上海交通大学827材料科学基础历年考研真题(含部分答案)专业课考试试题

【上交827 材料科学基础】材料科学基础习题及参考答案1

材料科学基础参考答案材料科学基础第一次作业1.举例说明各种结合键的特点。

⑴金属键：电子共有化，无饱和性，无方向性，趋于形成低能量的密堆结构，金属受力变形时不会破坏金属键，良好的延展性，一般具有良好的导电和导热性。

⑵离子键：大多数盐类、碱类和金属氧化物主要以离子键的方式结合，以离子为结合单元，无方向性，无饱和性，正负离子静电引力强，熔点和硬度均较高。

常温时良好的绝缘性，高温熔融状态时，呈现离子导电性。

⑶共价键：有方向性和饱和性，原子共用电子对，配位数比较小，结合牢固，具有结构稳定、熔点高、质硬脆等特点，导电能力差。

⑷范德瓦耳斯力：无方向性，无饱和性，包括静电力、诱导力和色散力。

结合较弱。

⑸氢键：极性分子键，存在于HF，H2O，NF3有方向性和饱和性，键能介于化学键和范德瓦尔斯力之间。

2.在立方晶体系的晶胞图中画出以下晶面和晶向：（1 0 2）、（1 1 -2）、（-2 1 -3），[1 1 0],[1 1 -1],[1 -2 0]和[-3 2 1]。

12(213)3. 写出六方晶系的{1 1 -20}，{1 0 -1 2}晶面族和<2 -1 -1 0>,<-1 0 1 1>晶向族中各等价晶面及等价晶向的具体指数。

{1120}的等价晶面：(1120)(2110)(1210)(1120)(2110)(1210) {1012}的等价晶面：(1012)(1102)(0112)(1012)(1102)(0112)(1012)(1102)(0112)(1012)(1102)(0112)2110<>的等价晶向：[2110][1210][1120][2110][1210][1120] 1011<>的等价晶向：[1011][1101][0111][0111][1101][1011][1011][1101][0111][0111][1101][1011]4立方点阵的某一晶面（hkl ）的面间距为M /，其中M 为一正整数，为晶格常数。

2019上海交通大学电子科学与技术考研819、827材料科学与829电磁学和量子力学基础复习全析(含真题)

2019上海交通大学电子科学与技术考研819信号系统与信号处理、827材料科学与829电磁学和量子力学基础复习全析（含真题）《2019上海交通大学考研827材料科学基础复习全析》（含真题，共三册）全书内容紧凑权威细致，编排结构科学合理，为参加2019上海交通大学考研的考生量身定做的必备专业课资料。

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同时，透过测试演练，以便查缺补漏，为初试高分奠定坚实基础。

适用院系：机械与动力工程学院：核能与核技术工程（专业学位）电子信息与电气工程学院：仪器科学与技术、电子科学与技术、仪器仪表工程（专业学位）、电子与通信工程（专业学位）材料科学与工程学院（含塑性研究院）：材料科学与工程、材料工程（专业学位）生物医学工程学院（含Med-X研究院）：生物医学工程、生物医学工程（专业学位）、适用科目：827材料科学基础内容详情本书包括了以下几个部分内容：Part 1 - 考试重难点：通过总结和梳理《材料科学基础》(胡赓祥第三版）等教材的各章节复习和考试的重难点，建构教材宏观思维及核心知识框架，浓缩精华内容，令考生对各章节内容考察情况一目了然，从而明确复习方向，提高复习效率。

Part 2 - 教材配套经典习题与解答：针对《材料科学基础》(胡赓祥第三版）等教材的经典习题配备详细解读，以供考生加深对教材基本知识点的理解掌握，做到对上交考研核心考点及参考书目内在重难点内容的深度领会与运用。

2012上交材料真题独家回忆版

2012年上海交通大学827材料科学基础真题回忆版（by 欧阳雪峰）一、选择题（25x3）这部分的题目与往年相比更加注重对课本基础的理解，没有与往年考试的重题，出题风格略有变化。

因此大家看课本的同时要加强理解，不能停留在记忆知识点的层面。

1、三元相图中水平截面投影图和垂直截面投影图的作用正确的是a) 垂直截面图可以表示浓度随温度变化的关系；b) 垂直截面图可以表示相变温度；c) 投影图可以表示相变浓度随温度变化的关系；2、过冷度与临界晶核半径、形核功的关系a) 过冷度越大，临界晶核半径越小，形核功越小；b) 过冷度越小，临界晶核半径越小。

形核功越大；c) 等等类似的。

3、根据相图不能判断合金性能是a)工艺性b)使用性能d)机械性能4、铁碳相图在700摄氏度不可能出现的组织a)a+P b)P+Fe3C d)Ld5、 ZrO2中部分离子被Ca2+取代时会产生什么空位a)Zr离子空位b)O离子空位6、判断相界。

A,B两相晶体结构相同，A相只有2、3个原子厚度，B相1cm,晶格常数相差10%，会形成的相界a)共格b）半共格c)非共格7、高分子熔点与晶片厚度的关系a) 晶片厚度越小，熔点越高b) 晶片厚度越大，熔点越高8、高分子支化、交联对高分子力学性能的影响a)这个看一下课本；9、乌尔夫网确定晶向晶面夹角的条件10、以下物质CaF2、Al2O3,CsCl,NaCl点阵类型与其他不同的是a) CaF2 b) Al2O311、液晶态结构形成的结构条件12、固溶体中溶质原子的分布为偏聚态、无序分布状态、有序排列时的能量大小a)偏聚最大b)无序最大d)有序最大13、回复、再结晶阶段性能变化的特点（如参与应力的释放、点缺陷下降）哪个正确a)应力释放b）点缺陷下降c)。

14、晶粒长大尺寸与第二相粒子尺寸和体积分数的关系a)第二相粒子尺寸越小，体积分数越大，晶粒尺寸越小b)第二相粒子尺寸越小，体积分数越小，晶粒尺寸越小c)第二相粒子尺寸越小，体积分数越大，晶粒尺寸越大15、滑移时只有单一的滑移系开动的阶段是哪个阶段a)易滑移阶段b)先行硬化阶段c)抛物线型硬化阶段二、计算题（15x5）这部分的题目往年基本上是晶体、位错、扩散、相图、简述各一道题。

上海交通大学2022年博士招生统考《材料科学基础》真题回忆版2022

上海交通大学2022年博士招生统考《材料科学基础》真题回忆版2022上海交通大学2022年博士招生统考《材料科学基础》真题回忆版2022.03.12试题分A、B卷，A卷为《材料科学基础》，B卷为《材料加工原理》，考生任选其中一套作答，以下为《材料科学基础》真题回忆版一．简答题（每题6分，共60分）1.晶体材料中典型缺陷有哪些，并分别简述其产生原因。

2.简述加工硬化、细晶强化、弥散强化、第二相强化和固溶强化的特点，并分别说明其机理。

3.什么是全位错和不全位错？写出FCC、BCC、HCP中的最短单位位错的柏氏矢量。

4.简述回复、再结晶、正常长大、异常长大的驱动力，并说明在这些过程中力学性能的变化。

5.简述线型高分子、体型高分子、结晶态高分子的力学性能随温度的变化。

6.简述非平衡凝固的特点。

7.简述影响溶质原子在固溶体中扩散的因素。

8.简述热塑性变形对材料组织和性能的影响。

9.三元相图中的连接线用于什么区域？并说明两相平衡和三相平衡时如何确定各平衡相的相对量。

10.简述固态相变的一般性特点。

二．已知2MPa的正应力作用于立方晶体的[-123]晶向，求开动该晶体(111)[-101]滑移系所需的切应力。

三．已知在外力引起的切应力τ0作用下，在晶界产生的位错塞积数目如下式，试推导Hall-Petch公式。

四．由Cu和Al组成的扩散偶在一定温度下保温，一定时间后标记面移动，试借用达肯公式和图示说明其产生原因和移动方向。

五．在平衡凝固条件下，某成分碳钢的显微组织为50%铁素体和50%珠光体。

(1)计算该碳钢中碳的质量分数，并绘出平衡凝固时的冷却曲线。

(2)当加热到730℃时，其组织为什么？(3)当加热到900℃时，其组织为什么？。

2013年上海交通大学材料科学基础研究生入学考试试题回忆版

上海交通大学2013年研究生入学考试材料科学基础试题（回忆版）今天是周六，考研结束快两周了。

考完研第一天穿上了他们所说的高富帅外套；第二天出去吃了顿大餐；接下来就是关于毕设的综述和翻译；完事之后和同学玩了两天；之后便是每天两三点睡觉、中午十二点起的颓废。

十几天了，心情也调的差不多了，坐下来写写今年考得材科试题，惠顾10级的学弟学妹。

先说个大概，今年材科考试选择题有25个，每题三分；大题有四个，第一、三、四各15分，第二题30分。

个人感觉选择题还算常规，细看课本和历年真题答对20题应该不成问题；今年大题我觉得出的很偏，完全不在复习的重点之内，第一、三、四题我一点思路都没有，考试的时候全是自己瞎编，第二题还算是常规。

先想想选择题。

选择题大部分在历年的真题中出过（得占80%吧），所以与上交材科配套的那本辅导书上的真题要好好的看，要做到把上边的每一题都记住，搞清楚。

有几个选择题我不会做。

一个是关于晶体结构间隙的，具体题目忘记了，间隙这块我没认真记，建议大家不要忽视这里，体心、面心、密排六方结构的间隙类型、数量、大小比例等尽量记一下。

还有个题目出在第二章的合金相结构部分，我不会做，这一部分内容很多，重点不突出，建议大家多看几遍，争取记住，不要把这一部分放弃。

还有两个题目是出在第九章固态相变部分的，说起第九章我心里是一阵剧痛啊。

考研复习前在网上查资料，看到有学长说第九章不是重点，不必太认真复习，做真题后发现历年真题出在第九章的选择题几乎为零（数量应该在三个以内），大题没有。

因此第九章我看了两遍之后就不看了，没有认真研究。

结果是今年选择题出了两个，大题一个，一下二十分没了。

因此，衷心劝告学弟学妹们，一定要认真研究材科课本的每一个角落，像第一章、第二章的合金相结构、第九章、第十章及贯穿全书的关于陶瓷、高分子的内容等看起来不像是重点，但每一个地方都会出题目的，希望大家好好研读课本，课本才是王道。

大题。

第一个大题是固态相变的形核方式及每种方式的特点。

上交材料科学基础考研模拟试题

2015 年硕士研究生入学考试模拟试题
考试科目：上海交通大学-材料科学基础科目代码：827
（共 4 页）
（A）154.4Mpa（B）283.3Mpa
（C）1．由纯A和A-B固溶体形成的互扩散偶（柯肯达尔效应），下列表述正确的是：______ （A）俣野面两侧的原子扩散化学势相等，μAA=μA-BA，μAB=μA-BB （B）该扩散为上坡扩散（C）空位迁移方向与标记面漂移方向一致（D）该过程的扩散机制主要是间隙机制 12．原子的扩散式一种无规则行走，故扩散距离(x)与扩散时间(t)关系为_____ （A）x ∝Dt （B）x ∝Dt2（C）x2∝Dt（D）x∝D-1t 13．某金属凝固时的形核功为ΔG*，其临界晶核界面能为ΔG，则ΔG*和ΔG的关系为：______
2015 年硕士研究生入学考试模拟· 827· 材料科学基础–3（共四页）
2015 年硕士研究生入学考试模拟· 827· 材料科学基础–4（共四页）
23．下列固态相变中，成分和结构均发生变化的是：______
2015 年硕士研究生入学考试模拟· 827· 材料科学基础– 1（共四页）
2015 年硕士研究生入学考试模拟· 827· 材料科学基础– 2（共四页）
（A）贝氏体转变（B）调幅分解（C）多晶型转变（D）G.P.区的形成 24．铁素体（bcc，点阵常数ab=0.287nm）与奥氏体（fcc，bcc，点阵常数af=0.365nm）间可形成K-S关系（[111]b∥[110]f，（110）b∥（111）f），则在（110）b半共格界面上的位错间距为：______ （A）1.34nm（B）6.74nm（C）3.85nm（D）0.65nm 25．温度升高，金属和半导体材料电阻变化的一般规律是：______ （A）都升高（B）金属的电阻降低，半导体的电阻升高（C）都降低（D）金属的电阻升高，半导体的电阻降低

上海交通大学2014年827材料科学基础考研试题

上海交通大学2014年827材料科学基础考研试题一、选择题就记着几道了：1、在大塑性变形条件下，金属中可能产生（）A 、大量空位B 、不记得了C 、位错缠结D 、位错网络2、计算位错间距（之前真题考过的原题）3、下列哪一种相变中成分不变而结构改变（）A 、块状转变B 、珠光体转变C 、魏氏组织转变D 、渗碳体析出二、综合题1、在面心立方中有一汤普森四面体如图所示，（1）标出各晶面指数；（2）标出各晶向指数；（3）一位错位错线为BC ，柏氏矢量为AD 方向，问该位错能否滑移？（4）写出ADC 面上柏氏矢量为CD 的位错分解的位错反应，并从几何条件和能量条件判断是否可行；（5）写出ABC 面上可能的滑移系，若拉伸轴为【100】方向，试问哪个滑移系先开动。

2、已知Mg 2+的半径（具体数字）和O 2-的半径（具体数字），求MgO 晶体的密度和致密度。

3、在奥氏体和马氏体中有如下对应关系：K-S 关系：K-W 关系：请证明从K-S 关系绕【111】轴旋转5°得到K-W 关系。

4、给出Fe-N 相图，使分析在某一温度下（具体温度给出）渗氮材料的内部组织，并说明为什么没有两相区存在。

5、给出一三元相图，（是三元共晶相图）写出计算式即可。

（1）写出图中四相反应的名称和反应式；（2）画出图中O 点和O ’点的平衡冷却曲线并写出室温组织；（3）用作图法计算O 点室温相组成物的相对量；（4）用作图法计算O ’点在略高于四相平衡反应时相组成物的相对量。

编者注：由于记忆力有限，个别失误在所难免，理解题型和解题思路即可，题中数据请自行查阅。

A DC B。

2019上海交通大学考研817、827材料科学基础、831、 837高分子化学与物理与838复习全析(含真题)

2019上海交通大学仪器科学与技术考研817自动控制原理、827材料科学基础、831生物化学、 837高分子化学与高分子物理与838有机化学复习全析（含真题）《2019上海交通大学考研827材料科学基础复习全析》（含真题，共三册）全书内容紧凑权威细致，编排结构科学合理，为参加2019上海交通大学考研的考生量身定做的必备专业课资料。

《2019上海交通大学考研827材料科学基础复习全析》本书依据以下参考书目：《材料科学基础》(胡赓祥第三版）-----------2018上海交通大学官方指定参考书目------------《材料科学基础》(第三版）胡赓祥、蔡珣、戎咏华主编上海交通大学出版社2010本书旨在帮助报考上海交通大学考研的同学通过教材章节框架分解、配套的课后/经典习题讲解及相关985、211名校考研真题与解答，帮助考生梳理指定教材的各章节内容，深入理解核心重难点知识，把握考试要求与考题命题特征。

通过研读演练本书，达到把握教材重点知识点、适应多样化的专业课考研命题方式、提高备考针对性、提升复习效率与答题技巧的目的。

同时，透过测试演练，以便查缺补漏，为初试高分奠定坚实基础。

适用院系：机械与动力工程学院：核能与核技术工程（专业学位）电子信息与电气工程学院：仪器科学与技术、电子科学与技术、仪器仪表工程（专业学位）、电子与通信工程（专业学位）材料科学与工程学院（含塑性研究院）：材料科学与工程、材料工程（专业学位）生物医学工程学院（含Med-X研究院）：生物医学工程、生物医学工程（专业学位）、适用科目：827材料科学基础内容详情本书包括了以下几个部分内容：Part 1 - 考试重难点：通过总结和梳理《材料科学基础》(胡赓祥第三版）等教材的各章节复习和考试的重难点，建构教材宏观思维及核心知识框架，浓缩精华内容，令考生对各章节内容考察情况一目了然，从而明确复习方向，提高复习效率。

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2011年上海交通大学材料科学基础考研真题

2011年上海交通大学（827）材料科学基础考研真题一、选择题30*3。

1、NaCl和金刚石的晶体结构为a面心b体心c正交2、spinodel分解时，浓度较高区域的化学势a较高b较低c不确定3、面心立方结构晶体(100)面上原子的配位数是a12b8c44、晶体结构中旋转对称轴不包含几次对阵轴a4b5c65、晶带定律适用的晶系类型是a正交b立方c六方6、金属单质的表面能和晶界能相比a大b小c不确定7、由二氧化钛制备三氧化二钛易出现a间隙钛离子b钛离子空位c氧离子空位8、玻璃生产工序中的退火的目的是a增加透光度b消除内应力c改变折射率9、双交滑移和F-R源，更有效的增殖机制为a前者b后者c不确定10、热力学平衡状态下的金属单晶中a空位比间隙原子多b c11、下列具有更高自由能的是a晶体b准晶c非晶合金中的第二相粒子对晶粒长大的影响是a和二相粒子半径成正比，和体积数成反比b c二、大题共6题，前三题分别为8分、14分、8分，后三题各10分。

1、（1）画出立方晶胞中的（1，1，-1）晶面和[2，2，3]晶向；（2）画出六方晶胞中的（1，1，-2,3）晶面和[-1，-1，2,3]晶向。

2、（1）面心立方晶体（111）面上单位位错a/2[-1，1，0]分解为2个不全位错，下列哪一个正确，并说明理由1）a/2[-1，1，0]→a/6[-1，2，-1]+a/6[-2，1，1]2）a/2[-1，1，0]→a/6[-1，2，1]+a/6[-2，1，-1]（2）从能量角度说明其可行。

（3）证明面心立方拓展位错的宽度公式。

（要求严格证明）题目给出了刃、螺型位错应力场公式。

3、求再结晶时间，最简单的那种，利用t2/t1=exp-Q/R（1/T1-1/T2）。

4、用菲克第一定律求扩散量的一个题。

涉及用跃迁频率算扩散系数。

5、二元共晶相图题，画出过共晶的室温组织示意图；求正常凝固和平衡凝固共晶组织的相对量。

6、说明热塑性塑料和热固性塑料的区别。