MOSFET功放电路

目录
场效应管功率放大电路 (1)
场效应管80W音频功率放大电路 (1)
一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图 (2)
100W的MOSFET功率放大器 (2)
场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率放大器电路图 (4)
一种单电源供电的MOSFET功放电路 (6)
100W的V-MOSFET功率放大器电路 (6)
100W场效应管功率放大电路 (8)
全对称MOSFET OCL功率放大器电路图 (9)
场效应管功率放大电路
如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。

电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。

其工作电流为6mA，但电源电压较高(为±50V)，晶体管会发热，因此要接人小型散热器。

场效应管80W音频功率放大电路
图
100W的MOSFET功率放大器
电路图
关于电路
电容C8是阻止直流电压，如果从输入源的输入直流去耦电容。

如果畅通，将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。

电阻R20限制输入电流到Q1 C7 -绕过任何输入的高频噪声。

晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。

预设R1用于调整放大器的输出电压。

电阻R3和R2设置放大器的增益。

第二差的阶段是由晶体管，第三季度和Q6，而晶体管Q4和Q5形式电流镜，这使得第二个差分对漏一个相同的电流。

这样做是为了提高线性度和增益。

Q7和Q8在AB 类模式运行的功率放大级的基础上。

预设R8可用于调整放大器的静态电流。

电容C3和电阻R19组成的网络，提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。

F1和F2是安全的保险丝。

电路设置
设置在中点R1开机前，然后慢慢调整为了得到一个最低电压（比50mV）输出。

下一步是成立的静态电流，并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。

注意事项
质量好的印刷电路板组装的电路。

使用一个45 / -45 V直流，3A的双电源供电电路。

电源电压不得超过55 / -55 V直流。

连接扬声器前，检查零信号放大器的输出电压，在任何情况下不应该大于50mV。

如果是大于50mV，检查电路中的任何错误。

另一套更换Q1，Q2，也可以解决问题。

Q7和Q8适合2 °C / W的散热片。

Q7和Q8都必须被隔离，使用云母片。

很容易在市场上几乎所有的功率晶体管/几乎所有封装形式的MOSFET散热器安装包。

所有电阻R10，R11和R19的其他1 / 4瓦的金属膜电阻。

R10和R11是5W线绕型，而R19是一个3W线绕类型。

场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率
放大器电路图
功放电路技术参数:
输出功率:25V,8ohm负载.
灵敏度: 200mV 输入25W 输出
频率响应:30Hz to 20KHz -1dB
THD @ 1KHz: 0.1W 0.014% 1W 0.006% 10W 0.006% 20W 0.007% 25W 0.01%
THD: 0.1W 0.024% 1W 0.016% 10W 0.02% 20W 0.045% 25W 0.07%
音频功放电路:
R1,R4 = 47K 1/4W 电阻
R2 = 4K7 1/4W 电阻
R3 = 1K5 1/4W 电阻
R5 = 390R 1/4W 电阻
R6 = 470R 1/4W 电阻
R7 = 33K 1/4W 电阻
R8 = 150K 1/4W 电阻
R9 = 15K 1/4W 电阻
R10 = 27R 1/4W 电阻
R11 = 500R 1/2W
R12,R13,R16 = 10R 1/4W 电阻
R14,R15 = 220R 1/4W 电阻
R17 = 8R2 2W 电阻
R18 = R22 4W 电阻(wirewound)
C1 = 470nF 63V 薄膜电容器
C2 = 330pF 63V 薄膜电容器
C3,C5 = 470uF 63V 电解电容器
C4,C6,C8,C11 = 100nF 63V 薄膜电容器s
C7 = 100uF 25V 电解电容器
C9 = 10pF 63V 薄膜电容器
C10 = 1uF 63V 薄膜电容器
Q1-Q5 = BC560C 45V100mA 低噪声高增益PNP三极管
Q6 = BD140 80V 1.5A PNP三极管
Q7 = BD139 80V 1.5A NPN 三极管
Q8 = IRF532 100V 12A N沟道场效应管
Q9 = IRF9532 100V 10A P沟道场效应管
电源电路
Parts:
R1 = 3K3 1/2W 电阻
C1 = 10nF 1000V 薄膜电容器
C2,C3 = 4700΅F 50V 电解电容器
C4,C5 = 100nF 63V 薄膜电容器
D1 200V 8A 整流桥,读都也可以用四个整流二极管
D2 绿色发光二极管（电源指示灯）
F1,F2 3.15A 保险丝
电源变压器次级输出双25V (中间抽头).
PL1 插座
SW1 开关
注意事项
Can be directly connected to CD players, tuners and tape recorders. Simply add a 10K Log potentiometer
(dual gang for stereo) and a switch to cope with the various sources you need.
Q6 & Q7 must have a small U-shaped heatsink.
Q8 & Q9 must be mounted on heatsink.
Adjust R11 to set quiescent current at 100mA (best measured with an Avo-meter in series with Q8 Drain) with no input signal.
A correct grounding is very important to eliminate hum and ground loops. Connect in the same point the ground sides of R1, R4, R9, C3 to C8. Connect C11 at output ground. Then connect separately the input and output grounds at power supply ground.
一种单电源供电的MOSFET功放电路
Q2作为恒流源，Q1作为甲类功放管。

100W的V-MOSFET功率放大器电路下面是 [100W的V-MOSFET功率放大器电路]的电路图
材料清单：
∙R1=27Kohm
∙R2-11=4.7Kohm
∙R3-4=5.6Kohm
∙R5=47Kohm
∙R6=1Kohm
∙R7-10-21=22Kohm
∙R8=12ohm
∙R9=1Mohm
∙R12=33ohm
∙R13-20=82ohm
∙R14=33ohm
∙R15=2.7Kohm
∙R16=270ohm
∙R17-19=680ohm
∙R18=33Kohm
∙R22-23=0.33ohm 5W ∙R24=8.2ohm
∙R25=10ohm 1W
∙TR1=470ohm trimmer ∙TR2=4.7Kohm trimmer ∙C1=1uF 63V mkt
∙C2=1nF 100V*
∙C3=100uF 16V
∙C4=100nF 100V*
∙C5-7=22uF 16V
∙C6=4.7pF ceramic
∙C8=47uF 16V
∙C9=1nF 100V*
∙C10-11=100uF 100V
∙C12-14=100nF 250V mkt
∙C13=150nF 100V mkt
∙C15=100uF 35V
∙D1=12V 0.5W Zener
∙D2.....5=8.2V 1W Zener
∙L1=20 turns 0.6mm on R25
∙Q1-2=BC 547
∙Q3=2N5460 fet
∙Q4-5=MPSA93
∙Q6-8-11=BC182
∙Q7-10=MPSA43
∙Q9=BC212
∙Q12=2SK134 or 2SK135
∙Q13=2SJ49 or 2SJ50
(责任编辑：电路图)
100W场效应管功率放大电路
上传者：dolphin
MOSFET功放电路主要应用于大功率AV电路中。

如图所示为100W的MOSFET功放电路。

该电路的输入级采用JEFT输入型运放TL071，其输入阻抗大、转换速率高。

VTl和VT3为运放TL071的互补恒流源负载。

VT4和VT5组成典型的推动级，其线性好、响应快。

输出级VT6和VT7采用MOSFET 管，其音色优美，放大倍数约为5。

C1选用金属化聚丙烯电容，以避免产生失真。

该放大器的技术指标为；全功率时的频响为15Hz～125kHz，转换速率为25V/μs，输出噪声-95dB，阻尼系数大于400(8Ω负载)。

全对称MOSFET OCL功率放大器电路图
全对称OCL电路是目前比较完善的功率放大器。

它把差动输入放大、激励、功率输出等各部分电路都接成互补对称形式，充分发挥了PNP型和NPN型晶体管能互补工作的优点。

因而全称OCL 电路比普通OCL电路稳定性更好。

保真度更佳。

现介绍一种采用具有“胆”机音色的对称互补MOS FET
管2SK405和2SJ115担任输出功放电路。