量子点激光器
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由图左可见，当掺杂粒子浓度达到Ｎｓ＝3×1022m-3左右时，输出功率趋于 饱和，因此，掺杂浓度可以采用低于Ns的区域。由右图可见，最佳光纤长度 随掺杂浓度的升高而减小，在饱和区，两者呈现反比关系，即NL∝Cs，其中 Cs为饱和常量。由于掺杂浓度在光纤较短区变化比较灵敏，因此可根据实际 需要，利用Ｎ与Ｌ的反比关系同时选取合适的掺杂浓度和光纤长度来得到最 大的激光功率。
6、吸收/辐射截面计算
可由经验公式估算量子点的核直径Ｄ和第一吸收峰处的摩尔消光系数ε为 ：
第一吸收峰波长处的截面：
根据吸收截面的，用McCumber公式可以算出发射截面：
因此可以得到速率方程所需的４个截面σａ，Ｐ、σｅ，Ｐ、σａ，Ｌ、σｅ，Ｌ
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五、量子点光纤激光器的优化
1、激光输出功率计算
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5、速率方程的建立
速率方程在二能级系统中，稳态时的粒子数方程和光功率传播方程为：
式中Ｎ２为上能级粒子数密度，Ｎ为总粒子数密度，Ｐ（ｚ）为位置ｚ处 的功率，α为光纤背景损耗系数，下角标Ｐ、Ｌ和０分别表示抽运光、激 光和自发辐射，上角标±表示沿光纤ｚ正（＋）反（－）方向传播，
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结论
对于ＣｄＳｅ／ＺｎＳ量子点掺杂的光纤激光器（ＱＤＦＬ）。通过数值求解Ｑ
ＤＦＬ的粒子数速率方程和光功率传播方程，得到了光纤中的光功率分布。应用
遗传算法，以激光输出功率为目标函数，根据谐振腔的边界 （端面）条件，经过 优 化 计 算，得 到 了ＱＤＦＬ的最佳的掺杂浓度、光纤长度、出射镜反射率和抽
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2、量子点的吸收 量子点的吸收光谱与其本身的结构特点有关，量子点对 光的吸收明显比体材料强，表现为量子点材料对光的不透射、 不反射。
如PbSe量子点，其直径为5.5nm， 以2.5mg.mL-1的浓度溶于正己烷 （C6H14）有机溶剂中，形成量子 点溶胶。，PbSe量子点在近红外 波段具有很好的吸收能力。在波 数6000~10000cm-1的区间里，吸 收曲线非常光滑，除了在波数 8334cm-1处有一个非常强的吸收 主峰外，无任何杂峰。在短波长 区，有一连续的强吸收谱存在。
由于ＣｄＳｅ的上能级寿命很短，因此，能否产生受激辐射或受激辐射的条 件会不会过于苛刻，是首先需要研究的问题。
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（2）、受激辐射阈值 量子点的光学增益取决于其辐射与无辐射之间的竞争。无辐射损失主 要来自于多粒子俄歇弛豫（Auger Relaxation）以及表面捕获。对 于有外包覆层的CdSe/ZnS量子点，表面捕获效应已被极大消除，无 辐射损失主要是俄歇弛豫。只有当受激辐射过程快于无辐射弛豫时， 能级的受激辐射才会产生。 俄歇弛豫时间： 受激辐射特征时间：
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2、空心光纤灌装法制备量子光纤
将量子点制成量子点胶体（例如某些可以掺入液态硅胶），采用一 定的工艺解决掺杂均匀、量子点团聚和胶体固化速度等问题。而后 采用实验室的空心灌装方法 。如图：
左边第一个是
抽真空法；右
边两个是注射 法。
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四、量子点光纤激光器原理
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ＱＤＦＬ的出射镜ＦＢＧ２对 抽运光是全透的。若在出射 端增加一个ＦＢＧ３（对λＰ
全反，对λＬ全透），使抽运
光返回继续工作，则可提高 抽运光的利用效率。 给出了对抽运光返回情形的模拟结果，其中虚线表示单向抽运时的正向 激光功率。由图可见，这种情形下的激光功率更大。计算表明，当抽运 光重叠因子较大时（例如ΓＰ＝0.2），返回抽运光对输出功率的贡献几乎 可以忽略；但当ΓＰ很小时（例如ΓＰ＝0.01），抽运光的返回就显得比较 重要了。
量子点光纤激光器综述
本文以PbSe和CdSe/ZnS量子点为例，简要 说明量子点及量子点光纤的概念和原理，仅 供参考。（CdSe/ZnS光纤激光器）
目 录
1 量子点简介 2 量子点的光学特性 3 量子点光纤的制备 4 量子点光纤激光器原理 5 量子点光纤激光器的优化
一、量子点简介
1、量子点概念 量子点的三个维度的尺寸都在几十个纳米以下，电子和 空穴在三个维度上都被约束，从而引起一系列特殊的量子效 应，三个维度的尺寸缩小到一个电子波长以下时，电子只能 在“零维”方向上运动，成了“准零维”的量子点 。
阈值条件：
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4、能级与激励阈值
量子点具有单峰辐射的特点，在短波 长抽运光的作用下，量子点吸收能量 后被激发到能级２和３（图虚线所示
过程）。能级２的粒子通过受激辐射
和自发辐射直接跃迁回基态。
由于奇偶选择定则，能级３的粒子不能直接通过辐射跃迁回基态，而是以几 率Ａ３２无辐射跃迁到能级２，再经辐射跃迁回基态。能级３到２的跃迁几率 非常大，属于带内跃迁，因此，能级３的粒子将很快跃迁到能级２ 量子点的三能级系统可用二能级近似来描述
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3、温度影响
由图可见，当纤芯温 度升高时，最大输出 功率有所下降，但下 降的幅度很小（小于 ５％），因此温度的 升高对ＱＤＦＬ的运 行影响很小，可以忽 略。
ＣｄＳｅ／ＺｎＳ量子点的Varshni系数（的值较小，由热膨胀导 致的带隙移动远小于体材料，因此该量子点具有较好的热稳定性， 使得ＱＤＦＬ在运行过程中可避免受到“热击穿”。
1、量子点光纤激光器结构
激光器的基本结构如图所示，其中ＱＤＦ为量子点光纤，ＦＢＧ为光纤布拉 格光栅，ＬＤ为激光二极管，ＯＳＡ为光谱仪。抽运光由短波长ＬＤ产生， 导入ＱＤＦ使其中的量子点处于激发态，形成粒子数反转。在ＦＢＧ构成的 谐振腔中实现激射振荡，当增益足够大时，可产生激光。激光波长λＬ由Ｆ ＢＧ的反射波长决定，其中ＦＢＧ１对λＬ全反 （反射率为Ｒ１），ＦＢＧ ２对λＬ部分反射（反射率为Ｒ２），两者对抽运光波长λＰ均为全透。激光 从ＦＢＧ２输出到ＯＳＡ或功率计
稳态时，光纤边界（端面）条件为：
联立速率方程可求解激光功率功率：
选上述Ｎ、Ｌ、Ｒ２、λＰ为待优化的参数，将上式改为：
采用遗传算法对上式进行优化：以待优化参数为基因组成染色体（染色体数量 取为８００），根据目标函数值的大小对各染色体进行评价，通过选择、交叉、 变异等运算操作，可以找到一组最佳参数值，使Ｐｏｕｔ达到最大
谢谢
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运光波长。结果表明，激光输出功率与掺杂浓度和光纤长度的乘积有关，当掺杂
粒子浓度达到或超过3×1022m－３时，输出功率趋于饱和。纤芯温度的变化对输 出功率的影响很小，ＱＤＦＬ的热稳定性较好。与传统的掺钕光纤激光器相比， 本文提出的ＱＤＦＬ掺杂的饱和浓度较低，光纤的饱和长度较短，抽运效率更高。
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2、CdSe量子点的特性
图为测得的核直径Ｄ＝ ４．９ｎｍ的ＣｄＳｅ／ ＺｎＳ量子点的吸收和发 射光谱。
由图可见，该量子点的第一吸收峰位于５７６ｎｍ（４７３ｎｍ处 的峰为抽运光），在短波长区有连续的吸收，且吸收截面随波长的 减小而增大因此，可以在短波长区任选一个抽运波长。
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即使掺杂浓度达到了产生受激辐射的阈值，但如果抽运阈值功率太大， 则效率很低，也失去了实际器件研制的必要。因此，有必要对抽运阈值功率 进行估算。实验观测到ＣｄＳｅ／ＺｎＳ量子点具有单峰辐射的特点（图 １），即辐射只在两个能级之间进行。
在二能级系统中，抽运阈值功率为：
式中σ为截面，ν为频率，Γ为描述光功率在光纤截面上与增益介质间重 叠程度的重叠因子，τ为上能级寿命，Ａ为纤芯面积，ｈ为普朗克常数， 下角标ａ表示吸收（absorption），ｅ为辐射（emission），Ｐ为抽 运（pumping），Ｌ为激光（laser）。
本文选抽运波长为４
７３ｎｍ。辐射峰位于５ ９７ｎｍ，斯托克斯（Ｓ ｔｏｋｅｓ）频移为２１ ｎｍ。
图为测得的ＣｄＳｅ／ＺｎＳ量子 点 光 纤 在 不 同 掺 杂 浓 度 下 的 光 致 荧 光（ＰＬ）增益随光纤长度的变化，其单程光纤增益 可达约３～４ｄＢ。
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3、CdSe量子点的受激辐射阈值
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一、量子点简介
2、量子点效应 （1）、量子尺寸效应：尺寸小于波尔半径，载流子受小空 间限制，费米能级附近电子由连续变为分立。 4 E F
3 N
（2）、表面效应：表面积比大，表面原子活性很高。 （3）、量子限域效应：极易形成激子，产生激子吸收带。 （4）、宏观量子隧道效应：电子的平均自由程与限域空间 尺度相当，载流子输运过程的波动性增强 （5）、库伦阻塞效应:电子进入量子点，增加的静电能就会 远大于电子的热动能，这个静电能会阻止随后的电子进入量 子点 。
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2、抽运效率
将输出激光功率Ｐｏｕｔ
与入射抽运光功率ＰＰ 的比值定义为抽运效率 η，在不同的ＰＰ值下对 Ｎ、Ｌ、Ｒ２、λＰ进行 优化，结果如图：
当抽运功率较小时（接近阈值），抽运效率随抽运功率的增大迅速升 高。当抽运功率继续增大时（例如到达或超过2Ｗ），抽运效率升高 可达80%，并趋于饱和。激光输出功率随抽运功率线性增大，其斜率 接近0.8。当抽运功率很大时（例如超过5Ｗ），纤芯中的功率密度会 很大，从而可能会热击穿。
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二、量子点的光学特性
1、量子点的结构
结构可分为三类：核结构、核/壳结构、核/壳/壳结构 。对于核结构，典型 的种类是 CdSe、CdS、PbSe、PbS等 。 对于核/壳结构，典型的 核/壳结构有 CdSe/ZnS、 CdTe/CdS 等。核/壳结 构是在量子点核的外面 包覆上一层或几层包覆 层，但外面的包覆层几 乎不影响内核的发光
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3、量子点的辐射
量子点受光激发产生 的空穴－电子对（即
激子）复合的途径主
要有以下三种方式：
1）、电子和空穴直接复合，产生激子态发光 2）、通过表面缺陷态间接复合发光，这种模式的发光比较弱 3）、通过杂质能级复合发光，光强比较强 量子点的发光包括光致发光和电致发光两种
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பைடு நூலகம்
三、量子点光纤的制备
1、熔融法制备量子光纤 以PbSe量子点为例， 利用熔融法在钠硼铝硅酸盐玻璃 （SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-AlF3-Na2O）中成功地合成了 PbSe量子点晶体。 当热处理温度大于等于550℃时，该硅酸盐玻璃中的Pb2+ 和Se2离子发生明显扩散，其玻璃中析出PbSe晶体。通 过热处理条件（如热处理温度、热处理时间）可控制玻璃 中PbSe量子点尺寸大小，随着热处理温度的升高，PbSe 量子点尺寸增加，量子点密度变小，其吸收峰值波长和 PL荧光峰值波长向长波方向移动。
（1）、 CdSe量子点的能带图 图为ＣｄＳｅ／ＺｎＳ量子点的能 带图，其中Ｅｃ为导带平均能，Ｅ ｖ为价带平均能，ΔＥｇ为通过实 验确定的当温度在２７ ℃ ～１０ ０ ℃变化时的带隙移动。
量子点的荧光辐射主要来自核ＣｄＳｅ，带隙约为１．７ｅＶ，尺寸依赖
的辐射波长覆盖了整个可见区，外壳ＺｎＳ对辐射没有影响。
由图左可见，当掺杂粒子浓度达到Ｎｓ＝3×1022m-3左右时，输出功率趋于 饱和，因此，掺杂浓度可以采用低于Ns的区域。由右图可见，最佳光纤长度 随掺杂浓度的升高而减小，在饱和区，两者呈现反比关系，即NL∝Cs，其中 Cs为饱和常量。由于掺杂浓度在光纤较短区变化比较灵敏，因此可根据实际 需要，利用Ｎ与Ｌ的反比关系同时选取合适的掺杂浓度和光纤长度来得到最 大的激光功率。
6、吸收/辐射截面计算
可由经验公式估算量子点的核直径Ｄ和第一吸收峰处的摩尔消光系数ε为 ：
第一吸收峰波长处的截面：
根据吸收截面的，用McCumber公式可以算出发射截面：
因此可以得到速率方程所需的４个截面σａ，Ｐ、σｅ，Ｐ、σａ，Ｌ、σｅ，Ｌ
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五、量子点光纤激光器的优化
1、激光输出功率计算
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5、速率方程的建立
速率方程在二能级系统中，稳态时的粒子数方程和光功率传播方程为：
式中Ｎ２为上能级粒子数密度，Ｎ为总粒子数密度，Ｐ（ｚ）为位置ｚ处 的功率，α为光纤背景损耗系数，下角标Ｐ、Ｌ和０分别表示抽运光、激 光和自发辐射，上角标±表示沿光纤ｚ正（＋）反（－）方向传播，
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结论
对于ＣｄＳｅ／ＺｎＳ量子点掺杂的光纤激光器（ＱＤＦＬ）。通过数值求解Ｑ
ＤＦＬ的粒子数速率方程和光功率传播方程，得到了光纤中的光功率分布。应用
遗传算法，以激光输出功率为目标函数，根据谐振腔的边界 （端面）条件，经过 优 化 计 算，得 到 了ＱＤＦＬ的最佳的掺杂浓度、光纤长度、出射镜反射率和抽
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2、量子点的吸收 量子点的吸收光谱与其本身的结构特点有关，量子点对 光的吸收明显比体材料强，表现为量子点材料对光的不透射、 不反射。
如PbSe量子点，其直径为5.5nm， 以2.5mg.mL-1的浓度溶于正己烷 （C6H14）有机溶剂中，形成量子 点溶胶。，PbSe量子点在近红外 波段具有很好的吸收能力。在波 数6000~10000cm-1的区间里，吸 收曲线非常光滑，除了在波数 8334cm-1处有一个非常强的吸收 主峰外，无任何杂峰。在短波长 区，有一连续的强吸收谱存在。
由于ＣｄＳｅ的上能级寿命很短，因此，能否产生受激辐射或受激辐射的条 件会不会过于苛刻，是首先需要研究的问题。
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（2）、受激辐射阈值 量子点的光学增益取决于其辐射与无辐射之间的竞争。无辐射损失主 要来自于多粒子俄歇弛豫（Auger Relaxation）以及表面捕获。对 于有外包覆层的CdSe/ZnS量子点，表面捕获效应已被极大消除，无 辐射损失主要是俄歇弛豫。只有当受激辐射过程快于无辐射弛豫时， 能级的受激辐射才会产生。 俄歇弛豫时间： 受激辐射特征时间：
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2、空心光纤灌装法制备量子光纤
将量子点制成量子点胶体（例如某些可以掺入液态硅胶），采用一 定的工艺解决掺杂均匀、量子点团聚和胶体固化速度等问题。而后 采用实验室的空心灌装方法 。如图：
左边第一个是
抽真空法；右
边两个是注射 法。
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四、量子点光纤激光器原理
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ＱＤＦＬ的出射镜ＦＢＧ２对 抽运光是全透的。若在出射 端增加一个ＦＢＧ３（对λＰ
全反，对λＬ全透），使抽运
光返回继续工作，则可提高 抽运光的利用效率。 给出了对抽运光返回情形的模拟结果，其中虚线表示单向抽运时的正向 激光功率。由图可见，这种情形下的激光功率更大。计算表明，当抽运 光重叠因子较大时（例如ΓＰ＝0.2），返回抽运光对输出功率的贡献几乎 可以忽略；但当ΓＰ很小时（例如ΓＰ＝0.01），抽运光的返回就显得比较 重要了。
量子点光纤激光器综述
本文以PbSe和CdSe/ZnS量子点为例，简要 说明量子点及量子点光纤的概念和原理，仅 供参考。（CdSe/ZnS光纤激光器）
目 录
1 量子点简介 2 量子点的光学特性 3 量子点光纤的制备 4 量子点光纤激光器原理 5 量子点光纤激光器的优化
一、量子点简介
1、量子点概念 量子点的三个维度的尺寸都在几十个纳米以下，电子和 空穴在三个维度上都被约束，从而引起一系列特殊的量子效 应，三个维度的尺寸缩小到一个电子波长以下时，电子只能 在“零维”方向上运动，成了“准零维”的量子点 。
阈值条件：
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4、能级与激励阈值
量子点具有单峰辐射的特点，在短波 长抽运光的作用下，量子点吸收能量 后被激发到能级２和３（图虚线所示
过程）。能级２的粒子通过受激辐射
和自发辐射直接跃迁回基态。
由于奇偶选择定则，能级３的粒子不能直接通过辐射跃迁回基态，而是以几 率Ａ３２无辐射跃迁到能级２，再经辐射跃迁回基态。能级３到２的跃迁几率 非常大，属于带内跃迁，因此，能级３的粒子将很快跃迁到能级２ 量子点的三能级系统可用二能级近似来描述
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3、温度影响
由图可见，当纤芯温 度升高时，最大输出 功率有所下降，但下 降的幅度很小（小于 ５％），因此温度的 升高对ＱＤＦＬ的运 行影响很小，可以忽 略。
ＣｄＳｅ／ＺｎＳ量子点的Varshni系数（的值较小，由热膨胀导 致的带隙移动远小于体材料，因此该量子点具有较好的热稳定性， 使得ＱＤＦＬ在运行过程中可避免受到“热击穿”。
1、量子点光纤激光器结构
激光器的基本结构如图所示，其中ＱＤＦ为量子点光纤，ＦＢＧ为光纤布拉 格光栅，ＬＤ为激光二极管，ＯＳＡ为光谱仪。抽运光由短波长ＬＤ产生， 导入ＱＤＦ使其中的量子点处于激发态，形成粒子数反转。在ＦＢＧ构成的 谐振腔中实现激射振荡，当增益足够大时，可产生激光。激光波长λＬ由Ｆ ＢＧ的反射波长决定，其中ＦＢＧ１对λＬ全反 （反射率为Ｒ１），ＦＢＧ ２对λＬ部分反射（反射率为Ｒ２），两者对抽运光波长λＰ均为全透。激光 从ＦＢＧ２输出到ＯＳＡ或功率计
稳态时，光纤边界（端面）条件为：
联立速率方程可求解激光功率功率：
选上述Ｎ、Ｌ、Ｒ２、λＰ为待优化的参数，将上式改为：
采用遗传算法对上式进行优化：以待优化参数为基因组成染色体（染色体数量 取为８００），根据目标函数值的大小对各染色体进行评价，通过选择、交叉、 变异等运算操作，可以找到一组最佳参数值，使Ｐｏｕｔ达到最大
谢谢
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运光波长。结果表明，激光输出功率与掺杂浓度和光纤长度的乘积有关，当掺杂
粒子浓度达到或超过3×1022m－３时，输出功率趋于饱和。纤芯温度的变化对输 出功率的影响很小，ＱＤＦＬ的热稳定性较好。与传统的掺钕光纤激光器相比， 本文提出的ＱＤＦＬ掺杂的饱和浓度较低，光纤的饱和长度较短，抽运效率更高。
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2、CdSe量子点的特性
图为测得的核直径Ｄ＝ ４．９ｎｍ的ＣｄＳｅ／ ＺｎＳ量子点的吸收和发 射光谱。
由图可见，该量子点的第一吸收峰位于５７６ｎｍ（４７３ｎｍ处 的峰为抽运光），在短波长区有连续的吸收，且吸收截面随波长的 减小而增大因此，可以在短波长区任选一个抽运波长。
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即使掺杂浓度达到了产生受激辐射的阈值，但如果抽运阈值功率太大， 则效率很低，也失去了实际器件研制的必要。因此，有必要对抽运阈值功率 进行估算。实验观测到ＣｄＳｅ／ＺｎＳ量子点具有单峰辐射的特点（图 １），即辐射只在两个能级之间进行。
在二能级系统中，抽运阈值功率为：
式中σ为截面，ν为频率，Γ为描述光功率在光纤截面上与增益介质间重 叠程度的重叠因子，τ为上能级寿命，Ａ为纤芯面积，ｈ为普朗克常数， 下角标ａ表示吸收（absorption），ｅ为辐射（emission），Ｐ为抽 运（pumping），Ｌ为激光（laser）。
本文选抽运波长为４
７３ｎｍ。辐射峰位于５ ９７ｎｍ，斯托克斯（Ｓ ｔｏｋｅｓ）频移为２１ ｎｍ。
图为测得的ＣｄＳｅ／ＺｎＳ量子 点 光 纤 在 不 同 掺 杂 浓 度 下 的 光 致 荧 光（ＰＬ）增益随光纤长度的变化，其单程光纤增益 可达约３～４ｄＢ。
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3、CdSe量子点的受激辐射阈值
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2、量子点效应 （1）、量子尺寸效应：尺寸小于波尔半径，载流子受小空 间限制，费米能级附近电子由连续变为分立。 4 E F
3 N
（2）、表面效应：表面积比大，表面原子活性很高。 （3）、量子限域效应：极易形成激子，产生激子吸收带。 （4）、宏观量子隧道效应：电子的平均自由程与限域空间 尺度相当，载流子输运过程的波动性增强 （5）、库伦阻塞效应:电子进入量子点，增加的静电能就会 远大于电子的热动能，这个静电能会阻止随后的电子进入量 子点 。
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2、抽运效率
将输出激光功率Ｐｏｕｔ
与入射抽运光功率ＰＰ 的比值定义为抽运效率 η，在不同的ＰＰ值下对 Ｎ、Ｌ、Ｒ２、λＰ进行 优化，结果如图：
当抽运功率较小时（接近阈值），抽运效率随抽运功率的增大迅速升 高。当抽运功率继续增大时（例如到达或超过2Ｗ），抽运效率升高 可达80%，并趋于饱和。激光输出功率随抽运功率线性增大，其斜率 接近0.8。当抽运功率很大时（例如超过5Ｗ），纤芯中的功率密度会 很大，从而可能会热击穿。
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二、量子点的光学特性
1、量子点的结构
结构可分为三类：核结构、核/壳结构、核/壳/壳结构 。对于核结构，典型 的种类是 CdSe、CdS、PbSe、PbS等 。 对于核/壳结构，典型的 核/壳结构有 CdSe/ZnS、 CdTe/CdS 等。核/壳结 构是在量子点核的外面 包覆上一层或几层包覆 层，但外面的包覆层几 乎不影响内核的发光
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3、量子点的辐射
量子点受光激发产生 的空穴－电子对（即
激子）复合的途径主
要有以下三种方式：
1）、电子和空穴直接复合，产生激子态发光 2）、通过表面缺陷态间接复合发光，这种模式的发光比较弱 3）、通过杂质能级复合发光，光强比较强 量子点的发光包括光致发光和电致发光两种
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三、量子点光纤的制备
1、熔融法制备量子光纤 以PbSe量子点为例， 利用熔融法在钠硼铝硅酸盐玻璃 （SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-AlF3-Na2O）中成功地合成了 PbSe量子点晶体。 当热处理温度大于等于550℃时，该硅酸盐玻璃中的Pb2+ 和Se2离子发生明显扩散，其玻璃中析出PbSe晶体。通 过热处理条件（如热处理温度、热处理时间）可控制玻璃 中PbSe量子点尺寸大小，随着热处理温度的升高，PbSe 量子点尺寸增加，量子点密度变小，其吸收峰值波长和 PL荧光峰值波长向长波方向移动。
（1）、 CdSe量子点的能带图 图为ＣｄＳｅ／ＺｎＳ量子点的能 带图，其中Ｅｃ为导带平均能，Ｅ ｖ为价带平均能，ΔＥｇ为通过实 验确定的当温度在２７ ℃ ～１０ ０ ℃变化时的带隙移动。
量子点的荧光辐射主要来自核ＣｄＳｅ，带隙约为１．７ｅＶ，尺寸依赖
的辐射波长覆盖了整个可见区，外壳ＺｎＳ对辐射没有影响。