 时 的 波 长 漂 移 问题 。基 于 理 论 模 型 ， 计算并模 拟对 比了 Ｉ ｎ Ａ１ Ｇａ Ａｓ ， Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａｓ Ｐ， Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａｓ 和 Ｇ ａ Ａｓ 量 子 阱 的增 益 及 其 增 益 峰 值 波 长 随 温 度 的漂 移 ， 结果显示 ， 采用 Ｉ ｎ ＡＩ Ｇ ａ 。 Ａｓ 作为 ８ ５ ２ ｍ ｉ ｌ ｌ 半 导 体 激 光 器 的 量 子 阱 可 以使 器 件 同 时具 有 较 高 的 增 益 峰 值 和 良 好 的 波 长 温 漂 稳 定 性 。 使 用 金 属 有 机 化 合 物 气 相 淀 积 （ ＭＯＣ ＶＤ） 外 延 生长 了
Ｄｅ ｓ ｉ ｇ ｎ ａ ｎｄ ｅ ｐ ｉ ｔ ａ ｘ ｉ ａ ｌ ｇ ｒ ｏ ｗｔ ｈ ｏ ｆ ｑｕ ａ ｎ ｔ ｕ ｍ— － ｗｅ ｌ ｌ ｆ ｏ ｒ ８ ５ ２ ａ ｍ ｌ ａ ｓ ｅ ｒ ｄ ｉ ｏ ｄ ｅ
ＸＵ Ｈｕ ａ — ｗｅ ｉ ，Ｎ Ｉ ＮＧ Ｙｏ ｎ ｇ — ｑ ｉ ａ ｎ ｇ ，Ｚ ＥＮＧ Ｙｕ — ｇ ａ ｎ ｇ 。ＺＨＡ ＮＧ Ｘｉ ｎ ｇ 。ＱＩ Ｎ Ｌ ｉ
获得 Ｉ ｎ Ａ １ Ｇ ａ Ａｓ ／ Ａ１ Ｇ ａ Ａｓ陡峭 界 面 。最 后 ， 采用 优化 后 的外延 生长 条件 ， 研制 出了 Ｉ ｎ Ａ１ Ｇａ Ａｓ ／ Ａ１ Ｇａ Ａ ｓ应 变 量 子 阱 激 光
器 。实 验 测 １ ｎ ｍ， 斜率效率为 ０ ． ６ ４ Ｗ／ Ａ， 激 射波长随温度漂移为 ０ ． ２ ５ ６ ｎ ｍ／ Ｋ。理 论 计 算结果 与实验测试结果相吻合 ， 证 明 器 件 性 能 满 足 在 高 温 环 境 下 工 作 的要 求 。
半导体激光器发展历程
半导体激光器发展历程半导体激光器（Semiconductor Laser）是指以半导体材料做为活性介质的激光器。
在过去的几十年中，半导体激光器已经经历了许多重要的技术突破和发展，成为现代科学技术和工业生产中不可替代的重要组成部分。
20世纪60年代初，由于量子阱的发展，半导体激光器的理论基础得以建立。
1962年，美国的理查德·斯普雷尔发明了第一台半导体激光器，使用的是锗半导体材料。
此后，人们开始研究使用其他材料制造的半导体激光器。
到了20世纪70年代，半导体激光器取得了重大的突破。
1970年，日本的三菱电机公司研制出了第一台使用化合物半导体材料的半导体激光器。
1977年，霍尔田・赛尔特斯发明并实现了量子阱激光器，该技术进一步提高了半导体激光器的性能。
20世纪80年代，半导体激光器进一步得到了发展和应用。
1981年，日本的日立公司实现了在室温下工作的金属有机化合物半导体激光器。
这一突破为半导体激光器的商业化应用打下了基础。
此后，半导体激光器在光通信、激光打印、激光制造等领域的应用逐渐扩大。
到了21世纪，半导体激光器的发展进入了新的阶段。
随着半导体技术的不断进步，半导体激光器的效率和功率不断提高。
2006年，美国的托马斯·厄尔发明了多谐振腔激光器技术，将半导体激光器的输出功率提高到了几千瓦级别。
这一技术的出现，使得半导体激光器在激光制造领域得到了广泛的应用，例如激光焊接、激光切割等。
与此同时，半导体激光器还在生物医学、光通信等领域得到了广泛应用。
在生物医学中，半导体激光器被用于光学成像、激光治疗等。
在光通信中，半导体激光器被用于激光器发射端和接收端，实现光纤通信的高速传输。
总之，半导体激光器的发展历程是一部科技进步的记录。
从最初的实验室研究到商业化应用，半导体激光器在科技和工业生产中发挥了巨大的作用。
未来，随着技术的进步，半导体激光器的性能将不断提高，应用领域也将进一步扩大，为人类社会的发展做出更大的贡献。
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量子阱半导体激光器的原理及应用刘欣卓（06009406）（东南大学电子科学与工程学院南京 210096）光电调制器偏置控制电路主要补偿了激光调制器的温漂效应，同时兼顾了激光器输出功率的变化。
链路采用的激光器带有反馈PD，输出对应的电压信号。
该信号经过放大后直接作为控制系统的输入,将两者的电压相减控制稳定后再放大。
反馈光信号经过光电转换和滤波放大两个环节。
最后一节采用低通滤波器排除射频信号的影响。
放大环节有两个作用。
其一：补偿采样过程中1%的比例；其二：通过微调放大倍数实现可调的偏置。
偏置控制主要是一个比例积分环节，输出作为调制器的偏置。
关键词：光电调制器；模拟偏置法；误差High-speed Optical Modulator Bias ControlLIU XinZhuo 2) (06009406)(1)Department of Electronic Engineering, Southeast University, Nanjing, 210096Abstract: The optical modulator bias control circuit compensates for the drift of the laser modulator effect. It also takes into account the changes in the laser output power. Link uses the laser with feedback PD and the output corresponds to voltage signal. The signal after amplification is acted as the input of the control system. After the two voltage signals reduction and stability, the output may be amplified. The feedback optical signal includes photoelectric conversion and filtering amplification. The last part of circuit excludes the influence of the RF signal through a low pass filter. We know that enlarge areas have two roles. First: it can compensate for sampling ratio of 1%of the process; Second: it can realize adjustable bias by fine-tune magnification. The bias control is a proportional integral part of the output of the modulator bias.Abstract: Specific charge of electron; magnetic focusing; magnetic control tube; Zeeman effects; error作者的个人学术信息：刘欣卓，1991年，女，南京市。
大学本科，电子科学与工程学院。
liuxinzhuo@.1.量子阱半导体激光器的发展历程1.1激光器研制的现状随着光子技术的发展,光子器件及其集成技术在各领域的应用前景越来越广阔，尤其在一些数据处理速率要求极高的领域，光子器件正逐步取代电子器件。
可以预见，不久的将来，光子器件及光子集成线路在各行业所占的比重将不亚于目前集成电路在各领域的地位及作用。
而激光器作为光子器件的核心之一，对其新型结构的研制更是早就提上了日程，并取得了一定的进展。
为了研制出阈值电流低、量子效率高、工作于室温环境、短波长、长寿命和光束质量好等要求的半导体激光器, 研究人员致力于寻找新工作原理、新材料、新结构以及各种新的技术。
在此，半导体激光器(LD)，特别是量子阱半导体激光器(QWLD)正逐步作为光通信和光互连中的重要光源。
1. 2半导体激光器半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器，由于物质结构上的差异，较常规激光器而言，产生激光的具体过程比较特殊。
半导体激光器工作物质的种类有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。
工作物质的结构也可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。
其从激励方式上来说，则又有电注入、电子束激励和光泵浦三种。
总之，我们根据诸如光纤等具体应用的特定需求，可根据以上分类方法量身定制激光器。
半导体激光器具有许多突出的优点：包括转换效率高、覆盖波段范围广、使用寿命长、可直接调制、体积小、重量轻、价格便宜、易集成等。
所以，其发展速度之快、应用范围之广、潜力之大是其它激光器无法比拟的。
但是，由于一些特殊应用的需要，半导体激光器的性能有待进一步提高。
1.3量子阱半导体激光器的提出量子阱结构的提出源于60年代末期贝尔实验室的江崎(Esaki)和朱肇祥关于超薄层晶体的量子尺寸效应的研究。
他们发现，当超薄有源层材料晶格尺度小于电子的德布罗意波长时，有源区就变成了势阱区，其两侧的宽禁带系材料成为势垒区，电子和空穴沿垂直阱壁方向的运动时将出现量子化特点。
从而使半导体能带出现了与块状半导体完全不同的形状与结构。
在此基础上，根据需要，通过改变超薄层的应变量使能带结构发生变化，逐步形成针对应变量子阱结构研究和应用的新领域。
80年代，量子阱结构在激光器上的使用，使半导体激光器在性能上出现了大的飞跃。
具有量子阱结构的量子阱半导体激光器与双异质结半导体激光器(DH)相比，具有阈值电流密度低、量子效应好、温度特性好、输出功率大、动态特性好、寿命长、激射波长短等优点。
目前，量子阱已成为人们公认的半导体激光器发展的根本动力。
1. 4量子阱激光器的发展历程 量子阱半导体激光器的发展历程大致包括几个重要科研成果的诞生。
1976年，人们用GaInAsP/InP 实现了长波长激光器。
关于该激光腔的结构，Kogelnik 和Shank 提出了分布反馈的模式，主要为以单片形式形成谐振腔。
Nakamura 用实验证明了光泵浦的GaAs 材料形成的分布反馈激光器(DBR)的可行性。
Suematsu 提出了用于光通信的动态单模激光概念，并用整体激光器验证了这种想法。
1977年，人们提出了面发射激光器，并于1979年做出了第一个器件。
1994年，一种具有全新机理的波长可变、可调谐的量子级联激光器第一次研制成功，并在此基础上提出了微带超晶格红外激光器的理论构架。
另外，具有更好性能的低维超晶格—量子线、量子点激光器的研究也已经开始进入议程。
2．量子阱半导体激光器的原理2.1量子阱及其能带结构量子阱是指由窄禁带系超薄层被夹在两个宽带系超薄层之间排列而形成的，具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。
在由2种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构中，如果势垒层足够厚，以致相邻势阱之间载流子渡越函数之间耦合很小，则多层结构将形成许多分离的量子阱，称为多量子阱。
如果势垒层很薄，相邻阱之间的耦合很强，原来在各量子阱中分立的能级将扩展成能带，能带的宽度和位置与势阱的深度、宽度及势垒的厚度有关，这样的多层结构称为超晶格。
量子阱结构中因为其有源层厚度仅在电子平均自由程内，所以阱壁起到很好的限制作用，使阱中载流子只在平行与阱壁的平面内有二维自由度。
在具有二维自由度的量子阱中，电子和空穴的态密度与能量的关系为台阶形状，其阶梯状能带允许注入的载流子依子代逐级填充，提高了注入有源层内载流子的利用率，故量子阱激光器的微分增益远高于一般体材料激光器。
2.2半导体激光器的原理及限制 半导体激光器是一种相干辐射光源，要使它能产生激光，必须具备三个基本条件。
首先，必须建立起激射媒质(有源区)内载流子的反转分布。
在半导体中要实现粒子数反转，必须使两个能带区域之间，处在高能态导带底的电子数比处在低能态价带顶的空穴数大很多，这以给同质结或异质结加正向偏压，或向有源层内注人必要的载流子来实现。
其目的为将电子从能量较低的价带激发到能量较高的导带中去。
当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。
其次，要实际获得相干受激辐射，必须使受激辐射在光学谐振腔内得到多次反馈而形成激光振荡，通常在不出光的那一端镀上高反多层介质膜，而出光面镀上减反膜。
最后，提供足够大的增益，不断增加腔内的光场，以弥补谐振腔的光损耗及腔面的激光输出等损耗。
为满足上述一点，这就必须要有足够强的电流注入，即有足够的粒子数反转，粒子数反转程度越高，得到的增益就越大，即要求必须满足一定的电流阀值条件。
当激光器达到阀值，具有特定波长的光就能在腔内谐振并被放大，最后形成激光而连续地输出。
可见，在半导体激光器中，电子和空穴的偶极子跃迁是基本的光发射和光放大过程。
然而，典型半导体激光器通常为窄带设备，只能以特有波长发出单色光。
相比之下，量子阱结构的半导体具有超宽带的特点，可以同时在更宽的光谱范围内选取波长。
因此，对于新型半导体激光器而言，人们目前公认量子阱是半导体激光器发展的根本动力。
2.3量子阱半导体激光器的结构直腔面发射LD在量子阱结构出现以后才成为可能。
根据光输出方向与结平面的关系，LD可分为边发射LD和垂直腔面发射LD。
垂直腔面发射LD为光垂直于结平面的方向输出。
垂直腔是指激光腔的方向，即光子振动方向垂直于半导体芯片的衬底，光在有源层厚度方向得到放大。
由于有源层厚度很小，要想实现低阈值的激光振荡，要求要有高增益系数的有源层介质，即采用量子阱材料。
另外，还需要有高的腔面反射率。
而提高腔面反射率的方法是在腔面镀高反膜，但是难度较大。
激光器工作时，腔内形成稳定的驻波场，须使有源区与腔内驻波场有最大的重叠，同时适当增加腔长以有利于增加基模直径，从而提高输出功率。
因此，有源层应与驻波场中心峰值强度对应的λ/4n范围有最大的重叠，在此范围内生长多量子阱结构有利于获得更大的功率输出。
另外，要有高的输出功率，须有高的功率效率，即要有高的微分量子效率，有远大于阈值的工作电流。
若腔长为波长λ量级，则激光器将出现由自发辐射所控制的新的效应。
自发辐射因子的增加，将产生更多的受激发射“种子”，从而导致阈值电流下降。
若在阈值电流以上，在给定注入速率下注入的载流子寿命依阈值电流的降低而等比率的减少，从而能使调制带宽增加。
2.4 量子阱半导体激光器工作物质的制备衬底出光的 InGaAs/ GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器的有源层由三个InGaAs/ GaAs应变量子阱组成 , InGaAs 量子阱宽为 8nm , GaAs 势垒宽为 10 nm，三个量子阱被上、下AlGaAs限制层包围构成为一个波长的谐振腔。