相变存储器中驱动二极管之间串扰电流的分析与减小方法

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（ＣＡ）ｆｓｄａｔｅｏｅｃｌａｅ．Ｈｗｖｒｉｔｃｎｌｇｒｐｒｔｎｉｎｔｐｒｐｉｔ，ｈｉｕ－ＰＲＭｏｉｖｎａｆｈｅｌｒａｏｅｅ，ｆｈｔｈｏｙｐｅａａｏｏａｐｏｒｅｔｅｄｓｒｒｔａｇｔｅｅｏｉｓａｔ
第３３卷第３期
２１００年６月
电子器件
ＣｉｅｅＪｕｎｌｏｌｃｒｎＤｅｉｅｈｎｓｏｒａｆＥｅｔｖｃｓｏ
Ｖ０．３Ｎｏ．１３３
Ｊｎ００ｕ．２１
ＡｎｌｓｓａｄＲｅｃｎｇＭｅｈｄｏｓｕｂｎｇＣｕｒｎｍｏｇａｙｉｎｄｕｉｔｏｆＤｉｔｒｉｒｅｔａｎ
摘要：由于二极管在单元尺寸上的优势，被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。如果制备二极管的工艺参数
不恰当，则大的漏电流会影响ＰＲＭ存储数据的准确性和长久的保持力。首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器ＣＡ
Ｄｒｖ．ｏｅｎＰｓａｇｎｏｃｓｅｏｙｉｅＤｉｄｓｉｈａｅＣｈｎｅＲａｄｍＡｃｅｓＭｍｒ
Hale Waihona Puke Baidu
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相变存储器中驱动二极管之间串扰电流的分析与减小方法木
李宜瑾，凌云，宋志棠龚岳峰罗胜钦贾晓玲，，，
／．１同济大学电子与信息工程学院，上海２１０；０８４、
＼．２中国科学院上海微系统与信息技术研究所，信息功能材料国家重点实验室，纳米技术研究室，上海２０５／０００