电工学(下册)电子技术基础 第4章 习题解答

第4章 场效应管放大电路与功率放大电路图所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。

说明它的开启电压th U （或夹断电压p U ）约是多少。

GSGS (a)(b)(c)图 习题图解：(a) N 沟道 耗尽型FET U P =－3V ； (b) P 沟道 增强型FET U T =－4V ； (c) P 沟道 耗尽型FET U P =2V 。

某MOSFET 的I DSS = 10mA 且U P = －8V 。

(1) 此元件是P 沟道还是N 沟道(2) 计算U GS = －3V 是的I D ；(3) 计算U GS = 3V 时的I D 。

解：(1) N 沟道； (2) )mA (9.3)831(10)1(P GS DSS D =-⨯=-=U U I I (3) )mA (9.18)831(10)1(P GS DSS D =+⨯=-=U U I I 画出下列FET 的转移特性曲线。

(1) U P = －6V ，I DSS = 1mA 的MOSFET ；(2) U T = 8V ，K = V 2的MOSFET 。

解：(1)/V(2)i D /V试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET 的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。

解：i Du GSo 耗尽型N 沟道增强型N 沟道U PU TU PU T耗尽型P 沟道增强型P 沟道判断图所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。

解： (a) 能放大(b) 不能放大，增强型不能用自给偏压(c) 能放大（d ）不能放大，增强型不能用自给偏压。

共漏1<uA ，可增加R d ，并改为共源放大，将管子改为耗尽型，改电源极性。

图 习题电路图电路如图所示，MOSFET 的U th = 2V ，K n = 50mA/V 2，确定电路Q 点的I DQ 和U DSQ 值。

解：)V (13.3241510015DD g2g1g2GSQ =⨯+=⨯+=V R R R U22DQ n GSQ th ()50(3.132)63.9(mA)I K U U =-=⨯-=)V (2.112.09.6324d DQ DD DSQ =⨯-=-=R I V UR g1R g2100k 15k Ω(a)图 习题电路图 图 习题电路图试求图所示每个电路的U DS ，已知|I DSS | = 8mA 。

解：(a) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =8(mA) U DSQ =V DD －I DQ R d = 12－8×1=4(V) (b) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =－8(mA)U DSQ =V DD －I DQ R d = －9+8×=－(V)电路如图所示，已知VT 在U GS = 5V 时的I D = ，在U GS = 3V 时的I D = 。

现要求该电路中FET 的V DQ = 、I DQ = ，试求：(1) 管子的K n 和U th 的值； (2) R d 和R S 的值应各取多大 解：（1）I D =K n (U GS -U th )2= K n (5-U Th )2 = K n (3-U th )2 → U th1=(V) (不合理，舍去)，U th2=2(V) 求得：K n =V 2，U th =2V（2）V DQ =V DD -I DQ ·R d =12－ →R d =15k Ω2GSQ )2(25.064.0-=U →U GSQ1=(V)(不合理，舍去) U GSQ2=(V)U GSQ =10－·R s ∴R s =10k Ω电路如图所示，已知FET 的U th = 3V 、K n = V 2。

现要求该电路中FET 的I DQ = ，试求R d的值应为多大V DDSSV DD R g 1.2M图 习题图 图 习题图解：=(U GSQ －3)2 ∴U GSQ1=7(V) U GSQ2=－1(V)(不合理，舍去) U DSQ =U GSQ =7(V) U DSQ =15－×R d ∴R d =5k Ω电路如图所示，已知场效应管VT 的U th = 2V ，U (BR)DS = 16V 、U (BR)GS = 30V ，当U GS = 4V 、U DS = 5V 时的I D = 9mA 。

请分析这四个电路中的场效应管各工作在什么状态(截止、恒流、可变电阻、击穿)R g 1.2M R d Ω15VR g 1.2M R d Ω20VR g 1.2M R d Ω12VR g 1.2M R d Ω12V(a)(b)(c)(d)图 习题图解：(a) 截止(b) U DSQ =20V>U (BR)DS ，击穿(c) I D =K n (U GS -U th )2 9= K n (4－2)2 ∴K n =V 2 U GSQ =3V I DQ =(3－2)2 ∴I DQ = → U DSQ =12－×5=(V)<U GSQ －U th =1V ∴处于可变电阻区(d) U DSQ =12－×3=(V)>U GSQ －U th =1V∴处于恒流区图所示场效应管工作于放大状态，ds r 忽略不计，电容对交流视为短路。

跨导为m 1ms g =。

（1）画出电路的交流小信号等效电路；（2）求电压放大倍数u A •和源电压放大倍数us A •；（3）求输入电阻i R 和输出电阻o R 。

图 习题电路图解：R sR g3R g2R g1R 1R d R iR osiU gsU gsm U g +－+－oU+－(2) R i =R g3+R g2//R g1=2+/=(M Ω) R o =R d =10k Ω(3) 3.321110111m d -=⨯+⨯-=+-==R g R g U U A m i o u3.33.3001.0075.2075.2-≈⨯+-=+=us i i us A R R R A 电路如图所示，已知FET 在Q 点处的跨导g m = 2mS ，λ=0，试求该电路的uA 、R i 、R o 的值。

u iC 1C 2R g1VTu o+V DD 20VR g2R S 2M Ω0.5M Ω3k ΩR L 10k Ω图 习题电路图解：R i =R g2//R g1=2//=(M Ω) R o =R s //m g 1=3//21=429(Ω) 822.010//32110//32//1//L s L s =⨯+⨯=+=R R g R R g A m m uR g2R g1R sR iR oiU gsU gsm U g +－+－oU +－R L由于功率放大电路中的晶体管常处于接近极限工作的状态，因此，在选择晶体管时必须特别注意哪3个参数解：最大集电极电流I CM 、最大集电结耗散功率P CM 和反向击穿电压U (BR)CEO一双电源互补对称功率放大电路如图所示，设CC 12V V =，L 16R =Ω，i u 为正弦波。

求：（1）在晶体管的饱和压降U CES 可以忽略的情况下，负载上可以得到的最大输出功率om P ；（2）每个晶体管的耐压|U (BR)CEO |应大于多少；（3）这种电路会产生何种失真，为改善上述失真，应在电路中采取什么措施。

解：(1) )W (5.4162122)(2L 2CES CC om =⨯=-=R U V P ，(2) )V (242||CC (BR)CEO =≥V U(3) 会产生交越失真，工作于甲乙类工作状态可以消除这种失真。

图 习题电路图 图 习题电路图一个单电源互补对称功放电路如图所示，设CC 12V V =，L 8R =Ω，C 的电容量很大，i u 为正弦波，在忽略晶体管饱和压降U CES 的情况下，试求该电路的最大输出功率om P 。

解：)W (25.28262)2/(2L 2CES CC om =⨯=-=R U V P 在图所示的电路中，已知CC 16V V =，L 4R =Ω，i u 为正弦波，输入电压足够大，在忽略晶体管饱和压降U CES 的情况下，试求：（1）最大输出功率om P ；（2）晶体管的最大管耗CM P ；（3）若晶体管饱和压降CES 1V U =，最大输出功率om P 和η。

解：(1) )W (3242162)(2L 2CES CC om =⨯=-=R U V P (2) )W (4.62.0om CM =≥P P(3) )W (1.2842152)(2L 2CES CC om=⨯=-=R U V P ， %6.731611644CCom =-⋅=⋅=ππηV U 在图所示单电源互补对称电路中，已知CC 24V V =，L 8R =Ω，流过负载电阻的电流为o 0.5cos (A)i t ω=。

求：（1）负载上所能得到的功率o P ；（2）电源供给的功率V P 。

图 习题电路图 图 习题电路图解：)W (1825.02o=⨯⎪⎭⎫⎝⎛=P )W (82.35.0241122cm CC L omCCV =⨯⨯=⨯⋅=⨯⋅=πππI V R U V P在图中哪些接法可以构成复合管哪些等效为NPN 管哪些等效为PNP 管图 习题电路图解：(a) 不能 (b) 不能 (c) 能 NPN (d) 能 PNP图所示电路中，三极管β1 = β2 = 50，U BE1 = U BE2 = 。

(1) 求静态时，复合管的I C 、I B 、U CE ；(2) 说明复合管属于何种类型的三极管； (3) 求复合管的β。

I BI CR b 1.5M ΩR e 2k ΩU CE-15VR b1.5M ΩR c 300Ω+15VVT 1VT 2VT 1VT 2U CEI CI B(a)(b)图 习题电路图解：(a) )μA (2.95.16.06.015BQ =--=I)mA (92.23)1(BQ 21BQ 1CQ2CQ1CQ=++=+=I I I I I βββ)V (824.73.092.231515c CQ CEQ =⨯-=⋅-=R I U 250021=⋅≈βββ 相当于NPN (b) )μA (18.2]1[6.015c211b BQ =+++-=R R I βββ)mA (56.5)1(BQ 12EQ2CQ=+==I I I ββ)V (88.32)00218.056.5(1515c EQ CEQ =⨯+-=⋅-=R I U 250021=⋅≈βββ 相当于PNP。