代换S8550 S8050三极管

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s9011、9012、9013~8050、8550系列三极管特性及用途讲解

s9011、9012、9013~8050、8550系列三极管特性及用途讲解

s9011、9012、9013~8050、8550系列三极管特性及用途讲解(一) 系列三极管S9011、9012、9013、9014、9015、9018、8050、8550系列三极管是小功率三极管。

大部分是NpN型管,只有9012、9015丶8550是PNP型三极管。

这里值得注意的是: 一般地,在三极管前面如果加ss,那么这个三极管是原装进口的; 而只帶一个s,那么应是国产的。

例如: ss8050是进口的,而s8050是国产的。

(二)系列三极管如图①,图②,图③,图④,图⑤图① s9013系列三极管图② s8050、8550三极管图③ s9013系列三极管引脚图④ NPN、PNP三极管符号图⑤ 单管驱动继电器(二) 系列三极管技术参数:9011NpN低噪放大,50Ⅴ0.3A.0.4w;9012pNp低噪放大,50v0.5A.0.625w;9013NpN低频放大,50v0.5A.0.625w;9014NpN低噪放大,50Ⅴ0.1A.0.4w;9015pNp低躁放大,50Ⅴ0.1A.0.4w;9018NpN高频放大,30v.0.05A.0.4w;8050NpN高频放大,40v.1.5A.1w;8550pNp高频放大,40v1.5A.1w。

(三) 它们的主要作用.用途:以上系列三极管,是半导体基本元器件之一,具有开关和电流放大作用;它们作为音频放大和收音机推挽1w输出及电子玩具、灯具放大和开关等电路。

(四) 三极管应用电路2例:图① NpN、PNP单管驱动发光管图② P NP、NpN三管推挽电路以上s9011一9018,s8050、8550系列三极管是目前市场上和产品上常用和使用最多的元器件,广泛应用于各种小功率电路产品中,很受欢迎。

三极管 8550 和 8050 封装定义及参数

三极管 8550 和 8050 封装定义及参数

三极管8550 和8050 封装定义及参数
模拟技术&音响制2009-10-18 19:51:03 阅读161 评论0 字号:大中小订阅
8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。

很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.
<三极管8550管脚图>
1.发射极
2.基极
3.集电极
8550参数:
集电极-基极电压Vcbo:-40V
工作温度:-55℃to +150℃
和8050(NPN)相对
贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.
--------------------------------------------------------------
8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电(VCEO):25; 频率:150 KHz
8050引脚图
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:C060AJ-00
芯片厚度:240±20μm
管芯尺寸:600×600μm 2
焊位尺寸:B 极130×150μm 2;E 极140×130μm 2电极金属:铝
背面金属:金
典型封装:S8050,H8050
极限值(Ta=25℃)(封装形式:TO-92)
Tstg——贮存温度-55~150℃
Tj——结温150℃
PC——集电极耗散功率1W
VCBO——集电极—基极电压40V
VCEO——集电极—发射极电压25V
VEBO——发射极—基极电压6V
IC——集电极电流1.2A。

s8550三极管 (2)

s8550三极管 (2)

s8550三极管1. 引言S8550三极管是一种小功率PNP型晶体管,广泛应用于各种电子电路中。

本文将介绍S8550三极管的基本特性、引脚说明以及应用案例。

2. 基本特性S8550三极管的主要技术参数如下:•极性:PNP型•最大集电极电流(IC):700mA•最大收集极-基极电压(VCBO):40V•最大集电极-发射极电压(VCEO):25V•最大基极-发射极电压(VEBO):5V•最大功率(P):625mW•最大温度(TJ):150℃3. 引脚说明S8550三极管的引脚如下所示:----B | | C| |E | |----•B:基极(Base)•C:集电极(Collector)•E:发射极(Emitter)4. 应用案例S8550三极管由于其小功率特性,适用于许多电子电路中,以下是一个简单的应用案例:使用S8550三极管实现亮度调节。

4.1 原理图----V1 | | C| |---- R1 ---- LEDE | |----4.2 说明•通过电阻R1限制电流,以实现LED的亮度调节。

•通过控制输入电压V1的大小,改变电流流过R1,进而改变LED的亮度。

4.3 注意事项•确保输入电压V1不超过S8550三极管的最大集电极-基极电压(VCBO)。

•根据实际要求选择合适的电阻值R1,以控制LED的亮度在合适范围内。

5. 结论S8550三极管是一种小功率PNP型晶体管,具有较高的集电极电流和较低的最大功率,适用于各种电子电路中。

在设计和应用中,需要根据其特性和引脚说明进行正确的选型和连接,方能发挥其最佳性能。

以上是关于S8550三极管的简要介绍及应用案例。

8550和8050开关电路

8550和8050开关电路

8550和8050开关电路8550和8050是两种常用的晶体管型号,它们在电子开关电路中有着广泛的应用。

本文将分别介绍8550和8050晶体管的特性和使用方法,以及它们在开关电路中的应用。

8550和8050晶体管都属于NPN型晶体管,具有三个引脚:基极(B)、发射极(E)和集电极(C)。

它们的外观相似,但电性能有所不同。

8550晶体管的参数如下:- 最大集电极电流(IC)为600mA;- 最大集电极-发射极电压(VCEO)为40V;- 最大功耗(PD)为625mW;- 最大集电极-基极电压(VCBO)为40V;- 最大集电极-发射极电压(VBE)为5V。

8050晶体管的参数如下:- 最大集电极电流(IC)为700mA;- 最大集电极-发射极电压(VCEO)为25V;- 最大功耗(PD)为625mW;- 最大集电极-基极电压(VCBO)为30V;- 最大集电极-发射极电压(VBE)为5V。

8550和8050晶体管广泛应用于开关电路中,常用于电压放大、电流放大和开关控制等功能。

下面将分别介绍它们在开关电路中的应用。

8550晶体管在开关电路中的应用:1. 8550作为开关管:在开关电路中,8550可以作为开关管,通过控制基极电流来控制集电极电流的开关状态。

当给定基极电流时,8550晶体管的集电极电流将遵循开关规律,从而实现对电路的开关控制。

2. 8550作为电流放大器:8550晶体管还可用作电流放大器,通过控制基极电流的变化来放大输入信号。

其基极电流的变化将导致集电极电流的变化,并在负载电阻上产生对应的输出电压信号。

8050晶体管在开关电路中的应用:1. 8050作为开关管:与8550类似,8050也可作为开关管使用。

通过控制基极电流,8050晶体管可以实现对电路的开关控制,从而实现电路的开关功能。

2. 8050作为电压放大器:8050晶体管也可用作电压放大器,通过控制基极电流的变化来放大输入信号。

其基极电流的变化将导致集电极电流的变化,并在负载电阻上产生对应的输出电压信号。

代换S8550 S8050三极管

代换S8550 S8050三极管

代换S8550 S8050三极管8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用,也有的做单管应用。

在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的,不能随意替换,必需要用原参数管才能替换,否则电路不能正常工作。

8050为NPN型三极管8550为PNP型三极管图片一TO92封装图片二贴片封装S8050 S8550参数:耗散功率0.625W(贴片:0.3W)集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数:耗散功率0.625W(贴片:0.3W)集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数:耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B:85-160 C:120-200 D:160-300关于8050SS 8550SS参数:耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数B:85-160 C:120-200 D:160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数:耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数B:85-160 C:120-200 D:160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数:耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数:按三极管后缀号分为C D E档C:120-200 D:160-300 E:280-400图一是这几种三极管的管脚排列图。

三极管8550和8050封装定义及参数

三极管8550和8050封装定义及参数

三极管8550和8050封装定义及参数三极管(Transistor)是一种广泛应用于电子设备中的重要半导体器件,它有多种不同的封装类型,其中8550和8050是两种常见的封装类型。

本文将依次介绍这两种封装类型的定义和参数。

8550型三极管封装定义及参数:8550型三极管是一种NPN型晶体管,其封装类型采用TO-92封装。

TO-92是一种常见的小功率晶体管封装形式,它具有三个引脚用于连接电路。

以下是8550型三极管一些重要参数的介绍:1.电流增益(hFE):8550型三极管的电流增益是其一个重要参数,它代表了输入电流和输出电流之间的倍数关系。

其典型值通常在120至320之间,不同厂家的产品会有些差异。

2.最大集电电流(Ic):8550型三极管的最大集电电流是指在给定的工作条件下,它所能承受的最大电流值。

一般而言,其最大集电电流在0.15A至0.625A之间。

3.最大耗散功率(Pd):8550型三极管的最大耗散功率是指在给定的工作条件下,它所能承受的最大功率值。

一般而言,其最大耗散功率大约为0.625W。

8050型三极管封装定义及参数:8050型三极管是一种PNP型晶体管,其封装类型同样采用TO-92封装。

以下是8050型三极管一些重要参数的介绍:1.电流增益(hFE):8050型三极管的电流增益一般在120至320之间,不同厂家的产品会有些差异。

2.最大集电电流(Ic):8050型三极管的最大集电电流一般在0.15A 至0.625A之间。

3.最大耗散功率(Pd):8050型三极管的最大耗散功率大约为0.625W。

总结:8550和8050型三极管都是常见的TO-92封装类型,它们在尺寸和引脚连接方面相似。

不同之处在于8550是NPN型三极管,而8050是PNP型三极管,这意味着它们在电流流动方向上存在差异。

8550和8050型三极管的重要参数包括电流增益、最大集电电流和最大耗散功率。

这些参数对于正确选择和使用这些三极管至关重要,可以根据具体的应用需求进行选择。

8050、8550代换9014、9013

8050、8550代换9014、9013

8050、8550代换9014、9013(a) 判定基极。

用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。

当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。

这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN 型管如9013,9014,9018。

(b) 判定三极管集电极c和发射极e。

(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。

在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射极。

D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。

在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆卸比较麻烦,所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被测管子各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而判断三极管的好坏。

如是象9013 ,9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚,黑表笔接一个极,用红笔分别接其它两极,两个极都有5K阻值时,黑表笔所接就是B极。

这时用黑红两表笔分别接其它两极,用舌尖同时添(其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸,反正都不卫生)黑表笔所接那个极和B极,表指示阻值小的那个黑表所接就是C极。

(以上所说为用指针表所测,数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指正表相反的。

)9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。

PNP-NPN区别及S8550-S8050参数

PNP-NPN区别及S8550-S8050参数

PNP 、NPN 的区别及三极管S8550和S8050 参数NPN 是用B T E 的电流(IB )控制C T E 的电流(IC ) , E 极电位最低,且正常放大时通 常C 极电位最高,即 VC > VB > VEPNP 是用E T B 的电流(IB )控制E T C 的电流(IC ), E 极电位最高,且正常放大时通 常C 极电位最低,即 VC<VB<VENPN 电路中,E 最终都是接到地板(直接或间接),C 最终都是接到天花板 (直接或间接) PNP 电路则相反,C 最终都是接到地板(直接或间接),E 最终都是接到天花板(直接或间 接)。

这也是为了满足上面的 VC 和VE 的关系。

NPN 基极高电压,集电极与发射极短路。

低电压,集电极与发射极开路。

也就是不工作。

PNP 基极高电压,集电极与发射极开路,也就是不工作。

如果基极加低电位,集电极与发 射极短路。

NPN 和PNP 的区别: 1.如果输入一个高电平,而输出需要一个低电平时,首选择npn 。

黄电结、a oN -P -一基工H一rbo --------c-—N --WlxVa集电權G2. 如果输入一个低电平,而输出需要一个低电平时,首选择 pnp 。

3. 如果输入一个低电平,而输出需要一个高电平时,首选择 npn 。

4. 如果输入一个高电平,而输出需要一个高电平时,首选择pnp 。

圄片一TO92封装S8050和S8550是现在很常用的小功率三极管。

S8050是NPN 管,S8550是PNP 管。

它们引脚排列完全一样。

你面对字标,自左向右一一e ;发射极;b 基级;c 集电极。

指针万用表核对:档位拨到 hfe 档位,8050插入到NPN 测试孔,8550插入到PNP 测试孔,万用表正确指示 hfe 值的,万用表测试孔标定的ebc 管脚记下就是了。

S8550 TO-92封装TO 921. 发射扱2. 基极玉集电扱SOT —23T 基极 2发射根3集电棣團片二贴片对装W WEI 1 Z5M|S8550PNP General Purpose Transistors 观 Lead(Pb)-Free,.™r Z. BA^iE I^COLLECTOR、ABSOLCTE MAXJMUV1 RATIM^S (T 沪站t )RjtflDgS? nibihl ^'alur Uni[ Coilectcr-Emilter VoltageVCEO -2SVdc Collector-Base Voltage VtBOVdc Emvitt^r-Base VOltageV£BO-SOVdc Collector Current<C -SOO m Adc Total Device Dissipation T A =25 <Z Pp Q 635 W Junction Ttrnperature TJ ISO p Storage. Ternp&ratureTstg-55 10 fl 50°CS8550 SOT-23MAXIMUM RATINGS (T A =25 Cunless ottienvise notedSymbol Pa4r<amfli$r Value Units VtM Gollector'Basft Vbitfige 40 V VetoCoKectw-Emlfter votta^e 25 V 皿 Emilter-Base Vdtage 5V lcGodeclw Currenl -Conlinuou^ 0.5A P CCoiilectv OiMipanon 03w 卜Junction Temp&mure150£JStoraoa TemperalurB■55-15QS8050 TO-92FEATURESComplim&frtary tc S855OCollector Current" IC=& 5AMARKING; J3YSOT-23DimMin MaxA2.8Q03 040 6 1 2001 400 CQmC 1.110 D Q.37QO^OCIG 1.TB0 2X0 H 0.013 0.100J o.oes0.177K0.4AO 0<600 L 0.6S0 1 QEOs 2.100 2 500 ¥0.450OuOOOAll Di men sio n in mmi ■in*A 初 e 賈ci 「V •嚏per”豊n 乳河 晒补-MtEle TS8050 SOT-23。

代换相应的8050或8550三极管

代换相应的8050或8550三极管

代换相应的8050或8550三极管(a) 判定基极。

用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。

当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。

这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN 型管如9013,9014,9018。

(b) 判定三极管集电极c和发射极e。

(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。

在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射极。

D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。

在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆卸比较麻烦,所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被测管子各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而判断三极管的好坏。

如是象9013 ,9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚,黑表笔接一个极,用红笔分别接其它两极,两个极都有5K阻值时,黑表笔所接就是B极。

这时用黑红两表笔分别接其它两极,用舌尖同时添(其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸,反正都不卫生)黑表笔所接那个极和B极,表指示阻值小的那个黑表所接就是C极。

(以上所说为用指针表所测,数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指正表相反的。

)9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。

电磁炉三极管s8550和s8050好坏检测方法

电磁炉三极管s8550和s8050好坏检测方法

电磁炉三极管s8550和s8050好坏检测方法
电磁炉中的三极管s8050和s8550是IGBT驱动电路中的元器件,两个三极管极性相反,组成推挽电路将驱动信号进行电压放大,以驱动IGBT工作。

下面我们来看这两个三极管的检测方法。

电磁炉驱动三极管的好坏检测方法
上面说过,两个三极管极性相反,8050是NPN型三极管,而8550则是PNP型三极管,下面以数字万用表为例,说明一下8050的检测方法,测量步骤如下。

一、将数字万用表拨到二级管档位,红表笔接8050的基极,(TO92封装的8050基极为中间脚),黑表笔依次接集电极和发射极并读取数值,显示读数大约在600~800mV之间,两次数值相差无几为正常,相差过大则视为损坏。

二、将红黑表笔分别接发射极和集电极,正反测量两次,无数值显示为正常,否则视为击穿损坏。

以上方法需要将三极管拆下测量,否则测量不准确,8550的测量步骤和上面一致,只要将红黑表笔对调一下即可,黑表笔接8550基极,红表笔依次接发射极和集电极。

提醒诸位:三极管作为半导体器件,有时候测量并不是那么准确,以上方法只能大致的判断一下三极管内部没有明显击穿,假如三极管的性能下降是测不出来的,所以最好的办法就是直接换掉。

PNP三极管S8550规格书

PNP三极管S8550规格书
-0.1 ȝA -0.1 ȝA -0.1 ȝA
400
-0.6 V -1.2 V
150
MHz
J 300-400
C,Mar,2013
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 -0
-0
-1200
I ——
C
V CE
-400uA -360uA -320uA
hFE(2)
VCE= -1V, IC= -500mA
VCE(sat)
IC=-500mA, IB= -50mA
VBE(sat)
fT
IC=-500mA, IB= -50mA
VCE= -6V, IC= -20mA
f=30MHz
H 200-350
Min -40 -25 -5
120 50
Max Unit V V V
CE
-300
-600
-900
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
-1200
C /C —— V /V
ob ib
CB EB
C ib
C ob
-1
REVERSE VOLTAGE V (V)
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25 ć a
-10
-20
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
pnp三极管s8550规格书 collectorsot-23 plastic-encapsulate transistors s8550 transistor (pnp) features collectorcurrent: =0.5amarking 2tymaximum ratings (ta=25 unless otherwise noted) symbol parameter value unit cbocollector-base voltage -40 ceocollector-emitter voltage -25 eboemitter-base voltage -5 collectorcurrent -continuous -0.5 collectorpower dissipation 0.3 junctiontemperature 150 stgstorage temperature -55-150 electricalcharacteristics (ta=25 unless otherwise specified) parameter symbol test conditions min max unit collector-base breakdown voltage collector-emitterbreakdown voltage emitter-basebreakdown voltage collectorcut-off current collectorcut-off current emittercut-off current -50ma120 400 dc current gain -500ma50 collector-emitter saturation voltage ce(sat) -50ma-0.6 base-emittersaturation voltage -50ma-1.2 transitionfrequency -20maf=30mhz 150 mhz classification range120-200 200-350 300-400 c,mar,2013 -0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -0 -300 -600 -900 -1200 -1 -10 -100 -1 -10 -100 10 100 -0.1 -1 -10 2550 75 100

S8550三极管规格书:三极管S8550参数与封装尺寸

S8550三极管规格书:三极管S8550参数与封装尺寸

-300
-600
-900
BASE-EMMITER VOLTAGE VBE (mV)
-1200
C /C —— V /V
ob ib
CB EB
Cib Cob
-1
REVERSE VOLTAGE V (V)
f=1MHz IE=0/IC=0 Ta=25 ℃
-10
-20
COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW)
hFE(2)
VCE= -1V, IC= -500mA
VCE(sat)
IC=-500mA, IB= -50mA
VBE(sat)
fT
IC=-500mA, IB= -50mA
VCE= -6V, IC= -20mA
f=30MHz
H 200-350
Min -40 -25 -5
120 50
Max Unit V V V
10 -1
400
COMMON EMITTER VCE=-6V Ta=25℃
-10
-100
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
P —— T
C
a
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE Ta (℃)
C,Mar,2013
CAPACITANCE C (pF)
FEATURES z Complimentary to S8050 z Collector current: IC=0.5A
1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR
MARKING : 2TY

8050与8550三极管功放电路图

8050与8550三极管功放电路图

8050与8550三极管功放电路图
摘要:这里介绍一个根据8050与8550制作而成晶体管小功放电路图,改变而成线路简单但性能不错的三管音频放大器。

其电路见附图。

这里介绍一个根据8050与8550制作而成三极管小功放电路图,改变而成的三管音频放大器。

原理分析:
电路如图所示,输入极(9014)的基极工作电压等于两输出极三极管三极管的中点电压,一三极管般为电源电压的一半,这个电压的稳定由输出三极管三极管的基极的两个二极管二极管控制。

3.3 欧姆电三极管二极管阻串联在输出三极管三极管的发射极上,以稳定偏流。

以减小环境温度、不同器件(如二极管二极管、输三极管二极管出三极管)参数区别对电路的影响。

当偏流增加时,输出三极管发射极与基极间电压会减小,以减小偏流。

此电路输入阻抗为500 欧姆,在使用8 欧姆扬声器扬声器时,电压增益为5。

附图如下。

电路在不失真输出50mW 的功率时,扬声器上有约2V 左右的电压摆动。

增加电源电扬声器压可提高输出功率,但此时应注意输出晶体管散热问题。

在9V 电源电压时,电路耗电约30mA。

制作时要注意两个输出功率管放大倍数应接近。

其它器件参数可以参考图示选择。

此电路适合于制作成耳机放大器放大器或其它小功率放大器放大器用。

由于它是一个很典型的功放电路,放大器所以非常适合初学者学习功放电路原理之余,动手实践制作时的参考电路。

PNP-NPN区别及S8550-S8050参数

PNP-NPN区别及S8550-S8050参数

PNP 、NPN 的区别及三极管S8550和S8050 参数NPN 是用B T E 的电流(IB )控制C T E 的电流(IC ) , E 极电位最低,且正常放大时通 常C 极电位最高,即 VC > VB > VEPNP 是用E T B 的电流(IB )控制E T C 的电流(IC ), E 极电位最高,且正常放大时通 常C 极电位最低,即 VC<VB<VENPN 电路中,E 最终都是接到地板(直接或间接),C 最终都是接到天花板 (直接或间接) PNP 电路则相反,C 最终都是接到地板(直接或间接),E 最终都是接到天花板(直接或间 接)。

这也是为了满足上面的 VC 和VE 的关系。

NPN 基极高电压,集电极与发射极短路。

低电压,集电极与发射极开路。

也就是不工作。

PNP 基极高电压,集电极与发射极开路,也就是不工作。

如果基极加低电位,集电极与发 射极短路。

NPN 和PNP 的区别: 1.如果输入一个高电平,而输出需要一个低电平时,首选择npn 。

黄电结、a oN -P -一基工H一rbo --------c-—N --WlxVa集电權G2. 如果输入一个低电平,而输出需要一个低电平时,首选择 pnp 。

3. 如果输入一个低电平,而输出需要一个高电平时,首选择 npn 。

4. 如果输入一个高电平,而输出需要一个高电平时,首选择pnp 。

圄片一TO92封装S8050和S8550是现在很常用的小功率三极管。

S8050是NPN 管,S8550是PNP 管。

它们引脚排列完全一样。

你面对字标,自左向右一一e ;发射极;b 基级;c 集电极。

指针万用表核对:档位拨到 hfe 档位,8050插入到NPN 测试孔,8550插入到PNP 测试孔,万用表正确指示 hfe 值的,万用表测试孔标定的ebc 管脚记下就是了。

S8550 TO-92封装TO 921. 发射扱2. 基极玉集电扱SOT —23T 基极 2发射根3集电棣團片二贴片对装W WEI 1 Z5M|S8550PNP General Purpose Transistors 观 Lead(Pb)-Free,.™r Z. BA^iE I^COLLECTOR、ABSOLCTE MAXJMUV1 RATIM^S (T 沪站t )RjtflDgS? nibihl ^'alur Uni[ Coilectcr-Emilter VoltageVCEO -2SVdc Collector-Base Voltage VtBOVdc Emvitt^r-Base VOltageV£BO-SOVdc Collector Current<C -SOO m Adc Total Device Dissipation T A =25 <Z Pp Q 635 W Junction Ttrnperature TJ ISO p Storage. Ternp&ratureTstg-55 10 fl 50°CS8550 SOT-23MAXIMUM RATINGS (T A =25 Cunless ottienvise notedSymbol Pa4r<amfli$r Value Units VtM Gollector'Basft Vbitfige 40 V VetoCoKectw-Emlfter votta^e 25 V 皿 Emilter-Base Vdtage 5V lcGodeclw Currenl -Conlinuou^ 0.5A P CCoiilectv OiMipanon 03w 卜Junction Temp&mure150£JStoraoa TemperalurB■55-15QS8050 TO-92FEATURESComplim&frtary tc S855OCollector Current" IC=& 5AMARKING; J3YSOT-23DimMin MaxA2.8Q03 040 6 1 2001 400 CQmC 1.110 D Q.37QO^OCIG 1.TB0 2X0 H 0.013 0.100J o.oes0.177K0.4AO 0<600 L 0.6S0 1 QEOs 2.100 2 500 ¥0.450OuOOOAll Di men sio n in mmi ■in*A 初 e 賈ci 「V •嚏per”豊n 乳河 晒补-MtEle TS8050 SOT-23。

s8050和s8550三极管制作的电机正反转切换电路

s8050和s8550三极管制作的电机正反转切换电路

s8050和s8550三极管制作的电机正反转切换电路下载提示:该文档是本店铺精心编制而成的,希望大家下载后,能够帮助大家解决实际问题。

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8050和8550组合电路原理

8050和8550组合电路原理

8050和8550组合电路原理8050和8550是两种常用的NPN和PNP型三极管。

它们可以结合使用,构建多种电路,如放大电路、开关电路、稳压电路等。

下面将分别介绍8050和8550三极管的基本特性,并通过几个典型的组合电路来说明其原理。

一、8050三极管特性:8050是一种NPN型三极管,其基本特性如下:1.最大耐压:电压一般在35V左右。

2.最大耐流:电流一般在500mA左右。

3. 饱和压降:Vce(Sat)一般为0.15V。

4.DC电流放大倍数:一般在120-800之间。

二、8550三极管特性:8550是一种PNP型三极管,其基本特性如下:1.最大耐压:电压一般在25V左右。

2.最大耐流:电流一般在600mA左右。

3. 饱和压降:Vce(Sat)一般为0.3V。

4.DC电流放大倍数:一般在120-800之间。

三、8050和8550组合电路原理:1.放大电路:将8050作为输入级放大管,8550作为输出级放大管。

当输入信号加到8050的基极时,8050内部的电路会根据输入信号的变化产生相应的电流,进而控制8550输出相应的电流,并对输出信号进行放大。

这样就能实现对输入信号的放大。

2.开关电路:将8050作为开关管,8550作为输出管。

当输入信号到达一定电平时,8050的基极电流会使得它进入饱和区,导通输出电流,从而实现开关的闭合。

当输入信号低于一定电平时,8050不导通,输出电流断开,从而实现开关的断开。

3.稳压电路:通过连接8050和8550的引脚,可以实现稳压电路。

通过控制8050的电流,可以从输出端(即8550)实现稳定的输出电压。

当输入电压波动时,通过调节8050的电流,可以使输出电压保持稳定。

这些只是8050和8550组合电路的几个示例,实际应用中还有更多的组合方式。

8050和8550可以配合使用,相辅相成,能够实现更多电路的功能。

同时,它们的特性结构简单,价格低廉,在实际应用中广泛使用。

9011、9012、9013、9014、9015、9018、8055、8550三极管参数知识

9011、9012、9013、9014、9015、9018、8055、8550三极管参数知识

一、概述s9014,s9013,s9015,s9012,s9018系列的晶体小功率三极管,把显示文字平面朝自己,从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c,s8050,8550,C2078 也是和这个一样的。

用下面这个引脚图(管脚图)表示:三极管引脚图 1:e 2:b 3:c二、三极管管脚判断当前,国内各种晶体三极管有很多种,管脚的排列也不相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置(下面有用万用表测量三极管的三个极的方法),或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

非9014,9013系列三极管管脚识别方法:(a) 判定基极。

用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。

当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。

这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。

黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测管子为PNP型三极管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN型管如9013,9014,9018。

(b) 判定三极管集电极c和发射极e。

(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。

在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射极。

三、三极管好坏判断在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆卸比较麻烦,所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被测管子各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而判断三极管的好坏。

8550三级管引脚参数

8550三级管引脚参数

8550三级管引脚参数1. 引言三级管(transistor)是一种常用的电子元件,可以用来放大电流、开关电路以及作为电压稳定器等。

8550三级管是一种常见的PNP型三级管,常用于低功耗放大电路和开关电路中。

本文将详细介绍8550三级管的引脚参数及其功能。

2. 8550三级管引脚图8550三级管一共有三个引脚,分别是基极(Base)、发射极(Emitter)和集电极(Collector)。

下面是8550三级管的引脚图:CE B3. 8550三级管引脚参数3.1. 基极(Base)基极是8550三级管的控制极,通过控制基极电流的大小来控制三级管的放大作用。

基极引脚的参数如下:•引脚编号:1•符号:B•功能:控制极,用于控制三级管的放大作用•极性:NPN型三级管,基极电流大于等于0.1mA时,三级管导通;基极电流小于0.1mA时,三级管截止。

3.2. 发射极(Emitter)发射极是8550三级管的输出极,负责输出电流。

发射极引脚的参数如下:•引脚编号:2•符号:E•功能:输出极,用于输出电流•极性:NPN型三级管,发射极电流大于等于0.1mA时,输出电流正常;发射极电流小于0.1mA时,输出电流截止。

3.3. 集电极(Collector)集电极是8550三级管的输入极,负责接收输入信号。

集电极引脚的参数如下:•引脚编号:3•符号:C•功能:输入极,用于接收输入信号•极性:NPN型三级管,集电极电流大于等于0.1mA时,输入信号正常;集电极电流小于0.1mA时,输入信号截止。

4. 8550三级管引脚功能说明8550三级管的引脚功能如下:•基极(Base):控制极,用于控制三级管的放大作用。

•发射极(Emitter):输出极,负责输出电流。

•集电极(Collector):输入极,负责接收输入信号。

通过控制基极电流的大小,可以控制8550三级管的放大作用。

当基极电流大于等于0.1mA时,三级管导通,可以放大输入信号。

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代换S8550 S8050三极管
8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用,也有的做单管应用。

在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的,不能随意替换,必需要用原参数管才能替换,否则电路不能正常工作。

8050为NPN型三极管8550为PNP型三极管
图片一TO92封装图片二贴片封装
S8050 S8550
参数:
耗散功率0.625W(贴片:0.3W)
集电极电流0.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
集电极-发射极饱和电压0.6V
特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出
引脚排列为EBC或ECB
按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档
放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350
8050S 8550S
参数:
耗散功率0.625W(贴片:0.3W)
集电极电流0.5A
集电极--基极电压30V
集电极--发射极击穿电压25V
集电极-发射极饱和电压0.5V
特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出
引脚排列为ECB
按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档
放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350
关于C8050 C8550
参数:
耗散功率1W
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ
放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D档
放大倍数B:85-160 C:120-200 D:160-300
关于8050SS 8550SS
参数:
耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档
放大倍数B:85-160 C:120-200 D:160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种
关于SS8050 SS8550
参数:
耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D 共3档
放大倍数B:85-160 C:120-200 D:160-300
引脚排列多为EBC
UTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC
8050S 8550S 引脚排列有ECB
这种管子很少见
参数:
耗散功率1W
集电极电流0.7A
集电极--基极电压30V
集电极--发射极击穿电压20V
特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数:按三极管后缀号分为C D E档
C:120-200 D:160-300 E:280-400
图一是这几种三极管的管脚排列图。

以上几种8050 8550一定要注意放大倍数及引脚排列。

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