CS8563_上大科技D类4.5×2 D类音频功率放大器
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参数 描述
除非特殊说明)
测试条件
最小值 2.7
典型值
最大值
单位 V
V DD I DD I SD V IH V IL
供电电源 静态电流 关断电流 SD,HP管脚输入高电平 SD,HP管脚输入低电平
除非特殊说明)
6.2 V IN =0V,I O =0A,HP-IN=0V V IN =0V,I O =0A,HP-IN=4V Shutdown管脚接地 0.9 10 7 0.04 13 1 4.0
Figure 7. THD+N vs. Output Power BTL mode, 6V, 4Ohm, f=1 kHz
Figure 8. THD+N vs. Output Power BTL mode, 3V, 4Ohm, f=1 kHz
Copyright@Chipstar Microelectronics
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Mar,2013 Rev.1.0
上 海智浦 欣 微电子 有 限公司 Chipstar Micro - electronics
CS8563S
CS8563S
电气参数 (VDD =5V, TA =25℃ ,
描述
每通道输出功率
PO at 10% THD + N , V DD = 6 V R L = 8 Ω 2.30 W (每通道) R L = 4 Ω 4 .50 W (每通道) PO at 10% THD + N , V DD = 5.0 V R L = 8 Ω 1.60 W (每通道) R L = 4 Ω 3.20 W (每通道) PO at 10% THD + N , V DD = 3.6 V R L = 8 Ω 0.90 W (每通道) R L = 4 Ω 1.70 W (每通道) 工作电压范围：2.7V到6.2V “咔嗒声和噼噗声”抑制电路
上海智浦欣微电子有限公司 Chipstar Micro - electronics
CS8563S
超低EMI，4.5 W×2， 双通道 带立体声耳机模式D类音频放大器
概要
CS8563S是一款双桥音频功率放大器芯片，采用6.0V 电 源供电；在 THD+N 等于 10％ 情况下，能为一个 4Ω 的负 载提供4 .5 W 的连续功率。此外，当接立体耳机时，芯片 可以单端工作模式驱动立体耳机。 CS8563S双通道音频功率放大器是为需要输出高质量音 频功率的系统设计的，它采用表面贴装技术，只需少量 的外围器件，便使系统具备高质量的音频输出功率。 CS8563S采用双通道设计使芯片具有了桥式联接扬声器 放大和单终端立体耳机放大两种工作模式，简化了音频 系统的外围电路设计。 CS8563S内置了低功耗待机电路和过热保护电路，同时 内置了杂音消除电路，可以消除芯片启动和关断过程中 的咔嗒声或噼噗声。 CS8563S提供了 SOP 16 L的 封装形式，额定的工作温度 范围为-40℃至85℃ 。
管脚说明
CS8563S管脚 1 2,7,15 3 4,13 5 6 8 9 10 11 12 14 16 说明 SHUTDOWN GND OUTA+ V DD OUTAINA NC NC BYPASS INB OUTBOUTB+ HP - IN 输入 输入 输出 输出 输入 输入/输出 输入 地 输出 电源 输出 输入 功能 关断端口,高电平关断 接地端 正向输出端A 电源端 反向输出端 A 音频信号输入端A NC管脚 NC管脚 电压基准端 音频信号输入端B 反向输出端B 正向输出端B 耳机/立体模式选择
10uf 13 6 30K 8 INA NC VD11 INB 30K
300K 10nF
图 １ CS8563S 应用线路图
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Mar,2013 Rev.1.0
20 10
20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02
2.3
0.01 1m 2m
5m 10m 20m
100m
500m 1
Figure 4. THD+N vs. Output Power 3V, 8Ohm, BTL at f=1 kHz
20 10 5
1 0.5 0.2 0.1
2 1 0.5 0.2 0.1
400
ms
0.2 0.1 67 90 98
% dB dB dB
PSRR XTALK SNR
电源抑制比 通道隔离度 信噪比
单端模式电气特性 (VDD =5V, TA =25℃ ,
参数 描述 输出失调电压 输出功率
除非特殊说明)
CS8563S 测试条件 VIN = 0V THD+N=0.5%,f=1kHz,RL=32Ω THD+N=1%,f=1kHz,RL=8Ω THD+N=10%,f=1kHz,RL=8Ω 20 Hz f 20 kHz, A VD= -1,PO=75mW,RL=32Ω 典型值 5 85 340 440 0.02 52 60 95 极限值 50 单位 mV (max) mW(min) mW mW % dB dB dB
0.01 20
Figure 9. THD+N vs. Frequency BTL mode, 6V, 8Ohm, Po=800mW
10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 0.002 0.001 20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
50 100 200 500 1k 2k 5k Figure 10. THD+N vs. Frequency BTL mode, 3V, 8Ohm, Po=300mW
Vos Po
T WU
THD+N
启动时间
总谐波失真
V DD =5.0 V , C bypass =2.2μF
20 Hz f 20 kHz, A VD= 2 CS8563S ,RL=4Ω,PO=2W CS8563S,RL=8Ω,PO=1W , VDD = 5V, VRIPPLE = 200 mVRMS ,R L = 8Ω C B = 1.0uF f = 1 kHz, CB = 1.0 μF VDD = 5V, PO = 1.1W, RL = 8Ω
Vos Po
75
THD+N PSRR XTALK SNR
总谐波失真 电源抑制比 通道隔离度 信噪比
, CB = 1.0uF VRIPPLE = 200 mVRMS ,R L = 8Ω f = 1 kHz, CB = 1.0 μF VDD = 5V, PO = 340mW, RL =8Ω
`Ìi`ÊÜÌ ÊÌ iÊ`iÊÛiÀÃÊvÊ vÝÊ*ÀÊ* Ê `ÌÀÊ /ÊÀiÛiÊÌ ÃÊÌVi]ÊÛÃÌ\Ê ÜÜÜ°Vi°VÉÕV° Ì
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CS8563S
10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02
典型特征曲线
10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
CS8563S
管脚排列以及描述(图2 )
SHUTDOWN GND
1 2 3 4 5 6 7 8
16 15 14 13 12 11 10 9
HP-IN GND OUTB+ VDD OUTBINB BYPASS
CS8563S
OUTA+ VDD OUTAINA GND NC
NC
SOP 16 L (Top View)
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CS8563S
极限参数表
参数
1
描述
无信号输入时供电电源 输入电压 结工作温度范围 引脚温度（焊接15秒） 存储温度范围
2m 3m 5m 7m 10m 20m 30m 60m Figure 6. THD+N vs. Output Power SE mode, 3V, 32Ohm, f=1 kHz
20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 10m 20m 50m 100m 200m 500m 1 2
V mA µA V V
桥接模式电气特性 (VDD =5V, TA =25℃ ,
参数 描述 输出失调电压 输出功率
CS8563S 测试条件 VIN = 0V THD+N = 10 % ,f = 1 kHz ,RL=4Ω,VDD=6V THD+N = 1 % ,f = 1 kHz ,RL=4Ω,VDD=6V THD+N =10%,f = 1 kHz ,RL=4Ω,VDD=5V THD+N = 1 %,f = 1 kHz ,RL=4Ω,VDD=5V THD+N=1%,f=1kHz,RL=32Ω,VDD=5V 典型值 5 4.55 3.70 3.20 2.60 0.37 极限值 50 单位 mV (max) W W W W W
0.01
0.05 0.02
0.001 1m
2m
5m
10m 20m
50m
200m
0.01 1m
Figure 5. THD+N vs. Output Power SE mode, 5V, 32Ohm, f=1 kHz
20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 10m 20m 50m 100m 500m 1 2 4.5
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CS8563S
典型特征曲线
20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 10m 20m 50m 100m 200m 500m 1 Figure 3, THD+N vs. Output Power 6V, 8Ohm, BTL at f=1 kHz
-----------------------------------------------------------
± 4 kV
----------------------------------------------------------- ± 400 V
1. 上述参数仅仅是器件工作的极限值，不建议器件的工作条件超过此极限值，否则会对器件的可靠性及寿命产生影 响，甚至造成永久性损坏。
SE模式 , R L = 32Ω,输出平均功率75 m W , THD ( max) <0.1% 低关断电流 (＜0.1µA ) 过流保护，短路保护和热保护 符合Rohs的无铅封装
应用:
LCD-TV
封装
SOP 16 L
笔记本电脑 数码相框 USB接口的扬声器
典型应用线图
20k
10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 0.002 0.001 20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
JA JC
描述
封装热阻---芯片到环境热阻 封装热阻---芯片到封装表面热阻
数值
20 80
单位
℃/ W ℃/ W
订购信息
产品型号
CS8563S
封装形式
SOP16L
器件标识
XXXX CS8563S
包装尺寸
卷带宽度
管装
数量
ESD 范围
ESD 范围HBM (人体静电模式) ESD 范围 MM ( 机器静电模式)
VDD VI TJ TSDR TSTG
数值 6.5 -0.3 to VDD +0.3
-40 to 150 220 -65 to 150
单位
V V ℃ ℃ ℃
推荐工作环境
参数
V DD TA Tj
描述
电源电压 环境温度范围 结温范围
数值
2.7~6.2
-40~85 -40~150
单位
V
℃ ℃
热效应信息
参数
除非特殊说明)
测试条件
最小值 2.7
典型值
最大值
单位 V
V DD I DD I SD V IH V IL
供电电源 静态电流 关断电流 SD,HP管脚输入高电平 SD,HP管脚输入低电平
除非特殊说明)
6.2 V IN =0V,I O =0A,HP-IN=0V V IN =0V,I O =0A,HP-IN=4V Shutdown管脚接地 0.9 10 7 0.04 13 1 4.0
Figure 7. THD+N vs. Output Power BTL mode, 6V, 4Ohm, f=1 kHz
Figure 8. THD+N vs. Output Power BTL mode, 3V, 4Ohm, f=1 kHz
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CS8563S
CS8563S
电气参数 (VDD =5V, TA =25℃ ,
描述
每通道输出功率
PO at 10% THD + N , V DD = 6 V R L = 8 Ω 2.30 W (每通道) R L = 4 Ω 4 .50 W (每通道) PO at 10% THD + N , V DD = 5.0 V R L = 8 Ω 1.60 W (每通道) R L = 4 Ω 3.20 W (每通道) PO at 10% THD + N , V DD = 3.6 V R L = 8 Ω 0.90 W (每通道) R L = 4 Ω 1.70 W (每通道) 工作电压范围：2.7V到6.2V “咔嗒声和噼噗声”抑制电路
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CS8563S
超低EMI，4.5 W×2， 双通道 带立体声耳机模式D类音频放大器
概要
CS8563S是一款双桥音频功率放大器芯片，采用6.0V 电 源供电；在 THD+N 等于 10％ 情况下，能为一个 4Ω 的负 载提供4 .5 W 的连续功率。此外，当接立体耳机时，芯片 可以单端工作模式驱动立体耳机。 CS8563S双通道音频功率放大器是为需要输出高质量音 频功率的系统设计的，它采用表面贴装技术，只需少量 的外围器件，便使系统具备高质量的音频输出功率。 CS8563S采用双通道设计使芯片具有了桥式联接扬声器 放大和单终端立体耳机放大两种工作模式，简化了音频 系统的外围电路设计。 CS8563S内置了低功耗待机电路和过热保护电路，同时 内置了杂音消除电路，可以消除芯片启动和关断过程中 的咔嗒声或噼噗声。 CS8563S提供了 SOP 16 L的 封装形式，额定的工作温度 范围为-40℃至85℃ 。
管脚说明
CS8563S管脚 1 2,7,15 3 4,13 5 6 8 9 10 11 12 14 16 说明 SHUTDOWN GND OUTA+ V DD OUTAINA NC NC BYPASS INB OUTBOUTB+ HP - IN 输入 输入 输出 输出 输入 输入/输出 输入 地 输出 电源 输出 输入 功能 关断端口,高电平关断 接地端 正向输出端A 电源端 反向输出端 A 音频信号输入端A NC管脚 NC管脚 电压基准端 音频信号输入端B 反向输出端B 正向输出端B 耳机/立体模式选择
10uf 13 6 30K 8 INA NC VD11 INB 30K
300K 10nF
图 １ CS8563S 应用线路图
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20 10
20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02
2.3
0.01 1m 2m
5m 10m 20m
100m
500m 1
Figure 4. THD+N vs. Output Power 3V, 8Ohm, BTL at f=1 kHz
20 10 5
1 0.5 0.2 0.1
2 1 0.5 0.2 0.1
400
ms
0.2 0.1 67 90 98
% dB dB dB
PSRR XTALK SNR
电源抑制比 通道隔离度 信噪比
单端模式电气特性 (VDD =5V, TA =25℃ ,
参数 描述 输出失调电压 输出功率
除非特殊说明)
CS8563S 测试条件 VIN = 0V THD+N=0.5%,f=1kHz,RL=32Ω THD+N=1%,f=1kHz,RL=8Ω THD+N=10%,f=1kHz,RL=8Ω 20 Hz f 20 kHz, A VD= -1,PO=75mW,RL=32Ω 典型值 5 85 340 440 0.02 52 60 95 极限值 50 单位 mV (max) mW(min) mW mW % dB dB dB
0.01 20
Figure 9. THD+N vs. Frequency BTL mode, 6V, 8Ohm, Po=800mW
10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 0.002 0.001 20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
50 100 200 500 1k 2k 5k Figure 10. THD+N vs. Frequency BTL mode, 3V, 8Ohm, Po=300mW
Vos Po
T WU
THD+N
启动时间
总谐波失真
V DD =5.0 V , C bypass =2.2μF
20 Hz f 20 kHz, A VD= 2 CS8563S ,RL=4Ω,PO=2W CS8563S,RL=8Ω,PO=1W , VDD = 5V, VRIPPLE = 200 mVRMS ,R L = 8Ω C B = 1.0uF f = 1 kHz, CB = 1.0 μF VDD = 5V, PO = 1.1W, RL = 8Ω
Vos Po
75
THD+N PSRR XTALK SNR
总谐波失真 电源抑制比 通道隔离度 信噪比
, CB = 1.0uF VRIPPLE = 200 mVRMS ,R L = 8Ω f = 1 kHz, CB = 1.0 μF VDD = 5V, PO = 340mW, RL =8Ω
`Ìi`ÊÜÌ ÊÌ iÊ`iÊÛiÀÃÊvÊ vÝÊ*ÀÊ* Ê `ÌÀÊ /ÊÀiÛiÊÌ ÃÊÌVi]ÊÛÃÌ\Ê ÜÜÜ°Vi°VÉÕV° Ì
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10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02
典型特征曲线
10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
CS8563S
管脚排列以及描述(图2 )
SHUTDOWN GND
1 2 3 4 5 6 7 8
16 15 14 13 12 11 10 9
HP-IN GND OUTB+ VDD OUTBINB BYPASS
CS8563S
OUTA+ VDD OUTAINA GND NC
NC
SOP 16 L (Top View)
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CS8563S
极限参数表
参数
1
描述
无信号输入时供电电源 输入电压 结工作温度范围 引脚温度（焊接15秒） 存储温度范围
2m 3m 5m 7m 10m 20m 30m 60m Figure 6. THD+N vs. Output Power SE mode, 3V, 32Ohm, f=1 kHz
20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 10m 20m 50m 100m 200m 500m 1 2
V mA µA V V
桥接模式电气特性 (VDD =5V, TA =25℃ ,
参数 描述 输出失调电压 输出功率
CS8563S 测试条件 VIN = 0V THD+N = 10 % ,f = 1 kHz ,RL=4Ω,VDD=6V THD+N = 1 % ,f = 1 kHz ,RL=4Ω,VDD=6V THD+N =10%,f = 1 kHz ,RL=4Ω,VDD=5V THD+N = 1 %,f = 1 kHz ,RL=4Ω,VDD=5V THD+N=1%,f=1kHz,RL=32Ω,VDD=5V 典型值 5 4.55 3.70 3.20 2.60 0.37 极限值 50 单位 mV (max) W W W W W
0.01
0.05 0.02
0.001 1m
2m
5m
10m 20m
50m
200m
0.01 1m
Figure 5. THD+N vs. Output Power SE mode, 5V, 32Ohm, f=1 kHz
20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 10m 20m 50m 100m 500m 1 2 4.5
Copyright@Chipstar Microelectronics
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Mar,2013 Rev.1.0
上 海智浦 欣 微电子 有 限公司 Chipstar Micro - electronics
CS8563S
典型特征曲线
20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 10m 20m 50m 100m 200m 500m 1 Figure 3, THD+N vs. Output Power 6V, 8Ohm, BTL at f=1 kHz
-----------------------------------------------------------
± 4 kV
----------------------------------------------------------- ± 400 V
1. 上述参数仅仅是器件工作的极限值，不建议器件的工作条件超过此极限值，否则会对器件的可靠性及寿命产生影 响，甚至造成永久性损坏。
SE模式 , R L = 32Ω,输出平均功率75 m W , THD ( max) <0.1% 低关断电流 (＜0.1µA ) 过流保护，短路保护和热保护 符合Rohs的无铅封装
应用:
LCD-TV
封装
SOP 16 L
笔记本电脑 数码相框 USB接口的扬声器
典型应用线图
20k
10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 0.002 0.001 20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
JA JC
描述
封装热阻---芯片到环境热阻 封装热阻---芯片到封装表面热阻
数值
20 80
单位
℃/ W ℃/ W
订购信息
产品型号
CS8563S
封装形式
SOP16L
器件标识
XXXX CS8563S
包装尺寸
卷带宽度
管装
数量
ESD 范围
ESD 范围HBM (人体静电模式) ESD 范围 MM ( 机器静电模式)
VDD VI TJ TSDR TSTG
数值 6.5 -0.3 to VDD +0.3
-40 to 150 220 -65 to 150
单位
V V ℃ ℃ ℃
推荐工作环境
参数
V DD TA Tj
描述
电源电压 环境温度范围 结温范围
数值
2.7~6.2
-40~85 -40~150
单位
V
℃ ℃
热效应信息
参数