模拟电子技术基础 答案 主编 沈任元
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模拟电子技术基础机械工业出版物社主编沈任元
部分习题参考答案
第二章半导体二极管及其基本应用电路思考题与习题解答
2-1填空题
1. _半导体、绝缘体_
2. _杂敏、光敏__ 、 _热敏__。
3. _导通_ 、 _截止、单向导电性_。
4. __高于_。
5. _正向_ 、 _反向击穿_
6.单向导电性_、__最大整流电流
__、_最高反向工作电压。7. _单向导电__ 8. _面接触型、点接触型_。_点接触型的、平面型的_。9. _零__、_无穷大_, _理想的开关_。10. _反向特性区_、 _几乎不变_。11. _左移__ 、 _下移_。12. _减小_ 、 _减小_, _增加_。13. __将交流电压转变成直流电压__、 __二极管_。14. _脉动的直流电压变成平滑的直流电压_ 、 _储能_。15. _单相半波整流_、_单相桥式整流_。
16. _电路烧毁_, _变成单相半波整流_。
2-2 选择题
1. C
2. B
3. C
4.B
5. A
6. B
7. A
8. A
9.B 10.A 11. B 12.C
2-3 判断题
1.√
2.√
3.×
4. ×
5.√
6.×
2-4 解:,,,,,。
2-5 解:VD截止,,VD导通,,VD
1、VD
4
导通,VD
2
、VD
3
截止,
。
2-6 解:
2-8 解:1) ,,。2),
。
2-11解:1)
2);3);
4);5),相当于半波整流滤波(有电容)。
或,相当于半波整流滤波(无电容)。
2-12 解:
第三章双极型晶体管及其放大电路思考题与习题
3-1填空题
1. ___PNP___和___NPN__。
2. __两__ __双极__
3.发射_,___集电__。
4.
__100___,___120___。5. ___0.98mA___, ___49___。6. ___放大__ 。7.
__饱和___。___正向__, ___正向___。8. __集电__, __发射__,__基极__, __发射___, __0.7V __。9. __发射__,__集电__, ___-0.7V___。
10. __PNP___, ___锗___。
11. __增加__, __增加__, __减小__。12 __左__, __上___, __大__。
13. 查阅电阻器件手册,了解下列常用晶体管的极限参数,并填写在表3-5中。
14. __100__。15. __交、直流__, __交流__。16. __截止___, __顶部__,__小__。17. _饱和__, __底部__, __大__。18. __温度升高__。19. __共射__, __共集和共基__。20. __共基__, __共集___, __共射_。21. _稳定静态工作点_。22. _阻容耦合_、__直接耦合__、__变压器耦合__。23. _直流__, _交流_。24. __大__, __窄__。
3-2选择题
1. A
2.B
3. A
4. D
5. B
6. C
7. B
8. A
9. A 10. C 11. B 12. C 13. B
14. D 15. A 16. A 17. C 18. C 19. B 20. A 21. B 22. A B C 23. A 24. B 25.
C 26. B 27. A
3-3判断题
1.×
2.× 3× 4.√ 5. × 6.√ 7.× 8.× 9.× 10. √11.× 12.×
3-4
解:1)a)、d)是NPN型,b)、c)、e)是PNP型; 2)a)、c)、d)是硅管,b)、e)是P锗管;
3)a)、b)是放大状态,d)是饱和状态,e)是截止状态,c)是已经损坏,b、e极开路。
3-5
解:(a)不能。因为输入信号被短路,(b)可能。
(c)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。(d)不能。因为输出信号被
短路,恒为零。
3-6
解:图(a) ,,
图(b)和图(c) ,,。
图(d) ,,,,饱和状态。
图(e) ,,,,
3-7
解:图(a)的输出波形说明输出电压的正半周导致失真,其原因是静态工作点偏低所引起的失真,是截止失真,解决办法是将静态工作点上移,即将基极的直流电流调大即可。
图(b)与图(a)恰好相反,是由于静态工作点偏高引起的饱和失真,故解决办法是减小基极的静态电流,使静态工作点下移。
图(c)中输出电压的正、负半周都出现失真,说明输入信号过大导致输出幅度过大而引起得失真,若无法减小输入信号得情况下,只能调整放大电路的放大
倍数,减小放大倍数可以是更换放大倍数较小的三极管或调整负载电阻(如)等手段。
3-8
解:1) ; 2)
3-9
解:
3-10
解:1) ,
2)
3)
4)
5) 微变等效电路